进一步增强大中华区管理团队，推进本地生态共赢发展 中国上海——2025年9月8日——恩智浦半导体近日宣布，任命胡煜华女士（Sandy Hu）为大中华 区销售与市场资深副总裁，向恩智浦执行副总裁、中国事业部总经理李晓鹤先生汇报。胡煜华女士 将全面负责大中华区的市场与销售工作，聚焦市场策略转型与生态合作的拓展，带领团队更精准地 洞察客户需求，加速本地协同创新步伐，为客户创造更大价值。 胡煜华女士在半导体行业拥有25年的丰富经验，职业生涯涵盖技术研发、销售与市场、全球运营 以及战略转型。在加入恩智浦之前，她曾历任汇顶科技总裁和德州仪器中国区总裁等要职。 李晓鹤先生表示： "非常高兴Sandy这样的杰出领导者加入恩智浦团队。Sandy不仅在销售和市场 领域拥有卓越的专业才能，还具备丰富的综合管理经验。她在跨国公司和中国领先企业深厚的实战 管理经验，使她具有敏锐的洞察力与全局视野。我相信Sandy的加入将进一步赋能中国事业部高效 整合全球资源与本地敏捷性，助力公司实现战略增长目标，并推进我们'在中国，为中国'以及'在 中国，为全球'的发展承诺。" 胡煜华女士表示： "恩智浦是一家享有盛誉的半导体公司，拥有全球领先的技术 ...

公司概况 - 公司是一家专注于系统级芯片（SoC）的集成电路设计企业 主要面向蓝牙音视频、智能穿戴、智能物联终端等领域 为全球市场提供高规格、高灵活性与高集成度的芯片产品 [1] 研发实力与荣誉 - 公司是国家级"制造业单项冠军"企业 设有"广东省射频智能企业重点实验室"和"国家级博士后科研工作站分站" 曾获得"广东专利优秀奖" [3] - 截至2024年末 公司拥有授权发明专利348项（含6项境外发明专利） 集成电路布图设计64项以及软件著作权179项 知识产权成果在同行业公司中排名领先 [3] 市场地位与竞争力 - 根据潮电智库测评 2025年全球TWS耳机主控芯片厂商综合竞争力排名中 公司以27%的市场份额位列全球第三、中国第一 [4][6][8] - 在TWS耳机蓝牙主控芯片领域 公司综合竞争力位列国内厂商第一 与高通综合评分相当 [8] - 公司产品已导入众多头部品牌供应池 包括中高端市场及小天才、华为、小米等智能手表品牌终端厂商 [7][8] 技术布局与发展方向 - 公司致力于成为融合射频、音频、视频、信息采集与处理等技术的平台型芯片设计企业 [10] - 公司在智能手表、智能戒指、AI眼镜等多个新领域市场深耕发展 [8] - 随着物联网、人工智能技术普及和无线传输技术迭代 下游市场扩张为SoC芯片行业带来发展机遇和增长潜力 [10]

公司动态 - 长江存储于2024年9月5日成立新子公司长存三期（武汉）集成电路有限责任公司 注册资本达207.2亿元人民币[1] - 新公司经营范围涵盖集成电路制造、销售、设计及芯片产品销售等业务[1] - 股权结构由长江存储科技有限责任公司与湖北国资旗下企业湖北长晟三期投资发展有限责任公司共同持股[1] 公司背景 - 长江存储成立于2016年7月 专注于3D NAND闪存及存储器解决方案[4] - 产品线包括3D NAND闪存、嵌入式存储、移动硬盘、固态硬盘及零售品牌致态[4] - 2020年4月成功研发第三代TLC/QLC产品 其中X2-6070型号QLC闪存具备当时业界最高I/O速度、存储密度和单颗容量[4]

公司声明与项目进展 - 公司针对自媒体不实报道发布声明 否认宁波12英寸集成电路芯片生产线项目存在异常 [1] - 杨士宁博士自2024年7月起担任技术专家委员会主席 负责技术指导工作 [1] - 宁波项目按原定计划正常推进 生产经营活动保持有序状态 [1][2] 公司背景与战略规划 - 公司成立于2021年4月 总部位于浙江宁波 由国有基金及美团、腾讯、韦尔股份、华勤技术、北京君正、元禾璞华等机构共同出资100亿元设立 [2] - 主要产品线涵盖CIS图像传感器芯片、TDDI触控显示驱动芯片、BCD电源管理芯片、显示驱动芯片及新型存储等数模混合/模拟集成电路 [2] - 目标在2030年前实现月产20万片12英寸晶圆制造能力 年销售收入突破300亿元 [2] 行业动态标题 - 行业涉及10万亿级半导体投资计划 [6] - 芯片巨头企业出现市值大幅下跌现象 [6] - HBM技术被英伟达首席执行官黄仁勋称为"技术奇迹" [6] - 全球市值前十的芯片公司名单引发关注 [7]

产品发布与技术创新 - 公司推出国内首款车规级无变压器直驱超声波雷达芯片TCAU33 实现供应链全国产化 填补国内空白 [1] - 芯片采用直接驱动技术 集成nV级超低噪声PGA和高精度ADC 免除外围变压器和储能电容 [3] - 工作电压范围6V-18V（支持40V抛负载） 驱动频率30KHz-83KHz 测量距离0.12m-4m [4] - 采用QFN-20封装（4mm*4mm） 温度范围满足AEC-Q100标准（Tj-40°C-125°C） [4] 性能优势与成本效益 - 无变压器方案相比传统方案减少PCB空间占用 降低系统成本 满足汽车降本需求 [3][8] - 单芯片方案显著减少外围器件数量 优化BOM成本 [4] - 支持±15V-±31V可调输出交流驱动电压 具备环境噪声测量和余振消除功能 [4][9] - 待发波状态无直流偏压设计延长探芯使用寿命 快速阻尼方案支持最短12cm近距离测量 [9] 应用场景与行业地位 - 超声波雷达适用于停车辅助、自动泊车及辅助智驾场景 探测范围0.1-7米且精度较高 [3] - 公司聚焦车规和工业类专用芯片 已实现车规触控、氛围灯、电池管理等产品量产 [15] - 公司累计完成超4亿元融资 引入武岳峰、韦尔半导体、科博达等产业资本 [15] 技术支持与生态建设 - 提供完善的上位机工具支持调试和数据标定 已开放芯片评估及生产软硬件平台 [9][13] - 产品设计符合ISO7637、ISO16750等汽车EMC标准 具备过压/过流/过热等故障诊断功能 [8][9]

市场传闻与公司回应 - 联发科明确否认英伟达730亿美元收购传闻 称"不是真的" [2] - 传闻源自英媒《TechRadar》作者个人臆测 并非市场消息 [2] - 传闻基于英伟达公开的GB10超级芯片合作细节 引发市场猜测 [2] 技术合作与产品细节 - 英伟达与联发科共同开发GB10超级芯片 结合联发科CPU与记忆体设计和英伟达Blackwell GPU [2] - GB10规格包含20颗Arm v9.2 CPU核心 FP32效能达31 TFLOPs 最高128GB LPDDR5X统一记忆体 [2] - 采用双dielet封装和台积电N3制程 原定2025年7月推出但进度已延宕 [2] 收购可行性分析 - 大型收购存在严峻挑战 英伟达2022年400亿美元收购Arm因监管疑虑告吹 [3] - 若收购联发科将面临严格竞审 台湾政府可能不乐见关键半导体企业被美商并购 [3] - 文章强调该推测仅为假设性推论 非市场消息或传言 [3]

公司背景与技术独特性 - 公司为英国Pragmatic半导体 2010年创立于剑桥 拥有英国首条300毫米晶圆生产线[1] - 核心技术为柔性半导体技术 采用薄膜晶体管（TFT）技术与ASIC设计流程 在柔性基板上构建高密度柔性集成电路（FlexIC）[7] - 制造工艺基于180nm节点 使用玻璃载具和聚酰亚胺聚合物 生产周期仅需数天（传统硅基需数月）[6] 产品性能与技术参数 - 第三代技术平台基于300毫米晶圆 弯曲半径达5毫米 采用0.6µm最小沟道长度N型金属氧化物薄膜晶体管[8] - 器件场效应迁移率约20cm²/Vs 关态漏电流低至10fA/µm²（3V电压） 驱动电流达25µA（饱和状态）[8] - 集成200kΩ/sq专用电阻层和4.5fF/µm² MIM电容器 四层金属层布线间距4微米 总厚度约37微米[8] 应用领域与市场定位 - FlexIC可弯曲贴合曲面 适用于智能包装、服装、玩具、供应链管理等传统刚性电子无法触及的领域[7] - NFC Connect产品PR1301尺寸3mm×2mm×37μm 支持ISO/IEC 15693和NFC Forum Type 5通信 工作频率13.56MHz[11][12] - 产品定位非单纯替代硅基芯片 而是开拓新市场 目前价位具备高可及性[13] 生产优势与可持续性 - 年产量达数十亿芯片 预计成为英国晶圆产量最大的公司[4] - 生产过程中化学品、水、能源消耗量显著低于传统硅基制造 具备强可持续性[7] - 支持Cadence和西门子EDA工具兼容 客户可自主设计或通过公司产线生产芯片[9][11] 未来技术路线图 - 2026年推出第四代产品 功耗减半 面积缩减至1/3 集成OTP存储器[14] - 2027年第五代平台功耗降至1/100 面积再缩小一半 加入EEPROM技术 扩展UHF特高频产品线[14]

展会概况 - SEMI-e深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展将于2025年9月10-12日在深圳国际会展中心举办 展会规模达30万平方米 覆盖集成电路全产业链 并与CIOE中国光博会双展联动[2][10] - 预计吸引超16万专业观众 汇聚5000家展商展示最新产品与技术[2] 参展企业 - 已吸引超1000家全球优质展商 涵盖芯片设计、晶圆制造、功率半导体、设备材料等全产业链环节[4] - 芯片设计领域包括紫光展锐、中兴微电子、兆芯等企业 晶圆制造及封装领域包括华虹半导体、通富微电等企业[4] - 功率半导体领域包括比亚迪半导体、瑞能半导体等 设备领域包括北方华创、中微半导体等 材料领域包括沪硅产业、江丰电子等[4] 特色展区 - 设立六大特色主题展示区 包括先进封装展示区（安牧泉、盛元半导体等）、功率器件展区（萃锦半导体、纳微半导体等）[5] - 硬核芯科技园专区展示海康存储、微容等企业的国产芯片自主供应链成果 2.5D/3D先进封装及CPO产业链展区覆盖从设计到AI/光模块终端应用[5] - 新一代工业软件展区展示CAD/CAE等工具在智能汽车等领域的创新应用 板级扇出型封装创新展区聚焦超薄互联与异质集成技术[5] 同期活动 - 同期举办超20场会议 覆盖端侧AI芯片、功率半导体、新型材料、设备零部件等热门话题[6] - 具体会议包括端侧AI芯片新架构研讨会（9月10日）、第三代半导体设备论坛（9月10日）、功率半导体器件技术论坛（9月11日）等[7] - 重要活动包括第27届集成电路制造年会主论坛（9月11日）、中国集成电路投资联盟理事会闭门会议（9月11日）等[7] 双展联动 - 与CIOE中国光博会同期同地举办 实现"光电+半导体"产业协同 展示光电芯片、光模块、激光雷达、3D视觉等关键产品[6][10] - 参展企业包括海思、光迅、华工正源、舜宇、高德红外等光电领域龙头企业[6]

High NA EUV光刻技术发展现状 - ASML确认高数值孔径EUV设备是未来重点 二季度财报显示一台High NA EUV收入确认拉低毛利率 但公司整体毛利率仍达53.7% [1] - 英特尔使用High NA EUV设备在一个季度内曝光超过3万片晶圆 使特定工艺层步骤从40个减少到10个以下 三星同一工艺层周期时间缩短60% 技术成熟速度远超早期低NA EUV设备 [1] 三星High NA EUV布局 - 三星确认Exynos 2600为首款2nm GAA芯片组并开始量产 目标是通过提升良率证明其晶圆代工技术可与台积电竞争 [2] - 三星正从ASML引进更多High NA EUV设备用于2nm GAA制程 尽管设备价格昂贵 但可帮助其将良率从30%提升至量产所需的70%水平 [2][4] - ASML每年仅能生产5-6台High NA EUV设备且受出口管制限制 三星计划2027年在1.4nm节点实现量产应用 [4] SK海力士技术突破 - SK海力士在M16晶圆厂组装业界首台High NA EUV光刻系统Twinscan NXE:5200B 该设备将用于下一代DRAM工艺开发并最终用于量产 [7] - 公司自2021年在10nm DRAM中引入EUV技术后持续扩大应用 High NA EUV将简化现有EUV工艺并加速下一代存储器开发 [7] - 该技术能帮助避免2-3次EUV图案化 首先用于加速DRAM原型设计 预计2030年代全面过渡至High NA EUV生产 [9] 台积电与技术替代路径 - 台积电明确A16（1.6nm）和A14（1.4nm）工艺无需采用High NA EUV设备 技术团队通过创新在1.4nm节点实现8nm分辨率而不依赖该技术 [10][11] - 公司强调只有当High NA EUV带来可衡量效益时才会采用 目前通过延长现有EUV设备寿命获得微缩优势 预计2027-2028年才可能引入 [11] - 行业出现技术架构转变 GAAFET和CFET等新型晶体管设计减少对光刻依赖 更注重蚀刻技术 High NA EUV设备单价高达4亿美元成本高昂 [14][15] 其他厂商动态 - 美光直到2025年才首次将EUV引入DRAM生产 High NA EUV采用计划尚未明确 [12] - 日本Rapidus计划2027年起在新建晶圆厂安装最多10台EUV设备（NXE:3800E型号） 未来可能引入High NA EUV [12]

价格调整 - Sandisk宣布自9月4日起对所有渠道和消费者客户产品价格上调10%以上 [2] - 价格调整仅适用于新报价和订单 不涉及现有承诺 [2] - 公司未来将继续定期评估价格 可能在未来几个季度进行其他调整 [2] 需求驱动因素 - 闪存产品需求强劲 受人工智能应用推动 [2] - 数据中心、客户端和移动领域存储需求增长 [2] - 价格调整旨在支持高性能闪存解决方案和持续创新投资 [2] 行业动态 - 半导体行业获得10万亿级别投资 [3] - 芯片巨头出现市值大幅下跌情况 [3] - HBM技术被行业领袖称为技术奇迹 [3] - RISC-V架构被专家预测将胜出 [3] - 全球市值最高的10家芯片公司名单受关注 [3]