存储芯片行业趋势 - 存储芯片涨价周期可能会持续到明年 [1] - 消费市场涨价趋势更加明显 行业市场情况稍微复杂 [1] 公司产品技术进展 - LPDDR4产品几年前已量产销售 但25nm工艺成本较高影响性价比竞争力 [1] - 20nm、18nm、16nm工艺产品从去年到今年陆续送样 [1] - 产品容量持续提升 4G、8G、16G、32G的LPDDR4产品将逐渐到位 [1] - 预计明年开始LPDDR4产品销售占比会逐渐增加 [1] 产品结构变化 - 大容量NOR FLASH产品确实在增长 增速优于DRAM产品 [1] NPU技术研发 - 目前已有的NPU是一个多T算力 [1] - 正在加大NPU研发力度 预计明年中将投产带有4T算力的IPC产品 [1] - 更大算力的NPU模块也将继续研发 [1]

存储器价格预期 - LPDDR5合约价涨幅上修至6-8% LPDDR4暴涨40-50% NAND Flash合约价涨幅预期升至15% 2026年第一季度传统淡季依然看涨 [4] - NAND和DDR均处于上行周期中 [5] - NAND价格在特定季度出现显著波动 例如某季度环比增长19% 另一季度增长13% 还有季度增长6% [6] 供给侧变化 - 海外原厂战略转向明确 持续退出部分产能 DDR4/LPDDR4产能因资源倾斜至DDR5/HBM等高端产品而缩减 [8] - DDR5/HBM产能利用率持续打满 新增产能在2025年底前有限 NAND产能利用率低于80% 无大规模扩产计划 供给弹性严重不足 [8] 需求端驱动因素 - 存储器下游需求中手机 PC 服务器占比超80% 服务器占比约30% [9] - AI应用从训练侧向推理侧/边缘侧扩散 驱动移动设备LPDDR5x 通用服务器DDR5 HBM及企业级SSD需求爆发式增长 [9] - 北美云厂商加大AI数据中心投入 存储池扩容与升级HDD→SSD 为企业级SSD及高性能DRAM带来持续需求增量 [10] 与2016-2018行情对比 - 相同点包括产品价格短期内飙升 原厂减产 暂停报价等操控手段 涨价节奏由三星 海力士 美光等巨头主导 [11] - 不同点在于需求驱动内核 本轮是AI应用从训练向推理与边缘侧延伸催生的结构性爆发性需求 不仅量增更追求存储性能带宽速度 直接拉动HBM 高性能DDR5 PCIe5.0/6.0 SSD等高端品类 AI服务器单机存储搭载量是传统服务器的3-5倍 [13] - 供给调整逻辑不同 本轮巨头战略性地将产能永久性转向技术壁垒和利润更高的HBM DDR5等产品 主动收缩并逐步淘汰DDR4/LPDDR4等旧制程产能 导致传统领域出现永久性供给缺口 [14] - 行情持续性根基不同 本轮由AI技术革命驱动 是十年维度的产业趋势 数据中心为应对HDD短缺交期拉长至52周以上而加速向SSD迁移 进一步巩固需求韧性 [15] Bernstein观点 - NAND短期涨价驱动因素是AI推理需求提升叠加HDD短缺2022年起HDD供应商资本支出保守交货周期长达1年 CSP转向企业级SSD替代带动NAND需求激增 供应商惜售买家提前囤货价格上涨从eSSD蔓延至消费级市场供应商报价涨幅10%-30%实际成交2025Q3-Q4环比涨中至高个位数 [18] - 2025年ASP预计小幅下降10% 2026年增长13% 但2026年四季度起价格将因新供应入市回落 需求若持续终将扩产设备订购到产能释放需6-9个月预计2025年底-2026年初启动资本支出2026年下半年新供应落地 [18] - 持续看好HBM和DRAM市场 2026年HBM位出货量同比增长53% 成本下降超预期高增长可消化竞争压力供应商均能实现增长 [19] - NVIDIA将HBM4速度要求从8Gbps提升至10-11Gbps 三星4nm基片+1cnm DRAM片 SK海力士12nm基片可满足需求美光因采用内部平面DRAM工艺基片难以达标 [19] - 三星施压SK海力士将HBM3E价格降20%但HBM4溢价支撑混合ASP持平 三星2026年HBM份额预计提升SK海力士美光仍能受益于市场扩张 [19]

存储芯片价格趋势 - 美光科技暂停所有DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5存储产品报价并取消协议客户价格 潜在价格上调幅度达20%至30% [1] - 兆易创新Nor Flash已全线涨价 普冉股份SLC NAND供需紧张 预计第三季度和第四季度涨价 [3] - 东芯股份SLC NAND需求从第二季度开始回升 价格逐步上涨 预计下半年需求持续增长推动价格抬升趋势更明显 [8] 存储市场供需动态 - 2025年4月海外原厂停产DDR4、LPDDR4X等旧制程DRAM产品 导致供需天平向卖方市场倾斜 DDR4和LPDDR4X价格自第二季度起开启涨价潮并延续至年底 [3] - NAND供给格局优化 头部厂商减产或退出市场 例如三星2021年开始退出 导致市场供不应求 [9] - 云服务商服务器建置需求持续发酵 存储端采购需求强劲 供不应求情况下合约价延续上涨动能 [5][6] AI驱动存储需求增长 - AI推理需求增加推动闪存涨价酝酿 [3] - AI创造庞大数据量冲击全球数据中心存储设施 Nearline HDD出现供应短缺 大容量QLC SSD出货可能于2026年出现爆发性增长 [4] - 生成式AI向多模态方向发展推动科技企业加速数据中心建设 带动DDR5 RDIMM和eSSD等高性能存储产品需求增长 [4] - 2024年全球服务器NAND Flash bit需求以99.5%速度增长 2025年预计保持高速增长 AI服务器对高性能存储需求是eSSD与RDIMM产品价格持续上行主因 [4] 技术发展与产品布局 - 国内厂商布局数据中心应用领域高性能存储产品 拓展CXL2.0和MRDIMM等多种新型内存 发布SOCAMM2产品以应对AI与大模型推理需求 [7] - 普冉股份筹划收购SHM公司 间接控制拥有2D NAND及SLC NAND等产品的中高端市场存储芯片技术 [9] 市场结构变化与未来趋势 - AI处理发展重心从云端向手机、PC等终端载体转移 Nor Flash和SLC NAND等利基产品广泛用于端侧设备 若AI处理重心转向端侧则利基市场或将受益 [7] - AI应用推广和AI推理需求增长可能使存储行业需求从企业级向利基市场扩散 带来存储市场全面繁荣 [10]

存储芯片价格动态 - 美光科技暂停所有DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5存储产品报价并取消协议客户价格 潜在价格上调幅度达20%至30% [1] - 兆易创新Nor Flash已全线涨价 普冉股份SLC NAND供需紧张且预计三季度、四季度涨价 [1] - 东芯股份利基型存储芯片销售价格逐步回升 SLC NAND需求自二季度起回升且价格呈上涨趋势 [5] 存储市场供需分析 - 2025年4月起海外原厂停产DDR4、LPDDR4X等旧制程DRAM产品 导致供需天平向卖方市场倾斜并引发二季度起涨价潮 [3] - NAND供给格局优化 头部厂商减产或退出（如三星2021年退出）造成市场供不应求 [6] - 2024年全球服务器NAND Flash bit需求增长99.5% 2025年预计保持高速增长 [4] AI驱动的存储需求增长 - AI创造庞大数据量冲击全球数据中心存储设施 Nearline HDD出现供应短缺并推动QLC SSD出货可能于2026年爆发性增长 [4] - 生成式AI多模态发展推动科技企业加速数据中心建设 带动DDR5 RDIMM、eSSD等高性能存储产品需求增长 [4] - AI服务器对高性能存储的强劲需求是eSSD与RDIMM产品价格持续上行的主要原因 [4] 技术发展与行业应对 - 江波龙布局数据中心高性能存储产品 拓展CXL2.0、MRDIMM等新型内存并发布SOCAMM2产品以应对AI工作负载挑战 [4] - 普冉股份收购珠海诺亚长天存储技术有限公司控股权 间接控制拥有2D NAND及SLC NAND产品的SHM公司 [5] - AI处理发展重心可能从云端向手机、PC等终端载体转移 利基市场（Nor Flash、SLC NAND）或因此受益 [4][5] 市场趋势与预测 - AI推理需求增加促使闪存涨价酝酿 存储行业需求可能从企业级向利基市场扩散 [3][6] - 北美云服务商服务器建置需求强劲 推动DRAM与NAND Flash供不应求且合约价延续上涨动能 [4] - SLC NAND供需关系紧张 Nor Flash价格策略随行就市且头部厂商涨价时将跟进 [1][5]

市场表现 - 上证指数盘中上涨0.08% 电脑硬件 半导体 摩托车板块涨幅靠前 基本金属 多元金融跌幅居前[1] - 芯片科技股走强 芯片ETF(159995)上涨3.12% 成分股海光信息上涨8.04% 瑞芯微上涨7.94% 龙芯中科上涨5.57% 寒武纪-U上涨4.58% 中微公司上涨4.53%[1] 存储芯片行业 - 2Q25 NAND Flash晶圆价格环比增长10%至15% 客户端SSD价格上涨3%至8%[3] - 美光通知所有DDR4 DDR5 LPDDR4 LPDDR5存储产品停止报价一周 预计价格调涨[3] - 4Q25手机旺季及企业级需求增加 存储有望迎来新一轮涨价[3] 国产算力发展 - Deepseek 阿里加大国产算力适配力度和采购比重[3] - 国内先进制程配套能力不断提升 本土算力链经历戴维斯双击[3] 芯片ETF产品 - 芯片ETF(159995)跟踪国证芯片指数 包含30只A股芯片产业龙头企业[3] - 成分股覆盖材料 设备 设计 制造 封装和测试等环节 包括中芯国际 寒武纪 长电科技 北方华创等[3] - 场外联接基金A类008887 C类008888[3]

新华财经北京9月16日电（胡晨曦王媛媛） 近期，存储芯片行业已进入新一轮涨价周期。知名存储芯片巨头闪迪（Sandisk）率先发出涨价函，美光暂停报价 并计划提价20%-30%。 有分析指出，存储芯片涨价的主要原因是供需关系变化。 市场普遍认为，本次存储芯片涨价主要受供需关系变化及行业战略调整影响，此外，涨价潮本质是AI算力革命引发的存储芯片行业供需重构，国产替代加 速，相关核心标的迎机遇。 存储芯片市场迎来新一轮涨价潮 据悉，美光科技已通知客户，DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等存储产品全部停止报价，报价暂停时间一周，且相关产品价格或将调涨20%-30%。此次 涉及的不仅是消费级与工业级存储产品，汽车电子产品涨幅更高，预计达70%。业内分析称，从美光此举可以看出，在AI推理快速兴起的背景下，大容量存 储产品正出现结构性变化，产品需求大幅增长。 在此之前，知名存储芯片厂商闪迪已宣布将存储产品价格上调超10%。公司表示，在AI应用和数据中心、客户端、移动三领域均出现日益增长的存储需求的 背景下，NAND闪存产品需求强劲。未来公司将继续定期进行价格评估，并可能在未来几个季度作出进一步调整。 另外，东芯 ...

美光存储产品涨价通知 - 美光宣布DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等存储产品价格即将上涨20%-30% [2][3] - 所有存储产品自9月12日起暂停报价一周 协议客户价格取消 [3] - 汽车电子产品预计涨幅达70% 涉及消费级、工业级及汽车电子领域 [4] 现货市场反应 - 代理商和贸易商普遍暂停报价 多数处于观望状态 [9] - DDR4产品出现实际涨价 16G工业级DDR4从21美元上涨约30%至约27.3美元 [11] - 8G商业级DDR4价格稳定在7美元左右 工业级维持在9美元左右 [11] - 其他品牌DDR4出现约5%的小幅上涨 [11] - 排单价格涨幅与通知一致（20-30%） 现货价格涨幅通常更高 [11] 历史价格走势 - DDR4从2023年2-3月开始大幅涨价 6月中旬美光停产消息导致价格暴涨150%-400% [13] - 8G DDR4从2022年11-12月的1.15-1.25美元涨至2024年5月的3美元 6月停产消息后暴涨至8+美元 [14] - 16G DDR4从2022年11-12月的2.88美元涨至2024年5月的5.5+美元 6月涨至20-21美元 [14] - LPDDR4同样大幅上涨 DDR3/LPDDR5部分型号涨幅达30%-50% [14] - 7月进入高位横盘阶段 8G DDR4小幅回调至7美元 16G DDR4成交价区间为17-25美元 [14] 涨价原因分析 - 供应短缺为主要原因 原厂将传统DRAM产能转向高利润产品并停产旧制程导致供需失衡 [17] - 客户需求预测显示重大供应短缺 公司紧急暂停报价重新调整价格 [17] - 可能为配合财报表现 花旗预计美光2025财年Q4财报将远超市场预期 [19] - 三星电子与SK海力士虽延长DDR4生产至明年 但未对市场产生显著影响 [21] 市场不确定性 - 暂无官方文件证实涨价消息 [5] - 行业人士表示情况仍需观察 市场能否持续上涨及涨幅持续时间待验证 [12][21]

行业投资评级 - 看好(维持) [6] 核心观点 - 美光暂停DRAM报价并计划将存储产品价格上涨20%-30% 显示存储行业价格上行趋势持续加强 [1][6] - 存储行业暂停报价后重新确定价格上涨的情况较为少见 通常出现在晶圆厂对后期客户需求不确定时 表明行业涨价趋势正在强化 [2][6] - AI时代存储需求升级驱动模组厂与解决方案厂价值提升 行业分工持续深化 [3] 行业趋势分析 - AI时代对存储性能、速度、容量要求大幅提高 HBM等产品已针对专项需求客制化 [3] - 大型模组厂和解决方案厂与全球头部晶圆厂合作时间长 产品采购数量大 具有更强大的议价和拿货能力 [3] - 存储方案厂持续受益于行业趋势 A股存储标的迎来行业利好 [4] 投资建议 - 建议关注A股存储公司江波龙、佰维存储、德明利、香农芯创等 [4] 价格变动数据 - 美光宣布存储产品价格上涨20%-30% [6] - 所有DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等存储产品全部停止报价一周 [6] - 此前闪迪已宣布将存储产品价格上调10%以上 [6]

英伟达新产品与技术升级 - 英伟达推出专为大规模上下文推理设计的全新GPU Rubin CPX [1][2] - NVIDIA MGX机架式系统单机架集成144块Rubin CPX GPU、144块Rubin GPU与36颗Vera CPU [1][2] - 系统提供8EFLOPS的NVFP4计算力 配备100TB高速内存与1.7PB/s内存带宽 [1][2] - Rubin CPX相比GB300NVL72系统带来3倍注意力机制处理能力提升 [1][2] - Rubin CPX与Vera CPU和Rubin GPU协同支持多步推理、持久化记忆与长时程上下文 [2] PCB产业链价值提升 - 承载CPX的PCB价值量积极提升 CX9网卡新增PCB需求 [2] - VRNVL144CPX的PCB价值量提升显著 [2] - 英伟达推进正交背板研发 有望采用M9+Q布 单机架PCB价值量可能翻倍以上成长 [2] - ASIC芯片用PCB技术从高多层向HDI演进 未来有望从M8向M9演进 价值量持续提升 [2] - AI-PCB公司订单强劲 满产满销 正在大力扩产 下半年业绩高增长有望持续 [2] 存储与半导体行业动态 - 美光9月12日向渠道通知存储产品即将上涨20%-30% [2] - 所有DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等存储产品全部停止报价一周 [2] - 美国商务部将复旦微电子集团等23家中国实体列入实体清单 包括13家集成电路企业 [2] - 商务部决定自2025年9月13日起对原产于美国的进口相关模拟芯片进行反倾销立案调查 [2] - 调查针对使用40nm及以上工艺制程的通用接口芯片和栅极驱动芯片 [2] 行业需求与投资机会 - 下游推理需求激增 带动ASIC需求强劲增长 [2] - AI覆铜板需求旺盛 海外扩产缓慢 大陆覆铜板龙头厂商有望积极受益 [2][4] - AI服务器及交换机大量转向采用M8材料 未来有望采用M9材料 [2][4] - AI覆铜板/PCB强劲需求带动配套设备及上游电子布/铜箔等需求 [2] - 细分行业景气指标：消费电子稳健向上、PCB加速向上、半导体芯片稳健向上、半导体代工/设备/材料/零部件稳健向上、显示底部企稳、被动元件稳健向上、封测稳健向上 [4] 投资方向 - 看好AI-PCB及算力硬件、苹果链、AI驱动及自主可控受益产业链 [2][4] - 建议关注存储涨价受益产业链 [2] - 建议关注模拟芯片国产替代机会及自主可控产业链机会 [2]

行业供需格局转变 - AI领域对存储需求激增导致全球DRAM与NAND闪存面临供不应求局面 [1] - 美光暂停所有DRAM产品报价一周并调涨价格20%-30% 汽车电子类别涨幅达70% [1] - SanDisk宣布面向所有渠道和消费者客户的产品价格上调10%以上 [2] - 业界预计美光涨价将引发新一波抢货潮 涨势从DDR4扩大至DDR5 [1] 技术发展与产能挑战 - DRAM业者重心转向HBM 新一代HBM4即将问世并搭配先进制程逻辑芯片 [2] - 制程转换与产能挑战加剧DRAM市场供给缺口 [2] - 辉达BLACK WELL配置2个8TB SSD 未来可能升级至4个8TB SSD [3] - AI模型推论阶段耗用64TB记忆体 需升级至96TB（6组16TB记忆体） [3] 市场价格动态 - DRAM价格指数在半年内上涨约72% NAND价格指数自6月中旬起持续上扬 [3] - 四季度服务器NAND价格预计上涨 因北美客户需求强劲且原厂优先供应 [4][5] - 四大类SSD报价在第二季反弹 第三季继续上涨 [3] - 移动NAND市场因美光退出出现格局变化 四季度价格预计小幅上涨 [5] 市场规模与需求结构 - 2026年NAND闪存总体市值达650亿美元 2027年增长至700亿美元 [2] - 2025年后每五个NAND记忆体位元中有一个用于AI 金额占比达34% [3] - AI云端需求急速攀升 大容量记忆体需求激增 [2] - 服务器市场因HDD供应紧缺 部分采购需求转向企业级存储 [4] 企业动态与评级 - 花旗环球给予美光、SanDisk、三星及SK海力士"买进"评级 [1] - SanDisk股价跳空大涨至83美元近期新高 [1] - 美光逐渐退出移动NAND市场 为国产厂商带来发展机遇 [5]