投资策略 - 大基金一期2014年成立 注册资本987亿元 实际到账约1200亿元 大基金二期2019年成立 注册资本2042亿元 实际到账约2200亿元[3] - 资金主要投向晶圆制造环节 包括中芯国际、华虹华力、燕东微、士兰微、长江存储、长鑫存储等企业 通过直接投资或组建合资公司方式在多地落地产线[3] - 部分资金投向封装环节 投资企业包括通富微电、长电科技、华天科技[5] - 其他投资方向涵盖芯片设计、IP、EDA及半导体设备材料零部件 但布局不成体系[6] - 2014和2019年国内半导体行业百废待兴 设备材料零部件国产化率极低 但设计环节相对较强 以华为海思为代表[6] - 投资策略聚焦补最大短板（制造环节）和投资最大长板（芯片设计） 因封装环节技术壁垒较低且与海外差距较小[6][7] - 中芯国际吸收合并中芯北方被解读为协助大基金退出[4] 管理人结构 - 大基金一二期管理人为华芯投资管理有限责任公司 2014年专门为管理大基金设立[9] - 华芯第一大股东为国开金融 穿透后实控人为国开行 国开行同时担任大基金重要出资人[9] - 大基金一期出资人结构中财政部占比36%为国开行占比22% 二期财政部占比11.02% 国开行占比10.78%[9] - 一期期间大基金担任十余个市场化半导体基金LP 合作方包括华登国际、芯动能、中芯聚源等机构[10] - 二期时华芯投资能力成熟 2200亿元资金完全由其独立管理 未设立子基金[10] - 二期期间出现严重腐败问题 影响已投企业并延长三期基金论证周期[11]

"宁波膜智信息科技有限公司"为势银（TrendBank）唯一工商注册实体及收款账户 重要会议： 11 月 17-19 日，2025势银异质异构集成年会（浙江·宁波） 点此报名 11月19日-21日，2025势银显示技术与供应链产业年会（四川·成都） 点此报名 添加文末微信，加 异质异构集成产业 群 随着 AI算力芯片向大尺寸、高集成度演进，传统封装基板逐渐逼近物理极限，寻求新的封装基板材料成为了一大要是。其中玻璃基板凭借更低 信号损耗、更高尺寸稳定性等优势，成为台积电、英特尔等巨头布局CoWoS、HBM等先进封装技术的优选载体。 目前， 玻璃基板 因其特有的优势， 在半导体领域 主要应用为 晶圆减薄、制作 RDL以及键合工艺中的晶圆承载基板或者板级承载板 ； 无源器 件以及 MEMS光电器件集成 、 多个裸晶互联的玻璃转接板 、 替代覆铜板的玻璃芯有机封装基板 —— 此外，若采用大规格的矩形玻璃作为载体或最终作为中介层，能够在一个载体或中介层中容纳更多芯片，从而提高先进封装的效率。据相关测 算，若基板尺寸从 200mm过渡到300mm，将大约能节省25%的成本，若从300mm过渡到板级，则可实现降本60%以上 ...

"宁波膜智信息科技有限公司"为势银（TrendBank）唯一工商注册实体及收款账户 重要会议： 11 月 17-19 日，2025势银异质异构集成年会（浙江·宁波） 点此报名 11月19日-21日，2025势银显示技术与供应链产业年会（四川·成都） 点此报名 添加文末微信，加 异质异构集成产业 群 势银（ TrendBank）统计显示，2024年全球IC载板市场增速温和，仅为3.6%，整体营收规模为134.89亿美元 ，2025年AI数据中心、边缘AI 产品升级将带动ABF载板和高阶BT载板需求提升，预计将达到148.37亿美元。 中国IC载板市场快速崛起，整体营收规模达到10.38亿美元，同比增长34.9% ，但中国本土企业主要集中在MEMS、RF、存储载板，以BT材料 为主，而采用ABF膜的高端FCBGA载板还未能完全释放产量，这一块依旧由国际大厂主导，且上游ABF膜以日本、台湾供应为主，中国大陆正 在开始布局这一领域。 ABF膜作为半导体封装领域的高性能绝缘薄膜，主要由PET基底薄膜，以及ABF树脂（包含环氧树脂或聚酰亚胺等聚合物、固化剂、特殊填料 等）、覆盖膜组成。 数据来源：势银（ TrendBan ...

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 多年来，玻璃作为下一代封装基板材料，因其诸多优势而备受业界关注。其关键特性之一是能够实现 高互连密度和低于 2µm 的 RDL 布线。"随着过去两年人工智能计算的蓬勃发展，降低布线密度以提 高 SiP 内部通信速度的需求已成为 IC 封装研发的焦点，"Disco Hi-Tec America 技术经理 Frank Wei 表示。 然而，并非一切都完美无缺。玻璃切割（单片化）很难避免微裂纹，而重复制造数千个细间距玻璃通 孔 (TGV) 的挑战也阻碍了玻璃充分发挥其潜力。英特尔在过去十年中对玻璃基板进行了巨额投资， 并于本月初确认仍在推进玻璃项目。尽管存在制造障碍，但高性能计算/人工智能芯片质量提升的前 景正在推动其快速发展，正如2025年电子元件与技术大会 (ECTC) 和其他近期会议所证实的那样， 研究人员在以下领域取得了进展： 来源 ： 内容 编译自 semiengineering 。 作为封装基板，玻璃的优势非常明显。它非常平坦，热膨胀比有机基板更低，从而简化了光刻工艺。 这仅仅是个开始。多芯片封装日益严重的翘曲问题已得到显著改善。芯片可以混合键合到玻璃上的 ...

**奥特维电话会议纪要关键要点** **一 公司业务与市场表现** * 公司主营光伏设备业务 市场份额维持在70%-80%[12] 上半年光伏订单28.8亿元 预计全年60亿元 虽低于去年90多亿元 但降幅小于行业平均水平[8] * 光伏设备业务上涨主要归因于市场资金流入和硅料涨价[3][4] 7月多晶硅价格再次上涨 促进整个产业链盈利水平提升[5] * 锂电设备市场表现良好 主要由于订单基本面反转 同时叠加高切低及固态进展[6] * 公司已形成半导体完整封装小线 去年订单过亿 今年上半年接近过亿 目标三年内实现10亿订单 对应约2亿元利润[4][20] * 公司布局钙钛矿真空设备 目前尚无强烈订单预期[21] **二 技术发展与订单预期** * 公司增长点得益于串焊机技术改造和海外组件扩产[2] 现有串焊机优势和与隆基 爱旭等合作是增长点[12] * BC电池扩产预计每年50GW 设备单价2,500万-3,000万元/GW 公司若占40%市场份额 每年可增5亿元订单[2][13] * 三分片 四分片技术升级带来市场空间 老款串焊机1,600万元/GW或新款2,000万元/GW 三分片提升50% 四分片翻倍 整个市场可能释放24亿至48亿元空间[13] * 0BB技术带来降本增效潜力 已接50GW改造订单 总价值约四五亿元 新建单吉瓦价值量2,000万至2,500万 总计约10亿元[11] * 若ToB干3.0路线成功实施 大部分存量组件产能将升级LBB 总体释放30~40亿元空间 每年迭代周期预计10~20亿元[11] * 综合新技术迭代 两年内仅串焊机相关新签订单可能接近今年全年60亿元水平 加上其他业务 新签订单总量有望达80-100亿元[17] **三 新业务拓展与进展** * 光模块AOI设备已获应用光电 中际旭创订单超4,000万元 全年预计8,000万-1亿元[2][14] 机器替代人工趋势加速 市场潜力巨大[2] * 该领域主要竞争对手是美国应用材料 其售价约200万元/台 而公司售价110万至130万元/台 毛利率可达50%以上[15] * 固态电池设备主要对接亿里科技 已获5,000万元订单[4] 2026年或达5-10亿元潜在订单[4][16] 受益于亿里科技硫化物电解质技术领先地位[4] * 碟片冷压一体机已送样 正在研发均质一体机和滚压成膜设备[18] 亿里科技计划2025年下半年进行车厂上车试验[18] * 硫化物电解质设备每吉瓦时价值2亿元 在100吉瓦时扩产假设下 公司若获30%份额 对应订单60~70亿元[19] **四 财务数据与市值评估** * 公司今年预计利润为6亿元 明年可能略低于此水平[22] 27~28年的利润中枢有望达到8~10亿元甚至更高[22] * 保守估算光伏相关业务市值120亿元 光模块60亿元 固态50亿元 半导体40亿元 总计250~300亿元 相比当前市值具有较大增长潜力[23] * 新业务拓展顺利以及新能源设备行业高切低属性支持市值评估[23]

点击 最 下方 "在看"和" "并分享，"关注"材料汇 添加 小编微信 ，遇见 志同道合 的你 正文 02 AGENDA 大会议程 扫描上方二维码，立马报名 01 INTRODUCTION 大会概况 随着半导体工艺逼近物理极限，集成电路产业正加速向"超越摩尔"时代跃迁，芯片功率密度与发热量剧 增。5G、AI、HPC、数据中心等新兴领域对高效热管理技术提出迫切需求。先进封装与热管理技术成为突 破算力瓶颈、应对高功率密度挑战的核心引擎。 9月25-26日，启明产链Flink将于江苏苏州举办2025先进 封装及热管理大会 ，特设 " 先进封装产业创新大会&高算力热管理创新大会 "两大平行论坛 ， 目前已有 40家院校/企业确认演讲。 大会将聚焦高算力热管理挑战， 围绕 Chiplet与异质异构、TGV与玻璃基板、面板级封装、芯片热管理产 业关键技术、超高导热金刚石、液态金属与热界面材料，液冷技术与应用案例 等产业热点话题展开深入探 讨。 n Oil. 先进封装及高算力热管理大 2025 ADVANCED PACKAGING & HPC THERMAL MANAGEMENT CONFERENCE 9月25-26日 江 ...

中介层技术概述 - 中介层从幕后配角成为产业链争夺焦点 承载GPU和存储芯片并实现互联 材料公司 设备公司和台积电 英伟达等巨头均聚焦于此 [1] - 行业形成两条发展脉络 一是Resonac牵头27家全球材料 设备 EDA巨头组成JOINT3联盟开发面板级有机中介层 二是英伟达推动SiC中介层 台系厂商加码突破功耗与散热极限 [1] 中介层定义与功能 - 中介层是位于芯片与封装基板之间的中间层结构 在先进封装中扮演桥梁角色 连接逻辑芯片与存储芯片 负责高密度互连 供电分布和信号传输 [3] - 主要分为硅中介层和有机中介层两类 硅中介层亦称无机中介层 有机中介层也叫RDL再布线层 [5] 硅中介层发展历程 - 台积电在2000年代末至2010年初率先提出并量产CoWoS工艺 利用硅中介层加TSV硅通孔实现GPU与HBM高带宽互连 [6] - 2012年台积电为赛灵思生产的Virtex-7 FPGA商用上市 成为首个大规模应用硅中介层的产品 奠定其在高性能计算封装中的地位 [6] 有机中介层兴起背景 - 硅中介层制造成本高 良率有限 AI/HPC芯片面积增大导致硅圆片切割损耗严重 市场需要更经济的大规模量产方案 [6] - 有机中介层工艺相对简单 材料和设备成本低 生产成本显著低于硅中介层 但布线精细度不足 线宽线距较大 难以支撑极高密度互连 [6] JOINT3联盟战略布局 - Resonac瑞萨牵头成立27家成员组成的JOINT3联盟 覆盖半导体封装全产业链 包括应用材料 Lam TEL Synopsys 佳能 Ushio 3M AGC 古河电工等 [8] - 联盟在日本茨城县设立高级面板级中介层中心APLIC 计划2026年运营 重点开发515×510mm面板级有机中介层 [11] 面板级生产优势 - 300mm圆片面积约70,685mm² JOINT3面板级目标515×510mm约262,650mm² 单板面积为300mm圆片的3.7倍 有效构图面积显著更大 [12] - 面板级生产可显著提升产能利用率 降低成本 解决硅中介层因尺寸增大导致的几何损耗问题 边角浪费和步进曝光次数上升推高单位良品成本 [11] 市场驱动因素 - 2.5D/3D封装需求飙升 AI/HPC芯片加HBM堆叠成为主流 需要更大面积 更高互连密度的中介层 [15] - Resonac通过JOINT3搭建跨国跨环节的先进封装共研平台 产业协同成为关键 单一企业难以独立突破 需以联盟方式推动事实标准 [15] SiC中介层发展动态 - 英伟达下一代Rubin GPU评估将GPU与HBM互联基底从传统硅中介层换成SiC中介层 以进一步提升效能 [17] - 碳化硅中介层需使用高绝缘单晶碳化硅 与车用功率器件衬底不同 带来新的工艺挑战 [19] 硅中介层优劣分析 - 优势包括工艺成熟 技术路径清晰 是台积电CoWoS 英特尔EMIB等2.5D/3D封装主流方案 在亚10µm互连和多层TSV工艺上积累深厚 [22] - 劣势包括GPU加HBM封装面积增大导致硅晶圆几何损耗问题突出 产能利用率下降 成本急剧上升 硅导热性能有限成为高功耗AI芯片瓶颈 [22] 有机中介层优劣分析 - 优势包括可采用面板级生产PLP大幅提高产能利用率和单片尺寸利用率 显著降低成本 材料配方灵活 层数和布线可根据系统需求定制 [23] - 劣势包括材料热膨胀系数CTE与硅存在差异 翘曲与可靠性问题需长期验证 电性能相比硅存在一定差距 [23] SiC中介层优劣分析 - 优势包括导热性极佳甚至超过铜 能承受未来AI/HPC芯片极端电流与功耗需求 是突破散热瓶颈的关键材料 具备良好电绝缘性支持更紧密的GPU加HBM集成 [24] - 劣势包括制造难度极高 硬度接近钻石导致切割工艺复杂 必须实现≥12寸大尺寸晶圆兼容硅工艺 产业链尚在攻关中 产能和成本仍是巨大挑战 [24] SiC中介层技术挑战 - 碳化硅硬度接近钻石 传统切割方法容易出现波浪纹 日本DISCO正在研发专用激光切割机台 [25] - 为兼容硅工艺需达到12寸以上晶圆 但目前多数中国厂商仍停留在6/8寸阶段 量产能力有限 [25] 性能需求驱动 - 未来高性能芯片设计功耗可能突破1000V 特斯拉快充电压仅350V 极端电流对中介层承载力提出前所未有挑战 [25] - Si导热能力有限难以满足极端电流下的热管理需求 SiC导热系数超过铜能显著缓解芯片运行高热压力 [25] - Rubin依赖NVLink技术要求GPU与HBM紧密耦合实现最大带宽和最低延迟 SiC因优越绝缘性和散热性成为几乎唯一解决方案 [25] 技术发展时间线 - 短期1-2年硅中介层仍是市场主流 支撑AI/HPC量产 中期3-5年有机中介层凭成本与规模优势在HPC与AI训练芯片中大规模落地 [26] - 长期5年以上碳化硅中介层一旦突破量产瓶颈 或将成为最尖端AI/HPC封装的标准配置 [26] 产业竞争格局 - 日本JOINT3代表合作造标准路径 英伟达推动SiC中介层是应用驱动新材料典型 两条路线殊途同归 中介层将决定未来AI芯片性能极限 [28] - 硅 有机 碳化硅中介层各有优劣 未来十年大概率形成分工互补格局 [28]

大基金概况 - 大基金一期2014年成立 注册资本987亿元 实际到账约1200亿元[3] - 大基金二期2019年成立 注册资本2042亿元 实际到账约2200亿元[3] - 一二期资金重点投向晶圆制造环节 包括中芯国际、华虹华力、燕东微、士兰微、长江存储、长鑫存储等企业[3] 投资策略 - 投资方式包括直接投资和组建合资公司 在多个城市落地产线或投资子公司/产线[3] - 中芯国际上市主体吸收合并中芯北方部分目的是帮助大基金退出[4] - 封装环节投资企业包括通富微电、长电科技、华天科技[5] - 2014和2019年中国半导体行业多个环节基础薄弱 设备材料零部件国产化率极低[6] - 投资策略聚焦补最大短板（制造环节）和投资最大长板（芯片设计环节）[7] - 除制造环节外 还布局芯片设计、IP、EDA及半导体设备材料零部件[6] 基金管理架构 - 管理人华芯投资2014年专门为管理大基金设立 第一大股东国开金融隶属国开行[9] - 大基金一期财政部出资占比36%为国开行22% 二期财政部占11.02%国开行占10.78%[9] - 管理人同时担任重要LP 与市场化基金1%或0.5%的管理人出资比例形成对比[10] - 大基金一期担任十余个市场化半导体基金LP 包括华登国际、芯动能、中芯聚源等机构[10] - 二期投资能力成熟 2200亿元资金完全由华芯单独管理 未设立子基金[10] 管理演变与影响 - 一期通过合作市场化基金防控风险 共同挖掘项目并分担责任[10] - 二期出现严重腐败问题 牵连已投企业 导致三期推出周期延长[11] - 三期设置更严格风控措施和差异化出资人及管理人构成[11]

财务表现 - 上半年营收2.10亿元 同比增长32.91% [1] - 净利润1087.64万元 同比增长562.05% [1] - 毛利率较高的智能卡一站式服务订单占比提升 [1] 主营业务发展 - 智能卡业务稳健增长 产品外销占比长期超过60% [1] - 全球智能卡市场存在结构性增长机遇 东南亚/中东/非洲地区潜力显著 [1] - 与国际头部企业THALES、IDEMIA建立长期合作关系 [1] 新兴业务进展 - 半导体封装材料订单同比增长145.28% [2] - 铜针式散热底板完成技术研发与产线建设 [2] - 产品结构向IGBT与SiC功率模块封装材料升级 应用于新能源汽车/充电桩/AI领域 [2] 技术研发突破 - 液冷板在结构一体化/导热效率/耐压性能方面具竞争优势 [2] - 热管理产品面向AI服务器/高性能计算等高散热需求场景 [2] - 相关产品通过多轮技术验证并获部分客户样品测试认证 [2] 产业链布局 - 实现芯片应用研发至终端应用的全产业链覆盖 [1] - 实施延伸产业链、拓展新领域发展战略 [2] - 半导体封装与数字能源热管理业务成为新增长动力 [2]

核心业绩表现 - 2025年上半年营业收入达2.10亿元，同比增长32.91% [3] - 归属于上市公司股东的净利润为1087.64万元，同比大幅上升562.05% [3] - 扣非后净利润实现扭亏为盈，同比增长387.93% [3] - 业绩增长主要得益于产品结构持续优化与销售规模扩大 [3] 智能卡业务 - 公司实现从芯片应用研发、模块封测、智能卡产销研到终端应用全产业链覆盖，成为业内首家一站式服务商 [4] - 毛利率较高的智能卡一站式服务订单占比提升 [4] - 深化与四大运营商战略合作，拓展超级SIM卡创新应用场景 [4] - 产品外销长期占比超过60%，与THALES、IDEMIA等国际头部企业建立长期合作关系 [4] - 全球智能卡市场在东南亚、中东、非洲等地区具备较大增长潜力 [4] 新兴业务发展 - 半导体封装材料订单同比增长145.28%，市场需求持续旺盛 [5] - 铜针式散热底板技术完成研发与产线建设，产品结构向IGBT与SiC功率模块封装材料升级 [5] - 液冷板产品在结构一体化、导热效率和耐压性能方面具备竞争优势，主要面向AI服务器、高性能计算等高散热需求场景 [5] - 新兴业务已通过多轮技术验证并获得部分客户样品测试认证，正加速首批样品交付并推进量产准备 [5] 财务与现金流状况 - 期末货币资金余额1.27亿元，较上年末增长3.57% [7] - 经营活动产生的现金流量净额同比增长2.88% [7] 研发与战略布局 - 上半年研发投入同比增长9.59% [8] - 实施新一期员工持股计划，完善长效激励机制 [8] - 全球半导体市场持续扩张，AI推动算力需求爆发，液冷服务器市场年复合增长率预计达46.8% [8] - 公司形成智能卡与高科技领域"双轮驱动"格局 [8]