LPDDR
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SOCAMM2送样,即将爆发?
半导体芯闻· 2025-12-18 10:24
三星电子与英伟达在SOCAMM领域的合作进展 - 三星电子已向英伟达提供了第二代SOCAMM规格的DRAM模块样品,旨在应用于英伟达下一代AI芯片Vera Rubin [2] - 三星电子计划及时建立量产体系,以保持在SOCAMM市场的早期领先地位 [2] - 英伟达高管确认了与三星电子的持续技术合作,以优化下一代内存(如SOCAMM2)来实现AI基础设施所需的高响应速度和效率 [2] SOCAMM技术规格与优势 - SOCAMM是小型外形压缩附加内存模块的缩写,是一款专为AI服务器优化的紧凑型高性能内存模块 [2] - 该模块结合了LPDDR5X内存的高带宽和高能效,并采用模块化插槽式设计 [2] - 与现有基于DDR的服务器模块(RDIMM)相比,SOCAMM带宽提升超过两倍,功耗降低超过55% [3] - 与上一代SOCAMM1相比,SOCAMM2的速度提升了20%以上 [3] 三星电子的市场战略与竞争地位 - 三星电子正式提供SOCAMM样品,表明其有意尽早进入SOCAMM供应链,并从早期研发阶段就与英伟达密切合作,比竞争对手更快进入客户样品(CS)阶段 [3] - 客户样品阶段是验证产品在实际系统环境中稳定性和兼容性的关键阶段,意味着产品已达到英伟达的功耗、带宽和散热管理标准 [3] - SOCAMM2市场预计将从明年上半年开始蓬勃发展,内存厂商正展开激烈竞争,力求在英伟达供应链中抢占先机 [4] - 在HBM领域SK海力士已占据主导,但在SOCAMM领域仍有成为领头羊的机会,三星电子因长期保持LPDDR产品线领先地位而被认为具有相对竞争优势 [4] - 三星电子正与全球主要合作伙伴共同主导SOCAMM的JEDEC标准规范的制定,战略是利用其在供应链中的优势保持标准化领域的领先地位 [4]
存储缺货,OPPO急了
半导体芯闻· 2025-12-17 10:31
文章核心观点 - 低功耗动态随机存取存储器(LPDDR)供应短缺问题日益严重,预计到明年上半年,内存供应商将主导市场,并可能引发通用DRAM价格暴涨 [1][2][3] LPDDR市场需求与短缺现状 - LPDDR是一种需求快速增长的DRAM,其需求增长主要受智能手机和人工智能(AI)服务器的推动 [1] - 最新一代的LPDDR5X需求最为强劲 [1] - 今年第四季度初,智能手机厂商的DRAM库存水平为2-4周,较去年同期(13-17周)和上一季度(3-8周)均有显著改善,反映出库存紧张 [2] - 不仅是大中华区的智能手机行业,三星电子的MX部门和苹果公司也面临着内存短缺的困境 [2] 客户应对策略:寻求长期协议 - Oppo近期向三星电子和SK海力士提出了LPDDR的长期协议(LTA)提案,要求保证至少四到六个季度的供应量,这种做法在通常按季度签订合同的行业中实属罕见 [1] - 三星电子与OPPO之间的长期协议谈判正在升温 [1] 供应商动态与产能分配 - 三星电子拥有业内领先的DRAM产能,其量产DRAM中高带宽内存(HBM)的占比仍然相对较小,因此其LPDDR供应相对充足 [1] - 各大内存厂商计划从明年上半年开始积极扩大其在高附加值LPDDR服务器出货量中的份额,因为AI行业从传统学习向推理转型,对节能型LPDDR的需求日益增长 [2] - 供应商的产能有限,LPDDR将成为明年第一季度通用DRAM价格暴涨的导火索 [3] 下一代产品与技术发展 - NVIDIA预计将正式开始供应SoCAMM2,这是其自主研发的下一代内存模块,集成了四个LPDDR5X内存条,旨在提升能效和带宽 [2] - 三星电子计划从明年第一季度开始抢先出货基于1b(第五代10nm级)DRAM的SOCAM2产品 [3] - SK海力士预计将从第二季度开始量产基于1c(第六代10nm级)DRAM的SOCAM2产品,并提供两种容量型号 [3] - 预计明年上半年将有大量尖端LPDDR供应给英伟达 [3]
“等等党亏麻了”,12GB内存将在中端机上消失?
观察者网· 2025-12-12 07:09
核心观点 - 由于内存价格预计在2026年第一季度继续大幅上涨,全球智能手机和笔记本电脑厂商将面临艰巨的成本考验,提高产品价格、降低配置规格并下调出货量预测已不可避免,行业资源优势将向少数龙头品牌高度集中 [1] 行业成本与定价影响 - 对于智能手机和个人电脑等消费电子设备,内存在物料清单成本中的占比正日益增加 [1] - 预计在2026年第一季度,内存占iPhone总BOM成本的比例将显著上升,可能迫使苹果公司重新审视新机定价,并考虑缩减或取消旧机的降价优惠 [1] - 主攻中低价市场的安卓品牌,内存原本在BOM成本占比就偏高,随着零部件价格飙升,2026年势必牵动品牌商提高新机定价,同时需要调整现有机型的定价或生命周期以减缓亏损 [1] - 联想、戴尔等电脑制造商已计划提价,提价幅度可能在15-20%左右,最快或于本月中旬生效 [5] - 2025年第四季度,DRAM合约价预计将季增45-50%,包括HBM在内的所有DRAM产品价格将上涨50-55% [5] 产品策略与规格调整 - 降低配置规格或推迟硬件升级已成为智能手机和笔记本电脑制造商控制成本的必要手段,对于存储成本中占比最大的DRAM尤为明显 [4] - **智能手机市场**:高端机型往16GB推进速度放缓;中端机型中12GB内存将逐渐消失,回落至8GB;低端入门机型在2026年可能会回退至4GB内存 [4][5] - **笔记本电脑市场**:高阶轻薄笔记本电脑通常采用焊接式LPDDR,无法通过降低规格或更换模组来削减成本,可能成为最早、最大幅度显现涨价压力的细分市场 [2] - 消费型笔记本电脑市场,短期内可维持既有定价,但中长期仍将走向降规或调价,预期2026年第二季PC市场将进入较显著的调价期 [2] - 对于入门级笔记本电脑,受限于处理器搭配需求和操作系统的限制,DRAM容量无法迅速缩减 [5] 市场与出货量预测 - 集邦咨询预估的2026年全球笔记本电脑生产出货量已由年增1.7%下修为年减2.4% [5] - 2025年第三季度,DRAM产业营收季增30.9%,达414亿美元 [5]
DDR5存储价格,为啥暴涨?
芯世相· 2025-12-10 06:29
文章核心观点 - 2025年11月DRAM和闪存价格进入新一轮上涨周期,其中DDR5价格出现异常陡峭的飙升,其背后原因并非简单的结构性短缺,而更可能由AI服务器需求激增引发的行业性“恐慌性备货”或“抢货”行为所驱动,这种情绪性囤货反而造成了市场短缺[3][4][8] - 价格上涨的直接触发因素包括:主要服务器厂商为应对AI服务器需求而提高DDR5与企业级SSD库存、GPU/AI处理器厂商加大HBM采购、以及NVIDIA转向采用LPDDR的传闻,这些导致企业级合约订单激增,挤占了消费级市场的产能与资源,最终连美光都决定将消费级品牌Crucial的产能转向企业级和AI服务器[10][11] - 尽管HBM和LPDDR的需求通常通过长期合约与GPU生产计划锁定,但DDR5的需求可能因服务器合作伙伴(如使用x86白牌服务器搭配NVIDIA/AMD GPU的方案)基于对额外GPU供应的预期而进行超前采购,导致采购量膨胀,重现了类似疫情初期抢购口罩的供应链失衡剧本[14][15][16] - 当前价格飙升带有强烈的恐慌性突发需求特征,但GPU的实际供给受限于台积电先进制程及CoWoS封装产能,难以匹配需求的突然增长,这可能导致合作伙伴囤积的存储芯片形成高库存,未来可能在财年末附近为清理库存而向市场抛售,进而引发价格下跌[18][19][20] DRAM价格暴涨 - 2025年11月,DRAM与闪存价格正式进入新一轮上涨周期,成为行业最受关注事件[4] - 此前,三大DRAM厂商(SK海力士、三星、美光)及长鑫存储陆续宣布停止DDR4生产,导致DDR4短期内变成紧缺品种,价格冲高,并出现罕见的Bit Cross现象(即新一代DRAM价格低于上一代)[4] - DDR4价格持续高位,表明主要厂商的DDR4停产计划未变,DDR4退出市场是趋势所向[4] - DDR5价格走势更令人意外,出现明显上涨并与DDR4形成新的Bit Cross现象,且上涨斜率过于陡峭,属于明显的异常波动[5] - 消费端价格表现极端,以美光Crucial品牌DDR5-5600 16GB内存为例,其在Amazon日本站的价格从11月4日前的1万日元以下,一路跳涨至12月6日的2.4万日元,不到一个月时间几乎翻倍,并呈现缺货状态[6] 当前的急剧上涨接近于“恐慌性买盘” - 本轮DDR5上涨行情与此前DDR4上涨不同,更像是一种行业性的“抢货”或“恐慌性备货”,类似过去石油危机时的卫生纸抢购或疫情初期的口罩抢购,情绪性囤货反而造成了短缺[8] - 业内传闻的推动因素包括:1) 主要服务器厂商为应对AI服务器需求暴涨,一起提高DDR5内存与企业级NVMe SSD的库存水平;2) GPU和AI处理器厂商在加大HBM的采购量;3) 外媒报道NVIDIA“转向采用LPDDR”,使其成为类似大型手机厂规模的客户[10] - 尽管NVIDIA采用LPDDR5X并非新变化,但在AI市场高速扩张背景下,各公司希望尽早锁定关键组件供应[10] - AI服务器需求集中爆发导致明年存储芯片合约被提前大量签下,订单量接近甚至超过现有产能,消费级与DIY市场资源被挤出,现货供应快速收紧,价格同步拉升[10] - 美光决定从Crucial消费级业务撤出,将有限产能全部转向企业级和AI服务器方向,这一生产压力解释了市场现货价格短时间内急速冲高的原因[11] HBM/LPDDR/DDR需求的再分析 - 下一代GPU(如NVIDIA GB300、Rubin/Ultra,AMD Instinct MI350、MI400系列)将搭载大量HBM3E/HBM4,目前仅SK海力士、三星和美光能供应[12] - HBM与DDR/LPDDR使用不同的DRAM Die,当HBM需求增长时,会压缩分配给DDR/LPDDR的产能,导致后者供应吃紧[12] - HBM的供应计划通过内存厂与NVIDIA/AMD之间的长期合约锁定,依据GPU生产计划制定,因此不太可能出现短期内的“突发性需求增加”[13] - LPDDR需求(如用于NVIDIA Grace/Vera CPU)也通过长期合约保障,内存厂应已将其纳入出货计划[13] - DDR5的需求方更多,包括提供“HGX B200/B300 + x86白牌服务器”组合方案的厂商,以及搭配AMD EPYC CPU与Instinct GPU的服务器,其采购工作由合作伙伴负责,若需求突然大幅增加,说明该链路发生了某些情况[14] GPU供给是不是被额外追加了 - 一种可能情景是:GPU厂商(如NVIDIA/AMD)告知合作伙伴(假设为A-E五家公司)未来每月可供应1万颗GPU,随后又通知整体产能每月可额外增加1万颗[15] - 合作伙伴为争取可能增加的份额,避免因组件短缺导致服务器无法按期出货造成机会损失,会提前追加采购组件,尽管额外GPU的最终分配方案尚不确定[15] - 与1万张GPU相比,零部件成本要低得多,因此公司倾向于承担无法筹措库存的风险也要追加订货[15] - 结果,五家公司下达的采购量从支撑1万颗GPU所需膨胀至支撑2万颗规模,大致相当于翻倍,在合约层面造成需求突然激增[16] - 这完全重演了疫情时期口罩短缺的剧本:因担心未来短缺而竞相囤积库存,导致供应链失衡与混乱[16] - 此次价格飙升带有强烈恐慌色彩,是突发性需求暴涨,使得存储厂商应对落后,美光终止Crucial业务即是例证,因为合约订单累积到无法保证该业务持续生产量的程度[17] - 市场传闻也反映了混乱,如三星拒绝其智能手机事业部的LPDDR合约(因外售价格更高),以及NVIDIA在消费级GPU供应中从提供“GPU+GDDR”组合切换为仅提供GPU本体,将GDDR的供给风险与价格压力转移给合作伙伴[17] GPU的供给量真的能够增加吗 - GPU的实际供给增加最终受限于台积电N4/N3工艺产能及CoWoS先进封装产能,只要这些环节产能无法显著提高,矛盾就难以解决[18] - 尽管美国亚利桑那工厂已开始运转提高了产量,但CoWoS先进封装目前只有中国台湾能够处理,亚利桑那生产的晶粒必须送回中国台湾封装,只要封装产能无法提高,GPU最终可供数量就无法实质性增加[18] - 将月产量从5万颗提升至6万颗或许可行,但提升至10万颗在当前阶段几乎不具备现实性,短期内难以看到解决问题迹象[18] - 因此,可能出现与疫情时期口罩相同的情况:合作伙伴基于扩大的合约采购了大量存储产品,但GPU实际供给无法跟上,导致存储以库存形式积累[19] - 将庞大的库存跨会计年度保留可能相当严苛,在各家公司财年末附近,它们可能会尝试释放积压库存,进而造成价格下跌[19] - 对于采用自然年度作为会计周期的企业,2025年度财报可能还能维持过去状态,因为合约虽已签订,但DDR5现货实物可能刚刚开始到货,库存尚未堆积到特别高水平,但要撑到2026年度可能相当艰难,企业很可能在彼时前后开始减少库存[19][20] - 在此之前,价格持续维持高位的状况完全不足为奇[20]
存储芯片厂商时创意启动上市辅导 冲刺“百亿营收、千亿市值”目标
巨潮资讯· 2025-12-06 02:23
公司IPO进程 - 深圳市时创意电子股份有限公司首次公开发行股票并上市辅导备案获证监会披露 正式开启IPO进程 [1] - 辅导机构为中信证券 辅导协议签署时间为2025年11月26日 [2] - 公司为国家专精特新重点“小巨人”企业 [1] 公司基本情况 - 公司成立于2008年7月31日 注册资本为32763.51万元 法定代表人为倪黄忠 [2] - 公司为集芯片设计、软固件研发、封装测试、模组生产及应用于一体的国家高新技术企业 [2] - 业务涵盖嵌入式存储、固态硬盘、内存模组及移动存储 [2] - 公司控股股东为倪黄忠、李慕妃夫妇 两人合计控制公司64.32%的股份 [2][4] - 公司行业分类为计算机、通信和其他电子设备制造业(C39) [2] 公司发展历程与技术突破 - 公司自2017年正式启动SSD固态硬盘研发 [3] - 2017年内完成国内首颗256GB microSD量产 [3] - 2019年与深圳大学共建联合实验室 同年实现eMMC量产及512GB microSD出货 [3] - 2020-2021年相继完成DRAM模组量产、256GB eMMC国内首发、LPDDR量产等里程碑 [3] - 2020-2021年率先实现基于长存128层TAS颗粒的eMMC量产出货 [3] - 官方愿景是成为全球一流的存储芯片和解决方案提供商 设定了“百亿营收、千亿市值”的长期目标 [2] 公司近期经营与融资情况 - 近期公司产能实现大幅提升 [3] - 董事长倪黄忠表示 受益于此 2025年公司营收有望实现翻倍增长 [3] - 2026年计划实现约30%的营收成长 “百亿营收目标已较为接近” [3] - 2022年6月完成天使轮融资 引入瀚海千里 [3] - 2023年5月获合肥产投集团A轮战略投资2.8亿元 [3] - 2023年11月完成由小米产投领投 动力未来、吾同投资跟投的B轮融资3.4亿元 [3] - 2024年再度完成2亿元B+轮战略融资 [3] - 连续的融资为公司技术研发与产能扩张提供了关键支撑 [4] 公司股权结构与行业背景 - 外部股东中 国通兆芯持股12.2298% 为第一大外部股东 [4] - 小米产投持股9.8479% 产业资本属性突出 [4] - 全球存储市场逐步回暖 [4] - 国内半导体产业链自主化趋势深化 [4] - 公司具备芯片设计、封装测试到模组制造全链条能力 [4] - 公司有望在细分市场中进一步巩固技术优势与市场地位 [4]
中信证券:近存计算高景气 看好投资机遇
新浪财经· 2025-12-05 00:22
文章核心观点 - AI时代下,显存带宽和容量的升级是核心,存算一体是发展趋势,近存计算领域处于高景气状态,存在投资机遇 [1] 投资方向与产业链分析 - **存储方案厂商**:CUBE技术的必要配套环节,通过定制设计方案推动产业化并进军高端市场,重点关注有存储原厂支持且具备先发优势的龙头企业,同时关注布局超薄LPDDR堆叠方案的公司 [1] - **半导体设备**:受益于先进封测需求升级,产业配套需求增长,配合工艺优化与良率提升,加速供应链国产化进程,重点关注刻蚀、键合、减薄等设备领域 [1] - **先进封装**:是高端存储领域的核心突破口,设备可获得性较高,中国大陆厂商的先进封装能力已处于行业前列并正在积极扩充产能 [1] - **逻辑芯片公司**:作为投资方向之一被提及 [1]
芯片内战!DRAM大缺货!三星拒签长约!
新浪财经· 2025-12-03 13:20
行业核心动态:存储芯片进入“超级周期” - 内存行业进入“超级周期”,高阶LPDDR与高带宽内存(HBM)产能被AI应用大量吸收,造成供给缺口快速扩大 [2] - 所有与内存相关的产品,无论是先进内存还是传统内存需求都非常强劲,而供应却严重滞后 [3][5] - 预计DRAM和NAND闪存的价格上涨势头将持续数个季度 [3][5] 存储芯片价格与成本影响 - 高阶LPDDR5X(12GB)价格在11月底约为70美元,较今年初的约33美元涨幅超一倍 [1][4] - 智能手机中行动处理器(AP)和内存半导体成本占比因芯片价格上涨将至少增加5个百分点 [1][4] - 内存短缺威胁从手机到医疗设备和汽车等各种产品的制造成本 [2][4] 三星电子内部策略与冲突 - 三星电子半导体(DS)部门拒绝了同集团移动体验(MX)事业部提出的一年以上DRAM长期合约要求,只愿提供三个月的短约 [1][3] - DS部门坚持以获利为中心,调整产品组合,重点生产AI加速器使用的HBM和行动用LPDDR等高利润产品以最大化收益 [2][4] - MX事业部正为即将在2026年初推出的Galaxy S26系列旗舰手机的成本负担剧增而烦恼 [1][3] 下游厂商的应对措施 - 戴尔、惠普等科技公司警告,由于AI基础设施建设带来的需求激增,明年内存芯片供应可能出现短缺 [2][4] - 联想等公司已开始囤积内存芯片以应对成本上涨,小米等消费电子产品制造商已就价格可能上涨发出警告 [2][5] - 华硕等电脑制造商加快了库存储备,计划在假日季保持价格稳定,并在新年重新评估市场形势 [2][5]
LPDDR,涨疯了
半导体行业观察· 2025-12-02 01:37
内存价格预测 - 预计2025年内存价格将大幅上涨50% [1] - 2025年第四季度价格可能上涨30%,2026年初可能再上涨20% [1] - 2026年内存价格预计上涨高达20% [1] 价格上涨驱动因素 - 人工智能扩张导致供应商转向生产更先进的高带宽内存,造成传统内存LPDDR4短缺 [1] - 现货价格出现失衡,DDR4内存交易价格达每千兆2.10美元,高于DDR5的1.50美元和HBM3E的1.70美元 [1] - 英伟达转向采用LPDDR的战略,使其成为大型智能手机制造商级别的客户,对供应链产生巨大需求冲击 [2] 行业厂商动态 - 供应商正争先恐后满足需求,预计到2026年DRAM产量将增长超过20% [2] - 三星电子可能重新分配其1C工艺产能,SK海力士正在提高产量并提升销售目标 [2] - 美光科技可能不会有所保留,中国最大DRAM供应商的业绩可能超出预期 [2] - SK海力士因DRAM和NAND价格上涨以及AI服务器HBM产品出货量增加,在2025年实现了有史以来最高的季度业绩 [2] - SK海力士在2025年凭借强劲HBM销售暂时超越三星,成为全球最大内存制造商 [3] 产品与技术发展 - SK海力士计划加速向10纳米1c DRAM制程过渡,以建立涵盖服务器、移动和图形应用的完整产品线 [3] - 旗舰产品HBM4计划于2025年第四季度开始出货,2026年DRAM和NAND闪存生产已得到充分的客户保障 [3] - 人工智能市场转向推理驱动型工作负载,预计将扩大对高性能DDR5和eSSD等全线内存产品的需求 [3] 对下游行业的影响 - 内存价格上涨主要影响智能手机制造商,智能手机出货量可能大幅增加超过25% [4] - 出货量增加可能会降低利润率,并影响高端和中端关键细分市场的增长 [4] - 智能手机和消费电子生态系统可能会感受到价格上涨带来的痛苦 [4]
第四季度DRAM合约价涨幅超过50%,行业景气持续上行
选股宝· 2025-11-26 14:51
行业整体趋势 - 2025年第三季DRAM产业营收季成长30.9%,达414亿美元,主要受一般型DRAM合约价上涨、出货量季增及HBM出货规模扩张推动 [1] - 预计第四季一般型DRAM合约价将季增45-50%,包含HBM在内的整体合约价将上涨50-55% [1] - 存储芯片价格的持续上涨环境预计将贯穿整个2026年,并有望持续至2027年,本轮存储“超级周期”的持续时间可能远超历史峰值 [1] - 与人工智能训练/推理系统相关的核心存储芯片需求火爆,推动HBM存储系统、服务器级别DDR5与企业级SSD在内的数据中心存储业务营收猛增 [1] 国产存储厂商机遇 - 行业景气持续上行,国产存储厂商迎来发展机遇,龙头公司有望迎来价值重估 [1] - 江波龙公司的DRAM产品以DDR4、DDR5为主,涵盖LPDDR及多种内存条主流产品型态,并推出了多款高速企业级eSSD产品 [1] - 香农芯创作为国内存储分销商龙头,是SK海力士在国内的核心分销商,形成“分销+产品”一体两翼的发展格局,在存储周期上行及企业级存储国产化趋势下,有望凭借授权品牌和客户资源优势实现业绩增长 [2]
两大芯片巨头预测:DRAM价格将大幅上涨
半导体行业观察· 2025-11-24 01:34
DRAM市场超级周期与需求驱动 - 受人工智能产业强劲需求推动,DRAM市场正经历“超级周期”,韩国三星电子和SK海力士成为主要受益者[2] - 2025年第四季DRAM平均售价涨幅预计将显著高于最初预期,主要驱动力是全球大型科技企业积极扩大AI基础设施建设[2] - 服务器用DRAM和高频宽记忆体等高附加值产品订单表现尤为活跃[2] 供需紧张与价格飙升 - 供需吃紧不仅限于高阶产品,用于个人电脑和智能型手机的通用型DRAM也面临极度严峻的供需短缺[3] - 主要记忆体供应商将大部分DRAM产能配置于HBM生产,并专注于转换投资而非建立新量产线,同时大幅缩减DDR4等上一代产品供应比重,导致其价格大幅飙升[3] - 中国科技大厂小米和阿里巴巴等已接受比前一季高出50%以上的价格涨幅,联想为确保供应链稳定签订了确保2026年记忆体供应的长期合约[4] 主要厂商价格表现与策略 - 三星电子预计第四季DRAM平均售价比前一季上涨至十位数上缘,此前第三季财报会议时预估涨幅仅为十位数中段[3] - SK海力士预计第四季DRAM平均售价比前一季上涨至高个位数上缘,其第三季平均售价较前一季上涨了中个位数中段[3] - 在通用型DRAM市场上,三星电子相较于竞争对手正采取更具“攻击性”的涨价策略[4] 摩根士丹利对市场疑虑的解析 - 市场对三大存储厂扩充DDR4产能的担忧不必要,因三大厂均将资源优先投入HBM4/HBM3e,逆向增加DDR4供给需重新调整电路设计和配置设备,成本与时间不具吸引力[6][7] - 经过大幅涨价后,旧世代DRAM需求依然亮眼,原因包括14、22奈米系统级芯片的存储控制器多仅支援DDR4、移转至DDR5可能带来系统稳定性风险、以及DRAM在多数系统物料清单中占比偏低[7] - 存储循环通常跨越四至六个季度,目前仅走过约二个季度,循环仍处于早期阶段,DDR4合约价仍有大幅上涨空间,可能较谷底上涨数倍[7] AI驱动的结构性变化与长期前景 - 本次存储超级循环由AI驱动,背后主要玩家是大型云端业者、企业资料中心、电信商和各国政府,这些玩家资金充裕、对价格不敏感,与过去主导存储价格的一般消费者截然不同[10] - AI从最初的训练到现在的推论,从云端未来走到边缘,投资曲线延伸到多年后,是算力结构的长期变化,而非消费者口味的突然转变[10] - 存储扩厂最快需14-18个月,量产最快是2027下半年的事,美光、海力士、三星均优先投入先进制程和HBM,高阶存储每单位资本支出创造的毛利高于成熟产品,导致其无意愿回头生产DRAM[11] 技术演进与产能挤压 - 英伟达考虑在下一代AI服务器改用LPDDR存储,LPDDR和HBM都比DDR制程难度更高、良率更低且容量更大,对晶圆的消耗更大,此举会加剧缺货状况[12] - HBM会挤压DDR产能,LPDDR改用到AI服务器使容量需求放大数个量级,进一步加剧供需紧张[12]