文章核心观点 - 存储行业正进入由AI需求驱动的超级周期，市场呈现供不应求、价格持续上涨的局面，HBM和通用DRAM成为关键增长领域 [2] - 三星、SK海力士、美光三大存储巨头基于各自的市场地位与技术储备，采取了差异化的产能调整与投资策略，以优化利润并抢占未来市场 [2][19] 存储行业市场现状 - 存储市场行情火爆，价格波动剧烈，“一天一个价，甚至一天几个价” [2] - 存储行业全面进入加速上行周期，原厂盈利能力持续提升 [2] - HBM供应紧张，SK海力士2026年底前的产能已基本被AI大客户锁定，三星留给中小厂商的份额不足10% [2] - DRAM作为存储赛道的另一关键领域，重新回到各大厂商的战略核心位置 [2] 三星电子的战略调整 - 计划将用于HBM3E生产的第四代1a纳米制程产能下调30%-40% [4] - 转而将产能投入第五代1b纳米制程的通用DRAM生产，每月可新增约8万片晶圆产能 [4] - 调整背后的核心驱动力是利润考量：其HBM3E产品因议价能力弱、供给大客户价格较低，当前利润率仅约30%；而基于1b制程的通用DRAM（如DDR5）预期利润率将超过60% [4][5] - 将平泽和华城园区的部分NAND闪存产线改造为DRAM产线，聚焦数据中心所需的大容量DDR5及LPDDR5X产品 [5] - 为抢占HBM4先机，加紧提升1c纳米DRAM产能，计划到2026年第二季度提升至每月14万片晶圆，第四季度进一步提高到每月20万片晶圆 [6] - 核心目标是实现比SK海力士更高的利润，计划保持DRAM产量高速增长，并将大部分产能分配给利润率较高的通用DRAM [6] - 采用“通用DRAM保量、HBM4抢高端”的双线策略，目标是在2026年实现DRAM营业利润超越SK海力士，重新夺回全球DRAM市场份额第一的宝座 [20] SK海力士的战略调整 - 计划将DRAM产能投资目标翻了一番，但大部分产能扩张仍投资于HBM等数据中心产品 [7] - 公司明确表示不会仅因盈利能力暂时变化就立即调整产能结构，更倾向于通过提高面向数据中心的DRAM产品需求来提升获利 [7] - 在HBM领域市场份额遥遥领先，2026年的HBM产能已销售一空 [7] - M15X晶圆厂预计2025年底量产1b DRAM，初期月产能3.5万片，主要用于HBM3E核心芯片生产，以巩固其在HBM市场50%以上的份额优势 [7] - 业界估算其HBM4利润率约为60%，明年HBM销售额预计为40万亿至42万亿韩元，若维持相同利润率，HBM业务营业利润将较今年的17万亿韩元增长近50%，达到约25万亿韩元 [7] - 并未放缓通用DRAM布局，计划明年将第六代1c DRAM月产能从目前约2万片提升至16万至19万片，增幅达8至9倍，占其DRAM总产能的三分之一以上 [8] - 1c DRAM良率已提升至80%以上，扩产后将主要聚焦于生产GDDR7和SOCAMM2等产品，以满足英伟达等大型科技公司订单 [8] - 战略调整反映AI推理应用对成本效益更高的通用DRAM需求激增，公司正将战略重心从HBM扩展至更广泛的AI内存市场 [9] - 在HBM和通用DRAM双轮驱动下，业内人士预计其明年设施投资额将轻松突破30万亿韩元，较今年预计的25万亿韩元大幅增长，市场预测明年营业利润有望超过70万亿韩元，创历史新高 [10] - 采取“核心业务稳固扩张、高端产品精准卡位”的双轨战略，2026年全系列存储订单基本已经售罄 [21] 美光科技的战略调整 - 战略转向最为决绝，终止移动NAND产品开发、砍掉消费类业务品牌Crucial，将产能重新分配到毛利润率更高的HBM/企业级DRAM和SSD产品，全力投向数据中心市场 [11] - 决策基于利润考量：2025年上半年，数据中心存储芯片毛利率高达42%，而消费级存储产品毛利率仅为14% [11] - 正在全球多地新建或扩建工厂产能，以扩大HBM堆叠能力和高端DRAM生产 [11] - 将爱达荷州博伊西晶圆厂原本生产消费级存储芯片的3条生产线，全部改为生产HBM和数据中心用DRAM芯片的生产线 [12] - 与英伟达签有为期3年的供货协议，每年需供应至少120万颗HBM芯片 [12] - 谷歌、亚马逊、微软和Meta也向美光提出了“无限期订单”，表示无论价格如何，能交付多少就接收多少 [12] - 计划于2026年小批量交付HBM4，并计划在2026年将HBM产能增加四倍 [13][21] - 宣布逐步停产DDR4，预计在未来6到9个月内出货量逐步下滑直至彻底停产，以聚焦高端产品 [13] 产能转向的深层驱动逻辑 - 利润驱动：三星因HBM3E利润率（约30%）远低于通用DRAM（预期超60%）而调整产能；SK海力士因HBM业务利润率高达约70%而优先保障HBM，但也加速扩产1c DRAM；美光通过砍掉低利润消费级业务，将资源分配给利润率数倍于前者的数据中心/HBM市场 [15] - 需求驱动：AI应用从训练向推理及边缘侧延伸，催生了对GDDR7、大容量DDR5/LPDDR5X等通用DRAM的爆发性需求，巨头们为响应谷歌、微软等云巨头的“无限期订单”而重新评估产能分配 [16] - 技术与产能适配驱动：HBM生产复杂、良率爬升慢，挤压通用DRAM产能，三巨头制程策略分化：三星以1b制程提效并押注1c纳米；SK海力士以1b制程作为HBM基石，用1c制程快速扩产通用产品；美光集中资源攻克HBM4与高端DRAM [17] 存储涨价潮对产业链的影响 - 内存价格已飙升到“几乎负担不起”的程度，这种局面大概率会贯穿整个2026年，可能要到2027年下半年才有所缓解 [23] - 存储模组厂成为受影响最直接的一环，许多头部模组厂已经决定暂停出货并重新评估报价 [23] - 在AI浪潮带来的超级周期下，存储市场正从消费驱动向技术驱动转型，HBM和DDR5内存的紧缺可能进一步传导至整个存储产业链 [23] - 市场预计供需失衡局面将持续到2027年，随着新产线陆续投入运营，行业格局将随之改变 [23]