公司财务业绩 - 2025年第三季度销售额达到331亿美元，营业利润达到167.5亿美元，均创历史新高 [2] - 营业利润率已回升至50%以上，此前一度跌至40%左右 [2] - 季度晶圆出货量在2025年第三季度达到创纪录的409万片，完成V型复苏，此前在2023年第三季度曾回落至290万片 [8] 行业竞争地位 - 公司331亿美元的季度销售额在半导体公司中位居第二，仅次于英伟达（467亿美元），远超三星半导体部门（232亿美元）、SK海力士（181亿美元）、博通（160亿美元）和英特尔（137亿美元） [4] - 公司拥有全球约50.8%的极紫外光刻设备，总计157台，远超三星（76台，24.6%）和英特尔（35台，11.3%）等竞争对手 [35] 技术节点与产能分析 - 销售额的增长主要由最先进的3纳米和5纳米制程节点驱动，而7纳米及更宽松节点的销售额持平或下降 [12] - 5纳米和3纳米生产线几乎满负荷运转，但7纳米节点的晶圆投入量从2021年第二季度的峰值48万片下降到2025年第三季度的29万片，约为峰值的60% [22][23] - 自极紫外光刻技术应用以来，每次推出新的先进工艺节点（如7纳米+、5纳米、3纳米），公司季度销售额均增加约100亿美元 [11] 市场需求与业务结构转变 - 公司核心业务在2020年至2025年间发生重大转变，从智能手机转向以人工智能和高性能计算为中心 [26] - 到2025年第三季度，高性能计算业务占总销售额的57%，而智能手机业务占30% [26] - 前十大客户结构发生显著变化，2020年以智能手机相关公司为主（前四家合计占约57%），2025年人工智能半导体相关公司占据前十名中的七席，合计占总份额约52% [29][30] 行业格局与竞争壁垒 - 美国对中国半导体行业的限制导致中国制造商将重心转向成熟工艺节点，预计到2030年，中国大陆在成熟工艺产能中的份额将从2021年的22%飙升至49%，而台湾的份额将从54%下降至29% [16] - 公司成熟节点销售疲软主要源于中国企业抢占市场份额，而非全球需求萎缩 [17] - 运营超过150台极紫外光刻设备所积累的经验和技术诀窍构成了公司强大的竞争壁垒，使竞争对手难以在短期内赶超 [36]

文章核心观点 - SK海力士通用DRAM营业利润率预计将超过70%，为近30年来首次，主要受供应短缺和价格持续上涨推动 [2][3] - 公司已确认与英伟达签订明年第六代高带宽内存HBM4的供应合同，增强了未来盈利能力的可见性 [2][3] - 市场对通用DRAM需求增长，但产能主要集中于HBM，导致结构性供应短缺，此状况预计将持续约两年 [2][3][4] DRAM市场状况与盈利预期 - 服务器、PC和移动设备用通用DRAM价格持续上涨，供应短缺预计将持续存在 [2] - SK海力士明年营业利润预期从一个月前的50.246万亿韩元上调约36%至68.7301万亿韩元 [4] - 存储半导体业务模式转向通过预先签订合同确保供货量，提高了盈利能力的可见性 [4] 产能与供应分析 - SK海力士明年服务器、PC和移动设备用通用DRAM的供应量已基本售罄，表明产能有限 [3] - 三星电子平泽园区4号工厂的新生产线大部分将用于生产HBM，美光调整生产计划仍不足以满足激增的通用DRAM需求 [3] - 新晶圆厂主要专注于HBM生产，使得扩大普通DRAM产能变得困难，结构性供应短缺可能持续 [3]

软银近期重大交易与财务表现 - 软银集团于2025年10月以58.3亿美元（约合人民币415亿元）的价格出售其持有的全部3210万股英伟达股票 [2][4] - 软银在6月至9月期间出售了价值91.7亿美元的T-Mobile股份 [2][4] - 软银与OpenAI签署修订协议，承诺追加投资225亿美元，将于12月通过愿景基金2完成全部投资 [4] - 软银2025-2026财年第一季度营收为1.82万亿日元，同比增长7%；税前利润为6899.4亿日元，同比暴增205.7% [4] - 软银第二季度净利润达到2.5万亿日元，远超市场预估的4182.3亿日元；第二季度销售净额为1.92万亿日元 [5] - 软银上半年净利润为2.92万亿日元，销售净额为3.74万亿日元，并将于2026年1月1日实施1拆4的拆股 [5] - 软银股价自4月以来从5700日元/股低点飙升至25000日元/股，涨幅超338%，市值一度突破38万亿日元（约合1.7万亿元人民币） [4] - 软银创始人孙正义个人净资产飙升248%，达到551亿美元（约合3928亿元人民币），重登日本首富宝座 [4] AI投资市场风险信号 - 多项指标显示AI投资已滑向极端水位，市场风险正加速累积，AI投资热潮恐已逼近临界点 [2][8] - 大型成长股与科技股的机构持股已重返数季以来新高，资金正以罕见速度涌入该领域 [8] - 家庭股票配置创下历史新高，若AI科技估值出现裂缝，其财富效应可能拖累美国GDP下滑2.9% [8] - 美股科技七巨头的3个月25 Delta看涨期权偏斜度处于91百分位数，反映投资者对上涨的极端乐观情绪 [8] - 科技业信贷风险急剧上升，与银行业的相对平静形成分化 [8] - 产业集中度令人警惕，除Anthropic外，英伟达几乎支撑所有主要AI参与者，供应链高度集中放大了系统性风险 [8] - 市场叙事在短时间内剧烈反转，当前情形与历史泡沫时期高度相似 [8] - 观察人士认为，当所有投资人都相信同一套故事时，转折或已悄悄酝酿 [9] 英伟达相关动态 - 英伟达创始人黄仁勋自6月开始按计划抛售公司股票，已累计套现超10亿美元 [6] - 软银曾于2017年以40亿美元买入英伟达近5%股份，但在2019年以70亿美元清仓，错失其市值飙升至4万亿美元的超级红利 [5]

欧盟对华为中兴的政策动向 - 欧盟委员会要求成员国逐步将华为与中兴的设备排除在电信网络之外，中方对此表示严重违反市场原则和公平竞争规则[2] - 中方指出强行移除中国电信设备不仅迟滞自身技术发展，还造成巨额经济损失，将经贸问题泛安全化将阻碍技术进步[2] 德国5G网络中华为的地位与争议 - 华为为德国约60%的5G基站提供设备，其余由爱立信和诺基亚瓜分，德国是华为在中国以外最大的5G基础设施市场之一[10] - 德国监管机构将5G基站（gNodeB）所有功能归类为关键功能，此举可能将华为排除在德国5G市场之外[7] - 德国新规要求运营商在2029年底前找到华为配置管理系统的替代方案，但可继续使用其基站和天线产品[5] 电信运营商的应对措施 - 德国电信开发自主研发的"服务管理与编排"平台，以实现跨多供应商平台的无线接入网整合[6] - 德国电信计划在约3000个站点用诺基亚及部分富士通设备替换华为设备，该公司在全国覆盖约36500个站点[11] - 沃达丰宣布三星成为其第三家无线接入网供应商，将在部分基站取代爱立信和华为产品[11] 技术架构的争议与影响 - 华为认为5G基站（gNB）不应被视为关键组件，因其不控制流量、管理连接或用户配置文件[3] - 爱立信高管指出5G将模糊核心网和无线接入网之间的界限，用户平面功能被部署在无线接入网站点附近[9] - 将华为排除在德国市场之外预计耗资约25亿欧元（29亿美元），德国电信每年在无线接入网上的支出约为3亿欧元（3.47亿美元）[10] 行业竞争格局 - 诺基亚首席执行官质疑中国供应商在欧洲市场不受限制，而诺基亚和爱立信在中国市场份额合计不足3%[10] - 德国电信表示诺基亚和富士通的技术质量与华为不相上下甚至更胜一筹，并将启动支持O-RAN规范的招标[11]

欧洲6GHz频谱分配争论 - 欧洲正就无线频谱的6 GHz部分（6425至7125 MHz）展开争论，一方主张授权给蜂窝网络用于5G和6G服务，另一方希望保留给Wi-Fi使用[1] - 欧盟委员会无线电频谱政策小组（RSPG）正在探索如何在Wi-Fi和移动网络等免许可技术之间共享6GHz频段，该频段的低频段目前已免许可使用[1] Wi-Fi阵营的立场与担忧 - Wi-Fi联盟和动态频谱联盟（DSA）发表公开信，对欧盟国家禁止Wi-Fi网络使用6 GHz频段表示担忧，认为此举将严重阻碍欧洲的数字发展[1][2] - Wi-Fi阵营声称Wi-Fi是消费者访问互联网的主要方式，封锁6GHz频段将对欧洲Wi-Fi技术的未来造成毁灭性打击，该频谱能维持Wi-Fi生态系统发展并推动下一代数字创新[2] - Wi-Fi联盟成员正尝试在共享基础上使用频谱，符合RSPG提议，但抱怨移动通信行业反对妥协，要求独占整个6GHz频段用于移动通信服务[2] - 报告称Wi-Fi可利用的频谱远少于移动网络，Wi-Fi对6 GHz高频段的需求远远超过移动网络[3] 移动通信行业的立场与测试 - 德国联邦数字和交通部发言人表示，考虑到未来6G应用，移动网络运营商在6GHz频段的需求被认为比Wi-Fi应用更高[2] - 沃达丰在6GHz频段进行过测试，实现了高达5Gbps的下载速度，并表示应开放该频段以在现有带宽耗尽时提升蜂窝网络容量[3] - 诺基亚和瑞典电信公司Telia去年利用6GHz频段进行了试点部署，声称该频段能在建成区增加巨大容量，同时在郊区或农村地区实现高吞吐量[4] - 移动通信行业得到国际电信联盟（ITU）支持，ITU在2023年世界无线电通信大会（WRC）上将6GHz频段指定用于蜂窝服务[4] 监管动态与未来决策 - 美国电信监管机构FCC在2020年将整个6GHz频段保留给Wi-Fi和其他免许可业务使用[4] - 欧盟委员会已委托欧洲邮政和电信管理会议（CEPT）制定欧盟统一的技术条件，以规范6GHz频段的优选使用方案，CEPT须于2027年7月提交最终报告[4] - RSPG下一次全体会议将于11月12日举行，各方关注其将通过的决定[4]

行业概述与市场前景 - 嵌入式非易失性存储器是人工智能时代支持微控制器、物联网片上系统和汽车控制器等应用的基石技术 [2] - 到2030年，嵌入式新兴非易失性存储器市场规模预计将超过30亿美元，反映出在主流工艺节点上的普及以及在≤28纳米工艺下对嵌入式闪存替代方案的强劲需求 [2] - 嵌入式新兴非易失性存储器正在微控制器、连接设备和边缘人工智能设备等领域进入更广泛的应用阶段，并在汽车和工业市场展现出强劲的增长势头 [2] 主要技术路线与厂商动态 - 嵌入式闪存仍是基础技术，但磁阻随机存取存储器、电阻式随机存取存储器和相变存储器等新兴技术正被推向前沿，代工厂和集成器件制造商正将解决方案从28/22纳米扩展到10-12纳米级平台 [3] - 台积电已实现磁阻随机存取存储器和电阻式随机存取存储器的大批量生产，并计划在2025年及以后推出12纳米鳍式场效应晶体管电阻式随机存取存储器/磁阻随机存取存储器 [3] - 意法半导体作为一家完全致力于嵌入式相变存储器的集成器件制造商，正在为工业和汽车微控制器量产xMemory解决方案，并计划在2025年后推出18纳米全耗尽型绝缘体上硅以拓展应用范围 [3] - 三星、格芯、联电和中芯国际正在加速将嵌入式磁阻随机存取存储器/电阻式随机存取存储器/相变存储器应用于通用微控制器和高性能汽车设计 [3] 应用领域与发展趋势 - 汽车行业是嵌入式新兴非易失性存储器的核心市场，预计到2025年，安全集成电路和工业微控制器的需求将显著增长 [5] - 电阻式随机存取存储器在多个大批量应用领域逐渐获得认可，而磁阻随机存取存储器和相变存储器在速度和耐久性要求高的领域极具吸引力 [5] - 嵌入式非易失性存储器在BCD和高压互补金属氧化物半导体工艺流程中正作为电可擦可编程只读存储器/一次性可编程存储器的实用替代方案，用于模拟、电源管理和混合信号设计 [4] - 使用嵌入式非易失性存储器的内存内/内存附近计算概念因其在低功耗边缘人工智能推理领域的应用而备受关注 [4] 未来展望 - 到2030年，嵌入式非易失性存储器将成为更多片上人工智能功能和实用内存内/近内存计算模块的基础，并在边缘神经形态加速器中得到更广泛应用 [6] - 嵌入式非易失性存储器的角色将从单纯的存储扩展到计算架构的一部分，重新定义效率，并在设备智能中发挥核心作用 [6] - 电阻式随机存取存储器在大批量生产的微控制器和模拟集成电路中发挥主导作用，而磁阻随机存取存储器和嵌入式相变存储器则在对性能要求极高的细分市场巩固其地位 [6]

特斯拉自建晶圆厂计划 - 公司CEO马斯克宣布考虑自建名为“TeraFab”的超大型芯片工厂，以满足快速成长的AI芯片需求，其规模将超越台积电月产能超过10万片晶圆的“Gigafab”[2] - 公司认为即便以供应商最佳生产情况预估，未来芯片供应量仍然不足，因此建造TeraFab势在必行[2] - 若工厂建成，其月产能将远超过10万片晶圆，远超现今主流晶圆大厂，使公司可跻身全球最大芯片制造商之一[2] 自建晶圆厂动机分析 - 知名分析师郭明錤指出，地缘政治是首要原因，公司担忧半导体产能高度集中在台湾，即便到2030年，台积电在美国的先进制程与封装产能仍有限，先进封装可能顶多占全球10%[3] - 其次在于研发支援与生产弹性，公司对台积电而言是“二线客户”，获得的支援与生产弹性肯定低于一线客户如Apple、辉达等，这也是公司将AI6订单转移至三星的主因之一[3] - 整合优势是另一动机，公司的新技术与产品位处技术前端，若依自身需求客制化关键设计与制造环节，有利于高度整合最终产出并最大化垂直整合效益[4] 行业模式可行性探讨 - 分析师陆行之质疑公司想要半导体设计加制造全包的模式，即系统产品公司+IDM模式能否成功，并指出连苹果都不敢采用此模式[5] - 不同于苹果的是，公司大部分产品及零组件都是自己制造，公司CEO可能觉得半导体制造与电动车、机器人、火箭制造没有不同[5] - 有观点以三星和华为为例，认为存在系统产品公司+IDM模式的先例，但陆行之指出三星自己的逻辑芯片设计还不行，华为在新设备购买上仍是痛点[5] 潜在合作方向 - 分析师陆行之提出一种可能性，即公司与英特尔之间可能成立一家新的合资晶圆厂，公司也可能对英特尔进行大笔投资[4]

数据中心与AI投资对存储行业的影响 - 为追求通用人工智能，数据中心投资速度远超产能，制造商难以满足AI需求[2] - DRAM持续短缺导致内存套装价格在几个月内翻倍以上[2] - 企业级大容量硬盘交付时间延迟长达24个月，促使超大规模数据中心转向QLC NAND SSD以应对订单积压[2] QLC NAND闪存市场动态 - 选择QLC而非TLC闪存可控制成本并满足冷存储耐用性需求，但云服务提供商争相购买导致QLC NAND出现短缺[2] - QLC NAND闪存制造商的产能已排期至2026年[2] - 预计到2027年初，QLC NAND的普及程度将超越TLC，标志存储格局重大转变[3] 存储芯片价格与供应状况 - Sandisk在最初预告涨价10%后，已将NAND价格提高50%[3] - 所有DRAM和NAND闪存制造商优先向愿意支付高价的AI客户出售产能，缓冲产能从2-3个月缩减至仅剩几周[3] - 存储领域前所未有的短缺推动许多公司业绩创年度新高，但普通消费者面临电子产品短缺和价格上涨[3]

行业前景与周期判断 - 人工智能发展推动数据中心从以CPU为主转向GPU，带来从零到有的扩张动能[2] - 存储芯片行业可能正进入一个长期繁荣期，或称为“超级繁荣周期”[3][6] - 研究公司TrendForce估计，DRAM行业明年总收入将达到创纪录的约2310亿美元，是2023年周期低谷时期的四倍[3] - 目前的内存供应短缺情况预计将持续到2026年，甚至可能持续到2027年初[6] - 存储芯片行业以其剧烈的繁荣与萧条周期而闻名，此前2023年行业曾经历严重萧条，SK海力士公布的净亏损超过60亿美元[6] 市场需求驱动因素 - 对用于训练和运行人工智能模型的高带宽内存（HBM）需求激增[4][5] - 传统内存芯片需求同样强劲，亚马逊、谷歌和Meta等大型数据中心公司正在大量采购用于传统服务器[5] - 人工智能推理任务中，部署使用传统内存的传统服务器可能更具成本效益[6] - 随着训练好的人工智能模型得到更广泛的应用，数据中心在不断扩容以应对日益增长的工作负载[6] - OpenAI每月对DRAM晶圆的需求量将高达90万片，是目前业界HBM产能的两倍多[5] 主要公司业绩与产能 - 三星电子7月至9月季度净利润同比增长21%，达到约86亿美元，其芯片部门营业利润增长近80%，达到约49亿美元[3] - SK海力士第三季度净利润同比增长超过一倍，达到约88亿美元，并表示其明年的产能已全部售罄[3] - 美光科技最新季度净利润增长超过三倍，达到32亿美元[3] - HBM市场预计在未来五年内平均增长超过30%[6] - OpenAI已与三星和SK海力士签署意向书，邀请它们作为先进存储芯片和数据中心合作伙伴参与其Stargate基础设施项目[5] 产品与技术趋势 - 高带宽内存（HBM）将多层DRAM堆叠在一起，并与GPU结合使用，可以同时在内存和处理器之间传输大量数据[4] - 内存加处理器的组合是人工智能服务器的核心[5] - 存储芯片约占全球芯片销售额的四分之一，另一主要类型是逻辑芯片，包括GPU和CPU[4]

文章核心观点 - NAND闪存是数据存储的关键技术，行业正通过增加3D堆叠层数、提升单元密度和采用新技术来应对AI驱动下爆炸性增长的数据存储需求[2][10] - 随着3D NAND技术逼近物理极限，行业转向z间距缩放以持续降低成本，但面临单元干扰和电荷迁移等挑战[13][15] - imec开发的气隙集成和电荷陷阱层切割技术是解决上述挑战、实现未来z间距缩放的关键推动因素，有望支持存储密度在2030年达到约100 Gb/mm²[17][26][32] 3D NAND技术演进与市场驱动 - NAND闪存作为非易失性存储器广泛应用于从智能手机到数据中心的各个电子领域，并为AI模型训练提供高效存储方案[2] - 行业通过从二维NAND过渡到三维NAND以及增加每个芯片的存储单元层数（商用最高可达四比特）来提高存储密度[2] - 数据存储需求爆炸式增长驱动芯片公司竞相提高存储单元密度（以Gb/mm²为单位），同时降低每比特成本[2] 电荷陷阱单元与GAA架构 - 电荷陷阱单元取代浮栅晶体管，将电荷存储在绝缘体中，降低了单元间静电耦合，提高了读写性能并为更高存储密度铺平道路[3] - 全环栅架构已广泛应用于3D NAND闪存，存储单元堆叠成垂直链并通过水平字线寻址[5] - 电荷陷阱单元在3D NAND中通过GAA垂直沟道方法实现，制造过程涉及导体和绝缘层交替堆叠、钻孔及沉积，形成"通心粉沟道"结构[9] 存储密度提升路径与挑战 - 主流厂商正在推出超过300层堆叠的3D NAND芯片，预计到2030年堆叠层数将达1000层，相当于约100 Gbit/mm²的存储容量[10] - 提升存储容量的方法包括增加每个单元的比特数、减小单元横向间距、采用层叠技术（如将四层250层单元堆叠成1000层芯片）以及CMOS键合阵列技术[12][13] - 挑战在于如何在30微米厚的堆叠层中保持工艺均匀性，并对高深宽比刻蚀和沉积工艺提出更高要求[10][13] Z间距缩放的技术挑战 - 缩小存储层之间的z间距（目前约40纳米）是持续降低成本的关键，旨在减小字线层和氧化硅层厚度以在有限高度内堆叠更多层[13][15] - z间距缩放若不优化会导致阈值电压降低、数据保持能力下降、编程擦除电压增加、功耗上升以及相邻单元栅介质击穿风险[15] - 负面效应根源在于单元间干扰（栅极控制能力减弱导致静电耦合）和横向电荷迁移（电荷从垂直SiN层中迁出影响数据保持）[15][16] 气隙集成技术方案 - 在相邻字线间集成气隙可降低介电常数，从而减少存储单元间的静电耦合，是解决单元间干扰问题的潜在方案[17] - imec提出通过在沉积ONO堆叠前对栅间氧化硅进行凹陷，从存储孔区域内部引入与字线自对准的气隙，实现精确放置且具备可扩展性[22] - 测试表明带气隙器件对相邻单元干扰更不敏感，且不影响内存性能及可靠性（耐久性达1000次编程/擦除循环），是未来z间距缩放的关键步骤[22][24] 电荷陷阱层切割技术前景 - 电荷陷阱层切割（将气隙引入阻挡氧化层和电荷陷阱层区域）可增大存储单元的存储窗口，帮助每个单元实现更多电平以存储更多位数[26][29] - 该技术还能防止捕获电荷沿堆叠高度方向横向迁移，但集成挑战在于需要对极深窄孔壁进行定向蚀刻和沉积，imec正与供应商合作开发新技术[26][29] - imec计划将电荷陷阱切割与气隙集成结合，为z间距缩放挑战提供完整解决方案[29] 未来创新架构与发展路线 - 传统电荷陷阱单元架构收益开始放缓，存储器密度提升可能在本十年末前趋于平缓[32] - 研究人员正探索创新单元架构，如水平排列导电通道或沟槽式架构连接电荷陷阱单元，以大幅提高比特存储密度[32] - 多项在研技术将使行业逐步迈向100 Gb/mm²的数据存储目标，该需求主要由云计算和AI应用驱动[32]