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又一颗2nm芯片,发布
半导体芯闻· 2025-12-03 10:28
MONAKA处理器技术规格 - 采用Armv9-A架构并支持SVE2指令集 提供可变长度向量寄存器[1] - 采用小芯片设计 运用CoWoS系统级封装和博通3.5D F2F封装技术[1] - 具有4个运算模块 每个模块含36个增强型Armv9核心 共计144核心 双插槽配置可扩展到每个节点288核心[1] - 平台支持12通道DDR5内存[1] - 采用2纳米制程技术 使用混合铜键合以F2F方式堆叠在5纳米制程的SRAM模块上[3] - 计算模块 SRAM模块和I/O模块结合 I/O模块整合内存控制器并支持CXL 3.0和PCIe 6.0标准连接通道[3] 未来产品路线图 - 计划2029年末推出Monaka-X纯CPU版本 采用3D多芯片模组布局及1.4纳米制程技术 将硬体保密计算功能作为标准 成为首个Arm SME服务器处理器[5] - 计划2030年下半年推出Monaka-X CPU+NPU版本 增加针对中型LLM的NPU模块[5] - 计划2031年推出采用1.4纳米制程技术的Monaka-XX处理器[5] 超级计算机合作项目 - 2025年8月日本理化学研究所RIKEN 富士通和辉达宣布合作开发FugakuNEXT超级电脑以取代Fugaku[8] - 将搭载MONAKA-X 目标在相同40MW功率下将整体性能提升100倍 计划2030年在RIKEN神户园区投入营运[8]
三星入局MRAM代工
半导体芯闻· 2025-12-03 10:28
三星晶圆代工业务复苏与汽车半导体市场拓展 - 公司晶圆代工业务曾为软肋,现正借助汽车半导体市场强劲增长势头实现复苏 [1] - 通过获得特斯拉、现代汽车等全球汽车制造商订单,巩固了在汽车晶圆代工领域的地位 [1][2] eMRAM技术进展与优势 - 公司向现代汽车供应采用14nm FinFET工艺量产的eMRAM(嵌入式磁性随机存取存储器)[1] - eMRAM是一种非易失性存储器,速度约为NAND闪存的1000倍,且具有低功耗特性,推动汽车行业需求增长 [1] - 公司已于2024年5月完成14nm eMRAM工艺开发,8nm工艺几乎完成,并计划在2026年扩展至8nm,2027年扩展至5nm [1][2] - 与14nm相比,8nm eMRAM的密度预计将提高30%,速度将提高33% [2] 汽车晶圆代工客户与订单获取 - 去年7月,特斯拉选择公司作为其下一代AI芯片AI6的生产合作伙伴,该芯片采用2纳米工艺,用于全自动驾驶系统,预计后年上市 [2] - 公司正准备为现代汽车量产8纳米MCU,计划2028年完成研发,2030年开始量产 [2] - 公司极有可能赢得现代汽车高端车型5nm自动驾驶芯片的合同,该项目将于明年通过韩国政府项目遴选合作伙伴 [3] 工艺技术组合覆盖 - 公司代工厂获得了大多数工艺的汽车芯片参考标准,包括超精细工艺(2纳米)、精细工艺(5纳米和8纳米)以及成熟工艺(14纳米)[3]
三菱光芯片,扩产三倍
半导体芯闻· 2025-12-03 10:28
文章核心观点 - 人工智能数据中心需求激增,驱动光半导体器件市场快速增长,三菱电机等日本主要制造商正大幅提升产能以应对需求 [1][2][3] - 公司战略投资重心从增长乏力的电动汽车功率器件转向高利润的光学器件,光器件业务成为关键增长动力 [1][2] - 日本制造商在全球光学器件市场占据主导地位,技术领先,并有望在满足未来AI数据中心高性能需求方面保持优势 [2][3][4] 公司战略与产能调整 - 三菱电机计划将2028财年光器件产能提升至2024财年的三倍,高于此前2026财年提升一半的计划 [1] - 公司将部分原计划用于电动汽车功率器件的2600亿日元投资转移至光器件领域 [1][2] - 住友电工计划在2026财年将光器件产能较2024财年翻一番 [2] - Lumentum Japan计划在2027年将光学器件产量提高至2024年水平的六倍 [3] 市场前景与行业数据 - 2024年全球人工智能数据中心市场规模约为150亿美元,预计到2032年将达到约940亿美元 [1] - 到2030年,包括光学设备在内的数据中心设备市场规模将增长至10.73万亿日元,约为2024年的3.5倍 [2] - 日本前三大光器件生产商占据了全球约70%的市场份额,在高性能器件研发方面处于领先地位 [3] - 当前数据中心光器件速度在100Gbps到200Gbps之间,400Gbps到800Gbps器件的商业化指日可待 [3] 财务表现与竞争地位 - 三菱电机半导体及器件业务部门2024年4月至9月营收同比下降约4%至1406亿日元,但营业利润增长6%至247亿日元 [2] - 利润丰厚的光电器件销售强劲,抵消了功率器件销售不佳的影响 [2] - 三菱电机在数据中心光器件领域拥有约50%的全球市场份额 [2]
黑芝麻收购亿智,最高5.5亿
半导体芯闻· 2025-12-03 10:28
黑芝麻智能收购亿智电子 - 黑芝麻智能拟以总代价约人民币4亿元至5.5亿元收购珠海亿智电子科技有限公司的多数股权[1] - 收购完成后亿智电子将成为公司的非全资附属公司其财务业绩将并入集团[1] - 亿智电子是AI机器视觉算法和SoC芯片设计系统方案供应商专注于边缘侧/端侧通用算力AI SoC芯片研发产品线涵盖智能车载智能硬件智慧安防三大领域[1] Marvell收购Celestial AI - 半导体公司Marvell宣布将以至少32.5亿美元的现金和股票收购光芯片公司Celestial AI若Celestial达到营收里程碑收购价格可能增至55亿美元[4] - 收购旨在补充其半导体网络业务Marvell预计向投入数千亿美元用于AI基础设施的公司销售更多芯片和零部件[5] - Celestial专注于开发用于连接高性能计算机的光互连硬件其技术将用于连接定制的AI芯片(大型XPU)并可能被集成到定制AI芯片和相关部件中[5][6] - 该交易预计于明年初完成若Celestial到2029财年末累计营收达20亿美元将触发最高支付金额[7] Marvell财务表现与市场预期 - Marvell第三季度每股收益为76美分高于预期的73美分销售额为20.8亿美元高于预期的20.7亿美元[7] - 公司预计第四季度营收将达到22亿美元略高于市场预期的21.8亿美元[7] - 公司预计明年数据中心收入将增长25%受此消息推动其股价在盘后交易中上涨13%[5] - 尽管2025年至今股价下跌18%但受AI热潮推动公司估值大幅上涨[5] SiTime潜在收购瑞萨计时部门 - 模拟芯片制造商SiTime公司正在洽谈收购瑞萨电子公司的计时部门该部门生产用于同步无线基础设施网络和数据中心信号的时钟[8] - 潜在交易对计时业务的估值可能高达20亿美元包括债务但谈判尚无定论可能出现其他竞购者或条款变化[8] - 若达成交易这将是SiTime迄今为止规模最大的一笔收购SiTime背后有日本公司MegaChips Corp支持后者目前仍持有SiTime 13%的股份[9] - SiTime股价今年上涨34%公司市值约为78亿美元而瑞萨电子股价下跌11%市值约为3.4万亿日元(219亿美元)[9]
TEL发道歉声明
半导体芯闻· 2025-12-03 10:28
事件概述 - 台积电离职与在职工程师以及Tokyo Electron台湾子公司一名前员工涉嫌泄露关键2纳米技术遭台湾检方起诉 [1] - 母公司Tokyo Electron并未被起诉 但台湾子公司东京威力科创股份有限公司因对前员工负有法律监督义务而被起诉 [1] 台湾检察机关调查结果 - 检察机关认为东京威力科创虽设有内部规范 但欠缺具体防范管理措施 应负担法人刑事责任 [2] - 起诉书未指出Tokyo Electron及台湾子公司有组织性介入或指示员工不当取得信息 公司调查也未发现机密信息外流 [2] - 该事件对公司营运并无影响 [2] 公司声明与应对措施 - Tokyo Electron声明将遵守法令及伦理基准视为最重要经营方针 不容许任何违规行为 并对事件表示遗憾与歉意 [1] - 公司已将信息安全视为经营最重要事项之一 建立由专家24小时365天监控的严密安全体系 [3] - 为防止类似事件再发生 公司将强化台湾子公司与全集团的法遵体系及稽核机制 [3]
英特尔工厂延期后,德国悄悄发力芯片
半导体芯闻· 2025-12-03 10:28
德国半导体资助计划变革 - 德国启动欧盟芯片法案生效以来影响最深远的半导体资助计划之一,将资金从英特尔马格德堡项目(原计划耗资300亿欧元,约合348亿美元)重新分配到多元化技术项目[1] - 资助计划变革的导火索是2024年底德国联邦政府首次发布的欧盟芯片法案项目招标公告,此前重大项目均通过直接谈判达成[1] - 新的结构化招标流程旨在加速高优先级微电子投资,并防止专项半导体资金被挪用于联邦预算中其他无关领域[1] 资金重新分配的原因与紧迫性 - 英特尔马格德堡项目的延期是促成资金重新分配的决定性因素,公司当时并未全力以赴[2] - 德国议会已将30亿欧元(约合34亿美元)的半导体专项资金重新分配给通用基础设施项目[2] - 柏林和各州担忧剩余的70亿至80亿欧元(约合81亿至92亿美元)微电子资金若不能迅速用于可靠产业部署将被稀释[2] - 项目征集时间异常紧凑(2024年11月中旬开始,2025年1月初结束),反映出资金使用的紧迫性[3] 行业需求与项目审批现状 - 行业申请资金需求约为60亿欧元(约合69亿美元),是可用资金的三倍,表明需求远超供应[3] - 德国已发布“提前启动批准”,允许企业自行承担风险开始工作,但目前尚无任何项目获得具有约束力的最终资金授予[3] - 项目需先获得欧盟委员会竞争管理局批准,公共资金才能拨付,布鲁塞尔尚未颁发最终批准[5] 具体受益项目与技术领域 - GlobalFoundries在德累斯顿的工厂扩建项目获得11亿欧元(约合12亿美元)投资,用于扩大成熟节点产能,服务于汽车、工业和通信市场[5] - 此次扩建标志着GlobalFoundries德国公司首次公开表示其部分产品将服务于国防领域,这在德国实属罕见[6] - QuantumDiamonds公司致力于开发基于量子传感器的非破坏性失效分析工具,已获得早期启动资金批准,计划建造耗资1亿至2亿欧元(约合1.162亿至2.325亿美元)的制造工厂,公众支持预计覆盖高达50%的成本[6][7] 联邦与州政府的资金分担模式及影响 - 新资助模式下,80%补贴来自联邦政府,20%来自项目所在州政府[7] - 这种模式赋予经济规模更大、结构更多元化的州(如巴伐利亚州)结构性优势,使其更容易共同资助实验性项目[7] - 萨克森州作为欧洲最大半导体产业集群,州财政预算面临更大压力,各州竞争已成为德国产业政策的显著特征[7] 德国半导体产业格局重塑 - 德国有望通过资助成熟工艺节点产能、存储器项目以及材料、化学品和设备等欧洲战略薄弱领域,重塑其半导体产业格局[8] - 此举表明即便英特尔最初计划取消,德国仍打算继续重点发展微电子产业,扶持德累斯顿等成熟产业集群及慕尼黑等新兴产业集群[9]
大芯片封装需求,大增
半导体芯闻· 2025-12-03 10:28
先进封装技术市场格局 - 人工智能和高性能计算快速发展推动异构集成需求增长,先进封装技术成为战略重点 [1] - 台积电CoWoS平台是目前该领域的领先解决方案 [1] - 芯片服务提供商加速自主研发ASIC芯片以满足复杂功能需求,对封装尺寸要求大幅增长 [1] 技术路线对比:CoWoS vs EMIB - CoWoS技术通过中介层连接计算逻辑、内存和I/O芯片并安装在基板上,已扩展到CoWoS-S、CoWoS-R和CoWoS-L [1] - 随着NVIDIA Blackwell平台2025年接近量产,市场需求正迅速转向CoWoS-L [1] - NVIDIA即将推出的Rubin架构将采用更大的光罩尺寸 [1] - 英特尔EMIB通过将小型硅桥直接集成到基板上实现芯片间连接,无需使用大型且昂贵的中介层 [2] - EMIB设计简化结构,提高生产良率,并最小化因材料热膨胀系数不同导致的热膨胀不匹配 [2] 性能与成本优势分析 - CoWoS-S光罩尺寸扩展倍数上限为3.3倍,CoWoS-L约为3.5倍(预计2027年达9倍) [3] - EMIB-M已支持6倍光罩尺寸扩展,预计2026-2027年达8-12倍 [3] - EMIB通过省去中介层为需要超大封装的AI客户提供更具成本效益的解决方案 [3] - EMIB因硅桥面积和布线密度限制,带宽较低、传输距离延长、延迟略高于CoWoS [3] 市场需求与客户选择 - AI/HPC需求增长导致CoWoS技术出现产能短缺、光罩尺寸限制和制造成本上升等瓶颈 [2] - 大部分CoWoS产能已被NVIDIA GPU占用,其他客户选择有限 [2] - 对更大封装尺寸的需求及美国本地化要求促使谷歌和Meta等北美CSP与英特尔合作采用EMIB [2] - EMIB主要吸引ASIC客户,而非对带宽和延迟要求极高的GPU厂商 [3] 厂商战略与市场前景 - 英特尔自2021年成立IFS部门以来已投入数年研发EMIB先进封装技术 [4] - 英特尔已将EMIB技术应用于服务器CPU平台Sapphire Rapids和Granite Rapids [4] - 谷歌计划在2027年推出的TPU v9中采用EMIB技术,Meta正考虑将其用于MTIA加速器 [4] - 在可预见的未来,CoWoS仍将是NVIDIA和AMD高带宽产品的主要封装解决方案 [4]
台积电A16 首发,唯一合作客户曝光
半导体芯闻· 2025-12-02 10:35
文章核心观点 - 英伟达极可能成为台积电A16制程(1.6纳米)的唯一客户,该技术将用于其新一代GPU“Feynman” [1] - 台积电高雄P3厂正加速建置,预计在2027年为英伟达启动A16制程量产 [1] - 背面供电技术成为行业竞争焦点,台积电、三星、英特尔均加速布局 [2] 英伟达产品路线图与台积电合作 - 英伟达Rubin与Rubin Ultra系列将率先采用3纳米制程 [1] - 下一代Feynman GPU计划直接跨入A16制程 [1] - Vera Rubin预计于2026年下半年推出,Rubin Ultra在2027年下半年,Feynman将于2028年登场 [2] - 台积电近期扩充3纳米产能,被解读为因应英伟达大量拉货并提前为A16布局 [1] A16制程技术优势 - A16采用纳米片电晶体架构,并搭配SPR背面供电技术 [1] - 该技术可释放更多正面布局空间、提升逻辑密度并降低压降 [1] - 相较N2P制程,A16在相同电压下速度提升8–10%,相同速度下功耗降低15–20%,芯片密度提升至1.10倍 [1] - 该制程特别适合AI与HPC等高运算密度芯片 [1] 行业竞争格局 - 三星宣布将于2027年量产BSPDN制程SF2Z,正式加入背面供电竞赛 [2] - 英特尔其PowerVia背面供电架构将使用于2026的18A制程节点 [2]
英特尔先进封装发威
半导体芯闻· 2025-12-02 10:18
英特尔外包EMIB封装技术 - 英特尔首次将AI半导体封装技术EMIB外包给韩国仁川松岛的Amkor工厂[1] - 英特尔与Amkor于今年4月签署EMIB技术合作协议 松岛K5工厂被选为实施地点[1] - 此举是英特尔为应对增长需求 扩大供应链的战略举措 选择韩国作为供应链强化基地[1][2] EMIB封装技术特点 - EMIB是一种2 5D封装技术 通过嵌入式硅桥连接不同芯片(如GPU和HBM)[1] - 与硅中介层相比 EMIB具有更高性价比和生产效率 并拥有精确的2 5D封装优势[1] - 传统EMIB存在电压降过大问题 而新一代EMIB-T利用TSV实现直接低阻抗供电路径[4] 下一代EMIB-T技术突破 - EMIB-T将硅通孔(TSV)集成到EMIB中 提升供电效率和芯片间通信速度[4] - 支持芯片封装尺寸达120x180毫米 单个封装支持超过38个桥接器和12个芯片[5] - 支持凸点间距从第一代55微米 第二代45微米 向35微米和25微米发展[5] - 数据传输速率提升至32 Gb/s或更高 并集成高功率MIM电容器确保信号稳定性[4] 配套散热与键合技术 - 新型解耦式散热器技术将散热器拆分为平板和加强筋 减少焊料与TIM耦合中空隙25%[5] - 集成微通道的散热片可将液体直接输送至集成散热器 冷却TDP高达1000W的处理器[6] - 针对大型封装基板开发新热压键合工艺 克服键合过程中芯片和基板的翘曲[6] 英特尔晶圆代工业务战略 - 先进封装技术是异构设计的基础 使客户能将不同供应商的芯片(如CPU GPU 内存)集成到单个封装中[3][7] - 封装服务成为英特尔面向外部客户的主要服务之一 客户包括AWS 思科及美国政府项目[7] - 提供完全不使用英特尔制造组件的芯片封装服务 有助于与潜在新客户建立联系[7]
MLCC,需求大增
半导体芯闻· 2025-12-02 10:18
AI服务器MLCC需求预测 - 全球MLCC龙头村田制作所预测,AI服务器用MLCC需求将以年均30%左右的速度增长,2030年度需求将扩大至2025年度的3.3倍[1] - 该预测基于AI服务器处理能力提升导致搭载MLCC数量增加,且此次预估值较去年11月的预测进行了上修[1] 公司财务表现与展望 - 村田制作所上修2025财年业绩指引:合并营收目标从1.64万亿日元上修至1.74万亿日元,合并营业利润目标从2200亿日元上修至2800亿日元,合并净利润目标从1770亿日元上修至2200亿日元[1] - 业绩上修主要因AI服务器及周边设备搭载的电子零件数量增加,带动公司产品需求上升[1] - 2025年7-9月季度,公司整体订单额为4870亿日元,较去年同期大增14.1%,其中电容器订单额大增18.1%至2418亿日元[2] - 同期公司接单出货比(BB值)为1.00,连续第4个季度维持在1或以上水平[2] 市场反应 - 截至报道时,村田制作所股价年内累计大涨约26%[1]