半导体行业观察
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联电的突围之道
半导体行业观察· 2025-12-01 01:27
公司战略转型 - 面对成熟制程红海竞争,公司正加速转型,以特殊制程为基础,跨足硅光子、先进封装等高附加价值应用,开辟新蓝海 [1] - 公司强调未来将以提供完整方案为策略,不仅提供晶圆制程,也整合封装平台,打造自身的先进封装生态系 [1] 先进封装业务进展 - 公司自行研发的高阶中介层已获高通电性验证并进入试产流程,预估最快2026年首季量产 [1] - 首批中介层电容密度达1500nF/mm²,技术水准属高阶封装主流,高通直接采购炉管机台放入公司厂房,合作涵盖AI PC、智能汽车与AI伺服器三大市场 [1] - 公司同步扩大海外封装布局,新加坡厂已投入2.5D制程并具备Wafer-to-Wafer技术,此为3D IC制造关键能力 [1] 硅光子业务布局 - 公司携手比利时微电子研究中心进军硅光子领域,将迈入收成阶段,有望2025年试产,2027年放量出货 [4] - 硅光子技术具备功耗降低十倍以上、延迟改善十至20倍,以及传输距离与频宽大幅提升等优势,以应对AI训练与推论的大数据传输需求 [5] - 辉达预计于下世代AI平台Rubin大量导入硅光子元件,引爆需求 [4][6] - 硅光子大部分使用28纳米、22纳米等平台,使公司在切入该领域前段制程时具备天然优势,有助于朝更高单价、高毛利产品线拓展 [4] 技术合作与制程发展 - 公司与英特尔在12纳米FinFET领域的合作将按规划于2027年导入量产,具备AI、物联网与车用等高增长领域的应用优势 [2] - 与IMEC合作有三大优势:无需从零开始摸索设计规则、大幅缩短商业化量产时间、与国际大客户技术对接更顺畅 [6]
一个七万亿美元的芯片机会
半导体行业观察· 2025-12-01 01:27
文章核心观点 人工智能正驱动一场前所未有的硬件投资超级周期,重塑全球技术格局,其核心是生成式AI模型的产业化及超大规模计算园区的物理建设[1] 这一浪潮标志着与传统云计算周期的结构性突破,关注点从计算弹性转向吞吐量密度,推动对半导体、电力和冷却系统的巨大需求[4] 到2030年,用于AI优化数据中心的资本支出预计将超过7万亿美元,催生“计算经济”的诞生,其中每一美元的AI资本支出都直接转化为对下游供应链的需求[1][4] 半导体行业成为全球计算经济的基础层,其需求动态、供应链关系及竞争格局被深刻改变[5][32] AI驱动的基础设施投资超级周期 - 到2030年,用于AI优化数据中心的资本支出预计将超过7万亿美元,规模远超以往任何计算转型[1] - 超大规模数据中心运营商资本支出显著,亚马逊投入约1000亿美元,微软800亿美元,谷歌750亿美元,Meta 650亿美元[1] - 主权国家倡议和专业基础设施提供商贡献剩余部分,例如由AI公司和主权财富投资者支持的5000亿美元Stargate计划[1] - 与传统云计算周期不同,AI建设关注吞吐量密度,以每瓦浮点运算次数和每机架浮点运算次数衡量,推动半导体需求激增[4] - 数据中心半导体市场在2025年第二季度同比增长44%,并有望在2026年再增长33%[4] 半导体行业的需求动态与竞争格局 - 英伟达第三财季营收为570.1亿美元,数据中心Q3营收为512亿美元,同比增长66%,巩固其在AI计算基础设施的领先地位[5] - 微软、亚马逊、Alphabet和Meta四家公司合计占英伟达销售额的40%以上,预计未来12个月AI支出总额将增长34%至4400亿美元[5] - AMD的Instinct MI450平台凭借与OpenAI达成的6 GW GPU供应协议迅速获得市场认可,首批部署计划于2026年底[6] - 英特尔通过Gaudi产品线和先进封装技术重新确立重要地位,定位为AI供应链关键合作伙伴[6] - 全球高带宽内存市场预计从2024年约160亿美元增长四倍,到2030年超过1000亿美元,可能超过2024年整个DRAM行业规模[7] - 每个GPU模块集成高达192 GB的HBM3e,导致持续供应短缺和更长交货周期[7] - 先进封装成关键瓶颈,台积电CoWoS生产线已排满至2027年中期,基板供应商难以满足需求[8] Neo-Cloud的兴起与影响 - Neo-Cloud运营商针对GPU高密度、低延迟网络和AI专用工作负载设计,优先考虑吞吐量而非弹性[10] - CoreWeave从以太坊挖矿起家,成为领先GPU云服务提供商,运营约25万块NVIDIA GPU,2025年10月市值达700亿美元[12] - CoreWeave通过直接裸机GPU访问使Hopper级GPU利用率保持在50%以上,比公开基准高出约20%[12] - NVIDIA持有CoreWeave约6%股权,凸显深度合作,确保下一代架构部署[12] - Neo-Cloud预计到2026年占据全球AI计算投资10%至15%份额,重塑GPU、HBM和先进封装采购模式[14] - 全球AI资本支出预计2025年增长60%至3600亿美元,2026年进一步增长33%至4800亿美元[14] 电力与冷却系统的挑战与创新 - AI数据中心电力需求激增,例如OpenAI的Stargate项目计划吉瓦级电力需求,NVIDIA GB200 NVL72每个机架满负荷消耗约120千瓦[16] - 预计到2026年,全球数据中心电力需求将超过1000太瓦时,高于2022年约460太瓦时[16] - 超大规模数据中心通过长期购电协议确保能源供应,如微软和OpenAI购买1吉瓦核电[16] - 预计2025年至2034年间,全球将在电力和输电基础设施投资5000亿美元[16] - 散热管理至关重要,到2026年底超过40%新型GPU集群将采用芯片级直接冷却或浸没式冷却,2024年该比例为20%[17] 定制芯片浪潮与供应链转变 - 超大规模数据中心加速采用定制芯片设计,亚马逊Trainium2和Inferentia2在特定场景下性价比比英伟达H200系统高出30%[20] - 谷歌TPUv7针对能效优化,每瓦性能显著高于上一代,微软Maia AI平台展现定制芯片进展,Meta MTIA v2芯片专注低延迟推理[20] - 定制芯片加深超大规模数据中心和代工厂战略联系,台积电是N4、N3系列节点主要制造商[23] - 2025年9月,英伟达与英特尔达成50亿美元投资和联合开发协议,标志半导体层级结构转变[23] - 超大规模数据中心从被动客户变为主动架构师,共同开发AI基础设施芯片[23] 关键瓶颈与战略合作 - HBM生产高度集中,SK海力士占据约62%市场份额,美光和三星占据剩余大部分,需求仍超过供应[25] - 台积电CoWoS产能预计从2024年每月约4万片晶圆增长到2026年每月14万至15万片晶圆[25] - 2025年9月,英伟达向英特尔投资50亿美元股权,共同开发下一代AI基础设施,使英伟达实现CPU来源多元化[27] - 2025年9月,微软与Nebius达成价值174亿美元多年期协议,确保专用GPU计算能力[28] - 2025年10月,AMD与OpenAI达成多年供货协议,交付高达6吉瓦Instinct GPU,首批1吉瓦预计2026年下半年交付[29] - OpenAI与博通达成战略合作,共同开发定制AI加速器,深化计算和互连层垂直整合[30] 行业赢家与未来展望 - 英伟达毛利率超过70%,占据AI GPU市场80%以上份额,主导地位得益于软件生态系统和行业关系[32] - 台积电3纳米制程满负荷运转,约100%用于生产先进逻辑芯片,先进封装收入增长[32] - SK海力士在HBM市场占据主导地位,英特尔18A工艺节点进入大规模量产[33] - AMD、博通和Marvell代表挑战者,博通和Marvell成为AI基础设施关键参与者,提供定制ASIC和网络芯片[33] - 从2027年到2030年,AI周期从扩张转向效率,竞争力取决于能源整合、供应链韧性和生态系统协调三大支柱[37] - 人工智能投资能否推动真正经济增长存疑,集中化造成系统性脆弱性,债务融资带来再融资风险[38][39]
硅光取代铜缆?
半导体行业观察· 2025-12-01 01:27
硅光子技术当前市场地位与铜线竞争态势 - 人工智能应用热度提升推动硅光子传输取代铜线议题升温,但目前仅数据中心等远距传输采用硅光子,中短距传输仍以铜线为主,因铜线传输速度已达每秒200 Gbit [1] - 铜线传输存在高耗能、易发热及传输速度极限等问题,催生"光进铜退"构想,但铜线技术持续精进,速度从预期每秒50 Gbit提升至当前每秒200 Gbit,与硅光子传输速度相当,延缓全面替代进程 [1] - 硅光子传输需经历电转光、光转电过程,涉及雷射调校等复杂流程,导入时程与工程投入较高,而铜线传输技术进展迅速,使光传输无法立即全面取代铜线传输 [1] 硅光子技术优势与未来发展趋势 - 硅光子传输在长距离传输中具备优势,技术精进有望大幅降低成本,当前技术将光纤直接拉至芯片旁由"光引擎"转电,未来目标是将光引擎与交换器芯片整合至同一基板,单条光纤传输速度有望达每秒400 Gbit [2] - 交换器芯片旁配置16个光引擎,每个光引擎容纳一条由16条光纤组成的光纤束,每条光纤传输速度每秒100 Gbit,每条光纤束传输速度达每秒1.6T,16个光引擎总传输速度可达每秒25.6T [2] - 光纤束放入光引擎的对位难度高导致成本偏高、量产挑战大,当前铜线传输占比最高,但硅光子传输随自动化与标准化技术精进,成本下降后有望扩大市场 [2] 硅光子技术应用扩展与产业现状 - 微型发光二极体(Micro LED)导入硅光子产业属于跨基板的图形处理器(GPU)信号传输应用,目前处于开发阶段,已有国际大厂出资委托台厂开发 [3] - 硅光子是一种硅芯片,外观矩形类似手机或电脑芯片,主要功能为光电信号转换,技术存在超二十年但因价格高、市场规模小发展缓慢 [5] - 生成式AI崛起导致算力需求爆炸式增长,辉达最新一代B300算力达三年前的47倍,传输主流需求今年达每秒800 G,铜线传输面临耗电、信号衰减、发热及材料耗费多等问题,明年传输需求倍增至每秒1.6T进一步加剧铜线压力 [5] 数据中心能耗与传输效率挑战 - 国际能源总署报告显示,一座十万瓩规模的AI数据中心年耗电相当于十万户家庭总和,大型数据中心用电量可能放大二十倍至两百万户家庭水平,电力需求巨大 [6] - 数据中心电力消耗中伺服器占六成,冷却系统占三成,数据与通讯传输过程是耗电主因之一,信号传输时有57%时间卡在网络中,导致高昂设备超一半时间闲置 [6] - 网络交换器占数据中心建置成本不足3%,但为关键优化环节,铜传输达极限后,"光进铜退"将传输工作改为光纤负责,信号由电子转为光子被视为根本解决方案 [6]
美光斥资96亿美元,在日建厂
半导体行业观察· 2025-11-30 04:53
美光科技在日投资计划 - 公司计划投资1.5万亿日元(约96亿美元)在日本西部建设下一代存储芯片生产基地 [1] - 新工厂将专注于生产用于人工智能计算的关键组件——下一代高带宽内存(HBM)芯片 [1] - 工厂建设计划于2026年5月启动,目标在2028年左右实现HBM芯片的批量出货 [1] 日本政府支持与行业背景 - 日本经济产业省将为该项目提供最高5000亿日元的补贴 [1] - 考虑到公司自2023年起已计划对广岛工厂累计投资2万亿日元,日本经济产业省对美光的补贴总额将高达7745亿日元 [2] - 日本政府正加大高端芯片供应链建设力度,计划到2030财年为半导体和AI系统提供超过10万亿日元的财政支持 [2] 生产布局与市场竞争 - 除广岛工厂外,公司在中国台湾地区和美国设有主要生产基地,其先进HBM芯片的生产目前主要集中于中国台湾地区 [1] - 此次投资是公司自2019年以来规划的首个新生产基地,预计将成为全球最先进的HBM芯片生产基地之一 [2] - 根据Counterpoint数据,2025年第二季度,SK海力士以64%的市场份额主导全球HBM芯片市场,公司以21%的份额位居第二 [2] 技术部署与战略意义 - 公司于今年5月首次在日本引进极紫外光刻(EUV)系统,并部署于广岛工厂以实现批量生产 [1] - 此举将助力公司追赶在HBM技术上领先的竞争对手韩国SK海力士 [2] - 公司于2013年收购日本芯片企业尔必达内存,并接管了其位于东广岛市的生产基地 [2]
内存告急,云巨头狂锁 2 年产能
半导体行业观察· 2025-11-30 04:53
人工智能需求引发全球内存芯片历史性短缺 - 人工智能的爆炸性需求正在加速全球内存芯片的历史性短缺,主要云服务提供商纷纷签署多年长期协议以确保2027年和2028年的供应 [1] - 2026年几乎所有的内存产能都已被预订,证实全年都将持续短缺 [1] 服务器需求激增与产能瓶颈 - 前所未有的服务器短缺主要由人工智能推动的服务器需求激增所致,通信服务提供商巨头正在为2026-2027年储备更多服务器,采购量远超实际需求 [3] - 存储器制造商2026年的扩张计划无法跟上需求,导致全年产能几乎全部被预订 [3] - 服务器供应商愿意支付溢价以确保容量,成为供应商的优先客户 [3] 供应商定价能力增强与市场结构变化 - 产能紧张显著提升了卖家的定价能力,确保了2026年全年价格持续上涨,即使在下半年也不会出现下跌,从而重塑了行业的定价模式 [3] - 一些通信服务提供商可能会提供更优惠的条款,如预付款或设备融资,以提前锁定2027-2028年的容量 [3] - 2026年第一季度可能会最终敲定涵盖2027年交付的长期协议 [3] NAND闪存面临类似供应限制 - 短缺问题不仅限于DRAM,NAND闪存价格也迅速上涨,一些供应商甚至在缺货的情况下仍然提价 [5] - 服务器OEM厂商证实AI GPU的输出和良率稳定,但内存短缺仍然是整个供应链的关键瓶颈 [5] 长期协议获取机会不均 - 各大通信服务提供商正在积极争取签订一年以上的合约,但只有一两家有可能获得长期协议 [6] - 大多数通信服务提供商最多只能获得一年的合同,而非通信服务提供商的买家通常无法获得长期协议 [6] - 据报道,只有约30%的通信服务提供商获得了长期协议,90%的公司未能签署长期协议 [7] - 一些受青睐的合作伙伴会按季度进行谈判,但大多数公司只能讨论月度协议,甚至无法确定一个月后的协议 [7] 价格走势与制造商产能规划 - 从制造商的角度看,现货价格目前“异常高”,可能会有所回落,但合同价格仍远低于现货价格 [7] - 预计未来6-9个月内价格还将上涨50% [7] - 主要供应商优先考虑高带宽内存而非NAND的扩容,SK海力士2026年没有扩大NAND晶圆产量的计划,而是将资金集中投入高带宽内存和DRAM [8] - SK海力士位于清州的MX新工厂计划成为专门生产高带宽内存的工厂,有望于2026年初投产 [8] - 三星电子和美光短期内产能增长有限,新晶圆厂不太可能在2027年下半年之前投产,设备安装和生产爬坡周期意味着2026年新增产能将很少,2027年的产量增长也将较为温和 [8]
苹果首颗2nm芯片,重大突破!
半导体行业观察· 2025-11-30 04:53
下一代A系列芯片技术革新 - 苹果明年将首次推出采用台积电nm工艺的A与A Pro芯片,实现性能和能效的飞跃,其优势不仅源于先进光刻技术,更依赖一系列与nm节点协同推进的技术革新 [1] 芯片封装技术 - 封装技术从InFO转向WMCM,通过将CPU、GPU和神经网络引擎等多个独立裸片集成到单一封装中,提升设计灵活性、可扩展性和能效 [2] - WMCM采用模塑底部填充技术,有助于简化制造流程、降低成本、提高良率,从而提升产能并抵消采用nm工艺增加的成本 [3] 缓存容量与性能 - A与A Pro的缓存配置将升级,A芯片预计配置性能核心L缓存MB、能效核心L缓存MB及12MB系统级缓存,A Pro则预计配置性能核心L缓存MB、能效核心L缓存MB及36MB-MB系统级缓存 [5] - 今年A Pro的性能核心L缓存带宽已从A Pro的GB/s提升至GB/s,使理论内存带宽达到.GB/s,A则为.GB/s [5] 能效核心优化 - 苹果在A Pro上对能效核心进行了重大架构革新,其主频从.GHz提升至.Ghz,在SPEC 2017基准测试中整数性能提升29%,浮点性能提升22% [6] - 能效核心的每时钟周期指令数提升显著,整数性能差距达21%,浮点性能提升14%,且所有改进均未增加功耗 [6] GPU动态缓存技术 - 第三代动态缓存技术将应用于A Pro,预计内存分配粒度将进一步细化,分配过程更迅速,从而最大限度减少资源浪费,提升每瓦性能、帧率稳定性和GPU利用率 [8] - 该技术优势得益于系统级缓存容量的预期提升,可能大幅提升非原生游戏的运行流畅度 [8] 产品应用规划 - A Pro芯片将于明年率先搭载于iPhone 18 Pro、iPhone 18 Pro Max和折叠屏设备iPhone Fold [9] - 基础款A芯片则计划于2027年用于iPhone 20系列,而iPhone Air 2的发布可能推迟至2027年 [9]
马斯克:代工厂不给 2000 亿颗芯片?我自己造!
半导体行业观察· 2025-11-30 04:53
文章核心观点 - 埃隆·马斯克正在美国得克萨斯州秘密构建一个覆盖芯片设计、封装测试到晶圆制造的全栈半导体制造生态系统,旨在满足特斯拉AI系统、自动驾驶技术及SpaceX星链项目的芯片需求,挑战现有全球芯片供应链格局 [1][2] - 该战略的核心驱动力是传统芯片代工模式的响应速度无法跟上其业务扩张野心,以及在全球芯片短缺期间采购优先级落后于苹果、英伟达和高通等巨头 [3] - 该计划的最终目标是建立月产百万片晶圆的超级工厂,掌握AI、机器人和卫星网络领域核心算力的主导权 [2][7] 战略动机与背景 - 马斯克认为决定特斯拉未来的不是汽车本身,而是芯片,并已将这一理念转化为实际行动 [1] - 传统芯片制造业的建设周期(如新建晶圆厂需五年)被马斯克视为无法接受,其商业逻辑中只有“立刻”和“马上”两个时间概念 [4] - 马斯克提出的芯片需求规模庞大,达到一千亿到两千亿颗(或价值千亿美元级),现有供应链体系已无法满足其单一客户的巨大AI算力需求 [4] 生态系统构建计划与进展 - 计划包含三大核心环节:从基础的印制电路板生产,到尖端的先进封装技术研发,最终目标是自建晶圆厂 [2] - 得克萨斯州的PCB工厂已建成,确保对特斯拉和SpaceX核心硬件的供应链绝对控制权 [5] - 由SpaceX负责管理的扇出型面板级封装工厂是计划的核心环节,该技术是全球密度最高的芯片后端封装技术之一,专为高性能AI芯片量身打造 [5] - 先进封装工厂的建设进度惊人,计划于2027年第一季度实现全面量产,初期月产能为2000个高性能封装产品,核心目标是实现完全的“封装自主化” [6] 晶圆制造终极目标 - 终极目标是建立一座晶圆厂,初期月产能目标为10万片,最终将提升至月产100万片,若达成将成为美国乃至全球规模最大的晶圆厂之一 [7] - 分析师预测可能从14纳米等成熟制程切入,该制程已能充分满足汽车电子、电源管理芯片及部分逻辑芯片的需求,可大幅降低供应链风险与生产成本 [7] 合作伙伴与人才策略 - 英特尔成为芯片帝国的核心合作伙伴,例如特斯拉的Dojo 3芯片后续封装环节已交由英特尔位于亚利桑那州的工厂负责,这是一场双赢的利益交换 [7][8] - 为实现“每年推出一款新AI芯片”的高速迭代目标,公司正在硅谷发起高薪人才争夺战,例如信号与电源完整性工程师的年薪最高可达31.8万美元 [8][9] - 马斯克深度参与芯片设计过程,每周二和周六都会与芯片研发团队召开会议,直至AI芯片完成流片 [9] 行业挑战与市场影响 - 从零构建芯片供应链面临难以想象的技术壁垒,英伟达首席执行官黄仁勋曾直言复制台积电的先进制造能力几乎是“不可能完成的任务” [10] - 受马斯克大力宣传自主研发AI芯片的积极影响,特斯拉股价本周已上涨6% [3] - 在AI、机器人和卫星网络构成的未来科技战场上,马斯克的战略逻辑是将算力这一核心生命线掌握在自己手中,而非交给任何第三方 [10]
台积电,暗流涌动
半导体行业观察· 2025-11-30 04:53
罗唯仁跳槽英特尔事件 - 前资深副总经理罗唯仁退休后加盟英特尔,台积电已于11月25日正式提起诉讼 [1][2] - 罗唯仁涉嫌退休前复印20箱资料,台湾高等检察署已分案调查 [9] - 跳槽核心原因是不满人事安排,董事会未批准其延迟退休申请,罗唯仁自认受到亏待 [2] - 台积电法务长在离职面谈时,罗唯仁声称将前往学术机构任职,未提及加入英特尔 [9] - 英特尔执行长陈立武回应称相关指控为谣言与猜测,公司尊重他人知识产权 [9] 台积电中生代接班人竞争 - 副总经理王英郎与张宗生成为中生代接班人主要竞争者,人事安排暗潮汹涌 [1][3] - 王英郎原定年初晋升资深副总经理,但晋升案至今未敲定,面临张宗生强力挑战 [3] - 张宗生负责先进制程研发,其技术能力几乎无人可替代,先进制程占公司总营收74% [3][4] - 王英郎创下台积电最年轻副经理、技术处长、厂长及副总经理纪录,49岁升任副总 [4] - 王英郎成功解决美国亚利桑那工厂建厂及量产延误问题,是7纳米量产阶段击败英特尔的关键人物 [4] - 张宗生带领4000人研发团队,3纳米制程遥遥领先,产能增加60%仍供不应求,高雄2纳米工厂也由其主导 [5] 行业影响与分析 - 和硕董事长童子贤认为,单一个人跳槽影响有限,但整个团队携带资料离开则问题严重 [6] - 英特尔擅长垂直整合,台积电需服务5个大客户、30个中型客户及上百个小客户,制程微调需团队协作 [6] - 半导体厂商董事长指出,台积电技术层次涉及太多细节,单人全面掌握概率不高,但可借经验缩短学习曲线 [6] - 罗唯仁拥有美国公民身份且人已在美国,即便携带机密资料,台积电恐难以追究 [10] - 从梁孟松到罗唯仁,台积电最大难题始终是接班人安排,考验魏哲家智慧 [10]
448Gbps,要来了?
半导体行业观察· 2025-11-30 04:53
AI数据中心互联需求升级 - AI大语言模型、云计算、自动驾驶等领域爆发式增长,导致数据中心对高速数据传输需求呈指数级攀升,传统并行总线架构难以承载日益膨胀的带宽压力,互联架构迎来根本性迭代[1] - AI/ML数据中心是典型的"网络之网",架构复杂度与传输需求发生质变,采用多层级、高关联架构,对数据传输提出"低功耗、低延迟、高密度"的刚性要求[3] - 到2025年,千亿至万亿参数模型的训练将需要EB级数据处理能力,当前224Gbps互联方案在AI训练任务中通信开销占比已超过70%,推理阶段要求时延严格控制在数十毫秒内[3] 448Gbps互联技术演进路径 - 数据互连速率演进是持续二十余年的技术迭代过程,OIF自2000年推出0.8Gbps标准以来,构建了从低速到高速的完整技术演进路径,从6Gbps、11Gbps、28Gbps、56Gbps到2024年112Gbps[6] - 数据传输技术从早期Gbps级迭代至448G/lane,大概每几年速率翻倍实现翻倍,目前112G/224Gbps技术已在超大规模数据中心、AI训练集群等关键应用场景中得到广泛部署[8] - 调制技术从早期NRZ发展到PAM4,PAM4凭借每符号2比特的编码效率将通道带宽需求减少一半,成为当前56Gbps、112Gbps乃至224Gbps速率的主流方案[8] 448Gbps技术方案创新 - 为向448Gbps迈进,行业开始探索PAM6和PAM8等高阶调制格式,PAM6可在相同符号速率下比PAM4提升29%吞吐量,PAM8能实现50%的速率飞跃[11] - OIF在2024年8月启动CEI-224G框架项目,预计2026年将正式启动448G/lane标准项目,为未来3.2TbE、1.6TbE等新一代以太网速率提供物理层核心支撑[12] - 行业将符号速率从100‒Gbaud推向150‒Gbaud,每通道400‒448Gbps的原始传输速率已逐步可行,CEI-224G-XSR/VSR/LR等子标准分别优化传输距离、功耗和成本[11] 行业组织与标准进展 - ODCC在2025年9月发布《下一代智算DC高速互联448G/lane需求白皮书》,系统梳理224G/lane技术发展背景、核心需求、技术挑战及解决方案[16] - OCP Global Summit 2025期间举办AI光互联专题论坛,聚集Google、Arista、LightCounting等产业链关键企业,探讨448G/Lane等技术标准最新进展[19] - OIF在2025年11月发布《新一代CEI-224G框架文件》,明确448Gbps电接口的应用场景、技术路径及互操作要点,已启动各场景专项研发[34] 产业链企业技术布局 - 华为聚焦PAM调制方案的延续与优化,通过无源信道技术创新将当前信道带宽提升至112GHz以上,推出Liquid Cooling Optics液冷光模块应对50W/cm²热流密度挑战[15] - 英伟达在Rubin平台中将NVLink 6.0的SerDes速率提升至400G,以448G SerDes速率为技术底座,推动连接器、线缆、PCB等核心组件规格升级[26] - 博通深度参与CEI-224G框架制定工作,积极推进448G PHY原型研发,开发支持PAM4/PAM8调制格式的SerDes IP,并布局VCSEL NPO和硅光CPO两类解决方案[28] 光模块与组件技术突破 - 海信采用TFLN MZM方案推进研发,展示212.5G-Baud PAM4调制以及164G-Baud、176G-Baud PAM8调制的眼图与仿真结果,证实400G/通道应用可行性[30] - Lumentum推出面向高速光互联CPO应用的超高功率光源,功率可达400mW,光电转换效率达20%,并与NVIDIA联合开发基于自身激光技术的Spectrum-X CPO方案[31] - Ciena在3nm硅工艺上实现突破,开发支持100GHz带宽与256GS/s采样率的收发器,能灵活生成PAM4、PAM6、PAM8等调制格式的448Gbps信号[32] 测试验证与技术挑战 - 是德科技推出M8199B系列任意波形发生器,通过频域交织技术将带宽扩展至120GHz以上,支持224Gbaud PAM4、112Gbaud PAM6和150Gbaud PAM8等多种调制格式的448Gbps信号生成[33] - 448Gbps测试需要超过110GHz的带宽和20.5dB以上的SNR性能,对PAM6/PAM8等高阶调制,眼图开口更窄、时序裕量更小,测试精度要求提升一个数量级[43] - SerDes在交换芯片中的功耗占比预计超过40%,高密度集成带来的热流密度高达50W/cm²,传统风冷已无力应对,行业正在经历散热解决方案革命性变革[42] 技术协同与生态建设 - 行业正在权衡单一调制方案与电光分别优化的利弊,电域追求信号完整性和密度,光域侧重传输距离和功率效率,需要跨领域共识构建[42] - OIF联合以太网联盟、SNIA、OCP等组织举办448Gbps专项研讨会,谷歌、微软、Meta、OpenAI等AI巨头分享需求痛点,推动技术路线向实际应用落地倾斜[39] - 架构的可维护性、可插拔性与可服务性同样至关重要,电传输距离与光传输距离的平衡、低延迟与高带宽的兼顾需要芯片厂商、设备商和云服务商的深入协作[43]
破局者周跃峰,解锁“不可能”的华为云新局
半导体行业观察· 2025-11-30 04:53
华为云业务人事调整 - 华为云业务管理层进行重大调整,原华为云总裁张平安出任董事长,数据存储产品线总裁周跃峰调任华为云CEO [1] 新任CEO周跃峰的过往业绩 - 周跃峰在2013年成功推动备受质疑的small cell产业起死回生,精准捕捉了移动流量激增的机遇 [3] - 2019年周跃峰调任IT部门后,将不被看好的数据存储业务打造成持续增长且海外高速扩张的产业 [3] - 数据存储业务成为Gartner领导者象限中唯一的中国厂商,产业地位极大提升 [3] - 华为成立太平洋作战司令部,推动存储、计算发挥协同优势,实现战略突围 [3] 人事调整的战略意图 - 华为近年持续对云业务寄予厚望并倾斜资源,持续调配干部助力破局 [3] - 此次人事调整承载着公司突破困局、抢占AI时代机遇的核心期待 [3] - 公司聚焦核心技术研发,未来有望在周跃峰与团队努力下突破更多行业挑战,为AI战略突围注入动能 [3]