中期经营计划与财务目标 - 公司公布2026至2028财年中期经营计划，并设定了2028财年财务目标：销售额超过5000亿日元、营业利润率超过20%、净资产收益率（ROE）超过9% [2] - 公司计划通过提升客户导向、运用尖端技术及发挥垂直整合制造（IDM）、集成技术和功率/模拟技术等优势来实现增长 [2] - 为实现1000亿日元的营业利润，公司计划提高碳化硅业务盈利能力、重组生产基地、优化业务组合、降低制造成本并优化价格 [2] 业务发展战略与目标 - 增长战略专注于汽车领域，重点发展电力和模拟电路，同时加强工业和消费电子业务（如服务器、家用电器）以打造均衡产品组合 [2] - 公司致力于研发用于传感的光学器件，并希望将其发展成为下一代技术的核心支柱 [2] - 按市场划分，公司计划将汽车行业销售额提升至2750亿日元，占总销售额的55%，并扩大人工智能服务器工业设备的销售 [2] - 公司设定了到2030财年实现人工智能服务器解决方案300亿日元销售额的目标，计划通过提供包括LSI、功率半导体、模拟半导体等广泛产品来实现增长 [7] LSI业务战略 - LSI业务目标是销售额超过1100亿日元，营业利润率超过22% [3] - 为提升盈利能力并使其成为公司整体利润率增长的驱动力，公司将向高利润/高增长领域投入研发资源以拓展产品线 [3] - 公司将通过开发芯片组、高效DrMOS和设备端学习AI等原创技术确保竞争力，并应用量子退火技术优化工艺流程以应对金价上涨 [3] - 公司计划通过整合和精简生产基地来降低固定成本 [3] 功率器件与碳化硅业务 - 功率器件业务设定了超过2150亿日元的销售额和超过23%的营业利润率目标，重点是实现碳化硅业务盈利并使其成为利润增长驱动力 [5] - 到2028财年，公司计划扩大汽车主逆变器销售，预计交付量将达到约300万台，目前公司已向16家汽车制造商交付产品 [5] - 公司预计到2028财年客户规模将增长三倍，欧洲将成为最大市场，美洲也将加入，业务从纯电动汽车向插电式混合动力汽车和混合动力汽车领域扩张 [5][6] - 公司通过推出第五代产品增强竞争力，并开始交付高附加值的碳化硅功率模块“TRCDRIVE pack”，预计模块业务占比提高将带动销售额增长 [6][12] - 公司改进衬底业务并推进碳化硅晶体衬底制造工艺改进，目前主要由其德国子公司SiCrystal负责 [6] - 公司将通过自主生产外延晶片来降低成本，并提高良率，第五代产品晶体质量提升及8英寸衬底质量优于6英寸衬底有助于良率提高 [6] - 加快向8英寸晶圆过渡至关重要，因为其良率更高、质量更优，公司有信心碳化硅业务在2028财年实现盈利 [6][7] - 公司目标到2028财年市场份额达到15-20%，并通过向8英寸屏幕、第六代乃至第七代产品转型，生产低成本、高质量产品，凭借研发能力与竞争对手展开竞争 [7] 公司重组计划 - 公司计划将四家日本国内制造子公司和滋贺工厂重组为两家新公司：ROHM Device Manufacturing (RDM) 负责前端加工，ROHM Assembly Manufacturing (RAM) 负责后端加工 [8] - RAM还将作为母公司运营和管理该业务，并监管海外后端制造子公司，两家公司计划于2026年4月1日开始运营 [8] 一般用途/其他业务 - 一般用途/其他业务目标是在2028财年实现超过1100亿日元的销售额和超过22%的营业利润 [7]

文章核心观点 - AI芯片需求持续强劲，推动晶圆代工龙头台积电先进制程产能供不应求，公司计划大幅增加资本支出并加速扩产 [2][4][5][7] 台积电供应链管理论坛与行业地位 - 台积电将于2025年1月13日举办供应链管理论坛，吸引包括ASML、Applied Materials在内的数百家国际设备与材料大厂高层参与 [2][3] - 公司在先进制程领域处于绝对领先地位，被形容为“一个人的武林”，竞争对手英特尔和三星难以企及 [4] 产能需求与资本支出计划 - AI芯片需求大爆发导致台积电3纳米制程产能紧张需扩产，刚量产的2纳米制程更是供不应求 [2][4] - 2025年资本支出预计将增至450亿至500亿美元，较2024年有所增加 [2][4] - 2024年资本支出已从原定380-420亿美元上修至400-420亿美元，其中约70%用于先进制程 [4] - 2025年在台湾计划投资兴建包括先进制程晶圆厂和先进封装厂在内的共12座工厂 [2][4][5] 客户需求与高管表态 - 英伟达执行长黄仁勋近期访台明确向台积电要求更多芯片供应，并指出AI业务“逐月成长，而且越来越强劲” [2][3][7] - 台积电董事长魏哲家证实AI客户全部寻求台积电产能，预计产能仍不足，需要政府协助找地扩厂 [5][7] - 包括Meta、Alphabet、Amazon和Microsoft在内的科技巨头计划2025年共同投入超过4000亿美元用于AI建设，较2025年增长21% [7] 近期业绩与市场反应 - 台积电2024年10月营收为新台币3674.73亿元，销售额同比增长16.9%，为2024年2月以来最低增速，低于分析师预期的27.4% [6] - 尽管营收增长放缓引发对AI需求可持续性的疑虑，但公司股价自年初以来仍上涨约37% [6] - 高通执行长阿蒙等业内高管均认同低估AI发展规模的观点，支持长期需求乐观论调 [7]

软银集团股价表现 - 软银集团股价收盘下跌6.87%，从盘中更大幅度下跌中有所回升[2] - 股价在前一交易日上涨近3%，但周三曾暴跌10%，创下自四月以来最差单日表现[2] - 本周公司市值蒸发近500亿美元，录得自2020年3月以来最差周跌幅，跌幅近20%[2] 股价下跌原因分析 - 软银集团被许多投资者视为唯一上市的OpenAI代理股，其股票下跌反映了对人工智能领域日益增长的谨慎情绪[3] - 市场认识到许多OpenAI的合作伙伴关系仍是潜在的而非已确认，且融资前景存在不确定性[3] - 人工智能相关股票普遍面临新一轮压力，软银持有为全球移动和人工智能处理器提供动力的Arm Holdings的控股权，Arm股价隔夜下跌1.21%[3] 行业连锁反应 - 日本科技股普遍下跌，爱德万测试下跌5.5%，瑞萨电子下跌近4%，东京电子下跌1.35%[5] - 台积电股价下跌0.34%，SK海力士下跌2.2%，三星下跌1.3%[7] - 美国人工智能相关公司隔夜下跌，高通下跌近4%，AMD下跌7%，Palantir和甲骨文分别下跌约7%和3%，英伟达和Meta Platforms也收盘走低[7] 人工智能市场情绪与估值 - 围绕人工智能的兴奋情绪引发市场对科技泡沫的担忧，部分观点认为当前估值开始类似于上世纪90年代末的互联网泡沫[7] - 人工智能的经济影响被承认，但市场波动被视为不可避免，当前资本支出主要由拥有雄厚资产负债表的现金充裕公司提供资金，而非廉价信贷或投机[8] - 主要风险被指出是估值疲劳，即投资者厌倦为未能足够快速实现的AI回报支付越来越高溢价，而非泡沫破裂[8]

行业供需动态 - 存储行业受AI驱动出现严重缺货，NAND Flash本月合约价大涨约50%，DRAM的DDR4与DDR5价格持续上涨 [2] - NAND Flash大量应用于AI是近两三个月的新现象，供应商将产能转向AI应用，同时客户因HDD缺货转向高容量SSD，预计NAND Flash缺货刚开始 [2] - DRAM方面三大原厂无DDR4增产计划，预计2026年淡出DDR4市场，供给有限推动价格大幅上涨，为台厂提供机会 [2] - 闪迪预测NAND闪存供应短缺将持续到2026年底，客户反馈可能延续至2027年，供需失衡由长期需求趋势、过往投资及行业节点转型驱动 [4] - 闪迪晶圆厂满负荷运转以补充大幅减少的库存，产量已达极限 [4] 公司运营与产品策略 - 创见产品出货以DDR4为主，原料主要来自三星，是三星在台湾唯一直供模组厂，预计明年DDR5出货比重将上升，DDR5目前也相当缺货但新增产能机会较高 [2] - 闪迪数据中心收入环比增长26%，有两家超大规模数据中心正在认证，第三家和一家顶级存储OEM厂商计划2026年完成认证，与五家大型超大规模数据中心客户密切合作 [7] - 闪迪BiCS8技术占总出货量15%，预计到2026财年末将占据生产主导地位 [7] - 闪迪在高带宽闪存领域取得进展，正与潜在客户合作开发面向数据中心和边缘计算的AI推理应用 [6] 财务表现与展望 - 创见第三季营收达41.09亿元新台币，季增27.2%，年增63.2%，税后净利15.11亿元，季增259%，年增334%，每股盈余3.52元 [3] - 闪迪2026财年第一季度营收23.1亿美元，环比增长21%，高于预期，GAAP净利润1.12亿美元（每股0.75美元），非GAAP每股收益1.22美元 [6] - 闪迪对2026财年第二季度业绩指引远超预期，预计营收25.5亿至26.5亿美元（市场预期23.2亿），调整后每股收益3.00至3.40美元（此前预测1.79美元） [6] 市场趋势与预测 - 受更快的增长速度和更多元化的客户群体推动，到2026年数据中心市场可能首次超越移动市场成为最大的NAND闪存细分市场 [4]

项目概况与核心理念 - 三星集团首次公开其持续12年的“未来技术开发项目”成果，该项目基于以技术为中心的管理理念，旨在促进学术界与产业界的协作[3] - 该项目是韩国首个由私营部门主导的基础科学研究支持项目，始于2013年，支持基础科学、材料技术、信息通信技术和融合领域的创造性研究[4] - 项目提供了端到端的开发方案，超越简单的研究资助，覆盖从项目选择、性能最大化到技术商业化的全方位支持[5] 资金投入与项目规模 - 三星在12年间累计投入1.5万亿韩元资金，已投资总计1.1419万亿韩元研究资金，累计选定了880个研究项目[4] - 共有来自91家机构的16,000多名研究人员获得支持，包括约1,200名教授和超过14,000名理工科研究生[4] 商业化成果与成功案例 - 项目已催生65个研究项目创立初创公司，例如首尔大学教授创立的Protina公司，该公司已成功在韩国创业板KOSDAQ上市[5] - 韩国科学技术院教授关于生物钟数学建模的研究被开发成AI睡眠教练功能，并集成到Galaxy Watch8中[6] - 首尔大学教授基于解决数据中心瓶颈问题的技术创立MangoBoost公司，正与全球大型科技公司合作[6] 近期活动与技术焦点 - 三星举行“2025年未来技术开发项目年度论坛”，首次向公众开放，约400人参加，包括政界人士、研究人员和学术带头人[4] - 在新设立的论坛中进行了64场主题演讲，针对四个基础科学领域和六个工程学领域进行了50个项目演讲[6] - 特别会议围绕“十大前景技术”展开，包括下一代半导体封装、智能热管理、AI电池、数字医疗、人形机器人等前沿领域[7] 战略目标与未来方向 - 项目目标是为基础科学发展和产业技术创新做贡献，并培养世界级科学技术专业人才[4] - 三星将加强支持让研究人员专注于研究，为社会可持续发展做贡献，并继续提供长期支持让年轻科学家挑战新课题[7]

市场概况与增长 - 嵌入式新兴非易失性存储器（eNVM）正进入更广泛的采用阶段，涵盖微控制器、连接和边缘AI设备，在汽车和工业市场势头强劲 [4] - 到2030年，嵌入式新兴存储器领域预计将超过30亿美元，反映了其在主流工艺节点上更广泛的可用性以及在≤28纳米工艺下对NVM的强劲需求 [4] 技术进步 - 嵌入式闪存（eFlash）仍是基础，但在先进节点的尺寸缩放限制已将MRAM、ReRAM和嵌入式PCM推向前台 [6] - 晶圆代工厂和整合元件制造商（IDM）正在将嵌入式选项从28/22 nm平面CMOS扩展到10–12 nm级平台，包括FinFET [6] - 台积电已建立大批量MRAM/ReRAM生产，并正在为2025年及以后准备12nm FinFET ReRAM/MRAM [6] - 三星、格芯、联华电子和中芯国际正在加速在通用微控制器和高性能汽车设计中采用嵌入式MRAM/ReRAM/PCM [6] - 意法半导体作为全面致力于嵌入式PCM的IDM脱颖而出，正在为工业和汽车微控制器加速推广xMemory解决方案，其18nm FD-SOI将在2025年后扩大应用范围 [6] - BCD和HV-CMOS流程也正在整合嵌入式NVM，作为模拟、电源管理和混合信号设计中EEPROM/OTP的实用替代品 [7] - 利用eNVM的内存内/近内存计算概念正因其在低功耗边缘AI推理中的潜力而获得关注 [7] 驱动因素与用例 - 汽车仍然是嵌入式新兴NVM的重心，2025年安全IC和工业微控制器的应用显著增加 [8] - ReRAM在几个大批量类别中获得关注，而MRAM和PCM在速度和耐用性占主导地位的应用中具有吸引力 [8] - 到2030年，嵌入式NVM将为更多的片上AI功能和实用的内存内/近内存计算模块提供支持，并在边缘的神经形态启发加速器中得到更广泛的应用 [9] - 嵌入式新兴存储器领域是主要的增长引擎，其中ReRAM在大批量微控制器和模拟IC中处于领先地位，而MRAM和嵌入式PCM则巩固在性能关键型利基市场 [9] 行业前景 - eNVM的作用从"仅仅是存储"扩展到成为计算结构的一部分，重新定义了效率，并使嵌入式存储器在设备智能中变得比以往任何时候都更加核心 [9] - 嵌入式NVM不仅仅是存储器，它是智能、持久片上系统的推动者，随着其在微控制器和边缘SoC中的加速采用，发展轨迹已经确定 [9]

英伟达对华芯片销售政策 - 公司目前没有积极讨论向中国出售其最先进的Blackwell人工智能芯片[2] - 公司旗舰AI芯片Blackwell被特朗普政府阻止出售给中国 原因是担心其帮助中国军方和国内人工智能产业[2] - 公司首席执行官表示目前没有计划向中国大陆出口任何产品 产品何时重返中国市场取决于中国政府的决定[2] - 美国允许公司在中国销售H20芯片 但公司在先进AI芯片市场的份额为零 因为中国不希望公司进入其市场[2] 公司运营与行业观点 - 公司业务非常强劲 首席执行官此次访问台湾是为了拜访长期合作伙伴台积电并参加公司运动会[2] - 首席执行官认为建立先进的半导体制造能力极其困难 如同台积电所做 但强调这是一项非常重要的技术且需求非常高[2] - 首席执行官澄清其关于中国将在人工智能竞赛中获胜的言论 表示其原意是中国人工智能技术非常先进且拥有大量研究人员[3] - 全球50%的人工智能研究人员在中国 最流行的开源人工智能模型也来自中国 因此中国行动非常迅速 美国必须保持惊人速度以应对激烈竞争[3]

英伟达与英特尔合作对AMD的潜在影响 - 英伟达计划与英特尔合作开发用于个人电脑和数据中心的芯片，可能加剧AMD面临的竞争并对其业务产生不利影响[3] - 合作可能导致AMD产品面临更激烈的竞争和价格压力，进而影响其财务状况和利润率[3] - 英特尔将贡献其先进的封装技术和x86 IP，而英伟达将贡献其高端GPU IP[3] - 合作芯片预计在2026年至2027年间推出，距离上市仍需数年时间[3] AMD当前市场地位与产品进展 - AMD的Ryzen AI MAX芯片已经上市，在移动平台上能提供强大的PC和工作站性能[4] - AMD正准备明年推出Strix Halo的升级版，据报道目前已全面投产[4] - 凭借新的SKU产品，AMD有望在更多平台市场（尤其是在掌上电脑领域）赢得更多市场份额[4] 关键人才流动与AMD战略前景 - 英特尔数据中心人工智能产品管理副总裁Saurabh Kulkarni即将加入AMD，其此前曾领导英特尔的Gaudi加速器芯片项目[4] - 此举正值AMD加速挑战人工智能基础设施领导者英伟达之际，公司数据中心战略已超越英特尔[4] - AMD已成功赢得OpenAI等重要客户，公司首席执行官表示AMD有望在2027年实现Instinct GPU业务数百亿美元的年收入[4] 英特尔与英伟达合作产品规划 - 英特尔计划将英伟达的RTX IP集成到其即将推出的SoC中，旨在与AMD的高端Halo系列（包括Ryzen AI MAX系列）竞争[3] - 英特尔预计在2026年至2027年间推出其首款Halo级芯片（Nova Lake-AX系列）[3] - 英伟达计划于2026年推出基于N1系列的AI PC解决方案[3]

文章核心观点 - 存储市场正经历由AI需求驱动的罕见供需失衡，导致内存和NAND闪存价格飙升 [2] - 高带宽闪存（HBF）作为一种新兴技术，正推动NAND闪存从廉价存储向AI时代高价值核心组件转型，其发展路径与高带宽内存（HBM）相似 [2][19] - HBF技术旨在解决AI多模态、长上下文模型对庞大中间状态数据的存储需求，在DRAM的速度和NAND的容量之间找到平衡 [3] - 2026-2027年是HBF技术发展和市场格局形成的关键窗口期，各大内存厂商正采取不同策略进行布局 [19] HBF技术概述 - HBF是NAND版本的高带宽内存技术，通过将16层NAND堆栈通过逻辑芯片连接到中介层，再以多通道高带宽方式连接到GPU或其他处理器 [3] - 该技术依托闪迪的CBA技术构建，使用硅通孔实现层间互联，能匹配HBM的带宽，同时在相近成本下提供8至16倍的存储容量 [4] - HBF单芯片可达到4TB容量（由8颗512GB HBF芯片组成），足以容纳16位权重的GPT-4模型（1.8万亿参数，需3.6TB存储） [10] - 该技术为混合专家模型及多模态大模型的端侧部署提供了可能，一颗512GB HBF芯片即可承载640亿参数的MOE模型 [11] 主要厂商动态 SK海力士 - 公司在2025年OCP全球峰会上发布了包含HBF在内的"AIN Family"产品阵容，其中AIN B是采用HBF技术的产品 [5] - AIN系列从性能、带宽、容量三个维度进行优化，旨在同时提升数据处理速度和存储容量 [5] - AIN B通过垂直堆叠NAND来扩大带宽，核心是将高容量、低成本的NAND与HBM堆叠结构相结合 [6] - 公司已向清州M15X工厂运入首批设备，该工厂将重点量产下一代HBM产品，为HBF的未来部署奠定基础 [7] - 2025年8月，公司与闪迪签署了HBF标准化谅解备忘录，推动开放式生态策略 [12] 闪迪 - 公司计划于2026年下半年向客户提供HBF样本，并于2027年初为推理AI提供正式产品 [10] - 技术突破使得HBF无需依赖DRAM即可承载超大模型，得益于DeepSeek AI研究人员提出的"多头潜在注意力"技术，可将键值缓存压缩93% [10] - HBF可将芯片拆分为8个64GB迷你阵列，为MOE的8个专家子模型分别提供专属存储与数据通道 [11] - HBF负责人Ilkbahar曾担任英特尔Optane部门副总裁，此次选择与SK海力士合作推动标准化，避免重蹈Optane过于专有化的覆辙 [12] 铠侠 - 公司展现出务实和多元化的技术探索路径，既独立开发差异化方案，又能共享合作伙伴的技术积累 [13] - 2025年8月发布面向边缘服务器的高速闪存驱动器原型，采用串联连接的闪存"珠子"，使用PCIe 6总线，实现5TB容量和64 GBps数据速率 [13] - 该原型通过相同的PCIe Gen 6总线从5TB容量提供高达64 GBps速度，总吞吐量约为美光9650 Pro的2.3倍 [14] - 应英伟达要求，公司正在开发一款1亿IOPS的SSD，预计2027年推出，将支持PCIe 7.0标准 [14] 三星 - 公司已启动自有HBF产品的早期概念设计工作，但产品规格和量产时间表仍未知，态度较为谨慎 [16] - 作为DRAM和NAND的双料冠军，公司在开发HBF产品时具备天然的协同优势 [16] - 公司在HBM市场的经验教训可能影响了其在HBF上的策略，倾向于采取"后发制人"的策略 [17][18] 市场背景与价格动态 - 存储市场供需失衡，内存短缺问题加剧，三星于10月暂停DDR5 DRAM合约定价，引发内存价格暴涨 [2] - 9月以来，512Gb TLC晶圆价格稳步攀升，10月下旬已达5美元，1Tb TLC/QLC晶圆价格触及6.5至7.2美元区间 [2] - NAND涨价的核心原因包括库存见底和HBF新技术的推动 [2]

市场前景与公司定位 - 到2030年基于边缘AI的系统级芯片市场营收规模预计将达到800亿至1000亿美元[2] - 人工智能正从数据中心转移到边缘智能网联设备将能实时了解学习和行动低功耗安全的无线连接及嵌入式机器学习将引领下一个时代[7] - 公司是无线连接行业的领先厂商正携丰富产品组合为AIoT市场提供广泛支持[2] 技术实力与产品创新 - 公司在几乎所有无线技术上有深厚积累产品线覆盖蓝牙ZigbeeMatterThreadWi-FiZ-Wave和Wi-SUN等协议及多协议应用[4] - 公司是首家推出动态多协议的公司也是首批在SoC中集成矩阵向量处理器的企业[5] - 公司成为全球首家通过PSA 4级认证的物联网芯片厂商其第三代无线SoC中的Secure Vault安全子系统率先通过该认证[5][12] - 第三代无线SoC采用22纳米工艺节点首批产品为SixG301和SixG302系列芯片采用多核架构将应用无线和安全工作负载分离并升级到M55内核[12][13] - 多核架构设计理念是用不同核分别处理物联网应用安全问题无线连接和应用类任务[4] 市场策略与竞争优势 - 公司已All in IoT致力于发现新应用引领市场需求而非在现有市场低价竞争例如率先发力互联健康和汽车无钥匙进入系统等蓝牙应用[11] - 公司策略是在引领市场后若不能再提高则选择退出寻找新的成长机遇[11] - 第三代无线SoC产品更多注重AIoT和边缘计算因集成LED预驱动器并满足欧盟RED等高规格安全要求其SixG301产品获得客户认可并成为Matter厂商首选[13] - 公司能提供一站式解决方案目标是实现全球技术与本地需求的无缝对接[7][16]