HBF

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AI存储,再度爆火
半导体行业观察· 2025-10-02 01:18
过去几年,AI 的飞速发展让算力成为全球争夺的核心,但很多人忽视了一个同样至关重要的 环节——存储。没有存储的支撑,算力就像没有燃料的引擎,再强大也难以释放全部潜能。 尤其是在大模型和生成式 AI 的浪潮下,数据体量和推理场景不断膨胀,存储的需求也随之水 涨船高。 在这个关键节点上,三种存储技术正在重新定义AI基础设施的未来格局。HBM(高带宽内存)作 为当前高端AI芯片的标配,已经从技术概念走向大规模商用,成为决定AI算力上限的关键因素; HBF(高带宽闪存)则试图突破DRAM的容量限制,为超大规模模型提供全新的存储路径;而 GDDR7的崛起,更是在成本与性能之间找到了巧妙的平衡点,为AI推理的普及化铺平道路。 这三种技术路线的竞合演进,不仅关乎存储产业数千亿美元的市场格局,更决定着人工智能能否真 正突破当前的技术天花板,迈向通用人工智能的新纪元。 HBM:高带宽的王者之战 步入"后AI"时代,HBM已不仅仅是高性能AI芯片的标配组件,更演变为存储行业激烈角逐的战略 制高点。这种通过3D堆叠技术实现的超高带宽存储,已经成为决定AI芯片性能上限的关键因素。 从H100的80GB容量、3.4TB/s带宽,到GB ...
Memory的超级大周期
傅里叶的猫· 2025-09-30 12:19
市场现状与价格趋势 - 存储芯片市场呈现上行趋势,野村证券称之为“前所未有的超级周期”,由DRAM、HBM和NAND三重周期驱动 [2] - 上游资源涨价已传导至成品端,eMMC、UFS普遍大幅调涨,LPDDR4X因原厂暂停报价且计划大幅涨价而看涨情绪升温 [8] - 三星和SK海力士自今年4月起逐步减少DDR4产能,转向更高利润的DDR5、LPDDR5和HBM,直接导致DDR4系列价格暴涨 [8] - 美光将2025年服务器总出货量增长预期上调至约10%,高于此前中等个位数预期,受AI agents增长及传统服务器工作负载增加推动 [9] - TrendForce指出,受HDD供给短缺影响,云端服务供应商将存储需求转向QLC Enterprise SSD,预计Q4 NAND Flash合约价平均上涨5-10% [10] 涨价核心驱动因素 - AI与数据中心需求爆发:2026年传统服务器资本支出预计增长20-30%,带动DDR4/DDR5内存需求增长约50%,企业级SSD需求近乎翻倍 [14] - NAND市场因HDD供应短缺和AI存储需求激增,预计2026年位元出货量同比增长超50% [14] - 价格与利润率跃升:DRAM营业利润率预计从当前的40-50%升至2026年的近70%,NAND利润率将从盈亏平衡点跃升至30-40% [14] - HBM混合均价预计2025-2026年保持15%以上年增长,将贡献SK海力士75%的营业利润 [14] 近期需求爆发的根本原因 - AI业务从“积累期”迈入“高渗透期”,业务渗透率从20%-30%提升至30%-40%,用户规模大幅扩张 [18][19] - 以豆包为例,DAU从年初的1000万-2000万增至近4000万,传统互联网产品加速AI重构,用户与AI交互频次显著增加 [19] - AI技术逻辑从“快思考”升级为“慢思考”,引入思维链和外部agent协同,单次报告生成的token消耗从此前的约3000token增至3万以上,增长7-10倍 [18][20] - 海外头部模型全面转向多模态,处理图片、视频等非文本数据产生更多存储需求 [20] - 互联网大厂启动AI基础设施重构,构建“热-温-冷”分层存储体系,集中采购DRAM和SSD,直接转化为大量订单 [21] 行业前景与周期判断 - 由AI需求驱动的“超级周期”预计至少持续到2027年,但可能在2028年出现下行转折 [23] - 美光预计2026年行业DRAM供应将趋于紧张,全球存储芯片尤其HBM供需不平衡将加剧,2026年HBM产能已基本锁定 [9] 英伟达相关动态与影响 - SK海力士、三星与英伟达就HBM3E 12Hi和HBM4的定价谈判尚未最终敲定,谈判局势正向DRAM厂商倾斜 [25] - 英伟达要求HBM4速度需突破10Gbps,三星、美光、SK海力士均具备供应能力,对整体HBM市场影响有限 [26] - 英伟达CPX方案将推动Rubin平台对GDDR7的大规模采用,为GDDR7市场带来显著增量,但可能短期内对HBM4需求形成压制 [27] - 英伟达研发HBF方案,利用大容量堆叠NAND替代HBM来提升系统成本效益,优化存储资源配置 [28]
HBF要火,AI浪潮的下一个赢家浮出水面:闪存堆叠成新趋势
36氪· 2025-09-23 11:37
三星HBM3E通过英伟达认证 - 三星12层HBM3E于9月19日通过英伟达测试认证 即将成为英伟达GPU的HBM供应商之一 [1] HBM行业竞争格局 - SK海力士2Q25存储芯片收入达122.29亿美元 环比增长25.8% 市场份额38.7%超越三星成为全球第一 [3] - 三星2Q25存储芯片收入103.5亿美元 环比增长13.7% 市场份额32.7% [3] - 美光2Q25收入69.5亿美元 环比增长5.7% 市场份额22% [3] - 南亚科技2Q25收入3.41亿美元 环比大幅增长56% [3] HBM技术局限性 - HBM3e单卡内存带宽达4.8TB/s 比DDR内存快数十倍但容量有限 [5] - HBM4单壳最高容量仅36GB(未来可达64GB) 而AI模型参数动辄千亿级 [5] - HBM成本极高导致单块GPU价格达数万美元 成为AI行业瓶颈 [5] HBF技术优势与发展 - HBF将NAND闪存堆叠 兼具高速读取和大容量特性 目标作为HBM的"容量补位" [6] - HBF针对AI推理读多写少特点设计 NAND写入短板不再致命 [9] - 闪迪与SK海力士联合开发HBF技术 推动行业标准化 [8] - 首批HBF样品预计2026年下半年推出 2027年初将有搭载HBF的AI推理设备面世 [12] HBF应用前景 - 在数据中心可缓解GPU内存瓶颈 让超大模型运行更高效 [15] - 在终端设备可支持本地运行更大AI模型 推动AI PC和AI手机发展 [13] - HBF基于NAND闪存 具有更高密度和更低单位容量成本 [15] AI模型存储需求 - Llama4 Behemoth模型参数达2万亿 Kimi K2达1万亿 Grok 4达1.7万亿 [10] - MoE模型减小算力要求但内存需求更加突出 [4]
全球科技-NAND-AI时代终于到来
2025-09-15 01:49
**全球科技行业NAND市场AI驱动增长分析** **涉及行业与公司** * NAND闪存行业 重点关注AI推理存储需求增长及供应格局变化[1] * 涉及公司包括NAND供应商SanDisk KIOXIA 三星电子 模组制造商Phison Longsys 组件供应商SIMO Aspeed HDD制造商WDC STX 设备商Advantest Disco Lam Research等[3][17] **核心观点与论据** * AI推理需求驱动NAND市场增长 预计2029年AI NAND整体可服务市场规模达290亿美元 占全球NAND市场34%[1][2][9] * QLC eSSD成为AI应用最优存储解决方案 因满足高速大容量随机I/O访问需求 新技术如NL SSD和HBF有望解决内存产能瓶颈[1][2][12] * 供应短缺预测 基准情境下2026年出现2% NAND短缺 乐观情境下NL SSD替代HDD份额达5%可能导致8%短缺[2][10] * 行业周期转折 自2022年供过于求后 预计2026年供需平衡 2026年下半年短缺加剧 但下行周期较温和[2][10] * 云服务商采购计划支撑需求 主要云服务商已就2026年AI NAND和NL SSD大额订单与供应商讨论[2][10] **投资机会与股票偏好** * 偏好NAND供应商而非模组制造商 因上行周期议价能力更强 超配SanDisk目标价从70美元上调至96美元 KIOXIA 三星电子[1][3][13][17] * 超配模组制造商Phison和Longsys 因NAND价格上涨利好 超配组件供应商SIMO和Aspeed因需求增长[3][17] * 超配HDD制造商WDC和STX AI数据丰富型文件为HDD和eSSD带来水涨船高利好 总拥有成本差异维持6-8倍[3][17] * 偏好设备商Advantest和Disco因HBF市场扩张 低配Lam Research因NAND资本支出保守及中国限制[3][17] * 2026年每股盈利预测比市场一致预期平均高出26% 反映AI NAND增长主题被低估[3][14] **其他重要内容** * 风险回报分析显示SanDisk上行空间36% Longsys 26% KIOXIA 23% 三星电子20%[20] * 悲观情境下无AI需求或NL SSD替代 NAND行业可能出现10%过剩[10] * 创新推动行业变革 NL SSD成本显著低于QLC SSD可能加速eSSD渗透[12] * 监管披露摩根斯坦利持有部分覆盖公司1%以上普通股 包括SanDisk Lam Research等[26]
全球科技 - 闪存(NAND)-人工智能时代终于降临闪存领域-Global Technology-NAND – AI Era Finally Comes to NAND
2025-09-11 12:11
涉及的行业或公司 * NAND闪存行业[1][10][12] * 人工智能(AI)推理和训练市场[1][12][21] * 云服务提供商(CSPs)[14][24][41] * 相关上市公司:SanDisk (SNDK.O)[12][15][41]、KIOXIA Holdings[15][65]、三星电子 (Samsung Electronics)[15][72]、美光 (Micron)[27][50]、SK海力士 (SK hynix)[27][72]、西部数据 (WDC)[15][35][55]、希捷科技 (STX)[15][35][55]、群联电子 (Phison)[15][27][57]、江波龙 (Longsys)[15][27][61]、慧荣科技 (SIMO)[15][29][57]、信骅 (Aspeed)[15][29][60]、爱德万测试 (Advantest)[15][35][64]、迪思科 (Disco)[15][35][64]、华邦电 (Nanya Technology)[42][43]、澜起科技 (Fadu)[27][29][78]、Pure Storage[27]、Lam Research[15][35][53] 核心观点和论据 **AI驱动NAND需求增长** * AI推理需求正推动NAND市场增长,预计到2029年AI NAND市场将带来290亿美元的增量总目标市场(TAM),占全球NAND市场的34%[1][13][22] * 在出货量方面,预计到2029年AI相关NAND使用量将达到431EB,占全球NAND位元出货量的20%[22] * QLC eSSD因其高速、高容量和随机I/O访问能力,已成为AI应用场景(如存储预训练模型、检查点、KV缓存卸载和微调数据)的最优存储解决方案[12][21][86] * 主要云服务提供商(CSPs)已因HDD产能限制,开始与供应商讨论2026年的大额AI NAND和近线(NL)SSD订单[14][24] **行业周期与供需展望** * NAND行业自2022年以来一直处于供过于求状态,但预计到2026年供需将趋于平衡,并在之后可能出现供应短缺[14][24] * 在基准情景下,预计2026年NAND将出现2%的短缺;在乐观情景下,若NL SSD从NL HDD中夺取5%的市场份额,短缺可能扩大至8%;在悲观情景下,若无AI需求提振,则可能出现10%的供应过剩[13][23] * 尽管预计2025年第四季度起消费者需求疲软将拖累采购,但本次下行周期预计将较以往更浅[14][24] * 2025年第三季度eSSD定价因需求强劲环比上涨3-8%,第四季度合约价预计持平至小幅上涨,优于市场预期的环比下降0-5%[140][141] **技术革新与新产品** * 近线SSD(NL SSD)预计将于2025年底/2026年推出,目标成本在每GB 0.04-0.05美元,旨在作为当前QLC eSSD(每GB约0.09美元)的廉价替代品,替代存储服务器中的NL HDD(每GB约0.011美元)[157][160][163] * 高带宽闪存(HBF)等新技术有望帮助解决AI集群中的内存容量瓶颈[12][26] * NAND控制器对于实现闪存存储系统的性能、可靠性和寿命至关重要,慧荣科技(SIMO)是NVIDIA BlueField 3 DPU的eSSD控制器供应商,预计2025年将贡献其3%的收入[26][29][151] **投资偏好与股票影响** * 看好NAND供应商(如SanDisk、KIOXIA、三星电子)在上行周期中更强的议价能力[15][26][27] * 看好模块制造商(如群联电子、江波龙),因供应商将产能转向eSSD将导致非AI应用供应紧张[15][27] * 看好组件供应商(如慧荣科技、信骅),因其收入将随行业增长而增长[15][29] * 在晶圆厂设备(WFE)领域,对Lam Research持谨慎态度,因NAND资本支出展望保守且受中国限制措施影响,但看好爱德万测试和迪思科因其在高速闪存测试和HBM研磨机市场的地位[15][35][53] * 继续超配HDD供应商西部数据和希捷科技,因AI产生的数据丰富文件将为HDD和eSSD带来“水涨船高”的顺风[15][35][55] * 报告中对关键超配(OW)股票的2026年每股收益(EPS)预测比市场共识平均高出26%,表明其对AI NAND长期增长故事持更乐观的看法[15][30] 其他重要内容 **区域视角** * **美国**:将SanDisk列为首选股,目标价从70美元上调至96美元,因其在eSSD领域的机遇和AI对估值倍数的潜在提升[12][41][48] * **大中华区**:超配模块制造商群联电子和江波龙,看好其受益于NAND价格顺风和AI需求;超配慧荣科技和信骅,看好其组件需求增长[15][57][60] * **日本**:重申对KIOXIA的超配评级,目标价从2900日元上调至3900日元,反映其eSSD需求扩张;看好爱德万测试和迪思科在高速闪存市场的机遇[15][64][65] * **韩国**:三星电子仍是首选股,SK海力士通过Solidigm成为NAND上行周期的主要受益者;Fadu为投资者提供了参与NAND市场复苏和AI主题的独特机会[72][78] **风险与挑战** * AI基础设施的部署方式在CSPs中尚未标准化,且基础模型的变更不可预测,这可能对长期趋势分析构成挑战[92][137] * 若宏观经济因素或公司决策导致整体AI基础设施部署暂停,将对分析构成下行风险[138] * 苹果公司因关税担忧在2025年提前建立库存,以及2025年第二季度NAND行业出货量同比增长17%,可能引发2026年初的另一场温和库存调整[47]
HBM,挑战加倍
36氪· 2025-08-19 10:59
HBM技术概述 - 高带宽内存(HBM)采用独特的3D堆叠结构,通过先进封装技术将多个DRAM芯片垂直堆叠(通常为4层、8层或12层),带宽远高于GDDR等传统内存解决方案[1] - HBM具备高带宽和低延迟特性,已成为AI大模型训练与推理的关键组件,在AI芯片中扮演"L4缓存"角色,显著提升数据读写效率并缓解内存带宽瓶颈[2] HBM技术演进 - HBM1于2014年发布,带宽128GB/s,存储密度1GB内存[2] - HBM2于2016年由三星率先发布,带宽提升至256GB/s,堆叠层数发展到4层和8层[2] - HBM2E于2019年由三星率先发布,SK海力士产品带宽达460GB/s[2] - HBM3于2022年由SK海力士发布,带宽819GB/s,堆叠层数达12层,容量提升到24GB[2] - HBM3E于2024年由SK海力士量产,带宽1229GB/s,容量达24GB或36GB[2] - 所有HBM代际均保持1024位接口宽度[2] SK海力士市场表现 - SK海力士在HBM领域市场份额显著领先,与三星的份额差距已扩大至两倍以上[3] - 2024年第二季度,SK海力士以约21.8万亿韩元的DRAM及NAND销售额首次超越三星电子(约21.2万亿韩元),登顶全球存储销售额榜首[3] - SK海力士是英伟达的主要独家供应商,其HBM3E产品2025年的8层及12层产能已全部售罄[3] - 截至2024年第一季度,SK海力士在HBM市场份额达53%,三星电子占比38%,美光科技占10%[17] 三星电子市场状况 - 三星电子因向英伟达交付延迟错失良机,在HBM3E领域大幅落后于SK海力士[4] - 三星HBM市场份额从2023年第二季度的41%暴跌至2024年第二季度的17%[4] - 三星计划2025年将HBM供应量提升至2024年的两倍[17] HBM替代方案开发 - 行业厂商加速技术创新,探索HBM替代方案[5] - 三星电子重启Z-NAND内存技术,目标将性能提升至传统NAND闪存的15倍,功耗降低多达80%[6] - 新一代Z-NAND将搭载GPU发起的直接存储访问(GIDS)技术,允许GPU直接从存储器获取数据[6] - NEO Semiconductor推出X-HBM架构,基于3D X-DRAM技术,带宽达到现有内存技术的16倍,密度为现有技术的10倍[10] - X-HBM具备32K位总线和每芯片512Gbit容量,可绕过传统HBM技术需耗时十年才能突破的性能瓶颈[10] - Saimemory研发全新堆叠式DRAM架构,目标容量较传统DRAM提升至少一倍,功耗较HBM降低40%-50%[11] - 闪迪与SK海力士联合制定高带宽闪存(HBF)规范,计划2026年下半年推出首批样品[12] - HBF通过用NAND闪存替代部分内存堆栈,在成本与带宽接近DRAM型HBM基础上,将容量提升至后者的8-16倍[13] 架构创新 - 存算一体架构(PIM/CIM)在存储器本体或邻近位置集成计算功能,规避传统架构中"计算-存储-数据搬运"的瓶颈[15] - 该架构能缩短系统响应时间,使能效比实现数量级提升,有望将对高带宽内存的依赖度降低一个数量级[15] - 华为发布UCM推理加速套件,融合多种缓存加速算法工具,可减少对HBM的依赖同时提升推理性能[16] 市场现状与趋势 - 2025年初HBM3芯片现货价格较2024年初暴涨300%[17] - 单台AI服务器的DRAM用量达到传统服务器的8倍[17] - 美光科技目标2025年将HBM市占率提升至20%以上[17] - 未来AI内存市场将呈现异构多元的层级体系,各类技术针对特定工作负载实现精准优化[18] - HBM聚焦训练场景,PIM内存服务于高能效推理,专用片上内存架构适配超低延迟应用[18] - 新型堆叠DRAM与光子互连等技术也将在系统中占据一席之地[18]
NAND新出路是什么?
半导体芯闻· 2025-03-03 10:17
NAND在AI热潮中的角色 - NAND在AI计算中的需求远低于DRAM,主要因为AI大模型训练需要超高带宽和低延迟存储,而NAND带宽仅7~14GB/s,延迟高达几十微秒,无法满足核心需求[1] - AI芯片通常直接封装HBM,NAND仅是AI服务器的二级存储,导致DRAM成为刚需而NAND仅是附属需求,利润差距显著[1] - 在训练端NAND主要用于存储数据而非计算加速,一旦数据加载到GPU DRAM后作用大幅降低[2] - 推理端对NAND需求更小,大部分模型参数已存入HBM或DRAM,NAND只存放预处理数据[2] NAND市场现状 - 2024年Q1全球智能手机出货量同比增长8.2%,中国市场256GB以上大容量机型占比提升至67%[6] - AI服务器建设推动企业级SSD需求激增,单季度采购量环比增长32%,北美三大云服务商订单占全球58%[6] - 厂商减产策略见效,NAND Flash合约价Q1环比涨17%,1TB TLC SSD批发价突破45美元,较2023年Q4低谷回升23%[6] - 2024年Q2全球NAND闪存销售额增长14.2%达167.97亿美元,ASP上涨约15%[8][9] - 企业级SSD合约价在2023年Q4至2024年Q3间累积涨幅超80%[7] 技术发展与创新 - SanDisk推出高带宽闪存(HBF)技术,可为GPU提供高达4TB VRAM容量,目标匹配HBM带宽同时提供8-16倍容量[15] - HBF采用16颗核心芯片堆叠,通过硅通孔互连和逻辑芯片实现并行访问,基于BICS 3D NAND架构[15][16] - 八个HBF堆叠单元提供4TB容量,单个16层单元存储512GB,是8-Hi HBM3E容量的21倍[18] - 三星推出30TB QLC SSD和PM9C3a企业级SSD,采用176层堆叠和PCIe 5.0接口,读取带宽达14GB/s[10][22] - 长江存储232层产品良率达85%,加剧中低端市场竞争[10] 市场分化与挑战 - AI数据中心市场与企业级SSD需求强劲,2024年采购容量超45EB,未来几年年增率超60%,占比将从5%升至9%[7][10] - 消费电子市场疲软,618大促SSD零售量同比下滑12%,512GB TLC SSD现货价单周暴跌9%[9] - 智能手机存储容量升级进入平台期,主流机型定格512GB,需求增速放缓至个位数[10] - 厂商库存压力大,渠道库存达6-8周(较健康水平高40%),美光Q2库存周转天数维持98天[9] 行业策略与展望 - 厂商实施精准减产策略,全球NAND晶圆投产规模缩减10%-15%,推动供需向紧平衡过渡[23] - SK海力士企业级SSD出货占比提升至40%,与AWS合作开发的分层存储系统使AI训练数据集加载效率提升70%[23] - 铠侠优化数据中心产品组合,2024年Q2企业级SSD营收环比激增27.7%[24] - 三星在AI服务器市场斩获60%份额,巩固62亿美元季度营收龙头地位[24] - QLC技术存储密度比TLC高33%,在企业级应用擦写次数突破5000次,可靠性疑虑消除[10][22]
NAND,也要迎来HBM时刻?
半导体行业观察· 2025-03-01 00:57
NAND市场现状与AI机遇 - NAND在AI计算中的角色远不如DRAM重要,主要因为带宽和延迟无法满足AI核心需求(DRAM带宽达1TB/s,NAND仅7-14GB/s)[1] - AI训练阶段NAND仅用于存储初始数据集,推理阶段需求更小,模型参数主要存储在HBM或DRAM中[2] - NAND市场面临产能过剩和激烈竞争,AI数据中心仍采用HDD+SSD混合架构,未完全转向SSD[3] 2024年NAND市场动态 - 2024年Q1智能手机出货量同比增长8.2%,中国市场256GB以上机型占比达67%[5] - AI服务器推动企业级SSD需求激增,单季度采购量环比增长32%,北美三大云服务商占全球订单58%[5] - 厂商减产策略见效,NAND Flash合约价Q1环比涨17%,1TB TLC SSD批发价回升23%至45美元[5] - 2024年Q2全球NAND销售额增长14.2%至167.97亿美元,ASP上涨约15%[7][8] - AI相关SSD采购容量预计超45EB,未来几年年增率超60%,占NAND Flash比例从5%升至9%[6] 技术发展与市场分化 - 企业级SSD需求强劲,30TB以上产品占比突破25%,QLC擦写次数达5000次可靠性提升[9] - 消费电子市场疲软,618大促SSD零售量同比下滑12%,512GB TLC SSD现货价单周暴跌9%[8] - 三星推出30TB PM9C3a企业级SSD,采用176层堆叠和PCIe 5.0接口,读取带宽14GB/s[21] - 厂商加速制程升级,计划2025年量产2YY/3XX层产品,目标量产120TB enterprise SSD[6] HBF技术的突破 - SanDisk推出高带宽闪存(HBF)技术,首代可提供4TB VRAM容量,带宽目标匹配HBM[13][14] - HBF采用16颗3D NAND核心芯片堆叠,通过TSV互连和逻辑芯片实现并行访问[15][16] - HBF定位AI推理市场,成本相近下容量是HBM的8-16倍,但延迟仍高于DRAM[17] - 技术采用与HBM类似的电气接口,需主机设备协议调整支持,计划发展为开放标准[18] 行业战略调整 - 厂商实施精准减产:美光缩减20%消费级产能,铠侠削减15%晶圆投入,西部数据稼动率降至70%[22] - SK海力士企业级SSD占比提升至40%,与AWS合作系统使AI训练数据加载效率提升70%[22] - 三星在AI服务器市场占据60%份额,2024年Q2企业级SSD营收环比增长14.8%[22][23] - 铠侠2024年Q2企业级SSD营收环比激增27.7%,优化数据中心产品组合见效[23]