文章核心观点 - 韩国主要电子公司正积极竞相推进下一代半导体玻璃基板的商业化，以应对人工智能半导体对高性能基板的需求 [2][3] - 玻璃基板技术相比传统基板在减少翘曲和提高电源效率、耐热性方面具有显著优势，尤其适合大尺寸AI芯片 [2] - 尽管公司层面积极布局，但行业面临技术挑战和市场需求不确定性的重大阻力，商业化前景存在分歧 [4][6] 韩国公司商业化进展 - 三星电机已在世宗工厂建立玻璃基板试生产线并于今年投产，计划本月向全球科技巨头B公司交付首批样品 [3] - 三星电机与日本住友化学集团签署谅解备忘录，探讨成立玻璃基板材料制造合资企业 [3] - SKC子公司Absolix在美国佐治亚州的工厂分两期建设，一期年产能12,000平方米，二期年产能72,000平方米，自去年起提供样品并已开始客户认证 [3] - LG Innotek正在龟尾工厂建设试生产线，目标在年底前产出原型，2027或2028年实现量产 [4] 玻璃基板技术优势与挑战 - 技术优势在于用玻璃替代传统PCB，减少芯片翘曲，提高电源效率和耐热性，对大尺寸AI芯片至关重要 [2] - 技术挑战包括玻璃加工难度高，切割和钻孔易产生微裂纹导致基板开裂，以及玻璃与铜材料粘合困难 [4] - 两种材料热膨胀系数的差异可能导致芯片在高温环境下失效 [4] 市场需求与行业观点 - 半导体封装市场规模估计在10万亿至20万亿韩元，玻璃基板若占10%，则韩国公司将争夺约1万亿韩元的市场 [6] - 市场研究公司Yole Group预测，到2028年高性能IC基板市场规模约40万亿韩元，玻璃基板仅占580亿韩元（0.14%） [6] - 行业观点存在分歧，一方认为市场随AI发展将爆发式增长，另一方认为需求仅限于超高性能应用，市场规模有限 [6] - 关键客户如英伟达对玻璃基板态度不热衷，其供应商IBIDEN也未公布具体商业化路线图，目前仅处于早期样品研发阶段 [5] 行业竞争态势与未来展望 - 韩国产业呈现过热迹象，公司管理层积极推广玻璃基板作为新增长引擎，但一线团队对商业化深感担忧 [4][6] - 封装行业未必只以玻璃基板为唯一解决方案，英伟达正在准备基于玻璃中介层的CoPoS技术，目标2028年量产 [5][6] - 新技术的验证被视为绝对必要，玻璃基板成功的可能性目前估计约为50% [7]

文章核心观点 - 在AI大模型时代，算力是创新的“第一生产力”，但面临“内存墙”、“工艺墙”、“互连墙”三重瓶颈，产业正加速推进Chiplet、异构计算、RISC-V、分布式集群等技术路径[2] - 构建自主可控的AI算力生态面临从工具到架构、从算力融合到生态协同的多层挑战，需要产业链协同破局[2] - 半导体行业观察携手ICCAD 2025策划“共建AI算力的中国生态”主题直播论坛与展馆探访，汇聚六家代表性企业，从EDA、IP、Chiplet、RISC-V、云服务、2.5D/3D堆叠等多个维度探讨解决方案[2] 行业背景与趋势 - 2024年中国智能算力规模同比增长高达74.1%[2] - AI训练、推理与部署的能耗、成本曲线全面上扬[2] - 产业正以前所未有的速度推进Chiplet先进封装、异构计算、RISC-V架构革新、分布式集群等技术路径以突破瓶颈[2] 当前面临的核心挑战 - **EDA工具层**：AI辅助设计如何赋能从芯片到系统的全栈设计，确保国产AI算力自主可控[4] - **Chiplet架构层**：跨工艺、跨封装的系统验证、互联与标准化成为新难题[4] - **算力融合层**：CPU、GPU、NPU、FPGA、DPU与RISC-V多元并存，亟需系统级Scale-Up与Scale-Out的智能协同[4] - **生态共建层**：从IP到云的协同创新尚未完全贯通，EDA、Chiplet、NPU与云服务如何形成闭环生态仍待解答[4] 论坛活动与参与方 - 活动由半导体行业观察携手ICCAD 2025策划，主题为“共建AI算力的中国生态”，包括直播论坛与展馆探访[2] - 汇聚芯和半导体、奇异摩尔、达摩院玄铁、紫光云、安谋科技Arm China、硅芯科技六大企业[2] - 论坛第一部分邀请奇异摩尔、芯和半导体、达摩院玄铁和紫光云四家本土代表厂商就热门话题展开讨论[6] - ICCAD 2025预计将有8000+行业精英，2000+IC企业，300+IC行业上下游服务商集结[9] 论坛探讨的关键议题 - 共建AI算力的中国生态，产业能做什么[6] - 自主可控的算力体系，突破从何开始[8] - 从Chiplet到系统，如何构建可演进的算力架构[8] - 多元算力融合，如何让AI生态协同共进[8] - 如何通过协同创新与生态共建，点燃产业链上下游合作，以算力赢下AI未来的全球竞争力[8] 展馆展示的关键技术与产品 - 芯和半导体的“为AI而生”战略布局[11] - 奇异摩尔首次亮相的Scale Up超节点互联芯粒Demo[11] - 达摩院玄铁RISC-V技术的全场景赋能[11] - 紫光云的CAD+调度器算力综合调度管理平台[11] - 安谋科技Arm China最新自研NPU IP“周易”X3 Demo[11] - 硅芯科技2.5D/3D堆叠芯片后端设计全流程EDA[11]

交易概述 - 美国联邦贸易委员会结束对软银集团收购半导体设计公司Ampere Computing LLC的审查，为价值65亿美元（约合460亿人民币）的交易扫清障碍 [2] - 该交易为全现金交易，预计于2023年下半年完成，交易完成后Ampere将作为软银子公司运营，保留原名及总部 [2][3] 战略意图与行业背景 - 收购旨在增强公司在人工智能基础设施领域的能力，掌握AI芯片制造关键技术 [2] - 随着AI基础设施支出激增，对先进数据中心芯片的需求呈现爆炸性成长，公司通过整合Ampere拥有1000位专业半导体工程师的团队以提升实力 [4] - 公司控股的Arm Holdings Plc的技术是服务器芯片的基础，Ampere是Arm基础技术授权的客户之一，此次收购将进一步强化公司在芯片设计生态中的布局 [2] 公司详情与市场格局 - Ampere由前英特尔总裁Renee James于2018年创立，基于Arm架构生产数据中心CPU芯片，主打客制化运算核心技术 [3] - 公司主要客户包括苹果、高通等科技巨头，但软银旗下的Arm也直接与微软、谷歌合作开发客制化CPU，成为Ampere的竞争对手 [3] - 交易前，甲骨文和凯雷集团分别持有Ampere 32%及60%的股权，两家机构已同意出售所持股份 [3] 未来展望与协同效应 - 公司认为未来超级AI需要突破性算力，Ampere的半导体专长与高效能运算技术将加速实现此愿景 [5] - 公司参与OpenAI宣布的5000亿美元AI基建投资计划“星际之门”，与甲骨文等成立合资企业帮助建设数据中心 [5]

公司上市与市场表现 - 厦门恒坤新材料科技股份有限公司在上海证券交易所科创板上市，首日收盘大涨310%，市值直逼300亿[2] - 公司成立于2004年，专注于集成电路制造的光刻材料和前驱体材料，是中国境内少数具备12英寸晶圆制造关键材料研发和量产能力的企业之一[2] 公司发展历程与业务转型 - 公司2004年设立之初主营光电膜器件及视窗镜片，2014年确定向集成电路关键材料业务转型[4] - 2017年引进的进口光刻材料与前驱体材料通过多家境内领先的12英寸晶圆厂验证并实现常态化供应，2020年以来自产材料通过客户验证，2022年自产产品销售收入突破亿元大关[4] - 公司选择该赛道的原因是门槛高、被取代可能性小、附加值可观[4] 产品组合与技术进展 - 公司自产光刻材料中SOC、BARC、KrF光刻胶、i-Line光刻胶等已有多款产品量产供货，ArF光刻胶、SiARC、TopCoating等进入客户验证流程，ArF浸没式光刻胶已通过验证并小规模销售[5] - 在12英寸集成电路领域，公司自产光刻材料销售规模排名境内同行前列，2023年度公司SOC与BARC销售规模均排名境内市场国产厂商第一位[5] 财务业绩与增长 - 公司营收从2022年3.22亿元增长至2024年5.48亿元，2025年1-6月营收2.94亿元[5] - 自产产品销售收入从2022年1.24亿元增长至2024年3.44亿元，2022年至2024年复合增长率达66.89%，2025年1-6月自产产品销售收入2.5亿元[5] 行业市场前景 - 境内集成电路关键材料市场规模从2019年664.7亿元增长至2023年1139.3亿元，年复合增长率14.4%，预计2028年市场规模达2589.6亿元[7] - 预计2028年制造材料市场规模为1853.8亿元，占关键材料市场规模比例超过70%[7] - 下游晶圆制造厂商对供应商认证严格周期长，产品通过验证批量供货后短期内较难被替换[7] 公司市场地位与未来战略 - 2024年度公司自产光刻材料销售规模约3亿元，其中SOC销售规模2.32亿元，预计境内市占率已超过10%[8] - 2025年1-6月公司自产SOC收入1.65亿元，超过去年全年七成，其中KrF光刻胶和i-Line光刻胶分别销售1235.52万元、624.44万元，接近去年全年水平[8] - 公司已实现对境内主流12英寸晶圆厂的广泛覆盖，研发投入占比均在10%以上，未来将持续深耕关键材料领域，拓展产品线，打造品牌效应并拓展海外市场[8] 募资用途与产能扩张 - 本次IPO拟募集资金10.07亿元，主要用于"集成电路前驱体二期项目"和"集成电路用先进材料项目"建设，以扩大产能和提升技术水平[2]

存储芯片市场进入超级周期 - 存储半导体市场进入需求和价格双双飙升的超级周期，韩国领先半导体制造商三星电子和SK海力士预计将取得前所未有的财务业绩 [2] - 人工智能驱动的存储芯片短缺预计将持续到明年 [2] 存储芯片价格大幅上涨 - 三星电子消费级DDR5-5600 16GB DRAM的价格从9月份的69,246韩元飙升至18日的208,090韩元，两个月内翻了三倍 [3] - SK海力士的1TB SSD产品价格同期上涨了24%，从156,680韩元涨至195,000韩元 [3] - 预计第四季度DRAM合约价格将上涨超过75%，DRAM和NAND闪存价格明年将持续上涨 [4] 芯片通胀传导至电子产品 - 存储芯片价格飙升导致芯片通胀，个人电脑和智能手机等电子产品的价格随之上涨 [2] - 小米Redmi K90 Pro Max智能手机售价3999元人民币，比其前代产品价格上涨了约6万韩元，公司CEO表示存储芯片价格飙升远超预期 [4] - 预计到2026年，智能手机制造成本可能比今年上涨5%至7%，笔记本电脑成本预计也将上涨10%至12%，可能推动终端产品价格上涨约10% [4] 供应短缺的结构性原因 - 人工智能蓬勃发展推高通用存储芯片价格，存储厂商优先生产用于人工智能加速器的高带宽内存，导致通用DRAM和NAND闪存短缺 [4] - 内存供应可能长期短缺，扩大产能面临挑战，内存厂商正将投资重点放在高利润产品上 [5] - 全球DRAM库存周转期已降至3.3周，DRAM市场将在2026-2027年面临严重的供应短缺，NAND闪存的产量预计也会下降 [5] 对消费电子市场的潜在影响 - 成本上涨可能抑制消费电子市场，市场研究公司预测明年全球智能手机产量将比今年下降2%，笔记本电脑产量将下降2.4% [4] - 成本上涨可能会大幅降低对价格敏感的入门级市场的需求 [4]

台积电美国子公司财务表现 - 第三季度美国子公司净利润仅约新台币4千万元，与上季的42.32亿元相比呈现跳水式收缩[2] - 美国建厂初期庞大成本正快速侵蚀获利[2] 美国厂运营挑战与成本压力 - 美国本土在供应链完善度、技术人才培训与设备维运等面向仍不成熟，导致营运支出普遍高于台湾与日本[2] - 外派工程团队与厂务建置费用持续攀升，在先进制程尚未量产前财务压力沉重[2] - 亚利桑那州第二座晶圆厂预定2026年第二季完成装机，采用EUV与更高规格厂务设施将导致折旧负担再往上叠加[2] 美国厂长期战略与先进制程规划 - 美国基地关键不在眼前获利，而在于3纳米、2纳米等先进制程是否能顺利落地并拉升产能利用率[2] - 公司规划2027年启动美国3纳米量产，并对包含GAA与Backside Power在内的2纳米技术进行可行性评估[2] - 一旦先进节点成功导入，美国厂将在全球先进制程战略布局中扮演更具重量的角色[2] 美国先进封装供应链挑战 - 随着先进封装需求升高，美国在地供应链不足的情况愈加明显[3] - 美国封测作业的成本结构更高、交期压力更大，能否稳定取得台系供应链支援将直接左右先进封装的扩张速度[3] 半导体市场供需与价格趋势 - AI持续推升先进制程满载，3纳米与2纳米仍处于长期供不应求状态[3] - 成熟制程则因产能过剩而面临更强降价压力，加上中国晶圆厂积极以价格抢市占，报价可能进一步下探[3]

公司融资与技术定位 - FMC完成1亿欧元（1.162亿美元）C轮融资，其中7700万欧元来自超额认购的股权融资，2300万欧元来自公共资金，累计融资额达1.416亿美元[2][3] - 公司成立于2016年，源自德累斯顿工业大学纳米和微电子实验室，此前获得60万欧元种子轮融资、400万欧元A轮融资和1720万欧元B轮融资[3] - 融资旨在将FERAM芯片技术引入AI数据中心，取代DRAM和SRAM，并挑战存储级内存领域，此前英特尔Optane在该领域失败[2] 技术优势与产品特点 - FERAM速度与DRAM、SRAM类似，但具备非易失性、更低耗电特性，产品包括DRAM+和3D CACHE+[3][6] - DRAM+提供非易失性、内存即存储能力及更高耐久度；CACHE+密度为SRAM的10倍，待机功耗降低10倍[6] - 技术基于标准CMOS工艺，通过FeFET和FeCAP实现，可利用现有半导体制造设备[6] 市场机遇与行业挑战 - AI数据中心GPU服务器面临内存耗电暴涨问题，能效成为下一代AI关键因素，FMC技术瞄准此痛点[4][6] - 技术商业化需产业链支持：x86服务器厂商需集成硬件，操作系统供应商需重写内存管理代码，应用代码也需修改[7] - HBM制造商（如SK hynix，为FMC投资者）需用DRAM+替换现有DRAM堆叠，GPU供应商（如英伟达）需重写内存处理部分[7][8] - 若英伟达推动技术路线，市场可能快速转向；若依赖AMD等厂商，推动力较小[9] 战略目标与市场潜力 - 新融资将加速DRAM+和3D CACHE+芯片及系统解决方案商业化，并拓展全球业务[9] - 公司目标在超过1000亿欧元规模的存储芯片市场树立新行业标准，支持AI数据中心与边缘应用扩张[9]

会议基本信息 - 会议名称为2026 IEEE第18届国际固态和集成电路技术会议，将于2026年10月27日至30日在中国杭州举办 [3] - 该会议是中国每两年一届的顶尖学术盛会，是固态器件与集成电路领域规模最大、影响力最深远的国际会议之一 [3] 会议宗旨与规模 - 会议以“推进集成电路技术进步、促进产学研深度融合”为宗旨 [4] - 会议将聚焦固态数字集成电路与系统设计、模拟电路、器件研发、工艺技术等核心方向 [4] - 届时将有来自世界各国和地区学术界、产业界的500余位杰出代表参会 [4] 会议组织架构 - 会议由IEEE中国联合会、IEEE北京分会、四川省电子学会、电子科技大学及武汉理工大学联合主办，电子科技大学长三角研究院（湖州）承办 [3] - 终身名誉主席为北京大学的王阳元 [9] - 顾问委员会、大会主席及主旨报告嘉宾包括来自北京大学、复旦大学、西湖大学、清华大学、浙江大学、电子科技大学及海外多所知名高校及机构的专家学者 [10][11][13][14] 征稿主题与分会场设置 - 会议设置四大主题12个专题轨道，涵盖数字与系统级集成电路、模拟电路、器件、工艺与技术等领域 [15][18][20][23][24][29][31][32] - 具体专题包括数字架构与系统、低功耗集成电路、设计方法与EDA、射频与无线、有线电路、CMOS逻辑器件与传感器、功率器件与功率集成电路、器件可靠性与安全、半导体工艺技术、光电子与硅光子集成、封装技术等 [15][18][20][23][24][29][31][32] 投稿与重要日期 - 投稿作者需按照论文模板撰写至少3页的英文文章，被录用文章将收录于会议论文集 [29] - 征稿截止日期为2026年6月25日，录用通知日期为2026年7月25日 [36] - 会议邀请专家学者在2026年2月1日前提交特别分会提案 [36]

公司市场与财务表现 - 自2022年1月上市以来股价暴涨超1200% [1] - 过去一年股票上涨超过250% [1] - 2025年至今市值翻倍增长幅度超过100% [1] - 2026财年第一季度营收同比增长274%环比增长31% [3] - 公司GAAP毛利率高达67.4% [3] 公司定位与产品战略 - 公司名Credo意为"I believe"体现重新定义高速连接的初心 [6] - 专注于为人工智能应用、云计算和超大规模网络提供高性能、高可靠性、高能效解决方案 [6] - AI网络推动互联需求从Scale out扩展模式延伸至Scale up模式 [6] - 互联技术覆盖芯片内部、芯片间、服务器间及机架间四个层面 [8] - 产品体系包括AEC、PCI Express & CXL、光学、SerDes IP/Chiplets和Line Card五类 [8] 核心产品技术优势 - AEC线缆集成自研Retimer和Gearbox芯片以及PCS、FEC功能 [10] - 7米PCIe AEC电缆能保持良好信号完整性配合液冷技术可提升稳定性一至两个数量级 [10] - PCIe/CXL Retimer解决PCIe Gen 5向Gen 6演进中的信号完整性挑战 [11] - 全球首创PILOT工具帮助客户分析调试链路微小变化 [11] - SerDes IP在成熟制程实现50G/lane至200G/lane多款芯片量产 [12] - Line Card产品单通道速率达112G支持400G/800G端口应用 [13] 光学DSP产品创新 - 光学DSP产品线基于领先SerDes技术构建三层创新体系 [15] - 数据中心投资约16%资金投向高速互联AI网络光收发器需求是通用计算网络两倍多甚至近十倍 [15][16] - 采用定制化单元和专有时序设计实现DSP功耗优化 [16] - 单波50G Seagull系列、单波100G Dove和Lark系列DSP已获市场认可 [16] - 新一代单波200G Bluebird 1.6T DSP基于3nm工艺功耗显著低于友商 [17] - Bluebird支持四通道或八通道224Gbps PAM4传输双向延迟控制在40纳秒以下 [17] - 集成链路监控诊断功能可选IEEE标准内外前向纠错功能支持500米至2公里传输 [18][19] 技术趋势应对策略 - CPO技术通过光组件与ASIC集成可能颠覆传统可插拔光模块市场 [19] - 公司早在2018年已拥有成熟chiplet解决方案为参与CPO竞争奠定基础 [20] - 当前战略重心仍是稳固可插拔光模块市场领先地位同时开展单波400G等下一代产品研发 [20]

信越化学与QST衬底技术进展 - 2025年11月，信越化学与imec合作，在300mm QST衬底上制造出厚度为5μm的GaN HEMT结构，实现超过650V的高击穿电压，据称为全球最高[2] - QST衬底由美国Qromis开发，信越化学于2019年获授权生产150mm和200mm QST衬底，并于2024年9月开始合作交付300mm QST衬底样品[2] - 实验显示，在300mm QST衬底上制备的5μm厚GaN HEMT结构击穿电压超过800V，得益于衬底与GaN热膨胀系数匹配，解决了大直径硅片生长GaN时的"衬底翘曲"问题[3] - 采用大直径衬底进行大规模生产可降低器件成本，公司已开始扩建150mm和200mm QST衬底生产设施，并推进300mm QST衬底的大规模生产[3] imec 300mm GaN功率电子项目 - 2024年10月，imec宣布启动300mm GaN开放创新项目，首批合作伙伴包括AIXTRON、GlobalFoundries、KLA、Synopsys和Veeco，项目旨在开发300mm GaN外延生长技术及低压/高压HEMT工艺流程[5] - 项目首先建立基准横向p-GaN HEMT技术平台用于低压应用（100V及以上），采用300mm Si(111)衬底，后续针对650V及以上高压应用将采用300mm QST工程衬底[6] - 过渡至300mm晶圆优势包括扩大生产规模、降低制造成本，并可利用先进300mm设备开发更先进GaN功率器件，如用于CPU/GPU节能电源分配的超小型低压p-GaN栅极HEMT[6] - imec预计2025年底前在其300mm洁净室全面安装工艺设备，项目成功依赖于从外延生长到封装解决方案的生态系统创新[7] 英飞凌300mm GaN技术突破 - 2023年9月，英飞凌宣布成功开发业内首款300mm功率GaN晶圆技术，利用其现有300mm硅晶圆制造基础设施，在奥地利菲拉赫的300mm功率晶圆厂试验线生产[8] - 300mm晶圆可从每片晶圆生产出两倍数量的功率集成电路，降低单个芯片成本，使GaN芯片成本在同等效率下更接近硅芯片水平[8] - 更大尺寸晶圆若制造成本增加50%但可生产两倍数量芯片且良率更高，则每个器件单位成本降低，公司持续加大对宽禁带半导体技术的投资[9] - 英飞凌在高压碳化硅解决方案市场亦非常活跃，拥有Cool SiC MOSFET、二极管和集成功率模块产品组合[9] GaN技术应用与市场前景 - GaN技术潜力在快速电池充电器等电力电子应用中凸显，产品以更小尺寸、更轻重量和更高能量转换效率进入市场，优于硅基解决方案[6] - 应用领域包括汽车车载充电器、直流/直流转换器、太阳能逆变器、电信和人工智能数据中心配电系统，有助于社会整体脱碳、电气化和数字化[6] - 晶圆直径增大是显著趋势，200mm晶圆产能已基本满足市场需求，imec凭借200mm领域专业技术向300mm迈进[6] - GaN功率电子器件在电动汽车、太阳能逆变器、充电器和AI处理器电源等高密度功率转换应用中迅速占据一席之地[8]