产品发布与定位 - 中国GPU厂商象帝先在成都ICCAD Expo正式公开新一代伏羲A0显示卡，采用5纳米制程并搭载Imagination Technologies的DXD高效能GPU IP [1] - 产品主打光线追踪、超解析度与大型3D场景渲染能力 [1] - 伏羲架构下将推出A0与B0两款产品，A0主攻高端渲染与桌面级视觉运算，B0则导入GPU与NPU异构融合架构，面向端侧推理与AI PC市场 [1] 技术规格与性能 - 伏羲A0基于Imagination的DXD架构打造，整体效能相较前代提升超过一倍 [1] - 市场推测该GPU的FP32算力可达160TFLOPS，并配备12GB HBM2记忆体 [1] - 产品采用双槽双风扇设计，PCB预留四个DRAM焊接位置，具备不同容量配置弹性 [2] - 在游戏测试中以《黑神话：悟空》进行光追Demo，平均可维持约35 FPS [2] 供应链与合作 - 伏羲A0采用Imagination Technologies的DXD高效能GPU IP，该公司是英国知名GPU IP供应商，为全球行动与嵌入式市场提供绘图核心 [1] - DXD架构被定位为最接近桌机级需求的图形处理IP，具备新一代光追加速器与更高速的像素处理管线 [1] 产品开发进展 - 伏羲系列芯片目前已进入流片阶段，后续将进行完整板测与驱动整合 [2] - B0产品支援FP8精度格式，可负载包括DeepSeek R1 7B等主流模型 [1]

2025年11月韩国进出口贸易表现 - 2025年11月出口总额达610.4亿美元，较去年同期增长8.4%，创下11月出口额新高[1] - 尽管工作日较去年减少一天，但日均出口额增长13.3%，整体月度出口表现有所提升[1] - 11月进口额同比增长1.2%，达到513亿美元，贸易顺差为97.3亿美元，较上年同期增加41.7亿美元[2] - 2025年1月至11月累计出口额达6402亿美元，创三年新高，累计贸易顺差为660.7亿美元[1][2] 半导体行业出口表现 - 11月半导体出口总额达172.6亿美元，较去年同期大幅增长38.6%[1] - 增长得益于全球对数据中心高附加值存储器需求的增长，带动了出口量和单价双双提升[1] - 2025年1月至11月，半导体累计出口额达到1526亿美元，已超过去年同期创下的1419亿美元的年度最高纪录[1] 其他主要商品出口表现 - 在15项主要出口商品中，11月份有6项出口额增长[2] - 汽车出口增长13.7%，达到64.1亿美元[2] - 无线通信设备和二次电池的出口表现也分别增长1.6%和2.2%[2] - 由于全球供应过剩，石油产品和石化产品的出口额分别下滑190.3%和14.1%[2] 进口结构变化 - 11月能源进口额下降18.4%，至87.2亿美元[2] - 非能源进口额增长6.4%[2] 全年出口展望 - 自6月以来，韩国出口额已连续六个月同比增长[1] - 假设12月出口额与去年同期持平（613.59亿美元），2025年韩国出口额突破7000亿美元大关的目标有望实现[1]

文章核心观点 - AI大语言模型、云计算、自动驾驶等领域的爆发式增长，导致数据中心对高速数据传输的需求呈指数级攀升，传统架构难以承载，互联架构迎来根本性迭代[1] - AI数据中心是典型的"网络之网"，架构复杂度与传输需求发生质变，对数据传输提出"低功耗、低延迟、高密度"的刚性要求，当前最先进的数据中心正面临前所未有的互联带宽挑战[3] - 到2025年，千亿至万亿参数模型的训练将需要EB级数据处理能力，当前224Gbps互联方案在AI训练任务中的通信开销占比已超过70%，推理阶段更要求时延严格控制在数十毫秒内[3] - 实现每通道448Gbps成为满足下一代基础设施带宽、延迟和扩展性需求的关键一步，全球标准组织、科技巨头和产业链企业正积极投身于该技术的研发与标准化工作[3][4] 数据中心互联需求演变 - AI/ML数据中心前端由以太网交换机连接NIC与CPU，CPU通过低延迟的PCIe/类PCIe接口对接内部交换机，进一步关联搭载HBM的加速器集群；后端引入UEC/InfiniBand这类低延迟链路，串联起不同计算单元与后端交换机[3] - 行业需求持续升级，让数据传输的速率、延迟、功耗与密度门槛被推至前所未有的高度，现有400/800G互连的局限性日益凸显[3] - 数据互连速率从0.8Gbps演进至448Gbps，是持续二十余年的技术迭代与行业共识积累的结果，OIF自2000年以来始终引领下一代数据速率的研发方向[4][5] - 数据传输技术从早期Gbps级迭代至448G/lane，每几年速率翻倍，目前112/224Gbps技术已在超大规模数据中心、AI训练集群、自动驾驶等关键应用场景中得到广泛部署[7] 448Gbps技术路径与调制方案 - 为向448Gbps迈进，行业开始探索PAM6和PAM8等高阶调制格式，PAM6可在相同符号速率下比PAM4提升29%吞吐量，PAM8能实现50%的速率飞跃[10] - 随着行业将符号速率从100–120Gbaud推向150–240Gbaud，每通道448Gbps的原始传输速率已逐步可行[10] - OIF正在推进的CEI-224G系列项目为448Gbps技术奠定基础，针对芯片到光引擎、芯片到模块、背板连接等不同应用场景，CEI-224G-XSR/VSR/LR等子标准分别优化传输距离、功耗和成本[10] - OIF已在2024年8月启动CEI-448G框架项目，预计2026年将正式启动448G/lane标准项目，为未来3.2TbE、1.6TbE等新一代以太网速率提供物理层核心支撑，同时兼容800GbE、400GbE等传统速率[11] 行业组织动态与生态布局 - ODCC举办448G领域技术会议，汇聚腾讯、美团、华为、中兴等行业领军企业展开深度研讨，并于2025年9月发布《下一代智算DC高速互联448G/lane需求白皮书》[13][14] - OCP Global Summit 2025期间，AI光互联专题论坛聚集Google、Arista、博通、华为等产业链关键企业，探讨448G/Lane等技术标准最新进展[17] - Arista讨论下一代400G代际光学互连技术，阐述光侧接口需要PAM4调制达成较好OSNR，电侧接口需要优化PAM4 SerDes达成系统最优[19] - Google回顾AI/ML系统中TPU的技术发展，指出光学组件在TPU互联中有着无可替代的作用，光互联技术为TPU系统带来显著性能提升和扩展潜力[22] 产业链企业技术实践 - 华为在448G电互联核心技术研发上聚焦PAM4调制方案的延续与优化，通过无源信道技术创新和On-Demand MLSE算法优化系统均衡能力，并推出Liquid Cooling Optics液冷光模块应对50W/cm²热流密度挑战[13] - 英伟达在Rubin平台中将NVLink 6.0的SerDes速率提升至400G，以448G SerDes速率为技术底座推动连接器、线缆、PCB等核心组件规格升级，支撑Prefill-Decode分离式架构[24] - 博通深度参与CEI-448G框架制定，依托成熟224Gbps SerDes技术积累推进448G PHY原型研发，同时开发支持PAM4/PAM6调制格式的SerDes IP，并布局VCSEL NPO和硅光CPO两类解决方案[26][27] - 海信采用TFLN MZM方案推进研发，展示212.5G-Baud PAM4调制以及164G-Baud、176G-Baud PAM6调制的眼图、关键参数与仿真结果，证实该方案在400G/通道应用中的可行性[28] 技术挑战与解决方案 - 功率效率成为448Gbps时代核心考量，SerDes在交换芯片中的功耗占比预计超过40%，高密度集成带来的热流密度高达50W/cm²，传统风冷已无力应对[39] - 散热解决方案正经历革命性变革，Ciena开发的直接插拔液冷技术和华为的Liquid Cooling Optics方案代表行业从传统风冷向液冷转型的大趋势[39] - 调制方案选择凸显系统优化复杂性，电通道和光通道有不同优化目标：电域追求信号完整性和密度，光域侧重传输距离和功率效率，需要跨领域共识[40] - 是德科技推出的M8199B系列任意波形发生器通过频域交织技术将带宽扩展至120GHz以上，支持多种调制格式的448Gbps信号生成，在224Gbaud下仍能维持20.5dB的高信噪比[31]

核心观点 - 公司指控荷兰方面非法剥夺其对安世半导体的控制权，这是导致全球半导体供应链混乱的根源 [1][2] - 控制权争议是影响全球半导体供应链稳定的重大议题，解决该问题是恢复产业链稳定的关键 [7][13] - 公司敦促安世荷兰正视问题，立即就恢复其合法控制权进行专项磋商 [21][23] 控制权争议的根源与责任 - 中国商务部明确指出，全球半导体供应链混乱的源头和责任在荷兰方面 [2][3] - 荷兰经济部的不当干预以及安世荷兰的不当诉讼程序，非法剥夺了公司的控制权和股东权益 [2][3] - 公司已主动释放善意，并多次通过不同场合和途径表达沟通意愿，安世荷兰关于“未得到实质性回应”的说法与事实不符 [4][5][6] 争议对全球半导体供应链的影响 - 安世半导体是全球半导体供应链的关键节点，其产品深度融入新能源汽车、工业自动化、消费电子等多个关键环节 [7][8] - 控制权争议若得不到解决，将导致众多客户面临供应链断裂风险，车企生产计划可能被迫调整，工业生产的稳定性和连续性将受严重影响 [9][10] - 此事件可能波及数十万客户和几十个国家的产业链安全，绝非简单的企业控制权争议 [10][11] 公司的核心诉求与立场 - 公司的诉求是恢复本就属于其的合法控制权与完整股东权利，并非追求额外利益 [13][14] - 中国政府部门已明确支持公司立场，并指出剥夺控制权的裁决是解决问题的关键障碍 [15][16] - 推动问题解决的关键在于安世荷兰，其需立即就恢复公司合法控制权进行沟通 [15][16] 对安世荷兰的指控与敦促 - 公司指控安世荷兰始终回避核心问题，对其合法诉求不予回应，缺乏沟通诚意 [17][18] - 安世荷兰试图在不触及归还控制权的情况下讨论“公司治理”，其真实意图可能是构建“去中国化”供应链并永久剥夺公司股东权益 [19][20] - 公司敦促安世荷兰立即停止歪曲事实，回应合法诉求，并提出关于恢复控制权的建设性方案 [21][22][23] - 公司要求安世荷兰立即响应磋商请求，开启专项对话，以从根本上化解矛盾 [23][24]

半导体激光设备概述与分类 - 激光技术凭借高能量密度、非接触加工等优势，广泛应用于消费电子、汽车制造、新能源和半导体产业链 [2] - 半导体激光设备正加快迭代升级，从传统二极管泵浦向光纤耦合、超快激光技术发展，功率稳定性、加工精度和能耗表现显著提升 [2] - 国产厂商在技术突破和成本控制方面不断追赶，逐步缩小与国际领先企业的差距 [2] - 根据应用原理和工艺环节，半导体激光设备主要分为前道制程的激光退火、激光材料改性设备，以及后道和硅片制程的激光打标、激光划片、解键合和修边设备等 [2] 前道制程激光设备 - **激光退火设备**：用于修复离子注入造成的晶格损伤并激活杂质离子电活性，包括晶圆退火、金属薄膜退火和针对特定器件的局部退火 [3] - **激光材料改性设备**：利用高能量激光束改变材料表面组织或性能，包括激光诱导结晶设备和激光外延生长设备 [4] - 激光诱导结晶设备主要应用于128层以上3D NAND芯片制造中的特定区域结晶，以提升存储器特性 [4] - 激光外延生长设备主要用于DRAM芯片中非晶硅的缺陷消除及修复，避免杂质扩散影响晶体管或金属电极 [4] 后道及硅片制程激光设备 - **激光划片设备**：用于将晶圆上的芯片按预定划分线切割，应用于硅晶圆、蓝宝石、MEMS等材料的切割，切割质量与效率直接影响芯片封装质量和成本 [6] - **激光解键合设备**：在室温下进行低应力剥离工艺，分为临时解键合设备和晶圆解键合设备，后者可应用于3D堆叠领域如HBM、3D NAND等产品 [7] - **激光打标设备**：用于在硅片、晶圆或封装芯片表面打上标记以便追踪，根据精度分为晶圆激光打标设备和IC激光打标设备 [8] - **其他激光设备**：包括激光Trimming设备、激光去溢胶设备、激光打孔设备等，在半导体封测及先进封装领域有广泛应用 [9] 全球半导体市场情况 - 2024年全球半导体市场规模为6272亿美元，同比增长19.1%，AI算力需求和存储芯片价格回升是核心驱动因素 [13] - 全球GPU市场规模预计在2029年达到2700亿美元，是现有水平的4倍 [13] - 2025年全球半导体市场销售额预计将达到7280亿美元，同比增长11.2% [14] - 2025年全球半导体制造设备销售额预计同比增长7.4%至1255亿美元，2026年有望增长至1381亿美元 [15] - 晶圆厂设备领域预计2025年增长6.2%至1108亿美元，2026年进一步增长10.2%至1221亿美元 [19] - 半导体测试设备2025年销售额预计增长23.2%至创纪录的93亿美元，封装设备2025年预计增长7.7%至54亿美元 [19] 中国半导体市场情况 - 2024年中国半导体市场销售额达到1865亿美元，占全球市场31.9%，预计2025年增长11.4%至2078亿美元 [20] - 2025年中国半导体设备市场需求占全球需求约31%，继续保持全球最大半导体设备市场地位 [23] - 2025年中国半导体设备市场规模将有望达2899.3亿元 [23] - 中国大陆半导体前道设备市场2025年预计增长8.6%达2551.3亿元，2026年达2622.5亿元 [24][26] - 2025年中国封装设备市场预计上升7.4%，市场规模达173.96亿元 [28] - 中芯国际2024年资本开支达到73.3亿美元，并预计2025年基本持平，维持高位 [31] 中国半导体激光设备市场 - 随着碳化硅产能扩张和国内产线扩产，2024年和2025年中国半导体激光设备市场将保持较快增长 [40] - 前道激光设备细分市场包括硅基功率器件退火、化合物功率器件退火、LSA退火、DSA退火、NAND激光诱导结晶和DRAM缺陷修补设备 [41][42] - 具体市场规模数据：例如硅基功率器件退火设备2024年市场规模为1亿元，2025年预计为2.28亿元；前道退火设备-LSA 2024年市场规模为4.28亿元，2025年预计为9亿元 [41] - 先进封装占比中国为39%小于全球的48%，未来增长空间广阔，将带动激光划片、打标及解键合等设备需求 [48] 半导体激光设备竞争格局 - 全球晶圆制造环节的半导体激光设备主要被海外厂商垄断，前五企业市场占比近83.5% [52] - 激光退火和改性设备市场中国台湾占约30%份额，韩国占20%，中国占15% [52] - 后道和硅片环节设备国际三大龙头DISCO、EO Technics、ASMPT占据中国超五成市场，份额约53% [53] - 国内厂商在中国半导体激光设备市场份额占比不足15%，主要企业包括莱普科技、大族激光、德龙激光等 [53] 国内主要激光设备企业 - **莱普科技**：专注半导体前道和后道激光设备，激光热处理设备市场占有率达16%，在国产NAND激光诱导结晶和DRAM激光外延生长设备领域市占率超90% [54][55] - **华工激光**：2024年营收34亿元，产品覆盖晶圆切割、退火、开槽等全流程解决方案 [56] - **上海微电子**：IGBT激光退火设备已在市场中应用，在超薄硅片退火领域具备竞争力 [57] - **大族激光**：产品覆盖硅半导体、化合物半导体及泛半导体领域的晶圆制造、前道、封测道环节 [57] - **德龙激光**：2025年半年报显示半导体相关激光加工设备实现销售收入0.86亿元 [59] - **联动科技**：专注于后道封装测试领域，激光打标设备毛利率保持在50%以上 [60] 行业发展趋势 - 异构集成成为后摩尔时代主流发展方向，HBM堆叠、2.5D/3D封装及Chiplet等先进技术将推动高精度激光设备需求 [43] - 本土化产线发展为国产半导体激光设备提供导入机会，推动市场进一步扩大 [44] - 高端工艺发展推动激光工艺逐步替代传统热处理工艺，市场空间进一步打开 [45] - 量子计算等新应用领域对芯片精细度要求提高，激光退火在新领域的应用将驱动增长 [46][47] - 智能化、高端化、精细化是激光设备重要升级方向，未来本土化空间广阔 [62]

行业背景与趋势 - 人工智能产业蓬勃发展，英伟达市值达五万亿美元，AMD和博通等公司也表现强劲[3] - AI应用已从云端扩展至端侧，在手机、PC、汽车、机器人及物联网中无处不在[3] - 端侧AI市场技术方案多样，包括存内计算、3D DRAM和NPU等[6] 公司战略定位 - 安谋科技在ICCAD 2025宣布全新"AI Arm CHINA"策略，决定全力投入AI（All in AI）[3][6] - 公司定位为连接Arm全球生态与中国本土创新的桥梁，深耕中国市场[5][10] - 战略使命是打造坚实算力底座，加速中国智能计算产业跃迁[7][10] 技术基础与生态优势 - Arm架构是全球最强计算平台之一，基于Arm的芯片累计出货量超过3250亿颗[5] - Arm拥有超过2200万开发者的全球生态系统[5] - 在智能手机市场，Arm架构市占率高达99%，并在PC、智能汽车和数据中心市场不断增长[12] 核心产品与技术进展 - "周易"NPU平台是公司核心战略产品，目前已推出6代，提供从CNN到兼顾CNN及Transformer的模型支持[6] - 最新发布的"周易"X3 NPU IP采用全新DSP+DSA架构，从定点转向浮点计算，在Tensor计算和Vector可编程性方面全面优化[7] - 公司产品线还包括自研的"星辰"CPU、"山海"SPU和"玲珑"多媒体系列[7] - "星辰"STAR-MC3 CPU基于Arm v8.1-M架构，集成Helium技术，提升AI计算性能[8] 市场成果与客户基础 - 安谋科技在国内授权客户已超过440家，累计芯片出货量突破425亿颗[8] - 公司IP产品广泛应用于基础设施、智能汽车、移动终端、AIoT等领域[6][8] 未来布局与投资 - 公司在香港成立国际研发中心，聚焦AI、机器人等前沿领域，联合高校与生态伙伴探索下一代AI技术[8][9] - 安谋科技上海办公室将入驻西岸智塔AI Tower，融入中国AI产业集群[9] - 公司致力于为半导体芯片伙伴提供业界领先解决方案，推动产业链协同创新[8][9]

芯片安全行业趋势 - 芯片微架构层面的隐私与安全问题已成为硬件系统设计中的关键挑战 [1] - 信息安全面临越来越多的威胁 给硬件安全供应商提出更多需求 [1] - AI技术的发展让网络黑客攻击手段更丰富隐蔽 传统软件漏洞防护显得脆弱 [6] - 芯片硬件防护技术面临AI威胁 侧信道和故障注入攻击在AI技术加持下如虎添翼 [6] - 多元信息泄露攻击已开始从理论走向实际攻击应用 [6] 不同领域的安全挑战 - 物联网安全最大痛点是安全需求与低成本安全方案之间的矛盾 [5] - 物联网设备对成本功耗敏感 需要低成本轻量级安全方案 [5] - 物联网和车联网安全应用落地滞后 基本先建立系统再考虑嵌入安全 采取亡羊补牢策略 [5] - 云计算领域数据安全非常重要 GPU和TPU等芯片需要关注自身安全 需要安全信任根 [5] - 高速网络方面需要高速密码运算和安全的数据传输 [5] 安全解决方案建议 - 在GPU服务器CPU等大芯片应全面支持机密计算技术 建立硬件可信根 对大模型数据等核心资产做好机密性和完整性防护 [6] - 加速后量子算法的支持和迁移 [6] - 加速芯片防逆向技术的研究和应用 加强核心密钥的保护 [6] - 加速芯片安全检测技术的升级和标准化体系建设 [6] 纽创信安公司优势 - 公司团队有雄厚理论技术积累 对前端应用有深刻理解 形成独特技术优势和市场优势 [3] - 从成立之初就特别重视理论技术研究 有十几人的专门理论技术团队研究密码算法和硬件安全理论 [7] - 与国内顶尖科研院所建立良好合作关系 在重大问题上做联合技术攻关 [7] - 有独立密码应用事业部专门解决密码在产品端系统中应用的问题 形成理论支撑与应用需求反馈的循环 [7] - 在产品定义和产品化方面获得国内外其他同行难以媲美的优势 [7] 纽创信安产品布局 - 针对物联网芯片安全需求推出轻量级IP TrustAnchor 支持安全启动密钥管理安全升级密码运算等功能 无需客户二次开发 [8] - 轻量级IP TrustAnchor今年已开始规模化应用 公司还在联合科研单位开发轻量级密码算法 [8] - 在云服务器CPU GPU等领域产品已量产 为国内GPU芯片厂商和服务器CPU芯片厂商提供安全方案 [8] - 目前国内头部GPU芯片厂商和服务器CPU芯片厂商的安全方案都由公司提供 [8] - 多核高速密码引擎支持多种国际和国密算法 支持多任务并行处理 通过卸载密码运算任务释放CPU资源 提升系统数据处理吞吐率 [8] - 硬件安全模块eHSM为芯片和系统提供高安全级别硬件信任根 支持安全启动密钥管理身份认证安全升级等功能 [8] - 高速传输密码处理器为数据传输提供高速数据加解密运算硬件引擎 支持MACsec IPsec SSL等多种网络传输协议以及PCIe DDR等高速数据传输接口 [8] - 在通信侧IP支持ZUC Snow3g等流密码加解密算法 [9] - IP产品覆盖云管端全部应用领域 通过密码安全IP与协议加速IP双轮驱动 在云计算领域实现高性能高灵活性高合规安全服务 在IoT领域实现轻量化低成本广覆盖安全解决方案 [9] 未来发展方向 - 最需要关注两个核心问题：应对量子计算机带来的威胁要加速后量子算法的迁移 应对AI带来的威胁要让防护面触达网络连接每一个节点并加速防逆向技术研发 [11] - 公司在前沿技术研究方面倚仗自有技术团队 并与清华大学等科研院所建立紧密合作关系 [11] - 产品方面采取销售一代研发一代预研一代的策略 [11] - 始终以市场为导向 从理论到产品层层递进 从产品销售反哺理论和技术研究 做到理论与产品之间的平衡 [11]

英飞凌汽车芯片市场领导地位 - 2024年公司在全球汽车芯片市场占有率达13.5%，排名第一 [1] - 汽车MCU市场份额为32%，车用功率器件市场份额为29.2%，车用Nor Flash IC领域全球登顶，均位居行业首位 [1] - 公司为汽车应用布局六大产品线，包括低压/高压功率器件、微控制器、模拟混合信号产品、传感器和存储器件，支持车身控制、车载娱乐、动力总成和自动驾驶等多个领域 [1] 英飞凌本土化战略举措 - 公司提出"在中国，为中国"战略，将关键车用半导体制程和技术纳入本土化计划 [3] - 本土化生产布局包括利用无锡自有后道工厂、深化与中国前后道生产伙伴合作、进行本土化产品定义 [3] - 到2027年，大中华区销售额中将有相当部分来自中国本土生产的产品贡献 [4] 本土化生产的具体产品规划 - 采用28nm工艺的AURIX™ TC4x系列微控制器将在中国本土生产 [4] - 高压功率器件方面，QDPAK封装产品和TO247封装的分立器件也被纳入本土生产范畴 [4] - 公司将把更多传感器产品放到中国生产 [4] 英飞凌的生态合作与收购 - 公司完成对Marvell汽车以太网业务的收购，结合自身微控制器产品打造更先进的汽车网络架构 [6] - 英飞凌连续22年开展大学计划，合作教授超过1000名，并连续多年支持大学生智能汽车竞赛 [19] - 公司在中国设立"创新应用中心"，与主流汽车OEM和Tier-1厂商联合建立类似联合实验室的运行方式 [19] 汽车MCU产品与技术演进 - 英飞凌汽车MCU产品包括基于Arm架构的PSOC™、TRAVEO™、MOTIX™和AURIX™系列 [9] - AURIX™ MCU自2012年面世以来累计出货超过10亿颗，拓展出TC2x、TC3x和TC4x三大产品线 [10] - 公司正在开发基于RISC-V架构的下一代MCU，其首个虚拟原型机已经就位 [12] 进军RISC-V架构的战略考量 - 选择RISC-V因其开源特性可加速硬件和芯片开发，精简指令集能为软件创新奠定基础 [12] - RISC-V具备模块化设计和可扩展性特点，能覆盖从低端到高端平台化设计需求 [12] - 公司致力于引领RISC-V成为汽车行业开放标准，并非替代现有架构而是横向扩展产品线 [13] 毫米波雷达技术发展 - 公司针对高阶智驾需求推出两种技术路线：八发八收边缘架构雷达方案和中央式雷达架构 [16] - 中央式架构中雷达原始数据直接发送到域控端，通过SoC算力做中央处理，显著提升性能 [20] - 引入AI处理让毫米波雷达性能得到进一步跃升，基于公司解决方案的技术路径将陆续实现量产 [16][17] 新兴业务布局与财务表现 - 公司布局eVTOL（飞行汽车）产品线，单台飞行汽车半导体用量价值接近5000欧元 [22] - 2025财年英飞凌全球总营收约为146.62亿欧元，其中大中华区贡献38%的份额 [24] - 2025财年汽车业务在公司总营收中占比为50%，截至2024财年全球累计交付超过94亿个汽车电子部件 [24]

文章核心观点 - 2nm制程是AI时代算力主权的关键门槛，全球正围绕其晶圆厂建设展开一场集技术、资本与地缘政治于一体的激烈竞赛 [1] - 竞赛主要参与者包括台积电、英特尔、三星和日本Rapidus，各方策略路径迥异，但目标均为争夺未来AI算力基础设施的主导权 [1][20][21] - 2nm产能扩张将直接利好半导体设备、材料及先进封装供应链，但高资本投入和潜在的需求波动也带来巨大风险 [24][22] 全球2nm晶圆厂建设竞赛 台积电的产能布局 - 在台湾本土的2nm工厂布局从七座升级为十座构想，包括新竹宝山2座、高雄楠梓5座、南科特定区3座，新增三座厂成本约9000亿新台币 [2] - 海外扩张同步加码，美国亚利桑那州项目投资总额提高至1650亿美元，包含三座晶圆厂、两座先进封装厂和一个大型研发中心 [2] - 2nm产能优先部署于台湾本岛，海外厂主要服务于政治和客户关系，技术重心仍在台湾的2nm/1.4nm集群 [3] - 公司计划在台中建设A14厂区（1.4nm），目标2028年量产，实现与2nm节点的无缝衔接 [3] 英特尔的技术与资本突围 - 18A工艺在晶体管密度、功耗和性能上可对标台积电N2，其缺陷密度在过去一年呈稳定下降趋势，预计2025年第四季度达到大规模量产良率门槛 [6][8] - 资本结构呈现“国家队”色彩，美国政府通过111亿美元补贴获得公司约9.9%股份，成为最大单一股东；英伟达以50亿美元认购普通股进行战略背书 [8] - 公司的挑战在于能否构建起接近台积电的完整代工生态，包括工艺、IP、封装和测试的协同体验 [9] 三星的良率提升与客户策略 - 2nm工艺良率已攀升至55–60%区间，计划将月产能从2024年的8000片晶圆提升至2025年底的21000片，增幅163% [11] - 关键突破是获得特斯拉价值165亿美元、为期8年的AI6芯片代工协议，计划在德州Taylor厂生产 [11] - 策略特点包括通过Exynos 2600、特斯拉及加密货币矿机芯片等“难啃客户”积累履历，并以利润承压换取产能爬坡，目标两年内使代工业务市占率达20% [12] 日本Rapidus的差异化路径 - 采用单晶圆处理技术路径，目标在2027财年下半年于北海道千岁工厂实现2nm量产，并计划在2027财年启动第二座工厂建设以生产1.4nm产品 [17][18] - 项目获得日本政府数千亿日元投资及贷款担保，第二座工厂总投资预计超过2万亿日元 [17] - 公司被视为日本重建本土先进制造能力的系统性工程，商业模式上前期聚焦AI数据中心定制芯片 [18] 2nm竞赛的驱动逻辑 - 技术经济逻辑：2nm是AI时代的“能源基础设施”，其更高的晶体管密度和更低功耗对提升AI算力能效至关重要 [20] - 资本产业链逻辑：单厂80-100亿美元的成本需依靠“政策+头部客户”捆绑模式，建厂已成为国家产业政策的执行工具 [21] - 地缘政治逻辑：各国政府将2nm产能视为未来AI算力话语权的关键，通过直接入股、补贴等方式深度介入 [21] 产业链影响与潜在风险 - 半导体设备商、材料耗材供应链及先进封装测试链将直接受益于2nm产能扩张 [24] - 主要风险包括AI需求是否可持续、地缘政治导致的产能过度集中、以及高端人才与供应链能否跟上快速扩张的步伐 [22]

公司组织架构调整 - 三星电子在设备解决方案部门内新成立存储器半导体开发事业部，负责监督包括DRAM和NAND闪存在内的存储半导体整体开发 [1] - 此前DRAM开发团队和闪存开发团队独立运营，新组织旨在整合运营以提升解决方案和封装能力 [1] - DRAM开发团队负责人黄相俊将领导该新组织 [1] 高带宽内存业务整合 - 高带宽内存开发团队并入DRAM开发团队下属的设计团队 [1] - 此次调整将HBM相关人员重新调至存储器开发部门，反映公司对HBM4等下一代产品技术实力充满信心 [2] - 原HBM开发团队负责人孙英洙被任命为设计团队负责人 [2] 数字孪生与人工智能工厂布局 - 全球制造基础设施事业部下新成立数字孪生中心，为建立半导体人工智能工厂做准备 [2] - 数字孪生技术可将现实世界物体、系统和流程映射到虚拟空间 [2] - 公司计划建设人工智能工厂，将AI应用于半导体设计和所有流程，并引进英伟达提供的5万个图形处理器 [2]