文章核心观点 - 存储行业正进入由AI需求驱动的超级周期，市场呈现供不应求、价格持续上涨的局面，HBM和通用DRAM成为关键增长领域 [2] - 三星、SK海力士、美光三大存储巨头基于各自的市场地位与技术储备，采取了差异化的产能调整与投资策略，以优化利润并抢占未来市场 [2][19] 存储行业市场现状 - 存储市场行情火爆，价格波动剧烈，“一天一个价，甚至一天几个价” [2] - 存储行业全面进入加速上行周期，原厂盈利能力持续提升 [2] - HBM供应紧张，SK海力士2026年底前的产能已基本被AI大客户锁定，三星留给中小厂商的份额不足10% [2] - DRAM作为存储赛道的另一关键领域，重新回到各大厂商的战略核心位置 [2] 三星电子的战略调整 - 计划将用于HBM3E生产的第四代1a纳米制程产能下调30%-40% [4] - 转而将产能投入第五代1b纳米制程的通用DRAM生产，每月可新增约8万片晶圆产能 [4] - 调整背后的核心驱动力是利润考量：其HBM3E产品因议价能力弱、供给大客户价格较低，当前利润率仅约30%；而基于1b制程的通用DRAM（如DDR5）预期利润率将超过60% [4][5] - 将平泽和华城园区的部分NAND闪存产线改造为DRAM产线，聚焦数据中心所需的大容量DDR5及LPDDR5X产品 [5] - 为抢占HBM4先机，加紧提升1c纳米DRAM产能，计划到2026年第二季度提升至每月14万片晶圆，第四季度进一步提高到每月20万片晶圆 [6] - 核心目标是实现比SK海力士更高的利润，计划保持DRAM产量高速增长，并将大部分产能分配给利润率较高的通用DRAM [6] - 采用“通用DRAM保量、HBM4抢高端”的双线策略，目标是在2026年实现DRAM营业利润超越SK海力士，重新夺回全球DRAM市场份额第一的宝座 [20] SK海力士的战略调整 - 计划将DRAM产能投资目标翻了一番，但大部分产能扩张仍投资于HBM等数据中心产品 [7] - 公司明确表示不会仅因盈利能力暂时变化就立即调整产能结构，更倾向于通过提高面向数据中心的DRAM产品需求来提升获利 [7] - 在HBM领域市场份额遥遥领先，2026年的HBM产能已销售一空 [7] - M15X晶圆厂预计2025年底量产1b DRAM，初期月产能3.5万片，主要用于HBM3E核心芯片生产，以巩固其在HBM市场50%以上的份额优势 [7] - 业界估算其HBM4利润率约为60%，明年HBM销售额预计为40万亿至42万亿韩元，若维持相同利润率，HBM业务营业利润将较今年的17万亿韩元增长近50%，达到约25万亿韩元 [7] - 并未放缓通用DRAM布局，计划明年将第六代1c DRAM月产能从目前约2万片提升至16万至19万片，增幅达8至9倍，占其DRAM总产能的三分之一以上 [8] - 1c DRAM良率已提升至80%以上，扩产后将主要聚焦于生产GDDR7和SOCAMM2等产品，以满足英伟达等大型科技公司订单 [8] - 战略调整反映AI推理应用对成本效益更高的通用DRAM需求激增，公司正将战略重心从HBM扩展至更广泛的AI内存市场 [9] - 在HBM和通用DRAM双轮驱动下，业内人士预计其明年设施投资额将轻松突破30万亿韩元，较今年预计的25万亿韩元大幅增长，市场预测明年营业利润有望超过70万亿韩元，创历史新高 [10] - 采取“核心业务稳固扩张、高端产品精准卡位”的双轨战略，2026年全系列存储订单基本已经售罄 [21] 美光科技的战略调整 - 战略转向最为决绝，终止移动NAND产品开发、砍掉消费类业务品牌Crucial，将产能重新分配到毛利润率更高的HBM/企业级DRAM和SSD产品，全力投向数据中心市场 [11] - 决策基于利润考量：2025年上半年，数据中心存储芯片毛利率高达42%，而消费级存储产品毛利率仅为14% [11] - 正在全球多地新建或扩建工厂产能，以扩大HBM堆叠能力和高端DRAM生产 [11] - 将爱达荷州博伊西晶圆厂原本生产消费级存储芯片的3条生产线，全部改为生产HBM和数据中心用DRAM芯片的生产线 [12] - 与英伟达签有为期3年的供货协议，每年需供应至少120万颗HBM芯片 [12] - 谷歌、亚马逊、微软和Meta也向美光提出了“无限期订单”，表示无论价格如何，能交付多少就接收多少 [12] - 计划于2026年小批量交付HBM4，并计划在2026年将HBM产能增加四倍 [13][21] - 宣布逐步停产DDR4，预计在未来6到9个月内出货量逐步下滑直至彻底停产，以聚焦高端产品 [13] 产能转向的深层驱动逻辑 - **利润驱动**：三星因HBM3E利润率（约30%）远低于通用DRAM（预期超60%）而调整产能；SK海力士因HBM业务利润率高达约70%而优先保障HBM，但也加速扩产1c DRAM；美光通过砍掉低利润消费级业务，将资源分配给利润率数倍于前者的数据中心/HBM市场 [15] - **需求驱动**：AI应用从训练向推理及边缘侧延伸，催生了对GDDR7、大容量DDR5/LPDDR5X等通用DRAM的爆发性需求，巨头们为响应谷歌、微软等云巨头的“无限期订单”而重新评估产能分配 [16] - **技术与产能适配驱动**：HBM生产复杂、良率爬升慢，挤压通用DRAM产能，三巨头制程策略分化：三星以1b制程提效并押注1c纳米；SK海力士以1b制程作为HBM基石，用1c制程快速扩产通用产品；美光集中资源攻克HBM4与高端DRAM [17] 存储涨价潮对产业链的影响 - 内存价格已飙升到“几乎负担不起”的程度，这种局面大概率会贯穿整个2026年，可能要到2027年下半年才有所缓解 [23] - 存储模组厂成为受影响最直接的一环，许多头部模组厂已经决定暂停出货并重新评估报价 [23] - 在AI浪潮带来的超级周期下，存储市场正从消费驱动向技术驱动转型，HBM和DDR5内存的紧缺可能进一步传导至整个存储产业链 [23] - 市场预计供需失衡局面将持续到2027年，随着新产线陆续投入运营，行业格局将随之改变 [23]

文章核心观点 - JEDEC组织即将完成SPHBM4新内存标准的制定，该标准旨在通过采用512位窄接口提供与HBM4同等的带宽，并实现更高容量和更低集成成本，但不太可能取代GDDR内存[2] SPHBM4技术原理与目标 - SPHBM4将HBM4的内存接口宽度从2048位缩减至512位，并通过4:1串行化维持相同总带宽，目标是在窄接口下保留HBM4级别的聚合带宽[4] - 在封装内部，SPHBM4将采用行业标准的基底芯片，并继续使用标准的HBM4 DRAM芯片，这简化了控制器开发，并确保单堆栈容量最高可达64GB，与HBM4/HBM4E保持一致[4] - 从理论上看，在相同芯片条件下，SPHBM4可实现相较HBM4四倍的内存容量，但实际设计中需在内存容量、计算能力和芯片功能多样性之间权衡[5] SPHBM4的优势与潜在影响 - SPHBM4支持在传统有机基板上实现2.5D集成，无需昂贵的硅中介层，有望显著降低集成成本并拓展设计灵活性[8] - 凭借行业标准化的512位接口，SPHBM4相比依赖UCIe或专有接口的C-HBM4E方案，有望实现更低的成本[8] - 有机基板布线允许SoC与内存堆栈之间具有更长的电气通道长度，可能缓解超大封装中的布局限制，并在封装附近容纳更多内存容量[8] SPHBM4的成本与市场定位 - SPHBM4的设计优先考虑性能和容量，而非功耗和成本，其成本虽低于HBM4或HBM4E，但仍需堆叠式HBM DRAM芯片、接口基底芯片、TSV工艺、良率筛选及先进封装工艺，这些环节构成主要成本[6] - 在规模化方面，SPHBM4远不如GDDR7，后者受益于庞大的消费级和游戏市场规模、简单的封装形式以及成熟的PCB组装工艺[6] - 用一个先进的SPHBM4去替代多颗GDDR7芯片，并不一定能降低成本，反而可能会提高成本，因此不太可能成为GDDR内存的终结者[2][6] HBM技术的现有挑战 - 采用1024位或2048位宽接口的HBM会占用高端处理器内部大量宝贵的硅面积，这限制了单颗芯片上可集成的HBM堆栈数量，从而约束了AI加速器所支持的内存容量，进而影响单个加速器及大规模集群的性能[2]

行业核心动态 - 全球存储行业正经历重大战略转向，主要存储巨头将核心产能优先投向利润丰厚的AI服务器和数据中心市场，导致消费级市场供应紧张 [1] - 当前局面与2018年比特币暴涨导致的显卡短缺类似，由AI算力需求爆发引发，行业代工厂满负荷运转仍无法满足数据中心和企业对DRAM、NAND的需求 [3] - 冷数据存储方式变化加剧供应紧张，数据中心将更多冷数据转移至固态硬盘，进一步推高NAND闪存需求，而硬盘制造商未扩产 [3] - 行业悲观预期一致，在2027年底之前，消费级存储市场恐难回归“常态”价格与供应水平 [1] 市场价格表现 - 消费级内存价格剧烈波动，DDR4与DDR5内存价格不再稳定，在美国和欧洲二手市场，部分DDR5内存条价格翻倍，甚至一周内多次刷新高价 [1] - 区域性价格波动难以持久，例如去年日本市场DDR4库存意外过剩带来短期平价，但仅两个月后全球一体化行情便将价格拉回高位 [3] - 供应链紧张导致交货周期大幅延长，在东南亚部分电商平台，包括GDDR6、GDDR7、LPDDR5在内的多种内存发货时间被拉长至半年以上 [3] 公司战略调整 - 美光科技于12月初宣布退出Crucial（英睿达）消费级业务，反映出公司基于利润考量，将资源从消费级市场转向企业级市场 [1] - 存储巨头如SK海力士、三星等均将资源向AI服务器和数据中心客户倾斜，供应链所有资源优先服务企业级需求 [1] 未来趋势展望 - 未来几年，若无技术突破降低DRAM/NAND生产难度，消费级用户攒机和升级的窗口期预计将持续收窄而非扩大 [4] - 整体趋势显示，只要AI赛道持续高速发展，大众消费市场的购买力将被动等待新一轮市场变革带来的再平衡 [3]

AMD GPU提价计划 - AMD计划在2026年初将Radeon GPU价格提高10% [1] - 公司在2025年业绩表现强劲后决定提价 [1] 行业需求与成本压力 - AI需求被描述为"无法满足" 计算需求达到前所未有的高度 [1] - DRAM和VRAM价格长期处于高位已损害公司利润 [2] - 内存成本飙升甚至影响到GDDR6这种驱动游戏PC的内存 [5] 内存市场动态 - DRAM合约价格在2025年底实现三位数年增长率 [6] - GDDR6所有速度和密度的价格上涨约33%至43% [6] - 下一代GDDR7供应持续紧张对当前产品构成压力 [7] 供应链与生产调整 - 晶圆厂将产能转向利润率最高的产品 [4] - 超大规模企业竞相训练更大模型导致HBM和DDR5 RDIMM供应紧张 [4] - 制造商优先生产AI加速器导致消费级内存供应紧张 [5] 市场竞争格局 - 英伟达面临相同供应问题但采取不同策略推迟推出消费者新产品 [3] - 内存制造商专注于AI级部件客户不应期待英伟达降价争夺市场份额 [3] 对终端市场影响 - 成本上升将导致显卡板价格增加最终由游戏玩家和PC制造商承担 [2] - 对游戏玩家意味着销量减少库存减少且每批新货价格持续上涨 [5] - 升级决策现在从内存价格开始而不仅仅是核心或时钟频率 [5]

SK海力士产能扩张计划 - 计划将第六代10纳米DRAM（1c DRAM）月产能从约2万片300mm晶圆大幅提升至16万至19万片，增幅达8至9倍 [1] - 扩产后1c DRAM产能将占其DRAM总产能的三分之一以上 [1] - 扩产将通过在利川园区进行工艺升级实现，新增14万片月产能被视为"最低增幅" [3] 技术细节与产品应用 - 1c DRAM良率已提升至80%以上，主要用于制造DDR5、LPDDR和GDDR7等最新通用DRAM产品 [3] - 扩产的1c DRAM将主要用于生产GDDR7和SOCAMM2等产品，以满足英伟达等大型科技公司的订单需求 [1] - 与需要复杂堆叠工艺的HBM相比，1c DRAM生产效率更高，能更快速响应市场需求增长 [3] 市场需求与战略调整背景 - AI应用重心正从训练转向推理，导致对成本效益更高的通用DRAM需求激增 [1][5] - 在AI推理应用中，比HBM更节能、更经济的先进通用DRAM成为主流选择 [5] - 英伟达近期发布的AI加速器Rubin CPX采用GDDR显存，谷歌、OpenAI和亚马逊等公司也在开发集成大量通用DRAM的定制AI加速器 [5] - DDR4固定交易价格在9月突破7美元，创6年10个月新高，因主要存储芯片企业集中扩充HBM产线导致通用型DRAM供应瓶颈 [6] HBM业务进展与定价能力 - 在与英伟达的HBM4供应谈判中成功将价格提升逾50%至每颗500美元以上 [2][8] - HBM4将搭载于英伟达明年下半年发布的下一代AI芯片Rubin，其数据传输通道达到2048个，是前代HBM3E的两倍 [8] - 公司已提前售罄明年HBM产能，在HBM市场占据有利定价地位 [2] - 业界估算SK海力士的HBM4利润率约为60% [9] 财务预期与投资计划 - 业内人士预计公司明年设施投资额将轻松突破30万亿韩元，较今年预计的25万亿韩元大幅增长 [2] - 市场预测公司明年营业利润有望超过70万亿韩元，创下历史新高 [2][9] - 预计明年HBM销售额约为40万亿至42万亿韩元，若维持相同利润率，仅HBM业务就将产生约25万亿韩元营业利润，较今年的17万亿韩元增长近50% [9] - 随着DRAM价格上涨，公司明年通用型DRAM营业利润率也可能接近50%至60% [9] 行业竞争格局 - 三星计划到2026年底将其1c DRAM的月产能扩大到20万片晶圆，目标在2025年底达6万片，2026年第二季度再增8万片，第四季度再增6万片 [11] - 三星每月20万片1c DRAM产能将约占总产量（估计每月65万至70万片晶圆）的三分之一 [13] - 三星已恢复其平泽园区P5生产线的建设，计划于2028年投入运营，用于生产下一代HBM和1c DRAM [13]

AI推理应用市场战略 - 公司计划将第六代10纳米DRAM月产能从2万片提升至16-19万片，增幅达8-9倍，占总产能三分之一以上[1][3] - 扩产后的1c DRAM将用于生产GDDR7和SOCAMM2等产品，以满足英伟达等大型科技公司订单需求[3] - 公司战略重心从高带宽内存扩展至更广泛的AI内存市场，反映AI推理应用对成本效益更高的通用DRAM需求激增[3] 尖端制程产能扩张 - 产能提升集中在最先进的1c DRAM技术节点，计划通过利川园区工艺升级新增14万片月产能，被视为最低增幅[4] - 按照公司目前每月平均50万片DRAM晶圆进料量计算，超过三分之一产能将投入先进的1c DRAM生产[5] - 1c DRAM良率已提升至80%以上，主要用于制造DDR5、LPDDR和GDDR7等最新通用DRAM产品[6] 市场需求结构转变 - AI应用重心从训练转向推理，通用DRAM需求增速预计将与HBM相当[7] - 在AI推理应用中，更节能经济的先进通用DRAM成为主流选择，英伟达Rubin CPX采用GDDR显存而非HBM[8] - 谷歌、OpenAI和亚马逊等大型科技公司开发集成大量通用DRAM的定制AI加速器[8] HBM4定价与盈利能力 - 公司在与英伟达的HBM4供应谈判中成功将价格提升逾50%至每颗500美元以上[11][15] - HBM4数据传输通道达到2048个，是前代HBM3E的两倍，新增计算效率和能源管理等逻辑工艺[12] - 业界估算公司HBM4利润率约为60%，预计明年HBM销售额约为40-42万亿韩元[17] 财务预期与投资计划 - 公司明年设施投资额将轻松突破30万亿韩元，较今年预计的25万亿韩元大幅增长[3] - 市场预测公司明年营业利润有望超过70万亿韩元，创下历史新高[3][18] - 若维持与今年相同利润率，仅HBM业务就将产生约25万亿韩元营业利润，较今年17万亿韩元增长近50%[18]

产能扩张计划 - 计划将第六代10纳米DRAM（1c DRAM）月产能从目前约2万片300mm晶圆提升至16万至19万片，增幅达8至9倍 [1] - 扩产后1c DRAM将占其DRAM总产能的三分之一以上 [1] - 产能提升集中在利川园区，通过工艺升级新增14万片月产能被视为"最低增幅"，并考虑将月产能提高16万至17万片 [2] - 公司已将1c DRAM的良率提升至80%以上 [2] 产品与技术重点 - 扩产后的1c DRAM将主要用于生产GDDR7和SOCAMM2等产品，以满足英伟达等大型科技公司的订单需求 [1] - 1c DRAM制程主要用于制造DDR5、LPDDR和GDDR7等最新通用DRAM产品 [2] - 相比需要复杂堆叠工艺的HBM，1c DRAM的生产效率更高，能够更快速响应市场需求 [2] - HBM4的数据传输通道达到2048个，是前代HBM3E的两倍，并新增了计算效率和能源管理等逻辑工艺 [6] 市场驱动因素与需求转变 - 战略调整反映出AI推理应用对成本效益更高的通用DRAM需求激增，公司正将战略重心从高带宽内存（HBM）扩展至更广泛的AI内存市场 [1] - 随着AI模型从学习扩展到推理领域，通用DRAM的需求增速预计将与HBM相当 [3] - 在AI推理应用中，比HBM更节能、更经济的先进通用DRAM成为主流选择，例如英伟达AI加速器Rubin CPX采用GDDR显存，谷歌等公司也在开发集成大量通用DRAM的定制AI加速器 [4] - SOCAMM2内存模块与HBM相比带宽较低但能效更高，英伟达计划在其专有CPU Vera旁边部署SOCAMM2 [4] - 因主要存储芯片企业集中扩充HBM产线，导致通用型DRAM供应瓶颈蔓延，DDR4固定交易价格9月突破7美元，创6年10个月来新高 [5] 定价与盈利能力 - 公司与英伟达完成HBM4供应谈判，成功将价格提升逾50%至每颗500美元以上 [1][6] - 公司已提前售罄明年产能，在HBM和通用DRAM市场均占据有利定价地位 [1] - 业界估算HBM4利润率约为60%，市场预计公司明年HBM销售额约为40万亿至42万亿韩元 [8] - 若维持与今年相同的利润率，公司仅HBM业务就将产生约25万亿韩元营业利润，较今年的17万亿韩元增长近50% [8] - 随着DRAM价格上涨，公司明年通用型DRAM营业利润率也可能接近50%至60% [8] 资本开支与业绩展望 - 业内人士预计，公司明年设施投资额将轻松突破30万亿韩元，较今年预计的25万亿韩元大幅增长 [1] - 市场预测公司明年营业利润有望超过70万亿韩元，创下历史新高 [1][8] - 公司正在扩大1b DRAM产能，用于明年正式向英伟达供应的HBM4，位于清州园区的全新M15X工厂计划于今年年底投产，每月可生产6万片晶圆 [8]

产能扩张计划 - 计划将第六代10纳米DRAM（1c DRAM）的月产能从目前约2万片300mm晶圆提升至16万至19万片，增幅达8至9倍 [1] - 扩产后的1c DRAM月产能将占其DRAM总产能的三分之一以上 [1] - 计划明年在利川园区通过工艺升级新增14万片月产能，这被视为"最低增幅"，同时考虑将月产能提高16万至17万片 [2] - 位于清州园区的全新M15X工厂计划于今年年底投产，这条1b DRAM生产线平均每月可生产6万片晶圆 [8] 技术重点与产品应用 - 扩产后的1c DRAM将主要用于生产GDDR7和SOCAMM2等产品，以满足英伟达等大型科技公司的订单需求 [1] - 1c DRAM的良率已提升至80%以上，该制程主要用于制造DDR5、LPDDR和GDDR7等最新通用DRAM产品 [2] - HBM4的数据传输通道达到2048个，是前代HBM3E的两倍，并且基础芯片中新增了计算效率和能源管理等逻辑工艺 [6] - 从HBM4开始，公司将此前自主生产的基础芯片外包给台积电 [6] 市场驱动因素与战略调整 - 战略调整反映出AI推理应用对成本效益更高的通用DRAM需求激增，公司正将战略重心从高带宽内存（HBM）扩展至更广泛的AI内存市场 [1] - 随着AI模型从学习扩展到推理领域，通用DRAM的需求增速预计将与HBM相当 [3] - 在AI推理应用中，比HBM更节能、更经济的先进通用DRAM成为主流选择，例如英伟达AI加速器Rubin CPX采用GDDR显存，大型科技公司也在开发集成大量通用DRAM的定制AI加速器 [4] - SOCAMM2内存模块采用1c DRAM，与HBM相比带宽较低但能效更高，英伟达计划在其专有CPU Vera旁边部署SOCAMM2 [4] 定价能力与财务状况 - 在与英伟达的HBM4供应谈判中成功将价格提升逾50%至每颗500美元以上 [1][6] - 公司已提前售罄明年产能，在HBM和通用DRAM市场均占据有利定价地位 [1] - HBM4的利润率约为60%，市场预计公司明年HBM销售额约为40万亿至42万亿韩元 [8] - 若维持与今年相同的利润率，仅HBM业务就将产生约25万亿韩元营业利润，较今年的17万亿韩元增长近50% [8] - 随着DRAM价格上涨，公司明年通用型DRAM营业利润率也可能接近50%至60% [8] - 业内人士预计，公司明年设施投资额将轻松突破30万亿韩元，较今年预计的25万亿韩元大幅增长 [1] - 市场预测公司明年营业利润有望超过70万亿韩元，创下历史新高 [1][8] 行业供需与竞争格局 - DDR4固定交易价格9月突破7美元，创6年10个月来新高，主要因存储芯片企业集中扩充HBM产线，导致通用型DRAM供应瓶颈蔓延 [5] - 随着推理AI市场快速扩张，存储芯片供应短期内无法跟上需求 [5] - 公司已锁定符合英伟达规格产品的价格和供应量，正在维持当前盈利能力，即使三星电子和美光进入HBM4市场，也不会对业绩产生不利影响 [7]

行业前景与市场预测 - 全球存储行业在AI算力爆发驱动下迈入增长新阶段，WSTS预测2025年市场规模达1938亿美元，同比增长17%，其中DRAM占比升至67%成为核心增长引擎[2] - 人工智能+已成为推动经济高质量发展的核心驱动力，更优的芯片性能和更高性价比为海外企业与中国合作注入强劲动能[7] 存储技术展示与创新 - 三星展示了为AI与高强度图形工作助力的GDDR7和为解决数据密集型AI负载存储的PM1753等产品，并详细介绍了从28nm到3nm工艺的区别和技术难点[2] - SK海力士展示了基于新一代PIM技术的GDDR6-AiM、eSSD、Server DIMM及GDDR7等产品，其中GDDR7运行速度提升60%、能效提升50%以上[4] - 存储巨头在进博会上不约而同展示可与AI加速器协同应用于高性能计算系统的GDDR7[2] AI计算与终端应用 - AMD展出的锐龙Mini AI工作站搭载AMD锐龙AI MAX+ 395处理器，融合CPU、GPU与NPU异构算力，最高支持96GB专用显存和16GB共享显存，可有效应对端侧AI在数据安全、部署成本与空间限制方面的挑战[7] - 元启智合联合奥尼电子基于AMD锐龙Mini AI工作站打造本地化AI会议解决方案，设备成本可降至2万元左右，使会议内容转写不必上云即可准确记录[9] - 高通展台集中展出12款搭载第五代骁龙8至尊版移动平台的中国手机厂商旗舰新品，体现高通与小米、荣耀等中国领先手机厂商的深度协同[9] 半导体设备与制造 - ASMPT作为半导体封装和电子贴装制造方案供应商，可提供满足不同封装节点需求的整线设备与解决方案，覆盖从传统封装到先进封装的多种工艺环节[12] - 甘肃天水华天电子集团与ASMPT集团签署价值5000万美元的半导体封装设备订单[12] - ASML展示的TWINSCAN NXT:870B光刻机可实现每小时晶圆产量400片以上，TWINSCAN XT:260光刻机可提升4倍生产效率并降低单片晶圆成本[12][13] 合作模式与战略意义 - 参展企业强调进博会不仅是产品展示平台，更是为了形成更好的交流并为下一步合作创新做铺垫[6] - 高通与中国智能产业的合作从手机、AI PC、平板等消费端产品延展至更广阔的终端领域，包括宇树人形机器人、零售终端等具体应用[11] - 开放、合作是各家企业的高频词，中国展现出主动开放市场、深化合作的意愿，海外朋友圈攒足AI动能将在创新发展道路上结伴同行[13]

服务器DRAM供应紧张与价格飙升 - 美国和中国的主要超大规模厂商目前仅收到其订购的服务器DRAM的70% [2] - 服务器DRAM第四季度合同价格涨幅高达50%，远超买家预算的30%涨幅 [2] - 传统DDR5 RDIMM需求超过供应，因三星和SK海力士将产能转向AI加速器用的先进节点 [2] - 服务器SSD价格被三星上调高达35%，RDIMM合同费率上调高达50% [2] - DDR5 16 GB模块现货价格从9月底的7-8美元飙升至13美元左右，且11月供应将更紧张 [2] - 模块制造商正准备应对本季度末出现的缺货情况 [2] 不同客户层级供应差异显著 - 渠道商和小型原始设备制造商的订单履行率接近35%至40% [3] - 由于超大规模厂商锁定固定配额，优先级较低的客户被迫转向现货市场或需等到2026年 [3] - 美光公司指出DRAM是"供不应求的行业"，到明年年底位元供应增长将落后于需求 [3] 整体DRAM价格走势与驱动因素 - 预计第四季度整体DRAM价格（包括HBM）将环比上涨13%-18% [6] - 价格飙升的驱动因素包括DDR4停产公告、中美关税紧张下的囤货，以及北美数据中心AI服务器投资加速 [7] - 2025年第四季度传统DRAM价格预计环比上涨8-13%，若计入HBM涨幅可扩大至13-18% [9] - 由于产能扩张落后于需求，成熟节点产品的供应短缺将加剧 [7] 各细分产品市场动态 - DDR4仅占DRAM整体市场的20%，且已不再是量产优先选择，其短缺可能持续到2026年上半年 [3][6] - LPDDR4X供应因产量削减而萎缩，2025年第四季度价格预计环比上涨超过10% [10] - LPDDR5X应用范围扩大，其价格在2025年第四季度预计将继续上涨 [10] - PC DRAM供应受限，价格预计将继续小幅上涨 [9] - 图形DRAM需求强劲，GDDR7价格预计将比上一季度有更大涨幅，GDDR6因供应受限价格上涨更快 [10][11] - 消费级DDR4价格在经历第三季度几乎翻倍后，第四季度涨幅预计将放缓 [11] - DDR3因早期采购需求和产能置换，价格预计将继续攀升 [11] 供应商策略与市场反应 - 韩国DRAM巨头近期涨价幅度高达30%，部分厂商甚至暂停了部分DRAM和NAND闪存产品的报价 [5] - 三大DRAM供应商将先进制程产能主要分配给高端服务器DRAM和HBM，挤占了PC、移动和消费应用的产能 [9] - 中国内存制造商自8月以来进入新一轮价格上涨，制造商业利润大幅增长，模组制造商积极囤积库存 [7]