台积电2纳米工艺泄密事件 - 台积电近期披露2纳米工艺技术遭泄露 已向检察机关提起诉讼并导致三名工程师被单独拘禁 [2] - 涉案工程师均为台湾顶尖国立大学硕士毕业的年轻专业人士 涉嫌违反商业机密和国家安全法 [2] 泄密案件细节 - 案件涉及台积电尖端2nm技术 与一名现就职于东京电子(TEL)的前员工有关 东京电子是台积电重要供应商 通过Rapidus与日本2nm技术发展关系密切 [4] - 台积电于6月底启动调查 发现机密数据多次被传递给该前员工 该工程师毕业于新竹科学园区附近顶尖大学 曾在台积电工作近八年 负责5纳米和3纳米良率提升 [4] - 涉案工程师承认收集机密数据以提高设备性能 但坚称仅供内部使用 台积电发现其拍摄近千张2纳米工艺流程照片后提起正式诉讼 [4] 案件影响与行业现状 - 虽然无证据表明数据外泄 但行为已违反台积电PIP政策 公司采取严格法律行动以儆效尤 [5] - 案件特殊性在于涉案工程师仍在职 非跳槽前窃密 凸显半导体领域巨大压力 工程师可能为证明价值而窃取敏感数据 [5]

展会概况 - 湾区半导体产业生态博览会将于10月15-17日在深圳会展中心举办 展出面积达60,000平方米 汇聚全球600余家半导体企业 [2] - 展会聚焦晶圆制造 化合物半导体 IC设计 先进封装四大核心展区 [2] - 主办方提供限时福利：8月15日前预登记可抽取5位幸运观众赠送价值1200元高端闭门论坛门票 [2] 晶圆制造展区 - 晶圆制造展区为2025年最具规模展区之一 覆盖晶圆制造及IDM厂商 设备 材料 零部件 绿色厂务等全产业链环节 [2] - 吸引TEL KE SCREEN 日立 北方华创 盛美 拓荆等国内外顶尖企业参展 展示最新技术及解决方案 [2] 设备展品与展商 - 设备展品涵盖光刻 刻蚀 清洗 薄膜沉积 离子注入 量测检测等18类关键设备 [3] - 参展企业包括KE SCREEN Semilab 上海微电子 日立高新 盛美上海 华海清科 中科飞测等国内外领先设备商 [4] 材料展品与展商 - 材料展品包含晶圆 电子特气 光刻材料 抛光材料 前驱体 掩模版等12类核心材料 [5] - 参展企业有沪硅产业 奕斯伟材料 江丰 中环领先 安集科技 中船特气 新宙邦 雅克等头部材料供应商 [5] 零部件展品与展商 - 零部件展品覆盖金属件 阀类 泵类 真空系统 光学部件 温控系统等15类精密组件 [6] - 参展商包括EBARA 埃地沃兹 3M 中科九微 新莱洁净 珂玛科技 英杰电气等关键零部件企业 [6] 配套服务展商 - 厂务 检测 维修 包装等配套服务展商包含超纯科技 胜科纳米 家登 丝亚检测等企业 [7] - 服务范畴涵盖半导体光罩盒 流量计 特种光源 第三方服务等生态支持环节 [7] 论坛体系 - 晶圆制造论坛以全流程为核心纽带 覆盖设备技术 核心零部件 材料工艺及生态构建 [9][10] - 论坛为决策者 营销指导人 技术人才提供交流平台 聚焦技术创新与市场动态 [10][15] 核心议题 - 10月15日举办国际半导体设备技术与工艺闭门论坛及核心零部件论坛 [11][12] - 10月16日举办集成电路材料峰会 10月15日另设国际材料与晶圆工艺闭门论坛 [13][14] - 议题涵盖埃米时代工艺创新 2.5D/3D堆叠技术 刻蚀设备突破 光刻胶应用 电子气体技术等16个前沿方向 [16]

三星延长DDR4 DRAM生产计划 - 三星原计划2025年底前逐步停止1z节点DDR4 DRAM生产，但最新决定将生产期限延长至2026年12月 [2] - 延长生产可能因HBM认证进度落后于SK海力士和美光，需利用现有产能维持盈利能力 [2] - 1z生产线已完全折旧，DDR4生产成本较低，对芯片业务盈利贡献显著 [2] DDR4市场供需与价格动态 - DDR4 DRAM价格近期飙升，PC级DDR4 8Gb芯片7月底价格环比上涨50%至3.9美元 [3] - 4-6月DDR4价格持续两位数增长：4月环比涨22.22%，5月涨27.27%，6月涨23.81% [3] - 7月DDR4 8GB模块合约价26.5美元，高于DDR5模块的25.5美元 [3] - 供应紧张主因SK海力士和美光削减DDR4产能转向HBM，叠加设备商囤货应对美国关税 [3] 行业影响与三星战略调整 - 三星延长DDR4生产或缓解短缺，预计价格涨势放缓但不会下降 [3] - 该决策间接反映三星HBM扩产计划未达预期进度 [3] - 工业主板和电信设备等长期需求支撑DDR4市场持续性 [3]

格罗方德中国市场战略 - 尽管消费需求低迷导致第三季度前景黯淡，公司仍加速推进"中国制造"战略，与本土代工厂达成新协议[2] - 将率先推出汽车级CMOS和BCD技术，目标客户为在中国有需求的国内外半导体公司[2] - 保留知识产权和质量控制权，同时利用中国客户关系，过去一年在电池管理、雷达、MCU和PMIC领域获得设计订单[2] - 汽车芯片已开始向中国客户发货，CEO指出中国客户对双源采购模式（本地生产+全球供应链）兴趣强烈[2] 行业动态与竞争格局 - 恩智浦考虑与中国本土晶圆代工厂合作实现完全本地化生产，目前其晶圆制造仍集中于美国和新加坡[3] - 消费电子需求持续低迷，公司预计Q3营收16.8亿美元，低于华尔街预期的17.9亿美元[3] 财务与投资计划 - 6月将总投资计划提升至160亿美元，新增10亿美元资本支出和30亿美元用于电动汽车/AI服务器芯片研发[3] - Q2营收达16.9亿美元，每股收益42美分，超预期，主要受益于成本削减及汽车/数据中心领域增长[3] 其他行业信息 - 推荐阅读涉及半导体行业10万亿投资、芯片巨头市值波动及全球TOP10芯片公司市值排名[4]

台积电发展历程 - 公司成立于1986年，张忠谋担任董事长，启动资金4800万美元，其中行政院发展基金占48.3%，飞利浦占27.5%[4] - 1988年完成两轮融资，总额2.82亿美元，1987年开始生产，最初采用工研院的2微米和3.5微米技术[4] - 1994年上市时已发展到0.6微米三金属逻辑工艺，1990-1994年间晶圆出货量达250万片，销售额从22亿新台币增长至193亿新台币[7] 技术演进 - 1995年引入钨塞改善平坦化工艺，1997年采用CMP技术并推出0.35微米工艺[11][13] - 1998年推出0.25微米工艺，采用氟硅酸盐玻璃作为低k介电材料，营收达新台币500亿元[14] - 2000年180纳米工艺采用FSG电介质，销售额较1999年增长127%，1992-2000年CAGR达50%[19][21] - 2004年推出90纳米工艺，首次在300毫米晶圆上全面量产，被30多家客户采用[37] - 2010年宣布28纳米工艺采用后栅极HKMG技术，提供高性能、低功耗等多个版本[64][67] 产能扩张 - 2006年第四季度300毫米晶圆总产能达27.1万片，被IC Insights列为全球第四大IC厂商[46][49] - 2009年晶圆出货量达770万片8英寸当量，年产能提升至1000万片，营收从730亿新台币增长至2960亿新台币[61] - 2011年Fab 12和Fab 14月产能超27万片，Fab 15建成后将增加10万片以上月产能[80] 行业地位 - 2006年成为全球最大晶圆代工厂商，销售额比第二大厂商高出2.5倍以上[46] - 2009年拥有超过400家客户，全年生产7000多种产品[61] - 2014年20纳米产品量产，第四季度28纳米工艺占营收42%[83]

SK海力士的市场表现 - 2025年第二季度营收达162.3亿美元，利润51亿美元，同比增长69.8% [1] - 超越三星成为全球第一DRAM供应商 [1] - HBM产品贡献77%营收，成为核心增长动力 [1] HBM技术特性 - 采用垂直堆叠结构和TSV硅通孔技术提升内存带宽 [1] - 在大模型训练时代发挥关键作用 [1] - 面临显著成本压力 [1] AI技术演进 - AI 1.0时代特征：处理文本/语音等单一模态任务，代表应用包括语音助手和推荐引擎 [2] - AI 2.0时代特征：LLM模型支持跨模态处理（文本/图像/视频/3D等），代表模型包括GPT-4/PaLM2等 [2][3] - AI模型参数规模激增：GPT-3（1750亿参数）到GPT-4（1.76万亿参数） [3] GDDR技术优势 - 专为GPU设计，通过双沿触发实现双倍数据传输率 [4] - GDDR7关键参数：单芯片速率192GB/s，密度32Gb，采用PAM3调制技术 [4] - 相比HBM具有性价比优势，适合边缘计算和物联网部署 [4] - 推理场景下带宽需求低于训练，GDDR7成为理想选择 [4] 内存技术对比 - GDDR7带宽达128GB/s，是LPDDR5X（34GB/s）和DDR5（51.2GB/s）的2-4倍 [6] - GDDR7数据速率32Gbps，显著高于LPDDR5X（8.5Gbps）和DDR5（6.4Gbps） [6] - 系统设计复杂度：GDDR7中等，优于LPDDR5X/DDR5的大面积需求 [6] Rambus技术布局 - 拥有35年技术积累，2800项专利 [10] - GDDR7控制器支持40Gbps/引脚速率，160GB/s带宽 [12] - 采用PAM3信令和FEC纠错技术保障高速传输可靠性 [10][11] - 支持AXI接口、智能调度算法和多种低功耗模式 [13]

控制权变更交易 - 矽睿科技拟通过协议收购安车检测控股股东贺宪宁持有的1472.24万股股份（占总股本6.43%），转让单价21.84元/股，总价款3.22亿元，较停牌前26.15元/股折价17% [2][3] - 交易包含表决权委托条款，贺宪宁将额外13.57%股份表决权委托给矽睿科技行使，使其合计控制20%表决权，后续限售解禁后将完成股份转让 [2] - 交易完成后安车检测控股股东变更为矽睿科技，实际控制人变更为"无实际控制人"状态 [2] 矽睿科技背景 - 公司2012年成立于上海，聚焦智能传感器领域，产品涵盖智能运动感知系统、磁传感解决方案等六大矩阵，覆盖智能汽车、消费电子等三大万亿级赛道 [3] - 股东结构分散，无单一持股超10%股东，主要股东包括上海联和投资（上海市国资委全资）、国家大基金参与的超越摩尔基金、云锋基金等 [3] - 高管团队中董事长叶峻兼任上海联和投资及多家上市公司职务，总经理孙臻为专职 [4] 资本市场动作 - 2023年6月以6.83亿元转让麦歌恩微电子68.28%股权给纳芯微，同年12月完成交割 [5] - 2021年及2023年两度启动IPO辅导，最新进展显示国泰海通正协助完善业务战略及募投方案 [5] 交易标的概况 - 安车检测停牌前市值60亿元，复牌前一日股价大涨11.87%至26.15元/股 [3]

英伟达芯片安全性声明 - 公司重申英伟达芯片中没有后门、终止开关和监控软件，强调这些绝不是构建可信系统的方式[2] - 公司反对在硬件中设定终止开关或内建控制项，认为这会为黑客和敌对势力提供可乘之机[2] - 公司以1990年代Clipper芯片崩溃事件为例，说明内建后门被证明是错误的做法[3] 行业安全原则 - 终止开关和内建后门会造成单点故障，违反网络安全基本原则[3] - 公司指出智能手机的"寻找我的手机"功能与GPU终止开关不具可比性，前者是软件功能且由用户控制[3] - 政策制定者几十年来支持业界打造安全可靠硬件，政府有其他工具保护国家安全[3] 中国市场相关事件 - 中国国家网信办于7月31日约谈英伟达，要求对H20算力芯片漏洞后门安全风险问题进行说明[4] - 约谈依据《网络安全法》《数据安全法》《个人信息保护法》相关规定[4] 行业背景 - 美国立法者一直倡导为出口先进芯片配备"追踪和定位"功能[2] - 公司30多年前开始设计处理器，强调经验表明后门会破坏全球数字基础设施信任[2]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源 ：内容 编译自 tomshardware 。 PCI-SIG 联盟正式宣布开发 PCI Express 8.0 规范。新版本旨在将数据传输速率翻倍至每通道 256 GT/s。除了额外的带宽外，据称 PCIe Gen8 还具有协议增强功能，以增加实际带宽并降低功耗。 即将推出的 PCIe 8.0 规范将使 PCIe 7.0 的原始比特率翻倍至 256.0 GT/s，从而在 x16 配置下实 现高达 1 TB/s 的双向带宽。该规范将继续采用具有前向纠错 (FEC) 和 Flit Mode 编码的 PAM4 信令，这些技术已在 PCIe 6.0 和 PCIe 7.0 中使用。然而，达到每通道 256 GT/s 的速度可能是一 项极其艰巨的任务。工程师们将进入一个未知领域，因为目前还没有哪种铜互连标准能够达到如此 高的数据传输速率，尤其是在几十厘米的距离上。 为了确保 PCIe 8.0 互连的可靠性、可用的信噪比、稳定的性能、可接受的信号损耗、信号完整性 和功率效率，PCI-SIG 目前正在审查一种新的互连技术，同时保持与上一代 PCIe 实现的向后兼容 性。该规范还 ...

氮化镓技术背景与材料特性 - 世界氮化镓日定为每年7月31日，源于氮（N）和镓（Ga）在元素周期表中的排序（第7号和第31号元素），彰显其战略科技地位 [1] - 氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）同属化合物半导体，材料性能直接影响电子器件特性，SiC MOSFET优势在于更大功率，GaN HEMT优势在于更高频率 [2][3] - 氮化镓HEMT器件结构复杂，需在硅衬底上生长多层外延（如NL成核层、SRL超晶格层等），材料工艺比晶圆加工更关键 [6][7] 氮化镓应用市场分析 汽车领域 - 主驱动逆变器中SiC因耐高压、高温及短路保护能力（>3微秒）占据优势，GaN目前短路能力低于500ns，短期内难以替代 [10] - 车载充电器（OBC）和DC-DC转换器是GaN重点方向，已有厂商推出11kW/800V方案，650V以下电压区间具备成本和体积优势 [10] - 车规级可靠性是GaN主要障碍，异质外延工艺缺陷需通过器件设计和测试标准完善解决 [11] 消费电子与AI服务器 - GaN在消费电子快充市场快速普及，英诺赛科出货量达6.6亿颗，2024年营收8.28亿元，全球份额第一 [12][13] - AI服务器电源需求功率密度达100 W/in³，GaN高频特性显著提升效率（如纳微半导体方案峰值效率96.52%） [18] 人形机器人与光储充系统 - 人形机器人关节电机需0.1秒内完成500rpm转速切换，GaN器件开关速度优于硅基MOSFET，上海智元已在3个关键关节应用GaN芯片 [21][23] - 光伏和储能场景中GaN无需短路保护能力，英诺赛科2kW微型逆变器方案功率密度40W/in³，充电效率提升2倍 [24] 技术挑战与成本结构 - 硅基GaN外延面临晶格/热失配问题，高压器件需更厚外延层，缺陷抑制难度大 [25] - GaN成本优势在于硅衬底成本低，但需平衡衬底、晶圆制造、封装、良率等环节，与SiC竞争关键在产业链协同 [25] 行业动态与IPF 2025大会 - IPF 2025为国内宽禁带半导体最高规格会议，聚焦GaN与SiC产业链交锋，郝跃院士将报告宽禁带器件进展，英诺赛科董事长骆薇薇等重磅嘉宾出席 [34][35] - 大会议程涵盖材料、器件设计、应用创新（如AI数据中心、车用模块等），设置GaN与SiC协同发展圆桌论坛 [36][38][40][42]