AI算力革命引发了存储芯片行业的供需重构。 据报道，由于供应紧张和云端企业需求激增，三星电子将LPDDR4X、LPDDR5和LPDDR5X内存产品价 格上调30%；NAND闪存价格上涨5%至10%；美光科技通知客户价格将上涨20%至30%。 供需重构，HBM迎来高景气度 无独有偶，美光科技在最新公布的2025财年第四季度财报中，也展现出对存储芯片的乐观预期。据证券 时报报道，美光科技2025财年第四财季营收113.2亿美元，超出分析师预期的112亿美元；用于AI数据处 理的高带宽内存（HBM）营收在本财季创下新高，推动数据中心业务全年业绩创新高。美光科技预计 2026财年第一财季营收将达到122亿至128亿美元，远高于分析师预期。 中信证券表示，存储芯片供应短缺导致价格上涨。光大证券指出，存储芯片行业从2024年第三季度触底 后，2025年第二季度已进入明确复苏通道，行业周期的反转为相关企业带来了业绩弹性。 根据头豹研究院预测，2023年以来，全球存储芯片行业市场规模持续增长，2027年或超过1380亿美元， 2023年至2027年复合增速达到5.5%。根据中研普华行业研究院数据，2025年我国存储芯片市场规 ...

来源：证券时报 AI算力革命引发了存储芯片行业的供需重构。 据报道，由于供应紧张和云端企业需求激增，三星电子将LPDDR4X、LPDDR5和LPDDR5X内存产品价 格上调30%；NAND闪存价格上涨5%至10%；美光科技通知客户价格将上涨20%至30%。 供需重构，HBM迎来高景气度 无独有偶，美光科技在最新公布的2025财年第四季度财报中，也展现出对存储芯片的乐观预期。据证券 时报报道，美光科技2025财年第四财季营收113.2亿美元，超出分析师预期的112亿美元；用于AI数据处 理的高带宽内存（HBM）营收在本财季创下新高，推动数据中心业务全年业绩创新高。美光科技预计 2026财年第一财季营收将达到122亿至128亿美元，远高于分析师预期。 存储芯片是半导体行业中仅次于逻辑芯片的第二大细分领域，存储芯片相比其他半导体品种周期性较 强。在业内看来，AI是推动半导体行业增长的关键驱动力，AI算力革命引发了存储芯片行业的供需重 构。 中信证券表示，存储芯片供应短缺导致价格上涨。光大证券指出，存储芯片行业从2024年第三季度触底 后，2025年第二季度已进入明确复苏通道，行业周期的反转为相关企业带来了业绩弹性。 ...

2025.09. 26 本文字数：4455，阅读时长大约7分钟 作者 | 第一财经 郑栩彤 李娜 更多存储产品涨价了。 "DDR4官方定价相比年初翻了1倍以上，由于市场供应有限，市面上有些产品的价格又翻了5倍以 上。" 一名国内模组厂的市场负责人告诉第一财经记者。 DRAM是动态随机存取存储器，与NAND Flash同属目前最主要的存储颗粒。DRAM中的DDR4、 DDR5是第四、第五代双倍数据速率SDRAM，用于手机等移动设备的内存颗粒则被称为LPDDR4X 和LPDDR5X。 由于原厂决定停产，DDR4、LPDDR4 5月就涨过价，近期开启了新一轮上涨。DDR5和NAND Flash则是近期开始涨价。TrendForce集邦咨询数据显示，本周周一至周四，DDR5 16G （4800/5600）现货每天都在涨价，该产品月初的平均价6.02美元，9月25日涨至7.349美元。闪 存市场数据则显示，NAND Flash晶圆价格9月初开始普遍上涨，至9月22日，512GB TLC NAND 价格本月累计涨幅近10%。 随着更多存储产品涨价，受影响的终端产品也越来越多。DDR4、LPDDR4X、DDR5、LPDDR ...

不只DDR4涨价了，DDR5、NAND Flash也涨价了。 更多存储产品涨价了。 "DDR4官方定价相比年初翻了1倍以上，由于市场供应有限，市面上有些产品的价格又翻了5倍以上。" 一名国内模组厂的市场负责人告诉第一财经记者。 DRAM是动态随机存取存储器，与NAND Flash同属目前最主要的存储颗粒。DRAM中的DDR4、DDR5是第四、第五代双倍数据速率SDRAM，用于手机等 移动设备的内存颗粒则被称为LPDDR4X和LPDDR5X。 由于原厂决定停产，DDR4、LPDDR4 5月就涨过价，近期开启了新一轮上涨。DDR5和NAND Flash则是近期开始涨价。TrendForce集邦咨询数据显示，本周 周一至周四，DDR5 16G（4800/5600）现货每天都在涨价，该产品月初的平均价6.02美元，9月25日涨至7.349美元。闪存市场数据则显示，NAND Flash晶圆 价格9月初开始普遍上涨，至9月22日，512GB TLC NAND价格本月累计涨幅近10%。 随着更多存储产品涨价，受影响的终端产品也越来越多。DDR4、LPDDR4X、DDR5、LPDDR5X被手机、电脑、服务器等产品用作内存介质 ...

核心观点 - 人工智能行业转型推动内存需求增长 美光科技作为关键供应商受益显著 股价年内上涨约85% [2] - 公司业绩表现强劲 八月季度收入达113.2亿美元 同比增长46% 调整后净利润飙升157%至34.7亿美元 [3] - 云计算内存销售额增长超过两倍 达到45亿美元 首席执行官表示DRAM和NAND需求超预期 [3] 财务表现 - 八月季度稀释每股收益为3.03美元 [3] - 预计2026年第一季度收入将达到125亿美元 正负3亿美元波动 中点同比增长约61% [4] - 2026年预期收入增长42% 基于共识预测 [9] 产品与技术 - 高频宽内存(HBM)专为AI加速器和GPU设计 具有超高速和低延迟特性 [5] - 动态随机存取内存(DRAM)提供大容量通用内存 支持AI工作负载 [5] - 公司为英伟达Blackwell GB200和GB300平台提供HBM3E和LPDDR5X解决方案 [5] - 同时是AMD Instinct MI350 GPU的主要供应商 [5] 市场需求 - AI模型采用多模态方法 整合文本、视频和语音 增加对内存需求 英伟达最新系统每个节点内存增加33% [5] - 亚马逊、字母表、微软和Meta预计在当前财年共同投入3640亿美元资本支出 [6] - Oracle签署数千亿美元合同 提供云计算服务给OpenAI等大客户 [6] 产能与投资 - HBM生产比标准DRAM更复杂 需要约三倍晶圆 因位密度较低和复杂3D堆叠 [8] - 公司2025年HBM产量已售罄 2026年需求预期强劲 [8] - 2025财年资本支出138亿美元 2026年计划进一步增加投资 [8] - 仅2026年第一季度就计划投资45亿美元 大部分资本支出专注于DRAM [8] - 年度总资本支出可能超过180亿美元 [8] 行业趋势 - AI训练计算密集型阶段可能开始平稳 行业转向推理应用 [7] - 推理需要持续处理数百万用户和应用程序数据 HBM因其带宽和能效优势至关重要 [7] - DRAM和NAND易受供需变化和价格波动影响 内存市场具有历史周期性 [9] - HBM目前仅占总销售额一小部分 公司不能完全规避传统市场周期 [9]

Server DRAM则因CSP（云端服务供应商）建置动能回温，DDR5产品需求持续增强，目前不论美系、 中系CSP，2026年的DRAM采购需求皆有望大幅成长。美系业者为确保获得足量供给，甚至计划提前于 2025年第四季启动采购，因此对价格态度较开放。尽管原厂积极调配产能，但部分供应商的产品技术问 题，以及2026年上半年原厂皆规划优先提供产能给HBM4，这些因素都给DDR5供给情况带来变量，预 期第四季价格将维持上涨。此外，虽有部分原厂针对特定客户延后Server DDR4停产时程，但因采购热 度延续，预料第四季DDR4价格仍有相当涨幅。 Mobile DRAM价格上行，Graphics DRAM需求不减，Consumer DRAM涨幅较上季收敛 用于中低端智能手机的Mobile DRAM-LPDDR4X因全球总供应位元持续削减，品牌厂为防断链，加强备 货，导致供需失衡加剧，带动第四季LPDDR4X价格再有10%以上季增。至于LPDDR5X，除了应用于高 端智能手机外，亦于其他终端应用中扩大使用；尽管短期未见明显短缺情况，但考量后续供应量能、产 品定价策略等因素，TrendForce集邦咨询预估第四季LP ...

核心观点 - 存储市场迎来全面涨价行情 NAND和DRAM价格持续上涨 行业景气度提升 国内供应商有望受益 [1][2][3][4] NAND存储市场 - 闪迪宣布涨价带动行业和渠道市场迅速升温 不同规格Flash wafer价格上涨1 82%至6 25%不等 [1] - SSD 256GB(行业市场)价格周涨幅达8 62% 供应端对部分NAND资源实施涨价策略 [1] - 下半年服务器NAND市场备货需求升温 预计Q4企业级存储价格继续呈现上涨趋势 [1] DRAM市场 - 美光暂停对DDR4 DDR5 LPDDR4X LPDDR5X报价 传闻将对渠道存储产品调涨20%-30% [1][2] - DDR4和LPDDR4X价格自二季度起开启涨价潮 有望延续到明年上半年 [1][2] - 受HBM产能挤占和新旧制程切换影响 下半年DDR5和LPDDR5X供应趋于紧张 [1][2] - AI带动需求持续性叠加供应端产能切换不可逆趋势 本轮DRAM涨价行情具有较强持续性 [2] HBM技术发展 - 三星12层堆叠HBM3E通过英伟达认证 正式跻身其HBM供应链体系 [3] - 三星已研发出数据传输速率达11Gbps的HBM4产品 成为全球首个实现这一指标的厂商 [3] - TrendForce预计SK海力士在HBM4供应初始量产阶段保持最大供应商地位 [3] - 英伟达要求将HBM4速度从8Gb/s提高到10Gb/s [3] - HBM4时代三星有望与SK海力士 美光实现同步布局 原厂竞争或进一步加剧 [3] 产业链影响 - 原厂加大HBM投入并减少利基DRAM产能 国内利基DRAM Tier2供应商有望获得更大市场空间 [1][3] - 存储行情景气度持续 国内先进存储产能持续扩充 [4] - AI服务器和AI终端持续带动存储需求增长 叠加国产替代机遇 [4] - 存储产业链相关标的包括兆易创新 普冉股份 德明利 佰维存储 北京君正 朗科科技 东芯股份 江波龙 恒烁股份 万润科技 深科技 同有科技 聚辰股份 联芸科技等 [4]

2025年9月22日，截至收盘，沪指涨0.22%，报收3828.58点；深成指涨0.67%，报收13157.97点；创业板 指涨0.55%，报收3107.89点。科创半导体ETF（588170）涨1.00%，半导体材料ETF（562590）涨 1.37%。 隔夜外盘：截至收盘，道琼斯工业平均指数涨0.14%；纳斯达克综合指数涨0.70%；标准普尔500种股票 指数涨0.44%。费城半导体指数涨1.57%，恩智浦半导体涨2.08%，美光科技涨1.16%，ARM涨1.10%， 应用材料涨5.48%，微芯科技涨0.38%。 行业资讯： 1. 当地时间周一（9月22日），英伟达和OpenAI宣布达成合作，包括建设庞大数据中心计划，以及英伟 达对OpenAI最高1000亿美元的投资。受此消息提振，英伟达股价周一一度涨超4%，刷新历史新高，总 市值逼近4.5万亿美元。根据协议，OpenAI将利用英伟达系统建设并部署至少10吉瓦的人工智能（AI） 数据中心，用于训练和运行下一代模型。这一耗电量相当于800万户美国家庭的用电量。英伟达CEO黄 仁勋周一在接受采访时表示，10吉瓦相当于400万至500万块图形处理器（GPU）， ...

（来源：京城夜读） 事件：在闪迪宣布NAND闪存价格上调10%、美光实施一周的停止报价之后，西部数据、三星电子也加 入了涨价行列。 与前数次供给收缩、老世代料号停产等短逻辑驱动不同，此轮行情主要驱动力为AI需求拉动， LPDDR5X/企业级SSD等涨幅大超预期即是证明，看好行情广度和高度，级别或超越24Q1！ 根据产业调研，2026年GB200/300 LPDDR5x/eSSD对server存储市场潜在弹性30%+/40%+（尚未考虑 rubin、asic，弹性或超60%），2026年AI需求大年，详细测算欢迎私信索要 LPDDR5X：受NV GB200/300出货影响，涨幅超过25%（预期10%以内），明年10w柜，相当于再造一 个高端手机市场（NV一家明年在5x市场消耗增量可抵3~4e部手机）。 企业级SSD：受控产、服务器需求向上、北美数据中心建设存储池冷数据用HDD不足，迁移来SSD用于 替换（HDD订单已经排到明年Q2）等综合影响，企业级SSD供不应求，开启大涨。 建议关注： 德明利、开普云（金泰克）、兆易创新、江波龙、佰维存储等。 另附存储芯片产业链： 存储芯片设计：存储涨价直接利好存储芯片设计公 ...

存储芯片市场动态 - 存储芯片市场出现价格上涨趋势 内存和闪存均在涨价[1] - 美光决定暂停对DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5X的报价 或对渠道存储产品大幅度调涨20%-30%[3] - 闪迪宣布向所有渠道和消费者客户的产品价格调涨超10%[3] 存储市场预测 - 根据CFM闪存市场预测 四季度存储市场价格将迎来全面上涨[3] - AI服务器出货规模持续扩大推动下半年服务器NAND市场备货需求升温[3] - 手机新品发布将催生新一轮换机需求[3] 江波龙公司业务进展 - 在2024年中国企业级SATA SSD总容量排名中位列第三 在国产品牌中位列第一[3] - 企业级PCIe SSD与RDIMM产品已开始批量导入国内头部企业[3] - 截止至7月底 公司主控芯片全系列产品累计实现超过8000万颗的批量部署[3] - 搭载自研主控的UFS4.1产品正处于多家Tier1厂商的导入验证阶段[4] - 全年自研主控芯片部署规模将实现放量增长[4] 行业活动信息 - "芯启未来 智创生态"活动将于2025年10月15-17日在深圳会展中心举行[5] - 活动展览面积60000平方米 参展企业600+ 专业观众60000+ 峰会论坛20+[5]