硅光子元件
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联电的突围之道
半导体行业观察· 2025-12-01 01:27
公司战略转型 - 面对成熟制程红海竞争,公司正加速转型,以特殊制程为基础,跨足硅光子、先进封装等高附加价值应用,开辟新蓝海 [1] - 公司强调未来将以提供完整方案为策略,不仅提供晶圆制程,也整合封装平台,打造自身的先进封装生态系 [1] 先进封装业务进展 - 公司自行研发的高阶中介层已获高通电性验证并进入试产流程,预估最快2026年首季量产 [1] - 首批中介层电容密度达1500nF/mm²,技术水准属高阶封装主流,高通直接采购炉管机台放入公司厂房,合作涵盖AI PC、智能汽车与AI伺服器三大市场 [1] - 公司同步扩大海外封装布局,新加坡厂已投入2.5D制程并具备Wafer-to-Wafer技术,此为3D IC制造关键能力 [1] 硅光子业务布局 - 公司携手比利时微电子研究中心进军硅光子领域,将迈入收成阶段,有望2025年试产,2027年放量出货 [4] - 硅光子技术具备功耗降低十倍以上、延迟改善十至20倍,以及传输距离与频宽大幅提升等优势,以应对AI训练与推论的大数据传输需求 [5] - 辉达预计于下世代AI平台Rubin大量导入硅光子元件,引爆需求 [4][6] - 硅光子大部分使用28纳米、22纳米等平台,使公司在切入该领域前段制程时具备天然优势,有助于朝更高单价、高毛利产品线拓展 [4] 技术合作与制程发展 - 公司与英特尔在12纳米FinFET领域的合作将按规划于2027年导入量产,具备AI、物联网与车用等高增长领域的应用优势 [2] - 与IMEC合作有三大优势:无需从零开始摸索设计规则、大幅缩短商业化量产时间、与国际大客户技术对接更顺畅 [6]