近日，"全球存储模组巨头金士顿暂停DDR4与DDR5产品接单"的消息在行业内持续发酵，叠加头部厂商产能调整背景，本就处于涨价通道的DRAM市场 再度引发震荡，现货价格波动加剧，产业链各方加速应对市场变局。 据市场反馈，消息传出后，终端市场呈现明显缺货迹象。深圳华强北存储市场商户透露，"DDR4内存现货已一'条'难求，多个规格产品库存告急"。价格方 面，金士顿DDR4 3600MHz 16GB内存条在京东平台一周内从197元飙升至267元，涨幅超30%，部分渠道商反馈DDR4产品整体涨幅已达85%至90%。更罕 见的是，2025年6月下旬曾出现DDR4 16Gb现货价格12.3美元反超同容量DDR5 6.05美元的价格倒挂现象。 针对市场异动，金士顿尚未公开回应接单传闻，但行业已给出理性提示。 有渠道商强调，DDR5与DDR4价差已大幅收窄，且主板、笔记本等终端设备正加速适配DDR5，呼吁消费者避免追涨，顺应技术升级趋势选择新品。浙商 证券指出，当前涨价是行业需求回暖、供需再平衡与技术迭代共同作用的结果，中长期看市场将随产能调整逐步回归理性。 加入"中国IC独角兽联盟"，请点击进入 是说芯语原创，欢迎关注分享 ...

作为行业研究分析师，本报告的核心是把握AI算力演进与存储大周期的双重投资机遇，以下为详细解读： 行业投资评级 - 报告对电子行业持积极看法，重点推荐AI算力产业链及存储芯片领域，相关标的包括算力芯片、存储模组、存储芯片、国产算力底座、互连芯片、半导体设备、材料及封测等细分领域龙头公司 [1][9][110] 核心观点 - AI算力基础设施投入加速，阿里云三年3800亿投资计划推动国产算力供应链发展机遇 [1][16] - 存储行业迎来供需拐点，DRAM供应紧张与NAND市场好转形成双击，美光业绩超预期且指引强劲 [3][4][8] - 技术创新驱动产业升级，阿里云UPN512架构突破算力集群瓶颈，美光1γ制程与HBM技术领先 [2][8][96] 阿里云全栈AI体系升级 - 通义大模型实现七连发突破，Qwen3-Max预训练数据量达36T tokens，总参数超万亿，性能跻身全球前三，在中国企业级大模型调用市场占比第一 [1][17][25] - Agent开发框架ModelStudio-ADK与低代码平台升级，阿里云百炼平台模型日均调用量增长15倍，超20万开发者开发80多万个Agent [1][26] - AI基础设施全面升级，算力增长超5倍，存力增长4倍多，三年3800亿投资计划聚焦芯片、服务器、网络、存储及智算集群 [1][16][30] 阿里云UPN512技术架构 - 采用光互连技术实现512个xPU全互连，LPO/NPO方案降低成本30%-40%，可靠性接近铜缆 [2][45][56] - 解耦设备与机柜限制，支持常规标准机柜部署，突破高密系统依赖，提升系统扩展性与稳定性 [2][45] - 通过单层CLOS网络架构，优化网络传输语义与在网计算能力，减少算力消耗 [40][41][45] 美光业绩与存储行业趋势 - FY25Q4营收113.2亿美元（环比+21.7%，同比+46.0%），净利润34.7亿美元（环比+59.1%，同比+158.5%），毛利率45.7% [3][61] - FY26Q1收入指引122-128亿美元（中值同比+44%），Non-GAAP毛利率指引50.5%-52.5% [3][67] - 2025年DRAM位元需求预计增长high-teens%，NAND增长low to mid-teens%，2026年DRAM供应更紧张，NAND持续好转 [4][8][95] - HBM业务进展迅猛，客户增至6家，HBM4带宽超2.8TB/s，引脚速率11Gbps [70][73] 下游需求与产品进展 - 数据中心AI服务器需求强劲，2025年服务器出货量预期上调至约10%，LPDDR5营收环比增长超50% [70][77] - PC市场受Win10终止支持及AI PC驱动，出货量预期上调至中个位数增长，16Gb DDR5内存批量出货 [83][86] - 汽车与嵌入式领域需求超预期，ADAS与AI座舱推动存储需求，DDR5/LPDDR5渗透率提升 [90][92] 技术发展与资本支出 - 美光1γ制程产能爬坡顺利，2026年DRAM增长主要动力，新晶圆厂2027H2投产 [96][99] - 2025财年资本支出138亿美元，2026财年资本支出将进一步增加，聚焦1γ DRAM与HBM投资 [8][99] - 中期DRAM与NAND位元需求CAGR约15%，行业供需紧张态势持续 [8][95][99]

核心观点 - 美光FY25Q4业绩表现强劲 营收和毛利率均超指引上限 主要受益于数据中心需求强劲 DRAM供应紧张及定价优势 [2][24][25] - 公司对FY26Q1及中长期行业前景持乐观态度 预计DRAM和NAND市场供需持续向好 HBM业务成为关键增长驱动力 [5][25][47] - 美光在先进技术领域保持领先 包括1γ DRAM HBM4及G9 NAND 并通过AI应用提升生产效率和产品竞争力 [27][30][26] 财务业绩 - FY25Q4营收113.2亿美元 同比+46% 环比+22% 超指引上限107±3亿美元 [2] - FY25Q4毛利率45.7% 同比+9.2个百分点 环比+6.7个百分点 超指引上限42%±1个百分点 [2] - FY25Q4每股收益3.03美元 净利率31% 同比+14个百分点 环比+7.6个百分点 [2] - 2025财年总营收374亿美元 同比+49% 毛利率41% 同比+17个百分点 [24][38] 产品表现 - DRAM收入89.84亿美元 同比+69% 环比+27% 创单季历史新高 位元出货量环比增长低十位数百分比 ASP环比增长低双位数百分比 [3][39] - NAND收入22.52亿美元 同比-5% 环比+5% 位元出货量环比下降中个位数百分比 ASP环比增长高个位数百分比 [3][39] - HBM营收近20亿美元 年化规模近80亿美元 市场份额持续提升 客户群扩大至六家 [12][29] 终端市场表现 - 云存储部门收入45.4亿美元 同比+214% 环比+34% 受HBM及芯片需求推动 [3][40] - 移动与客户端部门收入37.6亿美元 同比+25% 环比+16% 由DRAM出货量增加及价格改善推动 [3][41] - 汽车与嵌入式部门收入14.3亿美元 同比+17% 环比+27% 由位元出货量增加驱动 [3][41] 技术与制造进展 - 1γ DRAM制程节点以破纪录速度达到成熟良率 比前代技术快50% 并实现首次营收 [27] - HBM4开发进度按计划进行 带宽超过2.8TB/s 引脚速度超过11Gbps 已向客户送样 [30][49] - 与台积电合作HBM4E 预计2027年推出 将提供标准及定制化产品 [12][30] - 在新加坡的HBM封装测试设施按计划推进 预计2027年贡献产能 [28] 市场需求与供给 - 预计2025年DRAM位元需求增长率高十位数百分比 NAND位元需求增长率低至中十位数百分比 [5][23] - 行业DRAM供应紧张 NAND市场状况持续走强 预计2026年进一步收紧 [5][23][36] - 客户库存水平健康 美光DRAM库存低于目标水平且持续改善 [23][55] 资本开支与产能 - 2025财年资本支出138亿美元 预计2026财年资本支出高于2025年 [5][37] - DRAM前道设备与晶圆厂建设推动2026财年资本支出增加 [5][37] - 1γ技术节点迁移将贡献2026年主要DRAM供应增长 [23][37] 各领域展望 - 数据中心：预计2025年服务器总出货量增长约10% 传统服务器从中个位数百分比增长上调 AI服务器增长强劲 [4][29] - PC：2025年出货量增长预期从低个位数上调至中个位数百分比 受Windows 10终止支持及AI PC普及推动 [4][16][32] - 智能手机：维持2025年出货量增长低个位数百分比 搭载12GB以上内存占比持续提升 [4][19][33] - 汽车：ADAS和AI车载娱乐系统推动内存需求增长 [4][19][35] 竞争与战略定位 - 美光在HBM LPDRAM及GDDR7产品领域保持技术领先 与NVIDIA合作推动LPDDR5在服务器应用 [16][31] - AI应用提升公司生产效率 在代码生成等场景生产力提升30%-40% 制造良率显著改善 [26] - 作为美国唯一内存制造商 美光在AI驱动内存需求中具备独特优势 [25][45]

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源 ： 内容来自经济日报 。 摩根士丹利（大摩）指出，人工智能（AI）荣景正带来「记忆体的超级循环」预测记忆体产业的上行 动能将延到明年下半年，让南韩芯片业「迎来暖冬」。三星电子据传正在调涨DRAM和NAND快闪记 忆体的第4季价格。 辉达推出下一代AI绘图处理器（GPU）Rubin后，预计LPDDR5需求将激增。同时，随着云端服务商 从传统硬盘（HDD）转向固态硬盘（SSD），作为SSD核心元件的NAND需求也水涨船高，尤其是企 业级固态硬盘（eSSD）。 大摩在名为「记忆体超级循环－AI涨潮推升所有船只」的报告指出，近来下单、预计明年交付的 eSSD，订单量已经和今年总量相当，并预测eSSD需求激增，将导致NAND明年供给短缺多达8%。 瑞银（UBS）也预测，NAND价格将连续三季上涨，第3季涨3%，第4季涨5%，明年第1季再涨3%。 大摩也指出，受到云端伺服器的芯片需求带动，第4季DRAM平均价格已比目前水准高9%。 外媒和半导体产业消息来源23日指出，三星电子近期告知客户，第4季将调高DRAM价格15%-30%， NAND也将上涨5%-10%。三星加入 ...

外媒和半导体产业消息来源23日指出，三星电子近期告知客户，第4季将调高DRAM价格15%-30%， NAND也将上涨5%-10%。三星加入美光和Sandisk的涨价行列，凸显生成式AI推升资料中心和AI推论系 统的芯片需求。 摩根士丹利（大摩）指出，人工智能（AI）荣景正带来「存储的超级循环」预测存储产业的上行动能 将延到明年下半年，让南韩芯片业「迎来暖冬」。三星电子据传正在调涨DRAM和NAND快闪存储的第 4季价格。 英伟达推出下一代AI绘图处理器（GPU）Rubin后，预计LPDDR5需求将激增。同时，随着云端服务商 从传统硬盘（HDD）转向固态硬盘（SSD），作为SSD核心元件的NAND需求也水涨船高，尤其是企业 级固态硬盘（eSSD）。 大摩在名为「存储超级循环－AI涨潮推升所有船只」的报告指出，近来下单、预计明年交付的eSSD， 订单量已经和今年总量相当，并预测eSSD需求激增，将导致NAND明年供给短缺多达8%。瑞银 （UBS）也预测，NAND价格将连续三季上涨，第3季涨3%，第4季涨5%，明年第1季再涨3%。 大摩也指出，受到云端服务器的芯片需求带动，第4季DRAM平均价格已比目前水准高9%。 ...

业绩总结 - Micron在2025财年第四季度实现创纪录的收入，达到374亿美元，同比增长近50%[8] - FQ4-25的总收入为113.15亿美元，环比增长22%，同比增长46%[89] - FY-25的总收入为373.78亿美元，同比增长49%[81] - FQ4-25的净收入为34.69亿美元，占总收入的31%[80] - FY-25的净收入为94.70亿美元，占总收入的25%[81] - FQ4-25的GAAP净收入为32.01亿美元，较FQ3-25增长69%[95] - FY-25的GAAP净收入为85.39亿美元，较FY-24增长1008%[100] 用户数据 - 数据中心业务在2025财年占公司总收入的56%，毛利率为52%[24] - 云内存业务（CMBU）在FQ4-25的收入为45.43亿美元，较FQ3-25增长34%，同比增长214%[90] - 核心数据业务（CDBU）在FQ4-25的收入为15.77亿美元，较FQ3-25增长3%，同比下降23%[90] - 移动和客户端业务（MCBU）在FQ4-25的收入为37.60亿美元，较FQ3-25增长16%，同比增长25%[90] - 自动化和嵌入式业务（AEBU）在FQ4-25的收入为14.34亿美元，较FQ3-25增长27%，同比增长17%[90] 毛利率与现金流 - Micron的毛利率在2025财年增长了17个百分点，达到41%[8] - FQ4-25的非GAAP毛利率为46%，同比增长10个百分点[80] - FQ4-25的现金流来自运营为57.30亿美元，占总收入的51%[71] - FY-25的调整后自由现金流为37亿美元[71] 未来展望 - 预计2025年数据中心服务器单位增长约10%，高于之前的中低个位数增长预期[21] - 预计2025年行业DRAM位需求增长将在高十几个百分点范围内[45] - FQ1-26的收入指导为125亿美元±3亿[77] 新产品与技术研发 - Micron的HBM收入在2025财年第四季度接近20亿美元，年化收入接近80亿美元[24] - Micron的1γ DRAM节点在记录时间内达到成熟产量，比前一代快50%[16] - Micron的LPDDR5在第四季度实现超过50%的环比增长，创下收入纪录[33] 其他财务数据 - DRAM在FQ4-25的收入为89.84亿美元，占总收入的79%，环比增长27%，同比增长69%[88] - NAND在FQ4-25的收入为22.52亿美元，占总收入的20%，环比增长5%，同比下降5%[88] - FQ4-25的非GAAP净收入为34.69亿美元，较FQ3-25增长59%[95] - FQ4-25的GAAP每股摊薄收益为2.83美元，较FQ3-25增长68%[97] - FQ4-25的非GAAP每股摊薄收益为3.03美元，较FQ3-25增长59%[97]

2025年9月22日，截至收盘，沪指涨0.22%，报收3828.58点；深成指涨0.67%，报收13157.97点；创业板 指涨0.55%，报收3107.89点。科创半导体ETF（588170）涨1.00%，半导体材料ETF（562590）涨 1.37%。 隔夜外盘：截至收盘，道琼斯工业平均指数涨0.14%；纳斯达克综合指数涨0.70%；标准普尔500种股票 指数涨0.44%。费城半导体指数涨1.57%，恩智浦半导体涨2.08%，美光科技涨1.16%，ARM涨1.10%， 应用材料涨5.48%，微芯科技涨0.38%。 行业资讯： 1. 当地时间周一（9月22日），英伟达和OpenAI宣布达成合作，包括建设庞大数据中心计划，以及英伟 达对OpenAI最高1000亿美元的投资。受此消息提振，英伟达股价周一一度涨超4%，刷新历史新高，总 市值逼近4.5万亿美元。根据协议，OpenAI将利用英伟达系统建设并部署至少10吉瓦的人工智能（AI） 数据中心，用于训练和运行下一代模型。这一耗电量相当于800万户美国家庭的用电量。英伟达CEO黄 仁勋周一在接受采访时表示，10吉瓦相当于400万至500万块图形处理器（GPU）， ...

存储芯片价格趋势 - 美光科技暂停所有DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5存储产品报价并取消协议客户价格 潜在价格上调幅度达20%至30% [1] - 兆易创新Nor Flash已全线涨价 普冉股份SLC NAND供需紧张 预计第三季度和第四季度涨价 [3] - 东芯股份SLC NAND需求从第二季度开始回升 价格逐步上涨 预计下半年需求持续增长推动价格抬升趋势更明显 [8] 存储市场供需动态 - 2025年4月海外原厂停产DDR4、LPDDR4X等旧制程DRAM产品 导致供需天平向卖方市场倾斜 DDR4和LPDDR4X价格自第二季度起开启涨价潮并延续至年底 [3] - NAND供给格局优化 头部厂商减产或退出市场 例如三星2021年开始退出 导致市场供不应求 [9] - 云服务商服务器建置需求持续发酵 存储端采购需求强劲 供不应求情况下合约价延续上涨动能 [5][6] AI驱动存储需求增长 - AI推理需求增加推动闪存涨价酝酿 [3] - AI创造庞大数据量冲击全球数据中心存储设施 Nearline HDD出现供应短缺 大容量QLC SSD出货可能于2026年出现爆发性增长 [4] - 生成式AI向多模态方向发展推动科技企业加速数据中心建设 带动DDR5 RDIMM和eSSD等高性能存储产品需求增长 [4] - 2024年全球服务器NAND Flash bit需求以99.5%速度增长 2025年预计保持高速增长 AI服务器对高性能存储需求是eSSD与RDIMM产品价格持续上行主因 [4] 技术发展与产品布局 - 国内厂商布局数据中心应用领域高性能存储产品 拓展CXL2.0和MRDIMM等多种新型内存 发布SOCAMM2产品以应对AI与大模型推理需求 [7] - 普冉股份筹划收购SHM公司 间接控制拥有2D NAND及SLC NAND等产品的中高端市场存储芯片技术 [9] 市场结构变化与未来趋势 - AI处理发展重心从云端向手机、PC等终端载体转移 Nor Flash和SLC NAND等利基产品广泛用于端侧设备 若AI处理重心转向端侧则利基市场或将受益 [7] - AI应用推广和AI推理需求增长可能使存储行业需求从企业级向利基市场扩散 带来存储市场全面繁荣 [10]

存储芯片价格动态 - 美光科技暂停所有DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5存储产品报价并取消协议客户价格 潜在价格上调幅度达20%至30% [1] - 兆易创新Nor Flash已全线涨价 普冉股份SLC NAND供需紧张且预计三季度、四季度涨价 [1] - 东芯股份利基型存储芯片销售价格逐步回升 SLC NAND需求自二季度起回升且价格呈上涨趋势 [5] 存储市场供需分析 - 2025年4月起海外原厂停产DDR4、LPDDR4X等旧制程DRAM产品 导致供需天平向卖方市场倾斜并引发二季度起涨价潮 [3] - NAND供给格局优化 头部厂商减产或退出（如三星2021年退出）造成市场供不应求 [6] - 2024年全球服务器NAND Flash bit需求增长99.5% 2025年预计保持高速增长 [4] AI驱动的存储需求增长 - AI创造庞大数据量冲击全球数据中心存储设施 Nearline HDD出现供应短缺并推动QLC SSD出货可能于2026年爆发性增长 [4] - 生成式AI多模态发展推动科技企业加速数据中心建设 带动DDR5 RDIMM、eSSD等高性能存储产品需求增长 [4] - AI服务器对高性能存储的强劲需求是eSSD与RDIMM产品价格持续上行的主要原因 [4] 技术发展与行业应对 - 江波龙布局数据中心高性能存储产品 拓展CXL2.0、MRDIMM等新型内存并发布SOCAMM2产品以应对AI工作负载挑战 [4] - 普冉股份收购珠海诺亚长天存储技术有限公司控股权 间接控制拥有2D NAND及SLC NAND产品的SHM公司 [5] - AI处理发展重心可能从云端向手机、PC等终端载体转移 利基市场（Nor Flash、SLC NAND）或因此受益 [4][5] 市场趋势与预测 - AI推理需求增加促使闪存涨价酝酿 存储行业需求可能从企业级向利基市场扩散 [3][6] - 北美云服务商服务器建置需求强劲 推动DRAM与NAND Flash供不应求且合约价延续上涨动能 [4] - SLC NAND供需关系紧张 Nor Flash价格策略随行就市且头部厂商涨价时将跟进 [1][5]

市场表现 - 上证指数盘中上涨0.08% 电脑硬件 半导体 摩托车板块涨幅靠前 基本金属 多元金融跌幅居前[1] - 芯片科技股走强 芯片ETF(159995)上涨3.12% 成分股海光信息上涨8.04% 瑞芯微上涨7.94% 龙芯中科上涨5.57% 寒武纪-U上涨4.58% 中微公司上涨4.53%[1] 存储芯片行业 - 2Q25 NAND Flash晶圆价格环比增长10%至15% 客户端SSD价格上涨3%至8%[3] - 美光通知所有DDR4 DDR5 LPDDR4 LPDDR5存储产品停止报价一周 预计价格调涨[3] - 4Q25手机旺季及企业级需求增加 存储有望迎来新一轮涨价[3] 国产算力发展 - Deepseek 阿里加大国产算力适配力度和采购比重[3] - 国内先进制程配套能力不断提升 本土算力链经历戴维斯双击[3] 芯片ETF产品 - 芯片ETF(159995)跟踪国证芯片指数 包含30只A股芯片产业龙头企业[3] - 成分股覆盖材料 设备 设计 制造 封装和测试等环节 包括中芯国际 寒武纪 长电科技 北方华创等[3] - 场外联接基金A类008887 C类008888[3]