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华为发布AI推理创新技术
半导体芯闻· 2025-08-12 09:48
AI推理技术创新 - 华为联合中国银联发布AI推理创新技术UCM(推理记忆数据管理器),旨在实现高吞吐、低时延的推理体验 [2] - UCM技术以KV Cache为中心,融合多类型缓存加速算法工具,分级管理推理记忆数据,扩大推理上下文窗口,降低每Token推理成本 [3] AI推理行业趋势 - AI正从训练向推理结构性转变,推理体验成为AI应用的关键,包括时延、准确度和复杂上下文推理能力 [2] - 国外主流模型单用户输出速度达200 Tokens/s(时延5ms),而国内普遍小于60 Tokens/s(时延50-100ms),提升推理效率迫在眉睫 [2] 其他行业动态 - 半导体行业投资规模达10万亿 [4] - 芯片巨头市值出现大幅下跌 [4] - 黄仁勋评价HBM为技术奇迹,Jim Keller认为RISC-V将胜出 [4]
SAECCE 2025初步日程首曝光,精彩亮点抢先看-开幕69天倒计时!
半导体芯闻· 2025-08-12 09:48
活动概况 - 2025中国汽车工程学会年会暨展览会(SAECCE 2025)将于2025年10月21-24日在重庆科学会堂举办 [1][2] - 活动包含1场开幕式暨全体大会、2025汽车工业饶斌奖颁奖典礼及中国汽车工程学会会士授予仪式 [5] - 会议招商正在进行中,名额有限,企业需尽快报名 [5] 核心议程 主论坛 - 国际汽车数字化与智能制造大会全体会议暨智能制造主论坛 - 第十二届国际智能网联汽车技术年会全体会议暨智能网联汽车主论坛 - 2025电动汽车智能底盘大会全体会议暨智能底盘主论坛 - 人工智能主论坛 - 新能源汽车主论坛 [7] 专题会议 - 汽车节能技术领域12场 - 新能源汽车技术领域16场 - 智能网联汽车技术领域17场 - 基础共性技术领域23场 - 整车集成及性能技术领域23场 - 智能制造及装备技术领域10场 [7] 同期活动 - 第十二届国际智能网联汽车技术年会 - 2025电动汽车智能底盘大会 - 2025国际汽车数字化与智能制造大会 - 2025中国汽车技术首脑(CTO)闭门峰会 - 车路云一体化量产关键技术论坛 - 一带一路非政府间汽车标准合作国际会议 - 汽车芯片高端研讨会 - 汽车供应链专题论坛 [8] 展览信息 - 展览面积达25,000平方米,预计吸引30,000+参观人次 [15] - 设置8大主题展区,已有200+参展商确认参展,超170家企业包含整车企业及头部供应商 [15] - 展览配套活动包括"工业1小时"新技术发布、签约仪式、采购对接、投融资对接等 [15] - 目前95%展位已被锁定,企业需尽快报名 [14] 重要发布 - 《节能与新能源汽车路线图3.0》中英文版将在活动期间全球发布 [6] 参会注册 - 早鸟票注册通道已开放,汽车科技工作者及在校学生可通过官网www.saecce.org.cn报名 [18] 举办地信息 - 重庆高新区是1991年经国务院批准设立的首批27个国家高新区之一,现为西部(重庆)科学城核心区 [17]
这些国家,芯片新贵
半导体芯闻· 2025-08-12 09:48
墨西哥半导体计划 - 墨西哥计划建设半导体工厂以减少每年240亿美元的芯片进口支出,该中心将于明年投入使用[2] - 目标是从芯片组装国转型为芯片设计和制造国,重点生产用于电子和汽车行业的传统芯片而非尖端芯片[2] - 目前仅有少数本土芯片设计公司如Circuify和QSM Semiconductores,且缺乏晶圆厂和OSAT设施[5] - 建设一座先进晶圆厂需约100亿美元初始投资,政府正与IBM、富士康、高通等公司洽谈合作[5][6] - 面临人才短缺挑战,顶尖公立机构每年仅培养约5名芯片设计师,远低于100名的需求[9] 马来西亚半导体战略 - 马来西亚为全球第七大芯片出口国,聚焦芯片组装、封装和测试,计划到2030年吸引1168亿美元投资[3] - 通过本土企业如Vitrox和Inari提升设计和设备制造能力,目标培育类似台积电的全球冠军企业[3][4] - 与ARM Holdings签署2.5亿美元协议,旨在打造10家本土芯片公司并培训1万名工程师[4] - 电气电子行业每年需5万名工程师,但本土仅培养5000名,人才流失严重[9] - 投资2.8亿美元用于培训6万名高技能工程师,但留任率存疑[9] 印度半导体发展现状 - 印度推出100亿美元的"印度半导体计划",但多个项目因官僚主义和成本问题搁浅,如韦丹塔-富士康195亿美元合资破裂[6][7] - 唯一推进中的大型项目是塔塔电子与力晶半导体合作的110亿美元晶圆厂,月产能目标5万片[7] - 面临制造和封装人才短缺,制约晶圆厂建设和运营能力[9] 三国共同挑战与行业趋势 - 三国均试图通过本土化生产减少对进口芯片的依赖,尤其在中美技术竞争背景下[2][3] - 均面临供应链整合难题,专家认为单一国家难以建立完整半导体生态系统[3] - 传统芯片制造成为新兴国家切入点,避开与台积电等企业在尖端领域的竞争[2][3] - 美国关税政策不确定性影响马来西亚和墨西哥的投资计划[4][5]
美国芯片制造困境
半导体芯闻· 2025-08-12 09:48
特朗普芯片关税政策影响 - 特朗普威胁对芯片和半导体征收100%关税 但承诺在美国生产的公司可获豁免[2] - 全球大型芯片公司已在美国投资生产 部分受前任政府补贴驱动 台积电在凤凰城投资1650亿美元 三星在德州投资400亿美元[2] - 关税可能无法激励企业扩大美国业务 反而促使企业仅进行最低限度投资以满足豁免条件[3] 美国芯片制造面临的挑战 - 台积电预计美国制造成本上升将导致整体毛利率下降2-3个百分点 亚利桑那工厂采用N4工艺 比台湾N2工艺落后两代[3] - 全球仅台积电 三星 英特尔掌握最先进工艺节点 英特尔正大幅裁员并削减资本支出以追赶台积电[6] - 美国制造业成本溢价将转嫁给消费者和供应链环节 伯恩斯坦研究指出更高成本需由市场分摊[8] 非芯片企业的应对策略 - 苹果通过承诺4年6000亿美元投资获得关税豁免 避免损害美国业务[6] - 苹果是台积电亚利桑那工厂最大客户 与三星合作研发德州芯片技术 但数据中心等投资对芯片行业影响有限[7] - 苹果多数投资计划在关税威胁前已启动 豁免未能推动额外行动[7] 美国芯片投资的真实驱动力 - 企业利用2022年《芯片法案》拨款和制造设备税收抵免扩大生产 特朗普"大而美的法案"增加抵免额度[8] - 供应链本土化需求驱动投资 包括规避疫情冲击和地缘政治风险(如台海局势 中东冲突)[8] - 非关税因素(政策补贴 供应链安全)仍是美国芯片投资主要动力[8]
天岳先进开启招股,拟募资约18亿扩张大尺寸SiC衬底产能
半导体芯闻· 2025-08-12 09:48
天岳先进H股上市计划 - 公司拟全球发售H股4774.57万股,其中香港发售238.73万股,国际发售4535.84万股,另有716.18万股超额配股权,招股日期为8月11日至8月14日 [2] - 此次IPO募资净额约19.38亿港元(约17.7亿元人民币),70%用于扩张8英寸及以上碳化硅衬底产能,20%用于研发,10%用于营运资金 [2] - 公司表示此次上市旨在加快国际化战略布局,增强境外融资能力,计划在海外建设生产基地以提升对海外客户响应能力 [2] 公司资本运作历程 - 2022年1月公司登陆科创板,原计划募资20亿元,实际募得32.03亿元,全部投入碳化硅半导体材料项目 [3] - 若此次港股上市成功,公司将实现"A+H"双上市格局 [3] 产能与技术布局 - 科创板募资已用于提升碳化硅衬底生产能力 [3] - 本次H股募资重点投向8英寸及更大尺寸碳化硅衬底产能扩张,显示公司持续聚焦大尺寸产品战略 [2]
寒武纪涨停,创历史新高
半导体芯闻· 2025-08-12 09:48
市场表现 - 8月12日寒武纪股价盘中涨停至848 88元/股创历史新高市值达3551亿元其他AI算力概念股如工业富联涨9 24%新易盛涨6 23%中际旭创涨5 09%中证人工智能主题指数涨3 29% [2] - 寒武纪股价上次触及800元/股是在2024年2月27日盘中最高达805元/股 [3] 行业动态 - 招商证券研报指出海外云解决方案提供商上修资本支出台积电上修2025年收入增速指引全球半导体6月销售额同比增19 6%国内算力芯片国产化机遇值得长期关注 [2] - 中信建投证券认为北美和国产算力基础设施产业链均具投资价值国内AI算力需求旺盛随着缺口扩大部署节奏有望恢复或提速 [2] - TrendForce预计2025年国内AI服务器外购芯片比例将从2024年63%降至49%本土芯片供应商占比提升寒武纪正推进思元AI方案至云端市场 [5] 公司经营 - 寒武纪2024年Q4营收9 89亿元净利润2 81亿元实现上市后首次单季盈利2024年Q1营收11 11亿元(同比增4173%)净利润3 55亿元 [3] - 公司解释2024年存货增1684%至17 74亿元(占总资产26 41%)预付款项增423%至7 74亿元(占11 53%)主因委托加工物资及供应商预付款增加2024年Q1存货进一步增至27 55亿元预付款达9 73亿元 [4][5] - 2024年前五大客户销售额占比94 63%其中第一大客户占79 15% [5] 竞争格局 - 国内AI芯片公司沐曦、摩尔线程、燧原科技、壁仞科技正冲刺IPO沐曦和摩尔线程已完成辅导工作 [5]
美光宣布:终止业务
半导体芯闻· 2025-08-12 09:48
美光业务调整 - 公司决定在全球范围内停止未来移动NAND产品的开发,包括终止UFS5的开发,原因是移动NAND产品市场持续疲软且增长放缓 [2] - 此项决策仅影响移动NAND产品开发,公司将继续支持其他NAND解决方案如SSD及汽车等终端市场的NAND产品 [2] - 公司将继续开发和支持移动DRAM市场,并提供领先的DRAM产品组合 [2] 财务预测上调 - 公司预计季度营收为112亿美元(上下浮动1亿美元),较此前预测的107亿美元(上下浮动3亿美元)有所上调 [2] - 第四季度调整后毛利率预期上调至44 5%(上下浮动0 5%),此前预期为42%(上下浮动1%) [2] - 预测上调主要反映DRAM产品定价改善 [3] 行业趋势与定价策略 - 大型科技公司对人工智能数据中心的投资推动高带宽内存(HBM)芯片订单激增 [2] - HBM供应限制及强劲AI需求使公司能够设定更高产品价格,代表内存芯片制造商利润率的历史性转变 [3] - 公司首席商务官表示价格趋势强劲,在提高价格方面取得巨大成功 [3]
突发,美光中国裁员
半导体芯闻· 2025-08-12 04:46
美光中国区裁员 - 美光中国区启动裁员 主要涉及嵌入式团队研发 测试以及FAE/AE等支持部门 上海 深圳等多地员工受影响 [1] 美光2025财年第四季度业绩指引上调 - 公司上调2025财年第四季度收入预期至111-113亿美元 高于此前104-110亿美元的预期 [3] - 经调整毛利率预期上调至44%-45% 高于此前41%-43%的预期 [3] - 每股收益预期上调至2 78-2 92美元 高于先前2 35-2 65美元的指引 [3] - 业绩上调反映DRAM领域定价改善及强劲执行力 [3] - HBM供应限制和AI需求强劲使公司能制定更高价格 代表存储芯片制造商利润率下滑趋势的转变 [3] 美光在华网络安全审查 - 2023年5月网络安全审查办公室发现美光产品存在较严重网络安全问题隐患 对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险 [4] - 审查结论为不予通过 国内关键信息基础设施运营者应停止采购美光产品 [4] - 美光回应正在评估相关结论 希望能继续与中国相关部门沟通 [4] 美光在华投资 - 2023年6月美光宣布在西安追加投资43亿元人民币 包括增建封装和测试新厂房 引入全新生产线 [5] - 新生产线将制造更广泛产品解决方案 包括移动DRAM NAND及SSD 扩大现有DRAM封装和测试能力 [5] - 投资多个工程实验室以提升产品可靠性认证 监测 故障分析等效率 加快客户产品上市时间 [5] - 2024年3月美光封测新工厂动工 预计2025年下半年投产 将根据市场需求逐步增产 [5] - 新工厂落成后 美光西安工厂总规模将超过13 2万平方米(140万平方英尺) [5]
下一代DRAM争霸赛打响
半导体芯闻· 2025-08-11 10:09
行业竞争格局 - 全球存储芯片行业最新战场聚焦于10纳米级第六代DRAM(1c、11-12纳米级)领域,三星电子与SK海力士采取不同策略[2] - 三星为从上一代产品挫折中恢复,迅速投资新生产设施,而SK海力士推迟大规模支出直至与Nvidia等主要客户确认明年供应承诺以确保盈利能力[2] - 预计三星比SK海力士提前3-4个月开始量产1c DRAM,若成功向英伟达供应采用新工艺的HBM4,有望重夺30年来首次失去的市场领先地位[2] - 当前三星、SK海力士和美光科技在10纳米级第四代(1a、14纳米级)和第五代(1b、11-12纳米级)DRAM市场竞争,1c DRAM竞争预计明年升温[2] 三星技术进展与市场策略 - 三星于第一季度开始订购1c DRAM生产设备,上半年持续采购制造工具,预计年底完成生产线建设并全面投入量产[3] - 三星计划在HBM4产品中使用1c DRAM,以代际飞跃确保性能优势,弥补其在HBM领域落后于SK海力士的现状[3] - 第二季度三星向英伟达交付HBM4样品,目前正在进行质量测试[4] - 三星因1a和1b产品线质量问题需重新设计芯片,影响HBM产量,导致DRAM市场份额被SK海力士超越:2025年第一季度SK海力士份额36.9%,三星份额38.6%[3] SK海力士技术进展与市场策略 - SK海力士计划最早于第三季度开始订购1c DRAM设备,2026年实现量产,采取谨慎策略优先生产基于1b DRAM的第五代HBM(HBM3E)[3][4] - 公司于第一季度向英伟达交付HBM4样品,正就明年供应量进行磋商,计划第三季度敲定供应协议并在盈利能力保证后继续投资[4] - 针对1c DRAM,SK海力士将EUV层数从上一代两层增加到六层,下半年开始转换投资,并持续开发下一代EUV技术材料[5] - 公司计划所有下一代产品(包括1d、0a)均使用EUV,致力于开发提高EUV工艺生产率的方法[6] EUV技术发展 - EUV波长13.5纳米,为传统半导体曝光材料ArF的十三分之一,适用于超精细电路层,其余层使用DUV等传统工艺[5] - SK海力士最初在1a DRAM应用一层EUV,1b DRAM扩展到四层,1c DRAM进一步增至六层[5] - 公司积极应对高数值孔径(High-NA)EUV技术,传统EUV系统镜头像差0.33,High-NA EUV可达0.55,计划最早明年推出相关设备[6] - High-NA EUV掩模版开发面临重大挑战,因光的扩散角度增大会导致入射角和反射角重叠,需使用"变形"技术防止光线重叠,但缝合区域控制困难且材料未确定[7]
新央企董事长,拜访任正非
半导体芯闻· 2025-08-11 10:09
公司动态 - 长安汽车董事长朱华荣于8月8日拜访华为创始人任正非 双方围绕产业竞争态势、未来竞争格局进行交流 任正非对长安汽车及阿维塔品牌提出针对性指导意见 [2] - 朱华荣与华为高管徐直军、余承东进行交流 高度评价任正非的视野、格局与激情 [2] - 中国长安汽车集团7月29日在重庆挂牌成立 由原兵器装备集团分立而来 拥有117家分子公司 业务涵盖整车及零部件、销售、金融物流、摩托车等 [4] 战略规划 - 中国长安汽车集团将聚焦智能汽车机器人、飞行汽车、具身智能等新质生产力 探索海陆空立体出行生态 [4] - 公司计划加速全球化布局 重点开拓东南亚、中东非洲、中南美洲、欧亚、欧洲五大区域市场 [4] - 长安汽车集团成为继一汽、东风之后国内第三家汽车行业央企 [4] 行业地位 - 中国长安汽车集团作为新央企正式成立 标志着汽车行业央企阵营扩容至三家 [4]