行业背景与市场格局 - 美国BIS在2024年12月修订出口管制条例，针对高深宽比结构和新金属材料（如钌、钼）的尖端薄膜沉积设备实施新管控，将中国半导体产业链锁定在中低端环节 [2] - 芯片结构根本性变革重塑薄膜沉积设备市场格局，为国产厂商提供换道超车窗口 [3] - 薄膜沉积设备占芯片制造设备资本开支70%-80%，其重要性随制程先进化呈指数级增长：90nm工艺需约40道工序，3nm工艺激增至超100道工序，薄膜材料从6种增至近20种，薄膜颗粒控制要求从微米级跃升至纳米级（≤5nm） [3] - 2023年中国薄膜沉积设备市场规模达479亿元，但国产化率仍低于25% [6][7] - 中国大陆连续五年成为全球最大半导体设备市场，2024年销售额达495.5亿美元，占比42% [55][62] 薄膜沉积设备国产化现状 - 国内薄膜沉积设备主要厂商包括北方华创、拓荆科技、中微公司、盛美上海、微导纳米、晶盛机电 [7][58] - 其他设备国产化率：光刻机<1%、刻蚀设备>25%、量测设备<5%、清洗设备>30%、CMP设备>30%、离子注入机<10% [7][58] - 全球薄膜沉积设备市场高度垄断，应用材料、泛林集团、TEL等国际巨头占据主导地位：CVD市场CR3达70%，PVD市场应用材料占比85%，ALD市场ASMI和TEL合计占比75% [72][76] 技术演进与创新方向 - 芯片制造从2D平面走向3D立体，驱动薄膜沉积设备技术重心与市场结构变革 [9] - PVD技术通过离子化升级应对高深宽比结构，国产PVD设备已实现逻辑/存储芯片金属化制程28nm至3nm节点全覆盖，并在钨栓塞黏附层（钛离子PVD）和隔离层（氮化钛CVD）等关键工艺批量应用 [10][11] - PECVD占薄膜沉积设备市场33%，因其低温沉积（400℃ vs LPCVD 700℃）特性适配28nm以下节点介质薄膜要求 [13][87] - 专用CVD成为突破利器：HDPCVD通过"沉积-刻蚀-沉积"循环实现高深宽比（<5:1）沟槽无孔洞填充，是3D NAND层数突破关键；SACVD在次常压环境下通过臭氧/TEOS反应实现<7:1深宽比填充，是45nm以下逻辑电路制造关键 [15][16] - ALD需求受三大引擎驱动：逻辑芯片GAA结构需要沉积High-K栅介质（如HfO₂）、金属栅极（如TiN）及内侧墙Low-K介质；DRAM电容深宽比达100:1，需均匀填充ZAZ电介质叠层；3D NAND千层堆叠使ALD设备需求增长7倍以上 [19][20][22][26] - 国产ALD设备已在28nm产线实现High-K介质沉积，并在存储芯片钨填充、DRAM电容结构等细分领域批量应用 [24] 国产厂商发展策略 - 采用差异化切入策略：在巨头垄断的通用型PECVD市场，从3D NAND所需HDPCVD、SACVD等专用设备切入；在逻辑芯片金属栅极竞争红海，聚焦存储芯片钨沉积应用 [25] - 技术卡位下一代工艺节点：提前布局PEALD和Thermal ALD，在GAA、3D DRAM等新兴结构研发中与晶圆厂共同开发工艺 [27] - 平台化延伸提升客户粘性：从单一PVD或CVD设备向PVD/CVD/ALD/外延/电镀全产品线扩展，提供一站式解决方案 [27] - 产业链协同创新：设备厂商与上游材料、零部件企业（靶材、前驱体、射频电源）联合攻关，实现整体解决方案性能提升 [27] 投资逻辑与关键赛道 - 投资核心逻辑是寻找能在特定先进工艺窗口实现闭环而不仅是单机替代的公司 [28] - 关键赛道包括：ALD集成商（具备PEALD与Thermal ALD双线能力并能提供工艺配方）、专用CVD专家（在HDPCVD、FCVD等填充工艺具有know-how积累）、前驱体与材料伙伴（共同开发新型High-K材料、金属有机前驱体） [29][30][31] - 延伸投资机会：量测与过程控制设备（晶圆缺陷检测、薄膜量测）、集成式解决方案（沉积+刻蚀+退火多工艺集成）、技术可迁移性（从光伏、显示、功率器件向集成电路迁移） [32] - 核心零部件卡脖子环节：等离子体源/射频电源（技术壁垒极高）、真空系统与部件、精密陶瓷件（静电吸盘、气体分配盘） [34][35][36] - 零部件投资视角：验证壁垒形成护城河、平台型零部件公司（横跨沉积/刻蚀/离子注入等多类设备）、材料-部件一体化公司（掌握特种陶瓷材料到精密加工全流程） [36][37] 产能与需求增长驱动 - 全球晶圆厂产能稳步增长，25Q1产能达4270万片/季度（约当12英寸），半导体Capex在24Q3反弹后预计25Q1同比增长16%，其中WFE季度支出达260亿美元 [51][62] - 2018-2025年全球新建晶圆厂项目171座，中国大陆占74座（43%），其中53座为12英寸项目 [68] - 以中芯国际产线为例，薄膜沉积设备数量占比约20%，12寸产线占比更高（23.74%） [66][67][69] - 工艺进步驱动设备需求：3D NAND层数从128层向1000+层迈进，薄膜沉积设备占产线资本开支比例从2D时代18%增长至3D时代26% [81][86]

财务表现 - 2025年上半年公司实现营业收入161.42亿元 同比增长29.51% [1][2] - 归母净利润32.08亿元 同比增长14.97% 扣非归母净利润31.81亿元 同比增长20.17% [1][2] - 毛利率42.17% 同比下降3.33个百分点 [1] - 第二季度营业收入79.36亿元 同比增长21.84% 环比下降3.30% [1] - 电子工艺装备业务收入152.58亿元 同比增长33.89% 毛利率41.70% [2] - 电子元器件业务收入8.68亿元 同比下降17.47% 毛利率50.43% [2] 产品结构 - 半导体刻蚀设备收入超50亿元 薄膜沉积设备收入超65亿元 [2] - 热处理设备收入超10亿元 湿法设备收入超5亿元 [2] - 产品线覆盖刻蚀 薄膜沉积 热处理 清洗 涂胶显影 离子注入等核心工艺环节 [4] 研发与并购 - 上半年研发投入29.15亿元 同比增长30.01% [3] - 2025年3月发布多款12英寸离子注入设备 [3] - 立式炉和PVD设备均实现第1000台交付里程碑 [3] - 完成收购芯源微17.87%股权并取得控制权 [3] - 芯源微作为涂胶显影设备龙头 与现有产品线形成互补协同 [3] 行业前景 - 半导体设备国产化需求迫切 下游晶圆厂积极配合设备验证导入 [4] - 国内晶圆厂产能持续扩张 为设备厂商提供广阔成长空间 [4] - 平台化布局深化及客户需求释放推动业绩稳健增长 [2][4] 业绩预测 - 2025年收入预测上调至395.09亿元 2026年501.46亿元 2027年602.21亿元 [4] - 2025年归母净利润预测调整为73.49亿元 2026年96.13亿元 2027年121.08亿元 [4] - 对应2025-2027年EPS分别为10.18元 13.32元 16.78元 [4]

投资评级 - 强推评级维持 目标价466.2元 当前价377.84元 潜在涨幅23.4% [2][4] 核心观点 - 2025年上半年营业收入161.42亿元 同比增长29.51% 归母净利润32.08亿元 同比增长14.97% [8] - 半导体设备业务多点开花 刻蚀/薄膜沉积/热处理/湿法设备收入分别超50/65/10/5亿元 [8] - 平台化布局成效显著 内生研发与外延并购双轮驱动 收购芯源微17.87%股份实现产品线互补 [8] - 国产替代加速推进 公司作为平台型龙头企业覆盖刻蚀/薄膜沉积/热处理/清洗/涂胶显影/离子注入等核心工艺环节 [8] 财务表现 - 2024年营业收入298.38亿元 同比增长35.1% 归母净利润56.21亿元 同比增长44.2% [3] - 2025年预测营业收入395.09亿元 同比增长32.4% 归母净利润73.49亿元 同比增长30.7% [3][8] - 2026年预测营业收入501.46亿元 同比增长26.9% 归母净利润96.13亿元 同比增长30.8% [3][8] - 每股盈利从2024年7.79元提升至2027年16.78元 市盈率从49倍降至23倍 [3] 业务细分 - 电子工艺装备业务2025H1收入152.58亿元 同比增长33.89% 毛利率41.70% 同比下降2.93个百分点 [8] - 电子元器件业务2025H1收入8.68亿元 同比下降17.47% 毛利率50.43% 同比下降6.96个百分点 [8] 研发与并购 - 2025年上半年研发投入29.15亿元 同比增长30.01% 发布多款12英寸离子注入设备 [8] - 立式炉和PVD设备实现第1000台交付里程碑 产品成熟度持续提升 [8] - 完成对涂胶显影设备龙头芯源微的收购 持有17.87%股份并取得控制权 [8] 行业前景 - 半导体设备国产化需求迫切 下游晶圆厂积极配合国产设备验证导入 [8] - 公司工艺覆盖度及市场份额在国内厂商中处于领先地位 有望受益于晶圆厂产能扩张 [8]

投资评级 - 推荐（维持）[1] 核心观点 - 海外业务收入20.14亿元，同比增长363%，毛利率35.4%，显著高于国内业务水平，是业绩增长主要驱动力[7] - 公司上半年营收83.72亿元（+26.41%），归母净利润18.30亿元（+49.26%），扣非净利润16.80亿元（+42.41%）[4] - 钙钛矿设备获"兆瓦级翡翠奖"，PVD/RPD设备中标头部企业订单，推出工业级压电喷墨打印技术重新定义工艺标准[7] - 半导体业务实现湿法设备全流程自主开发，覆盖6-12英寸晶圆及第三代半导体，12英寸设备国产化率超95%[7] - 存货规模93.07亿元，较年初减少47亿元，延续2024Q2以来逐季下降趋势[7] 财务数据 - 2025年预测营收156.35亿元（-17.2%），净利润28.14亿元（+1.8%），毛利率29.0%[6] - 2026年预测营收96.17亿元（-38.5%），净利润15.99亿元（-43.2%），毛利率27.5%[6] - 每股净资产35.97元，总市值343亿元，资产负债率57.4%[1] - 当前动态PE 12.2倍（2025E），PB 2.5倍（2025E）[6] 业务进展 - 钙钛矿中试线技术获行业奖项，设备订单实现头部客户突破[7] - 半导体子公司创微微电子推出12英寸无篮槽式湿法设备，适配45-90nm制程[7] - 公司通过技术积累和团队引进优化半导体领域产业结构[7]

牡丹产业 - 菏泽是全球最大牡丹种植与科研加工基地 拥有9大色系 10大花型 1308个品种 种植面积与品种数量居世界首位 [2] - 通过反季节催花技术实现"花开四季"供应 每年春节销售60余万盆牡丹 [2] - 构建全产业链条 拥有120余家生产企业 20所科研机构 开发260多种深加工产品 包括牡丹籽油 化妆品 保健品等 2023年总产值达130亿元 [2] 羊肉汤产业 - 单县羊肉汤全产业链产值突破160亿元 区域品牌价值达366亿元 带动15万群众增收25亿元 [3] - 全国关联门店达3万家 年营业收入550亿元 [3] - 通过延长产业链 提升新质生产力打造产业优势 [3] 生物医药产业 - 未元大健康产业园创新"智能化柔性共享产业化平台" 拥有100多个标准化生产单元 可智能化组合生产线 [3] - 该平台将传统制药产业化周期压缩90%以上 节约2/3成本 突破"一品一线"生产限制 [3] - 已吸引湖北 海南 江苏等地多家知名药企项目落地 [3] 高端电子材料 - 天厚新材料自主研发20微米超薄导电布 国内市场占有率超30% [4] - 通过"揭榜挂帅"机制联合山东大学突破技术瓶颈 从50微米提升至20微米 [4] - 孵化的PVD设备制造项目成立一年获1.3亿元订单 获多家投资机构青睐 [4] 城市配套服务 - 创新"菏泽智泊"小程序整合机关单位 商场闲置车位实现错时共享 [5] - 拆除街巷拦路杆 清理空中线缆等民生问题 [6]

美国对华半导体产业限制措施 - 美国商务部正酝酿将长鑫存储纳入出口限制实体清单，同时评估中芯国际、长江存储旗下子公司的列名可能性，针对DRAM、NAND闪存及先进制程代工等关键领域 [2] - 实体清单企业采购美国设备需逐笔申请许可，实际通过率不足15% [2] - 美国工业与安全局（BIS）评估范围聚焦子公司，与2024年12月将136家中国半导体企业列入实体清单的策略一脉相承 [2] - 美国商务部发布《对中华人民共和国先进计算集成电路适用通用禁令10(GP10)的指导意见》，明确规定在世界任何地方使用华为的昇腾芯片均违反美国出口管制规定 [3] - 美国发布《美国商务部工业与安全局关于可能适用于训练人工智能模型的先进计算集成电路及其他商品的管控政策声明》，警告企业不得使用英伟达等美国AI芯片训练中国大模型 [4] 受影响的中国半导体企业 - 长鑫存储是国内唯一能量产17nm DRAM的厂商，其二期扩产计划完成后将占全球10%产能 [2] - 长江存储凭借Xtacking®架构实现232层3D NAND量产，市占率已突破5% [2] - 中芯国际的14nm工艺月产能达5万片，5nm技术研发进入验证阶段 [2] - 长鑫存储的DRAM产线面临KLA检测设备断供风险，目前70%的12英寸晶圆检测依赖科磊T3500系列设备，国产替代方案良率仅达85% [3] - 长江存储的192层NAND闪存研发高度依赖应用材料的物理气相沉积（PVD）设备，国内同类设备在台阶覆盖均匀性指标上仍有12%差距 [3] - 中芯国际的5nm工艺研发需使用Synopsys的DFT工具，若被列入实体清单，验证周期可能延长6-8个月 [3] 全球产业链影响 - SK海力士因担忧技术扩散，暂停向长鑫存储授权HBM3E技术 [4] - 泛林集团、科磊等设备商正游说美国政府放宽部分限制，因其2024年对华营收占比仍达22% [4] - 中国半导体出口在制裁下逆势增长，2024年1-10月出口额达9311.7亿元，同比增幅21.4%，其中存储芯片占比提升至38% [4] 中国半导体产业应对与展望 - 美国此次实体清单扩容是对中国半导体产业换道超车的恐慌性反应 [5] - 尽管短期内会给相关企业带来阵痛，但长期看，这种压力正转化为技术创新的动力 [5] - 中芯国际联席CEO赵海军表示：当所有路都被堵死时，我们反而能走出一条没人走过的路 [5] - 从14nm到5nm，从DRAM到HBM，中国半导体产业正在上演一场绝地求生的逆袭大戏 [5]