公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 在这些追赶者中，英特尔的转型动作最为激进，也最具系统性。作为曾经的半导体霸主，英特尔在制 程技术上的落后一度让外界质疑其代工业务的前景。但从2024年底到2025年，英特尔展现出的战略 调整清晰而坚决：不是放弃先进制程竞争，而是通过技术突破、客户争取和生态整合，试图在特定领 域重新建立竞争力。 先进制程：14A与High-NA EUV的技术豪赌 英特尔晶圆代工的核心筹码是其14A制程节点。这一节点被定位为对外部客户极具竞争力的选择，预 计在功耗效率和芯片密度方面实现显著提升。更关键的是，14A将成为全球首个在关键层采用高数值 孔径（High-NA）EUV光刻技术的制造节点。 英 特 尔 已 安 装 ASML 的 Twinscan EXE:5200B ， 这 是 业 界 首 款 采 用 0.55 数 值 孔 径 投 影 光 学 系 统 的 High-NA光刻设备。该设备能够以8nm的分辨率打印芯片，在50 mJ/cm²的剂量下每小时可处理175 片晶圆，并实现0.7纳米的套刻精度。相比之下，台积电和三星虽然也在测试High-NA设备的研发版 本，但尚未将其用于商业 ...

三星晶圆代工业务复苏与汽车半导体市场拓展 - 公司晶圆代工业务曾为软肋，现正借助汽车半导体市场强劲增长势头实现复苏 [1] - 通过获得特斯拉、现代汽车等全球汽车制造商订单，巩固了在汽车晶圆代工领域的地位 [1][2] eMRAM技术进展与优势 - 公司向现代汽车供应采用14nm FinFET工艺量产的eMRAM（嵌入式磁性随机存取存储器）[1] - eMRAM是一种非易失性存储器，速度约为NAND闪存的1000倍，且具有低功耗特性，推动汽车行业需求增长 [1] - 公司已于2024年5月完成14nm eMRAM工艺开发，8nm工艺几乎完成，并计划在2026年扩展至8nm，2027年扩展至5nm [1][2] - 与14nm相比，8nm eMRAM的密度预计将提高30%，速度将提高33% [2] 汽车晶圆代工客户与订单获取 - 去年7月，特斯拉选择公司作为其下一代AI芯片AI6的生产合作伙伴，该芯片采用2纳米工艺，用于全自动驾驶系统，预计后年上市 [2] - 公司正准备为现代汽车量产8纳米MCU，计划2028年完成研发，2030年开始量产 [2] - 公司极有可能赢得现代汽车高端车型5nm自动驾驶芯片的合同，该项目将于明年通过韩国政府项目遴选合作伙伴 [3] 工艺技术组合覆盖 - 公司代工厂获得了大多数工艺的汽车芯片参考标准，包括超精细工艺（2纳米）、精细工艺（5纳米和8纳米）以及成熟工艺（14纳米）[3]

文章核心观点 - 嵌入式闪存在28nm制程达到极限，微控制器行业正转向新型存储器以寻求突破，其中磁存储器被广泛看好并已进入商业化应用阶段 [1][3] - 磁存储器被视为“全能手”，在速度、功耗、耐久性等方面具有综合优势，是微控制器在先进制程下的关键解决方案 [8][10][16] - 行业巨头如恩智浦和瑞萨电子已率先推出基于磁存储器的微控制器产品，分别聚焦于汽车区域控制器和边缘人工智能等高增长市场 [19][22][26][28] 新型存储技术背景与驱动因素 - 嵌入式闪存技术面临28nm以下的物理极限，限制了微控制器制程的进一步微缩，促使厂商探索替代方案 [1][3] - 为突破制程限制并提升非易失性存储器的传输速度，各大厂商选择了不同的新型存储技术路线，包括阻变存储器、相变存储器、铁电存储器和磁存储器 [5][6] 主要新型存储技术对比 - 磁存储器的读取和写入时间低至3-20纳秒，耐久性超过10的15次方，且无需高电压 [7] - 相变存储器的单元面积较小（6-12 F²），但写入/擦除时间较长（60-120纳秒），耐久性为10的8次方 [7] - 阻变存储器的单元面积最小（6-10 F²），写入功耗低，但耐久性与相变存储器相同 [7] - 铁电存储器的读取时间相对较慢（20-80纳秒），需要2-3伏的工作电压 [7] - 第二代磁存储器技术（自旋转移扭矩磁存储器）的单元面积优化至6-20 F²，工作电压低于1.5伏，功耗更低 [7][11] 磁存储器的技术优势与演进 - 磁存储器具有读写次数近乎无限、写入速度快、功耗低、面积小、抗辐射等特性，其耐温范围（-40℃至150℃）覆盖车规级要求 [10][16] - 磁存储器的核心技术是磁隧道结，即使断电也能保持数据，其结构演进推动技术发展 [10] - 磁存储器技术已发展至第三代，包括自旋轨道矩磁存储器和压控磁各向异性磁存储器，但目前第二代自旋转移扭矩磁存储器凭借1晶体管1磁隧道结结构在成本与性能平衡上占据主导 [11] - 台积电近期通过复合结构材料解决了第三代自旋轨道矩磁存储器的热稳定性问题，为产业化铺平道路 [13] 嵌入式磁存储器的应用价值 - 与相变存储器和阻变存储器相比，嵌入式磁存储器具有更低的温度敏感性、更高的生产良率和更长的耐用性，支持字级擦除操作，是节能的非易失性存储器解决方案 [15] - 尽管嵌入式磁存储器的晶圆制造成本较高，但其高可靠性和低可变性带来了面积高效和鲁棒的设计，从而抵消了成本劣势 [16] - 嵌入式磁存储器最初为航空航天领域开发，现已成为智能汽车空中下载软件更新等追求高可靠性和数据完整性应用的理想选择 [16] 磁存储器面临的挑战 - 磁存储器面临材料体系复杂、开关比低、与标准工艺完全匹配等挑战，同时在动态功耗、能量延迟效率和可靠性方面存在瓶颈 [18] - 磁存储器对强磁场敏感，系统设计需通过物理隔离或屏蔽技术来规避风险，芯片设计需集成内置自检和错误代码纠正功能 [18] 行业领先公司的产品战略 - 恩智浦推出全球首款16nm FinFET+磁存储器汽车微控制器S32K5，磁存储器容量高达41MB，写入速度比闪存快10倍，耐久性达100万次写入，服务于软件定义汽车的区域控制器需求 [19][20] - 瑞萨电子采用22nm超低泄漏工艺，推出多款搭载磁存储器的RA8系列微控制器，包括RA8P1、RA8T2、RA8M2和RA8D2，重点强化边缘人工智能算力，其中RA8T2集成1MB磁存储器和2MB带错误代码纠正的静态随机存储器 [22][24][26][28] - 瑞萨电子的RA8系列微控制器通过磁存储器实现了更快的写入速度、高耐用性、无需擦除操作以及更低的漏电流，部分产品提供系统级封装选项以扩展外部闪存至8MB [28][30]

MRAM技术优势 - MRAM利用磁性材料磁化方向导致的电阻高低表示二进制数据，相比传统电荷存储的SRAM和DRAM具有高速、低功耗、高擦写、抗辐射、高可靠等优点 [1] - 驰拓科技MRAM产品在125℃高温下可保持数据十年以上，工作温度范围覆盖-40~+125℃，支持超过万亿次重复写入，大容量阵列良率达到95% [1] - 产品分为嵌入式eMRAM和独立式MRAM两类 [1] 嵌入式eMRAM应用 - eMRAM可替代MCU/SoC中的eFlash，突破eFlash在28/22nm工艺节点的微缩极限，可延展至28nm及更先进工艺 [2] - 具有类似DRAM的读写速度、闪存的非易失性、匹配SRAM的接口特性和优良抗辐照特性 [2] - 适用于工控、汽车电子、身份认证、智能穿戴等高可靠应用场景 [2] - 公司正联合IP合作伙伴和MCU/SoC厂商打造eMRAM生态链，推动其在MCU/SoC中的广泛应用 [2] 独立式MRAM产品 - 独立式MRAM按容量、接口、封装分为多个系列，已在工控、电力、计量等行业头部用户中应用 [5] 下一代SOT-MRAM技术 - 公司在SOT-MRAM研究处于国内领先水平，2024年IEDM大会上首次提出适合大规模制造的无轨道垂直型SOT-MRAM器件结构 [7] - 该技术突破标志着公司具备Mb级SOT-MRAM演示芯片制造能力，为下一代高速、高密度、高可靠MRAM奠定基础 [7] 公司概况 - 建有12英寸MRAM量产中试线，是国内首家实现MRAM量产的企业 [8] - 拥有MRAM设计制造全套关键技术，可提供90/55/40/28nm多个工艺节点的芯片定制、工艺研发、流片、测试等全方位服务 [8] 参展信息 - 确认参展2025年深圳国际电子展（8月26-28日，展位1号馆1P26），将展示MRAM最新成果 [1]