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台积电2nm,疯狂扩产
半导体芯闻· 2025-12-02 10:18
台积电2纳米工艺产能规划 - 预计到2027年2纳米工艺将成为先进晶圆代工主流工艺,台积电正加速扩大产能以巩固市场主导地位[1] - 台积电计划到2027年将2纳米晶圆月产能提升至约15万片,使其与明年3纳米工艺月产能(16万至17万片)水平相近[1] - 目前2纳米晶圆月产能约为4万片,计划明年提升至8万至9万片[1] - 瑞银证券预测2纳米工艺在台积电销售额中占比明年将低于10%,到2027年将扩大至15-20%[1] 台积电市场地位与投资 - 台积电几乎垄断先进半导体生产,包括苹果、高通、英伟达、谷歌和AMD等公司的芯片[2] - 2023年第二季度台积电在晶圆代工市场份额高达70.2%[2] - 公司计划在台湾新建三座2纳米制程工厂,总投资额约9000亿新台币(约合4.21万亿韩元)[2] - 2纳米制程生产基地预计将从目前的七个扩展到十个[2] 竞争对手动态 - 三星电子正加紧生产以追赶台积电,其2纳米工艺产能预计明年将达到21000片晶圆,是去年约8000片产能的两倍多[3] - 三星电子通过2纳米工艺大规模生产其系统LSI部门的Exynos等产品,并取得了以先进工艺为中心的创纪录订单量[3] - 英特尔位于美国亚利桑那州的Fab 52工厂将正式投产18A(1.8纳米级)工艺,用于生产下一代CPU和服务器半导体,产品计划于明年发布[3]
定档12月6日!集成电路产业人才论坛报名开启!
半导体芯闻· 2025-12-02 10:18
论坛基本信息 - 论坛全称为“2025浦东国际人才港论坛 · 集成电路产业人才论坛” [3] - 举办时间为2025年12月6日13:30-16:00,地点为上海张江科学会堂 [4] - 论坛由上海市浦东新区人才工作局指导,上海张江高科技园区开发股份有限公司主办 [13][14] 论坛核心议题与议程 - 关注集成电路产业人才吸引与发展的新动向,呈现技术成果落地应用的典范实例 [5] - 论坛议程包括人才政策宣介、多场主题演讲及圆桌讨论 [9][10][11][12] - 主题演讲涵盖AI时代集成电路材料发展、创新人才培养、光计算赋能AI计算范式、国产车规芯片发展等前沿话题 [10][11] - 圆桌论坛主题为“后摩尔时代集成电路产业的人才突围战”,汇集产业、学术与研究领域领军人物进行深入探讨 [6][12] - 将发布集成电路领域人才发展研究报告,进行专业剖析与数据解构 [7] 论坛特色环节 - 特设企业专项展区,聚焦“芯”生态,重点呈现领先企业在人才孵化与技术突破方面的成果 [8] - 论坛将分享集成电路产业人才数据趋势 [11]
美国投资了一家EUV光刻机公司
半导体芯闻· 2025-12-02 10:18
文章核心观点 - 特朗普政府依据《芯片与科学法案》,初步同意向半导体初创公司xLight注资高达1.5亿美元,以支持其开发更先进的极紫外光刻技术,这是美国政府加强国内先进半导体制造业战略的最新举措 [1][2][4] 政府资助与协议 - 美国商务部将向xLight公司提供激励措施,作为回报,美国政府将获得xLight的股权,并很可能成为其最大股东 [1] - 此笔1.5亿美元的交易使用了2022年《芯片与科学法案》的资金,专门用于扶持具有前景技术的早期创业公司,这是特朗普总统第二任期内首笔该法案拨款 [2] - 目前仅为初步协议,尚未最终敲定,仍有可能发生变化 [2] xLight公司技术与目标 - xLight致力于改进极紫外光刻技术中的关键环节——用于蚀刻硅片图案的激光器,并希望将其光源集成到ASML的设备中 [1] - 公司计划建造由粒子加速器驱动的大型“自由电子激光器”,尺寸约为100米乘50米,作为公用事业规模的解决方案安装在晶圆厂外 [2] - 公司激光器瞄准的波长可低至2纳米,比ASML目前最先进的13.5纳米波长更为精确,有助于刻蚀更小的微观线条 [3] - 新技术目标是将晶圆加工效率提高30%至40%,且激光器能耗比目前光源低得多 [3] - 1.5亿美元的投资将帮助xLight实现其在2028年生产出首批硅晶圆的目标 [2] 行业背景与影响 - 荷兰公司ASML是目前全球唯一的EUV光刻机生产商,每台设备造价高达数亿美元 [1] - 如果xLight成功,将有助于半导体行业继续沿着摩尔定律(晶体管数量每两年翻一番)的轨迹发展,提高现有EUV光刻技术的经济性,并为未来技术奠定基础 [3][4] - 此举凸显了特朗普政府内部对加强美国先进半导体制造业的想法日益增长的热情 [4] 公司管理层与融资 - xLight的执行董事会主席是前英特尔首席执行官帕特·盖尔辛格,他于去年年底被英特尔解雇 [1] - 公司首席执行官是尼古拉斯·凯莱兹,曾任职于量子计算公司和政府研究实验室 [3] - 今年夏天,xLight从包括Playground Global在内的投资者那里筹集了4000万美元,盖尔辛格目前是该风投公司的普通合伙人 [3] 相关动态与背景 - 10月份,由彼得·蒂尔支持的半导体制造初创公司Substrate宣布已筹集1亿美元,用于在美国开发包含EUV光刻机的芯片制造厂 [4] - 美国商务部一直在敦促台积电等芯片制造商扩大在美投资 [4] - 盖尔辛格曾向商务部长霍华德·卢特尼克推介xLight,称其可帮助实现将更多芯片制造工艺带回美国的目标 [4]
DDR已被HBM超越
半导体芯闻· 2025-12-02 10:18
AI投资驱动半导体需求 - 全球IT巨头持续投资人工智能并大量收购DRAM和闪存等半导体产品[1] - 内存价格上涨的主要驱动力来自人工智能相关企业[1] - 各大公司计划在未来三年内每年将产能和处理能力翻一番[1] 存储芯片供应格局变化 - 主要供应商正集中精力生产高带宽内存(HBM)等高附加值产品[1][2] - 三星电子、SK海力士和美光等主要DRAM供应商已通知PC制造商停止生产DDR4产品[1] - 存储器制造商专注于HBM等有明确需求来源且价格昂贵的产品,而非现有存储器[2] PC内存价格剧烈波动 - 自10月开始,个人电脑内存产品价格每十天就翻一番[1] - 内存供应价格自10月份开始上涨,导致PC制造商销售成本大幅增加[1] - 即使按上涨后的价格下单,PC制造商也可能只能收到大约一半的订单数量[1] PC制造商面临经营压力 - 10月之后生产的PC产品在生产阶段就已处于亏损状态[2] - 大型PC制造商因未将内存和固态硬盘成本上涨反映到产品价格而遭受损失[1] - 生产成本增加几十美元,而PC制造商对1美分的成本增加都非常敏感[2] 行业应对策略与影响 - PC制造商计划将明年发布的新产品价格比今年至少上涨20%[1][2] - 考虑引入中国产的DDR5内存,但目前生产的产品还不能立即投入使用[2] - PC分销模式将发生变化,2028年前不太可能出现以折扣价销售库存的情况[3] 市场前景预测 - 全球市场研究公司已下调明年个人电脑出货量预测[2] - 由于内存供应受限,PC出货量可能会进一步下降[2] - 内存供应减少可能导致个人电脑产量下降甚至完全停产[2]
人工智能时代,EDA巨变
半导体芯闻· 2025-12-02 10:18
文章核心观点 - AI正在引领第四代工业革命,底层AI算力是决定其走势的关键,这推动了芯片设计范式从传统SoC向Chiplet模式转变,并促使EDA工具从芯片层走向系统层,实现全流程协同[2] - 面对AI时代芯片设计的复杂挑战,芯和半导体提出并执行“为AI而生”的战略,通过“EDA FOR AI”和“AI+EDA”双线并进的策略,利用AI技术赋能芯片设计全流程,以提升设计效率并应对系统级挑战[9] 芯片设计范式转变 - 半导体产业正经历“合久必分、分久必合”的演进,传统SoC因逼近2nm制程而面临面积、良率、功耗与成本问题,且融合多种工艺日益困难[5] - AI对更强算力的需求使得Chiplet模式成为自然选择,通过将不同功能模块拆分为“芯粒”并用先进封装集成,可提升良率、灵活性并实现多工艺异构集成[5] - 从SoC转向CoWoS,带宽可提升4~8倍,进一步走向SoW(System on Wafer),规模提升可达40倍,先进封装对系统性能的影响已不亚于制程节点[6] - Chiplet与HBM、硅光、供电模块的系统级融合将成为算力升级的核心引擎,未来封装的重要性甚至可能超过晶圆制造[6] - Chiplet模式及向集群扩展的需求,使芯片设计需额外考虑供电、散热、互联等问题,设计难度急剧增加[6] EDA行业的演进与挑战 - AI时代,AI大数据芯片的设计需涉及Scale up、Scale out、Scale cross且无中心化,芯片设计团队需从过去仅对接Foundry工艺,转变为同时考虑封装、材料、散热、供电、互联、系统架构[7] - Chiplet是一整套系统协同工程,EDA必须从芯片层走向系统层,打通IP、封装、板级、整机,实现真正的全流程协同[7] - AI正牵引集成电路行业迈入STCO(System Technology Co-Optimization)时代[7] 芯和半导体的战略与解决方案 - 公司战略定位为“为AI而生”,执行“EDA FOR AI”和“AI+EDA”双线并进策略[9] - “EDA FOR AI”:凭借在Chiplet、封装与系统领域的技术积淀及多物理场仿真分析优势,公司在“从芯片到系统全栈EDA”领域建立先发优势,全方位支撑AI算力芯片及集群的扩展[9] - “AI+EDA”:首次在EDA中加入“XAI智能辅助设计”核心底座,从建模、设计、仿真、优化等多方面赋能,推动EDA从传统“规则驱动设计”演进为“数据驱动设计”[9] - 公司展示三大核心平台:Chiplet先进封装设计平台、封装/PCB全流程设计平台及集成系统仿真平台,以应对从芯片级、节点级到集群级的算力、存储、供电和散热挑战[10] - 公司通过六大行业解决方案实现全方位部署和落地:Chiplet先进封装解决方案、射频解决方案、存储解决方案、功率解决方案、数据中心解决方案、智能终端解决方案[10] AI赋能EDA的具体应用 - **设计建模**:将神经网络和生成对抗网络等AI算法融合多物理场仿真工具,实现常用器件快速、准确的建模、校准和验证,覆盖芯片先进工艺、封装与PCB板材、器件模块及接口与互连,借助AI模型预测可提升仿真效率和精度并保护知识产权[10][11] - **仿真预测**:基于自研“场-路-热-应力-流体”多物理场仿真引擎打造“仿真预测智能体”,覆盖从芯片到集成系统的设计全流程,能快速预测电流、电压、温升、电场等关键性能指标,实现“设计即所得”,缩短设计到量产周期[11] - **设计优化**:具备大规模参数空间探索能力,帮助设计师在多设计变量组合中快速找到最优解,推进异构集成系统设计从“规则驱动”向“数据智能驱动”转型[11] - AI+EDA工具通过与合作伙伴在具体场景中的协作,能不断学习、迭代,从“被动工具”向“主动协同者”直至“真正的劳动力”进化[12] - 公司认为人工智能的下一步将是物理AI时代,“多物理仿真引擎技术”潜力巨大,其AI驱动的解决方案将在此阶段迸发更大动能[12]
这颗不被看好的芯片,终于翻身?
半导体芯闻· 2025-12-01 10:29
文章核心观点 谷歌TPU经过十年迭代,已从解决内部算力危机的自研项目,发展为在性能上可与英伟达GPU正面竞争的战略级产品,并开始积极推动商业化,可能动摇英伟达在AI算力市场的霸权地位 [1][27] TPU的发展背景与初衷 - 2013年,谷歌面临算力危机,预测若1亿安卓用户每天进行3分钟语音识别,所需算力将是其数据中心总算力的两倍 [2] - 为避免依赖单一供应商(英伟达)并追求更高效率,谷歌决定自研深度学习专用ASIC芯片,目标是在推理上实现相比GPU 10倍的成本性能优势 [2] - 项目仅用15个月就完成从立项到大规模部署,2015年推出的第一代TPU(28nm制程)带来了15-30倍的性能提升和30-80倍的能效提升 [3] TPU的核心技术创新与早期争议 - 核心架构采用“脉动阵列”,由65536个乘法单元构成256×256网格,并采用“提前编译”策略,减少内存访问并降低能耗 [5] - 早期备受业界质疑,英伟达曾公布基准测试,称其Pascal P40 GPU在GoogLeNet推理上的性能是TPU的两倍(56万次/秒 vs 28万次/秒),并质疑TPU的单位性能成本 [6] - 谷歌的应对策略是聚焦于特定工作负载下的总拥有成本(TCO)和战略主动权,而非单卡峰值性能 [7] - TPU最终生产超过10万颗,并在AlphaGo等关键应用中证明价值,仅用48个TPU就战胜了使用1202个CPU和176个GPU的版本 [7] TPU的迭代历程与关键突破 - **TPU v2 (2017)**: 从专用推理转向训练,定义了bfloat16数值格式,片上内存16GB,带宽600GB/s,采用“2D环形互连”,v2 Pod峰值算力达11.5 PetaFLOPS [9][10] - **TPU v3 (2018)**: 性能翻倍,单芯片功耗达450W,推动全面转向液冷散热,为超大规模集群奠定物理基础 [11] - **TPU v4 (2022)**: 引入OCS光电路交换技术,实现动态可编程互连,单集群规模达4096颗芯片,采用7nm工艺 [12][13] - **TPU v5p (2023)**: 定位转向训练与推理双强,集群规模达8960颗芯片,互连带宽翻倍至1200GB/s,使用800G光模块 [14] - **TPU v6 (2024)**: 专为推理优化,采用FP8格式,片上SRAM翻倍,能效比上一代提升67% [15] - **TPU v7 Ironwood (2025)**: 单芯片FP8峰值算力达4614 TFLOPS,略高于英伟达B200的4500 TFLOPS,配备192GB HBM3e(带宽7.2TB/s),最高可组9216颗芯片集群,峰值算力达42.5 ExaFLOPS,是当前最大超级计算机的24倍以上 [1][16][18] TPU的商业化进展与市场影响 - 谷歌开始积极推动TPU商业化,与云服务商Fluidstack达成协议,并为其提供高达32亿美元的兜底担保 [20] - 向Meta、大型金融机构等推介在其自有数据中心部署TPU的方案,该业务可能为谷歌带来数十亿美元年收入,目标拿下英伟达10%的年营收盘子 [20] - 为简化客户使用,谷歌开发了“TPU command center”工具,并承诺客户可借助PyTorch生态与TPU交互 [20] - 野村证券预计,到2026年ASIC总出货量可能首次超过GPU,谷歌TPU 2025年预计出货250万片,2026年将超300万片 [21] - 相关消息导致英伟达股价波动,自10月底以来其市值已缩水超5万亿人民币 [22] - 谷歌自身仍同时支持两种芯片,2024年订购了约16.9万台英伟达Hopper架构GPU,同时内部已部署约150万颗TPU [22] 行业竞争格局与人才流动 - TPU的成功引发了激烈的人才争夺,其核心团队成为行业“黄埔军校” [24][26] - 2016年底,TPU核心十人团队中有八人离职创办Groq,其LPU芯片推理速度号称达英伟达GPU的10倍,成本仅1/10,并于2024年8月完成6.4亿美元融资,估值达28亿美元 [25] - OpenAI为推进自研芯片战略,大量挖角谷歌TPU团队,组建了以前谷歌高级工程总监Richard Ho为首的硬件团队,计划于2026年生产首个定制芯片 [25][26] - 亚马逊、微软、特斯拉等巨头以及Cerebras等初创公司也纷纷入局自研AI芯片,其团队中多有前TPU成员身影 [26] - 行业观点认为未来更可能呈现ASIC和GPU异构部署的格局,而非单一架构统治市场 [22] TPU成功带来的启示与行业展望 - 专用芯片(ASIC)在特定领域可实现比通用芯片高出数十倍的能效比 [27] - 软硬件协同是关键,谷歌的成功得益于TensorFlow、JAX等软件生态与海量内部场景的垂直整合 [27] - 算力竞争的本质是成本竞争,尤其在推理成本成为AI公司最大开支的当下 [27] - 生态系统仍是关键壁垒,未来的竞争是芯片性能与生态系统的综合较量 [27] - AI基础设施将转向“云+专用芯片+混合部署”的多样化形态,打破垄断并为产业带来新机遇 [28]
从EDA For AI,到EDA+AI,重构智能设计的未来
半导体芯闻· 2025-12-01 10:29
AI驱动算力范式演进 - AI技术从感知式、生成式、代理式向物理AI快速演进,每一步都伴随计算量的指数级增长和对算力更高维度需求[1] - 摩尔定律和登纳德缩放定律双双停滞,单纯依赖芯片工艺和单点架构优化已无法支持算力指数级提升[3] - 必须通过算力、互联、存储和封装等多维度系统层面协同创新,才能实现算力指数级增长[3] 系统级设计成为AI时代核心 - AI时代主角从"芯片"转向"系统",Scale up范式从单芯片转向以机柜为单位的整体性能跃迁[2] - 几十至上百个GPU、CPU、内存、存储等单元通过高速互联网络整合为深度耦合的"超级计算单元"[2] - 设计优化从晶体管与工艺协同扩展到系统架构整体联动,从DTCO升级为STCO[3] - 计算边界从芯片内部延伸至整个AI基础设施系统与互联网络中[2] EDA产业战略转型 - 三大EDA巨头通过收购加速系统设计转型,构建从芯片到系统的完整设计链路[4] - EDA工具需要从单芯片设计拓展至封装级协同优化,跨维度系统级设计能力成为必答题[3] - 产业链需要推进设计范式从DTCO升级为全链路STCO,实现"从芯片到系统"的能力跃迁[3] 芯和半导体战略布局 - 公司全面开启"为AI而生"战略,采取"EDA For AI"和"AI+EDA"双线并进策略[4] - 凭借Chiplet、先进封装与系统领域积淀,在"从芯片到系统全栈EDA"领域建立先发优势[4] - 展示三大核心平台:Chiplet先进封装设计平台、封装/PCB全流程设计平台及集成系统仿真平台[4] - 通过六大行业解决方案实现全方位部署和落地[5] AI与EDA深度融合 - AI既加速EDA生产力,又优化设计流程,既能赋能工程师,也能加快TTM[7] - 公司展示自主研发的"XAI智能辅助设计"核心底座,将四大智能体融入EDA流程[7] - 推动EDA从传统"规则驱动设计"演进为"数据驱动设计"[7] - 具备大规模参数空间探索能力,帮助设计师在多设计变量组合中快速找到最优解[7] 物理AI带来的新机遇 - 物理AI时代需要实现"感知-思考-决策-在物理世界中行动-再感知"的闭环[10] - 物理AI对延迟高度敏感,需要毫秒间做出本地化决策,需要严格功耗控制[10] - 物理AI设计复杂性来自其跨越多个物理系统的天然属性,本质上意味着系统智能[10] - 物理AI所孕育的广大市场将是兑现"多物理仿真引擎技术"潜力的更大舞台[10]
又一个半导体大厂,开建
半导体芯闻· 2025-12-01 10:29
公司战略与投资 - 默克电子在台湾南部高雄市投资5亿欧元(5.79亿美元)建设新化工厂,该工厂占地约15万平方米,是其半导体与电子业务全球最大的生产基地 [1] - 新工厂已开始资质认证程序,计划于2026年开始大规模生产,这是量产前的最后一步 [1] - 公司早在六七年前就采取了“本地化战略”,通过在客户附近建厂以更好地服务客户并增强跨区域供应链韧性 [1][2] 产品与技术 - 新工厂生产用于先进芯片制造的高精度层叠、蚀刻和图案化工艺所需的薄膜、配方材料和特种气体 [1] - 薄膜是实现原子级材料沉积或去除的关键材料,能够实现更多层、更高复杂性和新型芯片架构,对先进半导体至关重要 [1] - 芯片制造工艺步骤激增:14纳米芯片生产涉及约500个加工步骤,而尖端3纳米及更先进芯片则需要1000多个步骤,导致材料用量增加 [2] - 公司能够为掺杂、沉积、图案化、平坦化、清洗和蚀刻等不同芯片制造工艺提供多种材料 [2] - 材料的集成和定制在芯片制造中至关重要,因此材料制造商必须与客户在其工厂内开展紧密合作 [2] 市场与供应链影响 - 随着新工厂投入运营,公司预计可满足台湾当地约80%的薄膜材料需求,以及超过50%的总体材料需求 [1] - 新工厂投产将有助于将台湾本地的材料自给率从目前的50%以上继续提高,并且该厂址还将在满足亚太地区的需求方面发挥更大作用 [2] - 默克是所有主要芯片制造商(包括台积电、英特尔、美光、三星和SK海力士)的重要芯片和电子材料供应商 [2] - 台湾作为公司的重要基地,其客户始终走在新技术开发前沿,未来只会变得更加重要 [1] 运营与人力资源 - 目前默克在台湾雇佣了1200名员工 [3] - 新工厂投产将在第一阶段新增约150个工作岗位,随着工厂逐步扩大规模并全面投产,最终将创造约400个工作岗位 [3] - 将芯片材料工厂投入生产需进行严格的验证,以确保其质量能广泛应用于先进的半导体生产线 [2] 管理层与前景 - 默克电子业务首席执行官凯·贝克曼将于2026年5月起担任默克公司执行董事会主席兼首席执行官 [3] - 公司的材料在尖端芯片制造中发挥着越来越重要的作用 [3]
三星电机MLCC扩产
半导体芯闻· 2025-12-01 10:29
公司产能扩张计划 - 三星电机计划从明年初即2025年第一季度开始扩大其菲律宾子公司的多层陶瓷电容器(MLCC)量产生产线 [1] - 扩建菲律宾工厂旨在专门应对人工智能服务器领域快速增长的需求 [1] - 公司已于今年第四季度开始具体筹备工作包括建立设施投资合作伙伴网络实际投资预计最早于今年第一季度启动投资规模预计达数千亿韩元 [1] 产品与技术背景 - 多层陶瓷电容器(MLCC)是用于调节电路恒定电流并防止元件间电磁干扰的关键电子元件广泛应用于智能手机个人电脑服务器及汽车等行业 [1] - 人工智能服务器通常包含的MLCC数量约为标准服务器的十倍其紧凑尺寸和高容量带来显著附加值 [2] - 三星电机目前MLCC大规模生产主要在中国天津和菲律宾拉古纳的工厂进行韩国本土水原和釜山工厂专注于研发和原材料生产 [1] 市场需求与业务表现 - 受全球大型科技公司大力投资人工智能基础设施推动人工智能服务器对MLCC需求正迅速增长 [2] - 三星电机MLCC业务蓬勃发展旗下包括MLCC在内的元器件工厂开工率已从去年81%上升至今年第三季度99%基本达到满负荷运转 [2] 战略合作与官方支持 - 三星电机总裁张德铉本月初会见了菲律宾总统费迪南德·马科斯并签署了对菲律宾经济区管理局(PEZA)和MLCC的投资协议 [2] - 行业官员证实三星电机在菲律宾批量生产用于人工智能服务器的MLCC而在中国天津批量生产用于其他领域的MLCC [2]
存储芯片涨价,太猛了
半导体芯闻· 2025-12-01 10:29
记忆体价格飙涨对PC产业链的影响 - 核心观点:DDR5记忆体价格在数月内翻涨一至两倍,导致主机板销量大幅下滑,并可能进一步影响CPU销售,迫使产业链调整销售策略 [1] - 价格变动:DDR5记忆体价格在短短数月内翻涨一至两倍 [1] - 对主机板行业影响:华硕、微星和技嘉等台湾大型主机板制造商的各地区代理商,回报的主机板销量比去年同期下滑四至五成 [1] - 公司应对措施:主机板制造商已决定调降2025年11月和12月销售目标,并计划大幅调整未来销售策略,部分业者开始将DDR5 RAM套件与主机板搭售 [1] - 潜在连锁反应:DDR5记忆体价格上涨预料也会影响中央处理器销售,目前CPU销量也可能远低于去年同期水准 [1] NAND Flash市场供需与价格动态 - 核心观点:受AI应用与企业级SSD需求拉动,叠加原厂产能分配策略与旧制程产能收敛,NAND Flash wafer合约价在2025年11月全面大幅上涨,且涨势预计将持续 [2][3] - 整体价格走势:2025年11月主流NAND Flash wafer合约价全面大幅上涨,各类产品平均月涨幅可达20%至60%以上,涨势快速扩散至所有容量段 [2] - 具体产品价格表现:512Gb TLC价格月增超过65%,成为11月TLC系列产品涨幅之冠,1Tb TLC与1Tb QLC均价也大幅上涨,256Gb TLC价格持续显著成长 [2][3] - 驱动因素:需求端受AI应用与enterprise SSD订单强力拉动,供给端因原厂优先分配产能给高阶产品且旧制程产能快速收敛,导致wafer供应情况更加紧绷 [2] - 未来展望:由于原厂报价主导权强势,加上短期内wafer供应紧张的情况无法改善,预期12月合约价仍将维持涨势 [3]