□本报记者 王鹤静 自9月美联储降息落地以来，A股市场科技成长风格持续走强。截至9月26日，多只半导体设备相关主题 ETF表现不俗。业内机构分析，人工智能（AI）产业的新进展层出不穷，成长风格带动的结构性行情仍 未结束。不过，叠加十一假期的"节前效应"，如果没有较多的利好催化，近期市场或以震荡为主。 在科技板块估值进入高位的同时，板块内部的轮动也在提速。业内机构提示，此前市场极致的结构分化 和过于集中的共识需要消化和整固。在当下由增量资金和部分行业景气度驱动的行情中，轮动并非简单 基于估值、追求赔率的"高切低"，决定板块胜率的主要因素是景气度的确定性，而非位置高低，所以更 要立足景气度逻辑与产业趋势，挖掘优势风格及主线机会的"扩散"。 A股成长风格行情仍未结束 自9月18日美联储降息落地以来，A股市场延续此前的科技成长风格，截至9月26日，科创50指数区间涨 幅超过5%。 短期来看，富国基金认为，美联储重启降息给予了流动性叙事更多底气，目前国内经济数据仍在回暖， 叠加十一假期的"节前效应"，如果没有较多的利好措施进一步出台，近期市场或以震荡波动为主。 富国基金提示，可关注以下板块的机会：一是科技板块仍是行情核 ...

投资评级 - 维持"买入"评级 [1] 核心观点 - 首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线 标志着晶盛机电实现从晶体生长到检测环节全线设备自主研发和100%国产化 在全球SiC衬底技术从并跑向领跑迈进 [7] - SiC衬底凭借高热导率(490 W/m·K 比硅高2-3倍)和高工艺窗口 有望显著提升CoWoS结构散热并降低封装尺寸 美国尼尔森科学采用350μm碳化硅制备出109:1深宽比中介层 显著高于硅中介层的17:1 [7] - SiC具备高折射率和高热导性 成为AR眼镜镜片的理想基底材料 单层SiC镜片即可实现80度以上FOV 提供更轻薄尺寸和更大更清晰的视觉效果 [7] - 公司积极扩产6&8英寸衬底产能 已攻克12英寸碳化硅晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题 成功长出12英寸导电型碳化硅晶体 [7] 财务预测 - 预计2025-2027年营业总收入分别为120.34亿元/130.82亿元/147.97亿元 同比变化-31.53%/8.71%/13.11% [1][8] - 预计2025-2027年归母净利润分别为10.07亿元/12.47亿元/15.38亿元 同比变化-59.89%/23.88%/23.37% [1][8] - 预计2025-2027年EPS分别为0.77元/0.95元/1.17元 对应PE分别为58.48倍/47.20倍/38.26倍 [1][8] - 预计2025-2027年毛利率分别为24.79%/25.39%/27.02% 归母净利率分别为8.36%/9.53%/10.40% [8] 市场数据 - 当前股价44.95元 一年最低价25.68元/最高价45.95元 [5] - 市净率3.43倍 流通A股市值553.58亿元 总市值588.64亿元 [5] - 每股净资产13.10元 资产负债率34.88% 总股本13.10亿股 [6]

摘要 存算自主可控追赶加速，重视上游设备材料产业链 20250926 中芯国际和华虹在 7 纳米以下先进制程上持续扩产，以满足国产算力需 求，尤其华虹 8 厂扩产超预期，预计 2026 年将有新产线布局，但中芯 国际部分设备订单有所延后。 长鑫存储和长存两大存储厂商在 2026 年将迎来确定性的边际向上变化， 长存三期主体已成立，重点布局 300 多层产品，单万片设备投资额提升 约 30%，长鑫存储也在积极扩产，并预计 2026 年加速 IPO 进程。 国产 HBM 预计在 2026 年实现从 0 到 1 的产业化突破，长鑫存储上海 厂区规划 3D 封装及 HBM 生产线，可能带来新的扩产需求，头部设备公 司有望受益。 HBM 产业链扩产优先关注封测端，因涉及市值较小公司，弹性较大，相 关设备包括 CMP 设备、电镀设备、薄膜电镀设备和清洗设备，建议关注 精智达、芯源微和交城超声。 预计 2026 年半导体行业资本开支将保持两位数增长，受益于国产化率 提升和结构性变化，设备公司订单增速有望达 30%以上，甚至 40%- 50%，主要增长点集中在算力逻辑产线、长存和长鑫口径。 Q&A 近期自主可控板块表现如何？ ...

行业与公司 * 晶盛机电（金顺机电为笔误，应为晶盛机电）是核心公司 专注于半导体设备和光伏设备领域 在碳化硅衬底材料研发和生产上取得重大突破[2] * 行业涉及半导体设备制造、碳化硅衬底材料、光伏设备 重点关注碳化硅衬底在功率器件、AR眼镜、先进封装等新兴应用领域的发展[2][5][8] 核心观点与论据 **碳化硅衬底技术突破与国产化** * 公司12英寸碳化硅衬底中试线已通线 实现从晶体生长、加工到检测的全线设备100%国产化自主研发 解决了关键设备卡脖子风险[2][5] * 相比8英寸衬底 12英寸单片晶圆芯片产出量提升约125倍 大幅降低下游应用成本 技术领先全球[2][5] * 凭借原有大尺寸硅片工艺优势 快速推进12英寸碱性氮气工艺与装备融合 实现自主研发 具备显著竞争力[2][9] **产能布局与扩张计划** * 国内产能：上虞30万片产能预计2025年底达成[2][15] * 海外产能：马来西亚槟城24万片产能预计2027年达成 配合海外头部客户需求[2][6][15] * 新增基地：银川基地已于2025年7月动工 将逐步扩大产能配合上虞和槟城的加工环节[15] * 2025年出货：每月出货约1万片6寸碳化硅衬底（主要用于维护客户关系） 每月出货约三四千片8寸衬底 未来将增加8寸产量 维持6寸现有规模[12] **市场验证与客户进展** * 碳化硅衬底正积极推进全球客户验证 已获得部分国际客户批量订单[2][5][6] * AR眼镜领域：与Xreal、鲲游、龙旗签订战略协议 提供半绝缘型碳化硅衬底片 产品验证进展顺利 多家客户已通过验证[2][6] * 功率器件领域：主攻8寸碳化硅衬底片 销量和订单情况行业领先 预计大规模上量将在2026年底至2027年初实现[2][6] **市场竞争格局与公司地位** * 中国材料厂商在碳化硅衬底材料采购中具有不可替代的地位 技术和资本实力领先[2][10] * 在碳化硅衬底市场 中国厂商不论技术还是成本都已超越国外玩家 预计在未来大尺寸碳化硅环节将占据主导地位[21][23] * 公司选择电阻法生产6寸和8寸碳化硅衬底 在大规格和低缺陷晶体生长方面具有优势[21][22] **设备业务订单与前景** * 半导体设备在手订单总额37亿元 其中大硅片设备占比约八九成（约30亿元） 需求持续增长[3][19] * 碳化硅设备覆盖从展晶到贴膜抛光等整条生产线 外延炉、离子注入等对外出售 国内市占率领先[3][16] * 光伏设备目前处于行业周期底部 但公司在新技术产品储备及联合验证方面进展顺利 未来有望迎来拐点[3][17] **成本与价格** * 当前价格：6寸碳化硅衬底价格约为1500元/片 8寸价格约为4000元/片[2][13][27] * 盈利能力：6寸产品几乎无法盈利甚至可能亏损 8寸产品随着规模上量 盈利前景可期[13][14] * 降价空间：8寸价格预计随规模扩大缓慢下降至3000多元 但空间有限 未来主要通过工艺改进提升成本效益[28][29] **新兴应用前景** * AR眼镜：下游客户预估12寸光学衬底片价格为10000元/片 需下游应用需求达到一定规模（如1000万副以上眼镜）产业才会大规模跟进[24][25][26] * 先进封装（COWOS）：碳化硅材料因高散热系数优势 比传统材料如硅更适合用于需要高效散热的新兴应用场景 市场潜力正在探索[5][8] * 半绝缘型衬底：用于COWOS和AI AR眼镜等应用 公司8寸和12寸生产线可兼容功率型和半绝缘型产品 设备按尺寸区分可通用[30] 其他重要内容 * 公司市值约500多亿元 相较于其他企业有较大成长空间[4] * 12寸产线设备投入巨大 例如30万片产能可能需要20亿元左右的设备投入 目前仅有少数公司具备融资优势[24] * 公司已建立12寸中试线 每月可提供千把片产品供客户测试及研发设计 用于多轮工艺优化和成本测算[26] * 在光伏设备领域 公司边缘钝化技术市占率行业领先 无银化设备应用验证顺利 是市场上唯一能生产该高价值核心设备的厂商[18]

行业背景与市场格局 - 美国BIS在2024年12月修订出口管制条例，针对高深宽比结构和新金属材料（如钌、钼）的尖端薄膜沉积设备实施新管控，将中国半导体产业链锁定在中低端环节 [2] - 芯片结构根本性变革重塑薄膜沉积设备市场格局，为国产厂商提供换道超车窗口 [3] - 薄膜沉积设备占芯片制造设备资本开支70%-80%，其重要性随制程先进化呈指数级增长：90nm工艺需约40道工序，3nm工艺激增至超100道工序，薄膜材料从6种增至近20种，薄膜颗粒控制要求从微米级跃升至纳米级（≤5nm） [3] - 2023年中国薄膜沉积设备市场规模达479亿元，但国产化率仍低于25% [6][7] - 中国大陆连续五年成为全球最大半导体设备市场，2024年销售额达495.5亿美元，占比42% [55][62] 薄膜沉积设备国产化现状 - 国内薄膜沉积设备主要厂商包括北方华创、拓荆科技、中微公司、盛美上海、微导纳米、晶盛机电 [7][58] - 其他设备国产化率：光刻机<1%、刻蚀设备>25%、量测设备<5%、清洗设备>30%、CMP设备>30%、离子注入机<10% [7][58] - 全球薄膜沉积设备市场高度垄断，应用材料、泛林集团、TEL等国际巨头占据主导地位：CVD市场CR3达70%，PVD市场应用材料占比85%，ALD市场ASMI和TEL合计占比75% [72][76] 技术演进与创新方向 - 芯片制造从2D平面走向3D立体，驱动薄膜沉积设备技术重心与市场结构变革 [9] - PVD技术通过离子化升级应对高深宽比结构，国产PVD设备已实现逻辑/存储芯片金属化制程28nm至3nm节点全覆盖，并在钨栓塞黏附层（钛离子PVD）和隔离层（氮化钛CVD）等关键工艺批量应用 [10][11] - PECVD占薄膜沉积设备市场33%，因其低温沉积（400℃ vs LPCVD 700℃）特性适配28nm以下节点介质薄膜要求 [13][87] - 专用CVD成为突破利器：HDPCVD通过"沉积-刻蚀-沉积"循环实现高深宽比（<5:1）沟槽无孔洞填充，是3D NAND层数突破关键；SACVD在次常压环境下通过臭氧/TEOS反应实现<7:1深宽比填充，是45nm以下逻辑电路制造关键 [15][16] - ALD需求受三大引擎驱动：逻辑芯片GAA结构需要沉积High-K栅介质（如HfO₂）、金属栅极（如TiN）及内侧墙Low-K介质；DRAM电容深宽比达100:1，需均匀填充ZAZ电介质叠层；3D NAND千层堆叠使ALD设备需求增长7倍以上 [19][20][22][26] - 国产ALD设备已在28nm产线实现High-K介质沉积，并在存储芯片钨填充、DRAM电容结构等细分领域批量应用 [24] 国产厂商发展策略 - 采用差异化切入策略：在巨头垄断的通用型PECVD市场，从3D NAND所需HDPCVD、SACVD等专用设备切入；在逻辑芯片金属栅极竞争红海，聚焦存储芯片钨沉积应用 [25] - 技术卡位下一代工艺节点：提前布局PEALD和Thermal ALD，在GAA、3D DRAM等新兴结构研发中与晶圆厂共同开发工艺 [27] - 平台化延伸提升客户粘性：从单一PVD或CVD设备向PVD/CVD/ALD/外延/电镀全产品线扩展，提供一站式解决方案 [27] - 产业链协同创新：设备厂商与上游材料、零部件企业（靶材、前驱体、射频电源）联合攻关，实现整体解决方案性能提升 [27] 投资逻辑与关键赛道 - 投资核心逻辑是寻找能在特定先进工艺窗口实现闭环而不仅是单机替代的公司 [28] - 关键赛道包括：ALD集成商（具备PEALD与Thermal ALD双线能力并能提供工艺配方）、专用CVD专家（在HDPCVD、FCVD等填充工艺具有know-how积累）、前驱体与材料伙伴（共同开发新型High-K材料、金属有机前驱体） [29][30][31] - 延伸投资机会：量测与过程控制设备（晶圆缺陷检测、薄膜量测）、集成式解决方案（沉积+刻蚀+退火多工艺集成）、技术可迁移性（从光伏、显示、功率器件向集成电路迁移） [32] - 核心零部件卡脖子环节：等离子体源/射频电源（技术壁垒极高）、真空系统与部件、精密陶瓷件（静电吸盘、气体分配盘） [34][35][36] - 零部件投资视角：验证壁垒形成护城河、平台型零部件公司（横跨沉积/刻蚀/离子注入等多类设备）、材料-部件一体化公司（掌握特种陶瓷材料到精密加工全流程） [36][37] 产能与需求增长驱动 - 全球晶圆厂产能稳步增长，25Q1产能达4270万片/季度（约当12英寸），半导体Capex在24Q3反弹后预计25Q1同比增长16%，其中WFE季度支出达260亿美元 [51][62] - 2018-2025年全球新建晶圆厂项目171座，中国大陆占74座（43%），其中53座为12英寸项目 [68] - 以中芯国际产线为例，薄膜沉积设备数量占比约20%，12寸产线占比更高（23.74%） [66][67][69] - 工艺进步驱动设备需求：3D NAND层数从128层向1000+层迈进，薄膜沉积设备占产线资本开支比例从2D时代18%增长至3D时代26% [81][86]

核心观点 - 光刻机作为半导体设备中占比最大的品类（24%）[10]，受益于电动汽车、风光储、人工智能等新需求驱动，全球市场规模从2022年的258.4亿美元增长至2024年的315亿美元[10] - 光刻技术是半导体制造的核心工艺，占制造成本约三分之一，耗时占比40%-50%，光刻机技术难度极高，被誉为"超精密制造技术领域的珠穆朗玛峰"[4][15] - 光刻机技术演进以提升分辨率和减小关键尺寸为核心目标，遵循瑞利判据理论，发展出I-line、KrF、ArF、ArFi浸没式和EUV五大类别[17] - 中国光刻机产业在政策支持下快速发展，2023年产量达124台，市场规模突破160.87亿元，中芯国际启动国产浸没式光刻机验证，有望突破外部限制[25] - 光刻机产业链涵盖光源系统、光学系统、双工件台等核心部件，以及光刻胶、特种气体、精密件等关键材料，相关标的包括炬光科技、茂莱光学、华特气体等[27] 市场回顾 - 全A指数本周（9.22-9.26）上涨0.25%，日均成交额23092亿元，较前周减少2071亿元，市场活跃度高位震荡[4] - 半导体板块表现强势，主力资金流出放缓，两融余额升至24444亿元，资金主要流向半导体、5G应用等概念[4] - 平均上涨家数2191家，较前周增加5家，平均涨停家数由72家降至64家，赚钱效应减弱[4] - 拥挤度方面，固态电池、光伏概念拥挤度较高，钒电池、光刻机拥挤度环比增幅最大[4] 光刻机市场规模与地位 - 2022年全球半导体设备市场规模1076.5亿美元，光刻机占比24%，规模258.4亿美元，2023年增至271.3亿美元，2024年预计达315亿美元[10] - 光刻机是半导体设备中最大细分品类，其他主要设备包括刻蚀设备（20%）、薄膜沉积设备（20%）、测试设备（9%）、封装设备（6%）等[12] - 中国光刻机市场规模2023年突破160.87亿元，产量124台，政策支持推动国产化能力提升[25] 光刻技术原理与演进 - 光刻技术通过光学方法将电路图形转移到晶圆表面，直接决定晶体管最小特征尺寸和集成密度[15] - 技术演进遵循瑞利判据（分辨率=k1*λ/NA），通过减小光源波长、降低工艺因子k1、提升数值孔径NA实现[17] - 发展历程从1974年Optimetrix（1800nm CD）到2017年ASML EUV（7nm CD），分辨率提升超250倍[19] 光刻机核心部件与技术难点 - **曝光光源**：EUV采用LPP技术，需250W以上高功率输出，激光线宽极窄，系统转换效率要求高（20kW输入→250W输出）[33] - **光学系统**：包含照明系统和投影物镜，EUV需全反射式结构，反射镜寿命是关键挑战[36] - **双工件台**：需超精密测量（分辨率50pm）、运动控制（套刻精度<1nm）和机械设计，支撑高速高加速度纳米级运动[40] 产业链投资图谱 - **光源设备**：炬光科技、长光华芯、福晶科技[27] - **光学镜头**：茂莱光学、蓝特光学、波长光电[27] - **光刻胶**：彤程新材、晶瑞电材、南大光电[27] - **特种气体**：华特气体、凯美特气[27] - **精密件**：富创精密、新莱应材、安泰科技[27] - **整机与集成**：张江高科、中旗新材、芯碁微装[27] 重点主题动态 - **光刻机**：中芯国际验证宇量昇浸没式光刻机，突破外部限制[5][25] - **AIDC**：政策需求共振，2025年智能算力占比目标35%，规模超300EFLOPS，2028年市场规模预计2800亿元[82][84] - **人形机器人**：宇树科技将发布1.8米人形机器人，算法迭代提升稳定性，核心零部件包括电机、传感器、减速器等[90][95] 政策与产业支持 - 工信部明确"十五五"时期以新质生产力为重点，建设现代化产业体系，开辟人形机器人、脑机接口等新赛道[98][99] - 多部委推动"人工智能+"政策落地，北上广深等数十城市出台专项行动计划，覆盖算力基建、场景应用、技术攻关[87][89] - 上海未来启点社区聚合科学家、创业者、投资人，支持颠覆式创新，上海国投以耐心资本布局未来产业[102]

铋材料业务 - 全资子公司安徽万导成为先导科技集团旗下唯一铋金属深加工及化合物产品平台 [1] - 2025年上半年铋业务实现销售收入5.25亿元 占总营收75% [1] - 二季度铋业务收入环比一季度增长450% 产能与销量逐季爬升 [1] - 湖北荆州与浙江衢州基地计划于今年年底前完成新增产能扩张 全年产能及销量规模在铋材料市场处于领先地位 [1] - 未来有望借助先导集团高端材料-器件-模组-系统的全产业链优势 实现半导体材料业务的横向开拓和纵向延伸 [1] 离子注入机业务 - 上半年已交付8台12英寸离子注入机 其中应用于CIS器件掺杂的低能大束流离子注入机实现首台设备验收 [2] - 国产低能大束流离子注入机的12英寸晶圆产品片安全生产过货量突破500万片 实现从样机研发到规模量产的跨越式发展 [2] - 离子注入作为国产化率不足10%的硬卡替环节 其规模化国产替代进程将加速 [2] - 公司作为掌握关键核心技术的离子注入机国内先行者 有望在新一轮产能扩充进程中提高市场份额 [2] 半导体设备零部件 - 先导集团与凯世通在静电卡盘 流量计等核心子系统零部件方面深化合作 全力赋能凯世通国产化零部件建设 [2] - 通过对外合规经营 对内优化管理及集团协同合作 获得从电子材料 零部件到原位检测等多方面供应链支持 供应链对海外依存度逐步降低 [2] - 关键零部件的国产化供应能力有望成为半导体设备业务板块加速拓展的关键力量 [2] 财务预测与估值 - 预测2025-2027年每股收益分别为0.27元 0.30元 0.37元 原2025-2026年预测为0.12元 0.14元 [3] - 根据可比公司2025年75倍PE估值 给出目标价为20.25元 维持增持评级 [3]

投资评级 - 增持（维持）[1][3] 核心观点 - ALD&CVD平台化布局 发行可转债募资11+亿元 其中6+亿元用于半导体薄膜沉积设备智能化工厂建设 2.27亿元用于研发实验室扩建 提升半导体设备产能与技术成果转化能力[3] - 半导体收入占比不断提升 2025上半年半导体设备收入1.9亿元 同比增长27.2% 占比由2023年7+%提升至18+% 新签半导体设备订单超去年全年水平 在手订单23+亿元 同比+73%以上 较年初增长54.7%[8] - 发布2025年股权激励草案 激励对象420人 约占公司全部职工27.74% 授予价格24.30元/股 考核指标为净利润率或半导体设备新签订单 2025-2027年净利润率均不低于10% 半导体设备新签订单保底目标分别为13.5/18.2/24.6亿元[8] 财务预测 - 营业总收入预测：2025E 2,630百万元（同比-2.60%） 2026E 2,714百万元（同比+3.21%） 2027E 3,174百万元（同比+16.93%）[1][9] - 归母净利润预测：2025E 277.81百万元（同比+22.54%） 2026E 368.60百万元（同比+32.68%） 2027E 483.95百万元（同比+31.29%）[1][9] - EPS预测：2025E 0.60元/股 2026E 0.80元/股 2027E 1.05元/股[1][9] - P/E估值：2025E 87.23倍 2026E 65.75倍 2027E 50.08倍[1][9] - 毛利率预测：2025E 39.52% 2026E 40.34% 2027E 41.28%[9] - 归母净利率预测：2025E 10.56% 2026E 13.58% 2027E 15.25%[9] 市场数据 - 收盘价52.55元 一年最低价23.00元 一年最高价59.62元[6] - 市净率8.59倍 流通A股市值5,315.82百万元 总市值24,233.82百万元[6] - 每股净资产6.11元 资产负债率66.26% 总股本461.16百万股 流通A股101.16百万股[7]

A股三季报行情打响，披露业绩预增公告次日，兄弟科技、长川科技（维权）（20CM两连板）、吉宏股份均录得涨停板。 国内聚乙烯醇(PVA)品种最全企业皖维高新9月24日公告称，预计2025年前三季度归母净利润3.40亿元-4.20亿元，同比增长69.81%-109.77%。报告期内，公司 调整销售策略，外贸市场份额提升，PVA、醋酸甲酯、VAE乳液出口量大幅增长；PVA光学薄膜等新材料产品产销两旺，盈利能力增强。华泰证券分析师庄 汀洲等人9月25日研报认为，皖维高新发力PVA新材料，新建江苏基地有望提升市场份额。考虑行业竞争格局良好及国内下游需求有望复苏叠加出口支撑， PVA景气有望逐步迎来改善。公司持续发力于PVA下游新材料的国产替代领域，公司拟新建江苏盐城基地，规模和成本优势下公司的国内、出口市场份额有 望进一步提升。 国内深冷设备领域龙头企业中泰股份8月27日公告称，预计前三季度归属母净利润3.25亿元-3.55亿元，同比增长71.36%-87.19%。预计第三季度净利润1.9亿 元-2.2亿元，同比增长187.60%-233.01%。公司Q2净利0.34亿元，据此计算，Q3净利预计1.9亿元-2.2亿元， ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自快科技 。 近日 ASML 表示，根据目前的订单信息和需求，预计 2027 年将交付 10 套 High-NA EUV 和 56 套 EUV 光刻机。 装机时间预计需要 250 名工程人员、历时 6 个月才能安装完成。 根据爆料显示， High NA EUV 的售价高达 3.5 亿欧元一台，约合人民币 27 亿元，它将成为全球 三大晶圆制造厂实现 2nm 以下先进制程大规模量产的必备武器。 点这里加关注，锁定更多原创内容 值得注意的还有 SK 海力士， 2027 年 ASML 要交付的 EUV 光刻机里占了 20 套的数量，同时也 将 High-NA EUV 的订购数量从 1 套提高到 2 套。 此外，传闻 SK 海力士计划在未来两年内安装好 20 套 EUV 曝光机，全部是为了 HBM 及先进存储 解决方案所采购。 随着人工智能浪潮带动了半导体产业的发展，投资机构对 ASML 产品的长期需求仍保持乐观，因为 这些 AI 半导体普遍采用最新的半导体制造技术。 虽然不少半导体制造商都延后引入新一代 High-NA EUV 。 但是从整体来看，市场对曝光设备 ...