行业核心驱动力 - AI计算对高性能内存的巨大需求推动存储芯片行业进入结构性增长阶段 由云服务提供商引领的内存饥渴趋势是主要驱动因素 [1] - 需求已从高端高带宽内存扩展至传统DRAM和NAND闪存 供应商在未来12个月内可能难以满足全部需求 支撑价格持续走强 [1] DRAM市场前景 - DRAM市场正迎来从2024年持续至2027年的前所未有的四年定价上行周期 打破了过去大起大落的行业规律 [2] - HBM在DRAM市场总价值中的占比到2027年将高达43% 其高价值和强劲需求有效平滑传统DRAM价格波动并抬高利润底线 [2] - 即使2026年HBM3E产品可能因供应增加而降价 但由于下一代HBM4将享有约35%溢价 混合HBM平均售价在2026年仍不太可能下降 [2] HBM竞争格局 - SK海力士在HBM4竞赛中处于领先地位 有望比竞争对手更早获得英伟达认证 可能占据超过60%市场份额 [2] - 三星电子和美光或将争夺剩余的HBM4订单 [2] 存储市场规模预测 - 全球存储市场总体有效市场规模预测被大幅上调 2025至2026年预测上调6%至24% [1][3] - 到2027年市场规模预计将达到近3000亿美元 [1][3] - 仅AI相关应用到2027年就将占据DRAM市场TAM的53% [3] 需求扩展领域 - 用于英伟达下一代Vera CPU的SOCAMM2内存模组和用于Rubin CPX GPU的GDDR7显存成为拉动DRAM需求的新增长点 [3] - AI推理 AI服务和边缘AI应用兴起要求通用服务器升级内存配置以获得更低延迟和更优功耗表现 [3] 产能投资计划 - 存储芯片制造商预计在2026至2027年将资本支出提高7%至12% [3] - DRAM的产能扩张将是优先事项 [3] NAND市场复苏 - NAND闪存市场在经历两年投资不足后迎来强劲定价复苏 [4] - 企业级固态硬盘需求激增是主要驱动因素 关键外部因素是传统硬盘驱动器供应短缺 部分近线HDD交付周期长达52周 [5] - 近线存储市场开始大规模将eSSD作为替代方案 AI模型从训练转向推理应用对数据读取速度和延迟要求更高 凸显NAND结构性重要性 [5] NAND价格展望 - NAND混合平均售价在2026财年预计同比增长7% [5] - AI推理对存储的需求是结构性的 但确定性不如HBM之于GPU计算 对NAND市场长期前景持相对审慎乐观态度 [5]

根据摩根士丹利的分析，半导体行业，尤其是内存领域，正处在一个关键的周期转折点。 从历史上看，费城半导体指数（SOX Index）的走势呈现出从"狂热"到"悲观"再回归的循环，而当前市场正处于"乐观阶段"。 AI引发的芯片狂热正从GPU等逻辑芯片，迅速蔓延至存储芯片领域。摩根士丹利认为，存储市场，特别是闪存（NAND）， 正处于一个持久上升周期的"早期阶段"。 9月23日华尔街见闻提及，受AI数据中心推升的存储器强劲需求，三星本周大幅上调NAND产品价格，DRAM产品涨幅高达 30%，交期也从单月延长至半年以上。美光、闪迪等竞争对手同步跟进涨价措施。 据硬AI，摩根士丹利同日发布研报指出，AI驱动的芯片投资狂潮正从GPU向存储领域蔓延。研报强调当前市场正处于周期性 转向的关键节点，预计2026年将出现存储价格双底探底后的复苏周期。 摩根士丹利认为，与市场普遍关注的DRAM内存和机械硬盘相比，闪存市场因其供需格局的急剧扭转，展现出更显著的上涨 潜力。 因此研报强调投资者应重点关注纯闪存制造商如铠侠（KIOXIA）和闪迪（SanDisk），以及三星、SK海力士等综合性厂商 和相关的模组制造商。 AI叙事蔓延，内存接 ...

摩根士丹利发布研报指出，AI驱动的芯片投资狂潮正从GPU向内存领域蔓延。研报强调当前市场正处于周期性转向的关键节点，预计2026年将 出现内存价格双底探底后的复苏周期。摩根士丹利认为，与市场普遍关注的DRAM和HBM相比，NAND市场因其供需格局的急剧扭转，展现出更 显著的上涨潜力。 AI引发的芯片狂热正从GPU等逻辑芯片，迅速蔓延至内存领域。摩根士丹利认为，内存市场，特别是闪存（NAND），正处于一个持久上升周 期的"早期阶段"。 受AI数据中心推升的存储器强劲需求，三星本周大幅上调内存和闪存产品价格，DRAM内存产品涨幅高达30%，交期也从单月延长至半年以 上。美光、闪迪等竞争对手同步跟进涨价措施。 据硬AI，摩根士丹利同日发布研报指出，AI驱动的芯片投资狂潮正从GPU向内存领域蔓延。研报强调 当前市场正处于周期性转向的关键节点， 预计2026年将出现内存价格双底探底后的复苏周期。 摩根士丹利认为， 与市场普遍关注的DRAM内存和机械硬盘相比，闪存市场因其供需格局的急剧扭转，展现出更显著的上涨潜力。 因此研报强调投资者应 重点关注纯闪存制造商如铠侠（KIOXIA）和闪迪（SanDisk），以及三星、SK海 ...

外媒和半导体产业消息来源23日指出，三星电子近期告知客户，第4季将调高DRAM价格15%-30%， NAND也将上涨5%-10%。三星加入美光和Sandisk的涨价行列，凸显生成式AI推升资料中心和AI推论系 统的芯片需求。 摩根士丹利（大摩）指出，人工智能（AI）荣景正带来「存储的超级循环」预测存储产业的上行动能 将延到明年下半年，让南韩芯片业「迎来暖冬」。三星电子据传正在调涨DRAM和NAND快闪存储的第 4季价格。 英伟达推出下一代AI绘图处理器（GPU）Rubin后，预计LPDDR5需求将激增。同时，随着云端服务商 从传统硬盘（HDD）转向固态硬盘（SSD），作为SSD核心元件的NAND需求也水涨船高，尤其是企业 级固态硬盘（eSSD）。 大摩在名为「存储超级循环－AI涨潮推升所有船只」的报告指出，近来下单、预计明年交付的eSSD， 订单量已经和今年总量相当，并预测eSSD需求激增，将导致NAND明年供给短缺多达8%。瑞银 （UBS）也预测，NAND价格将连续三季上涨，第3季涨3%，第4季涨5%，明年第1季再涨3%。 大摩也指出，受到云端服务器的芯片需求带动，第4季DRAM平均价格已比目前水准高9%。 ...

股价表现与市场预期 - 公司股价在财报发布前盘前上涨1.2% [1] - 分析师将目标股价从145美元上调至173美元 上调幅度达19.3% [1] - 公司52周最高股价为170.450美元 接近历史最高水平 [1] 财务数据与估值指标 - 公司总市值达1842.3亿美元 [1] - 市盈率(TTM)为29.66倍 静态市盈率达235.17倍 [1] - 市净率为3.63倍 股息率(TTM)为0.280% [1] 业务驱动因素 - 来自超大规模数据中心客户的企业级固态硬盘(eSSD)存储需求增长是核心催化剂 [1] - 分析师维持"买入"评级 看好公司基本面改善趋势 [1] 交易数据 - 当日成交量为2585.12万股 成交额达42.7亿美元 [1] - 流通市值为1789.42亿美元 流通股本为10.87亿股 [1] - 股价振幅为3.48% 量比为1.04 显示交易活跃度较高 [1]

人工智能的巨浪正席卷全球科技行业，存储芯片——这一数字世界的基石领域，也在经历前所未有的变革与重生。 截至美股上周四收盘，美国内存芯片巨头美光科技、闪存领军企业闪迪两家公司双双走出七连阳的强势上涨行情。这波华丽上涨的背后，除 了此前行业普遍预期的涨价因素外，更有着AI叙事的强劲托举。 很多投资者朋友就会好奇，人工智能的浪潮和存储有什么关系？我们国家走到哪一步了，我们如何从中受益？今天我们来聊聊这些事儿。 机构看好，存储芯片迎来高光时刻 花旗在最新报告中预期，美光科技将在本月晚些时候发布财报时，给出远超市场预期的业绩指引。花旗半导体行业分析师Christopher Danely 领衔的团队指出："我们预计公司将公布与预期相符的业绩，但会给出远高于市场共识的指引。" 原因是DRAM（动态随机存取存储器）和NAND（非易失性闪存技术）的销量与价格双双走高。AI服务器需要大量的企业级固态硬盘 （eSSD）来存储和高速访问训练数据及模型，这导致NAND产能从消费电子（手机、PC）向企业级市场倾斜，引发结构性短缺和涨价。存储 行业的持续回升主要受产能受限以及超预期需求推动，特别来自数据中心终端市场（占美光收入55%）的需 ...