FERAM芯片
搜索文档
这家公司,想取代DRAM和SRAM
半导体芯闻· 2025-11-17 10:17
公司融资与技术定位 - FMC完成1亿欧元(1.162亿美元)C轮融资,其中7700万欧元来自超额认购的股权融资,2300万欧元来自公共资金,累计融资额达1.416亿美元[2][3] - 公司成立于2016年,源自德累斯顿工业大学纳米和微电子实验室,此前获得60万欧元种子轮融资、400万欧元A轮融资和1720万欧元B轮融资[3] - 融资旨在将FERAM芯片技术引入AI数据中心,取代DRAM和SRAM,并挑战存储级内存领域,此前英特尔Optane在该领域失败[2] 技术优势与产品特点 - FERAM速度与DRAM、SRAM类似,但具备非易失性、更低耗电特性,产品包括DRAM+和3D CACHE+[3][6] - DRAM+提供非易失性、内存即存储能力及更高耐久度;CACHE+密度为SRAM的10倍,待机功耗降低10倍[6] - 技术基于标准CMOS工艺,通过FeFET和FeCAP实现,可利用现有半导体制造设备[6] 市场机遇与行业挑战 - AI数据中心GPU服务器面临内存耗电暴涨问题,能效成为下一代AI关键因素,FMC技术瞄准此痛点[4][6] - 技术商业化需产业链支持:x86服务器厂商需集成硬件,操作系统供应商需重写内存管理代码,应用代码也需修改[7] - HBM制造商(如SK hynix,为FMC投资者)需用DRAM+替换现有DRAM堆叠,GPU供应商(如英伟达)需重写内存处理部分[7][8] - 若英伟达推动技术路线,市场可能快速转向;若依赖AMD等厂商,推动力较小[9] 战略目标与市场潜力 - 新融资将加速DRAM+和3D CACHE+芯片及系统解决方案商业化,并拓展全球业务[9] - 公司目标在超过1000亿欧元规模的存储芯片市场树立新行业标准,支持AI数据中心与边缘应用扩张[9]
这家公司,想取代DRAM和SRAM
半导体行业观察· 2025-11-16 03:34
公司融资与技术概览 - 德国无晶圆铁电存储公司FMC完成1亿欧元(1.162亿美元)C轮融资,累计融资额达1.416亿美元 [2] - C轮融资中7700万欧元来自超额认购的股权融资,2300万欧元来自公共资金,是半导体行业规模最大的同类融资之一 [3] - 公司成立于2016年,源自德累斯顿工业大学纳米和微电子实验室,曾获60万欧元种子轮、400万欧元A轮和1720万欧元B轮融资 [2] 核心技术产品与优势 - FMC拥有两类产品:DRAM+旨在取代DRAM,提供非易失性、内存即存储能力及更高耐久度;CACHE+旨在取代SRAM,提供10倍SRAM密度和10倍待机功耗降低,均为非易失性 [3] - FERAM技术速度与DRAM、SRAM类似,但具备非易失性且耗电更低 [2] - 技术利用标准CMOS工艺制造,通过将晶体管和电容转换为FeFET与FeCAP来实现,可使用现有半导体制造设备 [4] 市场定位与发展战略 - 公司目标是将FERAM芯片技术带入AI数据中心,取代DRAM和SRAM,并在存储级内存领域取得成功,而此前英特尔Optane在该领域失败 [2] - 新融资将用于加速DRAM+和3D CACHE+芯片及系统解决方案的商业化,并拓展全球业务,瞄准超过1000亿欧元规模的存储芯片市场 [5] - 内存芯片被视为AI技术栈的主要瓶颈,公司技术旨在解决AI数据中心GPU服务器内存耗电量暴涨的问题 [3] 技术挑战与市场采纳 - 技术制造可行性非最大问题,产业链上游接纳度是关键挑战,需服务器厂商、操作系统供应商、系统应用及HBM制造商共同协作 [4] - 在x86服务器领域取代DRAM难度较大,因耗电问题对服务器厂商本身影响有限,且AI数据中心中GPU数量已超过x86 CPU [5] - 技术成功的关键可能取决于英伟达等主要GPU供应商的采纳,若英伟达推动则市场可能转向,否则需说服AMD等厂商 [4]