如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自快科技 。 近日 ASML 表示，根据目前的订单信息和需求，预计 2027 年将交付 10 套 High-NA EUV 和 56 套 EUV 光刻机。 装机时间预计需要 250 名工程人员、历时 6 个月才能安装完成。 根据爆料显示， High NA EUV 的售价高达 3.5 亿欧元一台，约合人民币 27 亿元，它将成为全球 三大晶圆制造厂实现 2nm 以下先进制程大规模量产的必备武器。 点这里加关注，锁定更多原创内容 值得注意的还有 SK 海力士， 2027 年 ASML 要交付的 EUV 光刻机里占了 20 套的数量，同时也 将 High-NA EUV 的订购数量从 1 套提高到 2 套。 此外，传闻 SK 海力士计划在未来两年内安装好 20 套 EUV 曝光机，全部是为了 HBM 及先进存储 解决方案所采购。 随着人工智能浪潮带动了半导体产业的发展，投资机构对 ASML 产品的长期需求仍保持乐观，因为 这些 AI 半导体普遍采用最新的半导体制造技术。 虽然不少半导体制造商都延后引入新一代 High-NA EUV 。 但是从整体来看，市场对曝光设备 ...

近日，俄罗斯科学院微结构物理研究所（IPM RAS）通过计算机与数据科学博士德米特里 ・ 库兹 涅佐夫（ Dmitrii Kuznetsov）在X平台公布了一项关于本土11.2纳米波长极紫外（EUV）光刻工 具的长期路线图，引发全球半导体行业的广泛关注。 根据最新公布的路线图，俄罗斯的 EUV光刻机 项目将从2026年开始，初期采用40纳米制造技术， 并计划延伸至2037年，届时将整合亚10纳米的制造工艺。这一路线图分为三个主要阶段： 1. 第一阶段（2026-2028年） ：推出支持40纳米工艺的光刻机，配备双反射镜物镜系统，套刻精 度达10纳米，曝光场最大3×3毫米，每小时吞吐量超5片晶圆。 2. 第二阶段（2029-2032年） ：推出支持28纳米（可向下兼容14纳米）的扫描式光刻机，采用 四反射镜光学系统，套刻精度提升至5纳米，曝光场26×0.5毫米，每小时吞吐量超50片晶圆。 3. 第三阶段（2033-2036年） ：面向亚10纳米制程，搭载六反射镜配置，套刻精度达2纳米，曝 光场最大26×2毫米，每小时吞吐量超100片晶圆。 值得注意的是，俄罗斯的EUV光刻机技术路径与全球主流采用13.5纳米波长 ...

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来 源 ： 内容编译自 tom'shardware 。 俄罗斯科学院微结构物理研究所（通过Dmitrii Kuznetsov）公布了一项关于本土11.2纳米波长极 紫外（EUV）光刻工具的长期路线图，这是对该组织去年12月所分享信息的补充。这个新项目从 2026年开始，将使用40纳米制造技术，并延伸至2037年，届时将整合亚10纳米的制造工艺。最新 的路线图比之前的一些看起来更现实，但其可执行性仍有待证明。此外，即使该计划可执行，也可 能不会用于商业目的。 最引人注目的第一点是，提议的EUV系统避免了复制阿斯麦（ASML）工具的架构。相反，该计划 旨 在 采 用 一 套 完 全 不 同 的 技 术 ： 混 合 固 态 激 光 器 、 基 于 氙 等 离 子 体 的 光 源 ， 以 及 由 钌 和 铍 （Ru/Be）制成的反射11.2纳米波长的镜片。选择氙而非阿斯麦EUV工具中的锡滴，可以消除对光 掩膜有害的碎屑，从而大大减少维护。同时，与阿斯麦的DUV工具相比，较低的复杂性旨在避免 用于先进节点的高压浸没式液体和多次图形曝光步骤。 第一个系统，计划于2026-2 ...

行业投资评级 - 基础化工行业评级为增持（维持）[6] 核心观点 - 终端需求扩张推动全球半导体行业景气度持续提升，AI算力、数据中心、智能驾驶等需求不断增强[1] - 晶圆产能扩张带动半导体材料市场需求加速释放，先进制程产能增长显著[2] - 国产替代取得重要突破，上海微电子首次公开EUV光刻机参数，标志高端装备领域能力提升[3] - 光刻胶、湿电子化学品、电子特气等细分材料市场规模保持稳步增长[4] - 半导体材料板块处于需求扩张与国产替代共振阶段，建议关注光刻胶、湿电子化学品、电子特气、CMP等核心材料领域龙头企业[5] 全球半导体市场数据 - 2025年1-7月全球半导体销售额约4050亿美元，同比增长20.4%[1] - 中国大陆市场规模约1135亿美元，同比增长11.1%[1] - WSTS预测2025年全球半导体市场规模达7009亿美元，同比增长11.2%[1] - 亚太地区市场规模约3706亿美元，同比增长9.8%[1] - 预计2026年全球市场增长至7607亿美元，同比增长8.5%[1] 晶圆产能与材料市场 - 预计2028年全球12英寸晶圆月产能达1110万片，2024-2028年CAGR约7%[2] - 7nm及以下先进制程月产能从2024年85万片增至2028年140万片，CAGR约14%[2] - 2025年全球半导体材料市场规模达700亿美元，同比增长6%[2] - 预计2029年全球材料市场突破870亿美元[2] - 2025年中国大陆关键材料市场规模达1740.8亿元，同比增长21.1%[2] 细分材料市场表现 - 2025年中国大陆集成电路光刻胶市场规模68.02亿元，同比增长4.49%[4] - 新型显示光刻胶市场规模67.13亿元，同比增长3.09%[4] - PCB光刻胶市场规模43.84亿元，同比增长17.25%[4] - 湿电子化学品总需求量468.5万吨，同比增长3.9%[4] - 集成电路用湿电子化学品市场规模86.0亿元，显示面板用80.1亿元，分别同比增长23.1%和10.1%[4] - 2025年全球电子特气市场规模64亿美元，同比增长6.7%[4] - 中国大陆电子特气市场规模279亿元，同比增长6.3%[4] 板块市场表现 - 基础化工板块周涨跌幅-0.1%，在中信行业中排名第10位[10] - 涨幅前五子板块：橡胶助剂(+6.3%)、电子化学品(+5.6%)、锂电化学品(+2.5%)、其他化学原料(+2.3%)、绵纶(+2.2%)[13] - 跌幅前五子板块：改性塑料(-4.8%)、橡胶制品(-3.8%)、有机硅(-3.4%)、磷肥及磷化工(-3.2%)、钛白粉(-3.2%)[13] - 涨幅前三个股：蓝丰生化(+61.16%)、上纬新材(+44.81%)、华软科技(+31.83%)[17] - 跌幅前三个股：金浦钛业(-23.15%)、宏达股份(-13.56%)、有研粉材(-11.82%)[18] 重点产品价格走势 - 周涨幅前五产品：合成氨:河北地区(+9.66%)、萤石精矿:福建灌阳宏腾(+5.45%)、丙烯酸:浙江卫星(+4.62%)、金属硅:553:昆明(+2.75%)、WTI原油(+2.72%)[20] - 周跌幅前五产品：维生素B6:国产(-9.09%)、维生素E:国产(-6.90%)、硫酸(-6.12%)、PX:华东地区(-4.01%)、锦纶POY(-3.94%)[21] 子行业动态 - 化纤板块：涤纶长丝市场价格下跌，下游织企缺乏信心但逢低采购[23] - 聚氨酯板块：聚合MDI市场涨跌互存，需求端表现不理想[23] - 钛白粉板块：连涨遇阻，下游抵触高价，企业开工率提升[23] - 化肥板块：秋肥补仓氛围低迷，终端采购需求后置[24] - 维生素板块：需求持续疲软，维生素E、B6价格继续下滑[24] - 氨基酸板块：98.5%赖氨酸市场观望，厂家以发订单为主[24] - 制冷剂板块：高位盘整，交投氛围谨慎[25] - 有机硅板块：小幅上行，原料金属硅提供成本支撑[25]

半导体设备国产化进展 - 国产光刻机在90nm及以下工艺节点取得重要进展 上海微电子自主研发的600系列光刻机已实现90nm工艺量产[3] - 28nm浸没式光刻机研发工作正在进行中[3] - 宇量昇聚焦EUV光刻机国产化 目标构建独立于美国的半导体设备生态[3] 产业链投资与资金动向 - 半导体设备ETF（159516）单日上涨超2% 连续5日净流入超21亿元[1] - 该ETF单日申购近4亿份 显示资金持续加码半导体设备领域[1] - 跟踪中证半导体材料设备主题指数 前两大成分股为中微公司（16.12%）和北方华创（14.26%）[6][7] 下游扩产需求驱动 - 存储芯片出现显著涨价 美光计划对DDR4/DDR5涨价20%-30% 三星预计四季度涨价15%-30%[4] - 长鑫科技启动上市辅导 可能成为A股五年来最大科技股IPO[4] - 中国GPU市场规模达500亿美元 以50%增速增长 预计2027年达1125亿美元[4] AI基础设施建设投入 - 阿里巴巴推进三年3800亿AI基础设施建设计划 将持续追加更大投入[5] - 为迎接ASI时代 阿里云全球数据中心2032年能耗规模将较2022年提升10倍[5] - AI建设持续性得到验证 将带动半导体设备需求增长[4][5] 国产化产业格局 - 光刻机技术突破将带动上游材料 精密机械等配套产业升级[3] - 加速光刻胶 光学部件等卡脖子材料国产化进程[3] - 形成龙头带动 多点突破的产业升级格局[3]

芯片指数的PE估值已经非常贵。 目前，芯片指数的PE估值涨到了143倍，估值百分位99%，处于指数成立以来的最高水平，甚至比2021年那会儿还要高。我们在2022年创建芯片ETF网格 的时候，估值几乎处于历史最低点，而现在估值处于历史最高点，所以，现在芯片ETF根本不可能做网格。 今天芯片龙头ETF大涨5%，半导体设备ETF更是暴涨8%。主要的原因是传，自主研发的EUV光刻机采用激光诱导放电等离子体(LDP)技术，预计2025年第 三季度进入试生产阶段，2026年将实现量产。拥有上海微电子（国产光刻机公司）10%股权的张江高科已经连续两天涨停。 国产光刻机的传闻今年经常有，两个月之前文章里也跟大家简单提过。不管国产光刻机的消息是真是假，有一个事实却已经摆在眼前： 数据来源：Wind 考虑到有一些芯片股还没有把手上的订单完全转化为利润，看PE估值不准确，那我们再看看PB估值。目前，芯片指数的PB估值是7.46倍，估值百分位 83.71%。虽然从PB估值角度看，芯片指数没有像PE估值那么高，但也是处于历史较高水平了。 数据来源：Wind 经历过三年熊市，很多朋友都对估值高的行业感到害怕、恐惧。因为直到今天为止，依 ...

文章核心观点 - 半导体刻蚀设备用量和重要性将显著提升 主要受光刻多重图案化路线采用 三维堆叠存储和近存计算需求 以及晶体管结构升级三大技术趋势推动 [1][2] - 长期看半导体设备国产化方向明确 短期2025年国内半导体晶圆厂投资表现相对平淡 但随国内头部存储厂商新一期项目启动及先进逻辑厂商扩产力度加大 半导体设备有望进入新一轮快速增长期 [1] 技术趋势推动刻蚀设备需求 光刻多重图案化 - EUV光刻技术路线受限 DUV多重图案化成为国产突围关键 带动刻蚀设备用量成倍提升 [3] - 自对准四重图案化(SAQP)方案需要4次刻蚀和2次光刻完成精细图案 DUV方案下刻蚀设备使用步骤增加至EUV方案的4倍 刻蚀设备用量提升至4倍 [3] 三维堆叠存储和近存计算 - 3D NAND为提升存储密度将存储单元垂直堆叠 主流产品超200层 未来向1000层迈进 DRAM未来也有类似3D堆叠技术路线 [4] - 从32层提高到128层过程中 刻蚀设备用量占比从35%提升至48% 随层数增加需要更高深宽比刻蚀设备 232层3D NAND采用60:1深宽比刻蚀设备 后续90:1刻蚀技术有望用于3XX层及更高层数3D NAND量产 [4] - AI训练和推理对存储带宽需求提升 衍生HBM+CoWoS CUBE等近存计算方案 需要TSV工艺实现3D连接 TSV工艺中刻蚀和填充设备占比接近70% 进一步增加刻蚀设备需求 [4] 晶体管结构升级 - GAAFET是接替FinFET的下一代晶体管技术 台积电2025年在2nm导入该技术 国内预计将迭代跟进 [5] - GAA相比FinFET刻蚀工艺用量显著增加 FinFET有5道步骤涉及刻蚀工艺 GAA晶体管有9道步骤涉及刻蚀工艺 增量步骤主要来自纳米线结构形成 [5] - 刻蚀设备在先进制程中用量占比从FinFET时代的20%上升至GAA架构下的35% 单台设备价值量同比增长12% [5] - GAA晶体管新增高选择性SiGe各向同性刻蚀需求 主流采用原子层刻蚀(ALE)方式完成 国内厂商已进行相关研发布局 有望应用于3nm及以下GAA结构 纳米片结构等高精度逻辑芯片刻蚀 [5] 投资建议 - 建议重点关注半导体刻蚀设备以及相关配套设备及零部件环节 [1]

公司股价表现 - 张江高科股价连续两日涨停 收盘价达50.78元/股创历史新高 [1] - 公司发布公告称主营业务无重大变化 基本面保持稳定 [1] 行业技术突破 - 上海微电子在工博会首次公开EUV光刻机参数图 EUV光刻机系7nm以下芯片制造核心设备 [3] - AI技术发展推动7nm以下先进工艺产能扩张 EUV光刻机需求持续扩大 [3] 股权投资结构 - 通过全资子公司张江浩成创业投资持有上海微电子10.78%股权 初始投资额2.23亿元 [4] - 市场传闻上海微电子可能借壳上市 但未获官方证实 [6] 业务转型战略 - 从传统园区开发运营转向"房东+股东"双轨模式 形成四大产业集群 [7][8] - 2025年上半年营收17.04亿元（同比增39.05%） 归母净利3.69亿元（同比增38.64%） [8] - 投资收益达3.26亿元（同比增336.75%） 主要来自股权金融资产公允价值提升 [8] 半导体领域投资 - 通过张江燧锋基金投资芯朴科技163.59万元 持股7.15% 该企业专注5G射频芯片研发 [8] - 投资精积微半导体2500万元持股5.44% 该公司上半年净利润6929.37万元（同比增570.7%） [9] - 同时参股芯驰半导体、擎茂微、中茵微电子等半导体产业链企业 [9] 跨界产业布局 - 与上汽集团、阿里巴巴共同投资智己汽车 通过股权链最终受益股份达13.39% [9] - 投资版图覆盖半导体、人工智能、生物医药等多赛道 其中半导体布局尤为密集 [8]

一位熟悉情况的业内人士透露："SK海力士正在考虑提前启动新的EUV生产线，并与ASML保持紧 密协商，以加快设备交付速度。" EUV光刻机能够刻画10纳米级别的超微细电路，且由ASML垄断供应，全球半导体制造企业均需 排队采购，设备获取极其困难。截至去年底，拥有EUV设备数量最多的是台湾台积电，其次是三 星电子（韩国）、英特尔（美国）、SK海力士（韩国）和美光（美国）。 SK海力士自2021年在制造10纳米级第4代DRAM"1a"（约14纳米）时首次引入EUV后，逐步增加 设备数量。如果再追加20台，公司将跻身全球EUV设备保有量前三，与英特尔相当甚至超过。 此次扩充背后，是公司在下一代DRAM及HBM上的战略考量。采用EUV能够刻画更精细的电路， 从而提升单位晶圆的芯片产出，并增强能效与性能。预计将优先强化年底量产的HBM4用10纳米级 第5代DRAM（1b）以及正在准备量产的第6代DRAM（1c）的制造竞争力，这些产品将成为公司 明年的核心业务。未来，第7代DRAM（1d）以及更先进的10纳米级以下DRAM，也将导入EUV 工艺。业内预期，SK海力士最快将在明年启动1d DRAM的量产转移。 如果您希望可 ...

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