字节与腾讯的AI战略动态 - 字节跳动在FORCE原动力大会上宣布，截至今年12月，其豆包大模型日均tokens使用量已突破50万亿，位居中国第一、全球第三，已有超过100家企业在火山引擎上累计tokens使用量超过一万亿，而今年5月底该数据为超过16.4万亿，较去年5月发布时增长137倍 [1][7][24][30] - 字节在大会上发布了豆包大模型1.8和豆包视频生成模型Seedance 1.5 pro，并宣布其大模型家族在多模态理解和生成能力、Agent能力上已位于全球第一梯队，同时火山引擎升级了AI云原生全栈服务，推出企业级AI Agent平台AgentKit和HiAgent智能体工作站 [8][31] - 腾讯于12月17日宣布升级大模型研发架构，新成立AI Infra部、AI Data部和数据计算平台部，并任命前OpenAI研究员姚顺雨为“CEO/总裁办公室”首席AI科学家，同时兼任AI Infra部和大语言模型部负责人，旨在提升AI大模型研究能力与研发效率 [1][9][24][32] 全球大模型技术迭代与竞争 - 谷歌发布的Gemini 3 Pro在多模态理解和长期规划能力上实现核心突破，模型可在文本、图像、视频、音频与代码之间进行精细推理，尤其在屏幕理解任务上表现突出，并在Vending-Bench 2测试中展示出长达一年的可靠规划与工具使用能力 [2][10][25][33] - OpenAI发布的GPT-5.2聚焦专业知识型工作场景，在复杂文档、数据分析、代码开发和多步骤项目管理中表现显著提升，其提出的GDPval评测体系显示，GPT-5.2在70.9%的知识型任务中表现优于或与顶尖人类专家持平 [2][11][12][25][34][35] - 国产模型DeepSeek V3.2系列通过稀疏注意力机制、大规模后训练与合成数据等创新路径实现能力跃升，在公开推理基准测试中达到GPT-5水平，略低于Gemini-3.0-Pro，但团队坦承其世界知识广度仍落后于顶尖闭源模型，主要受限于预训练算力 [2][12][13][25][35][36][37] AI驱动的存储需求与供应格局 - 存储芯片巨头美光科技2026财年Q1营收达136.4亿美元，同比增长57%，远超预期的129.5亿美元，调整后净利润为54.82亿美元，同比增长58%，其中云存储部门销售额52.8亿美元，同比翻倍 [3][14][26][37] - 美光科技表示其2026日历年的所有HBM产能已全部售罄且价格销量锁定，预计HBM市场规模到2028年将达到1000亿美元，比之前预测提前两年，公司正首次与客户谈判带有强制性条款的多年期供货合同，并将2026财年资本支出上调至200亿美元 [3][15][26][38] - 2025年10月，OpenAI以“星际之门”为名与三星和SK海力士签署协议，锁定每月高达90万片DRAM晶圆供应，约占全球DRAM产量的40%，AI服务器对HBM和DDR5企业级内存的需求正大量消耗晶圆产能，导致原厂将产能优先分配给高利润产品，对消费级产品造成排挤 [3][16][26][39] 端侧AI Agent的应用突破 - 字节跳动于12月1日发布豆包手机助手预览版，作为面向手机厂商的系统级AI服务，将豆包大模型深度嵌入操作系统，实现以语音或简单指令替代复杂手动操作，功能覆盖跨平台比价点外卖、内容搜索等场景，并与中兴合作推出首款售价3499元的打样手机 [4][17][27][40] - 豆包手机助手上线后引发了部分被操作App的抗拒，在微信、农行、建行等社交和金融类应用中出现登录异常、功能受限甚至账号短暂封禁的问题，字节于12月5日发布说明，对AI操作手机能力进行规范化调整，主动限制刷激励、金融类应用及部分游戏场景 [4][18][27][41] - 豆包手机助手被视为大模型应用落地的重要突破，标志着端侧Agent时代的开启，预示着移动交互范式将从以应用为中心的图形用户界面向由自然语言驱动、能完成跨App任务编排与执行的Agentic交互演进 [4][19][27][42] 建议关注的投资方向 - 算力领域建议关注的公司包括寒武纪、海光信息、中际旭创、中芯国际、浪潮信息、中科曙光等 [6][20][29][43] - Agent领域建议关注的公司包括谷歌、阿里巴巴、腾讯控股、第四范式、科大讯飞、恒生电子等 [6][20][29][43] - 其他相关领域建议关注自动驾驶方向的江淮汽车、赛力斯、小鹏汽车、理想汽车等，以及军工AI方向的拓尔思、能科科技、中科星图等 [6][21][29][44]

近日，《中国经营报》记者从企查查数据了解到，截至12月17日，2025年我国已注册1.15万家存储芯片 相关企业，不仅刷新近五年注册量峰值，相比2024年同期更是实现了41.4%的增长。今年新注册的1.15 万家存储芯片企业中，超三成企业位于华南地区，其次是华东地区占比29.1%。企业存量方面，截至12 月17日，我国现存4.5万家存储芯片相关企业，成立于近三年的企业合计占比超56%。 记者留意到，国内存储企业注册热潮背后，是AI算力浪潮下，强劲的需求增长与有限的供应扩张之间 形成供需错配，存储芯片行业正迎来"超级周期"。今年以来，云端AI算力狂飙突进，SK海力士、美 光、三星三大存储企业将主要资源投入到了HBM（高带宽内存）与DDR5中，导致传统存储产品如 DDR4、LPDDR4、DDR3以及SLC NAND Flash的供应缺口急剧扩大，价格出现显著上涨。 据第三方调研机构数据，存储芯片领域两大主要产品类别DRAM与NAND Flash现货价格9月至今均已累 计上涨超过300%。 日前，在一场存储行业峰会期间，不少存储模组厂商人士直接向记者表示："目前都没有现货。" 12月17日，美光科技发布2026财年 ...

消息面上，存储巨头金士顿数据中心SSD业务经理CameronCrandall近日在"TheFullNerdNetwork"播客中表示，未来30天NAND闪存短缺将明显加 剧，SSD价格将在当前基础上进一步上涨。 美光电话会："好日子还在后头！"CEO直言2026年HBM已售罄，正签署"前所未有"长期合同 在此前甲骨文、博通等AI巨头业绩未达投资者期待，引发全球科技股抛售潮之际，美光科技以一份"史上最强"的业绩和展望，为动荡的AI市场注 入了一剂强心针。公司CEO直言，AI驱动的需求正以前所未有的速度爆发，而行业供应短缺将持续到2026年之后，美光甚至只能满足部分关键客 户一半的需求。 在美股周三盘后的财报电话会上，美光董事长兼CEO Sanjay Mehrotra宣布，公司第一财季业绩全面超越预期，并给出了再创历史新高的第二财季 指引。更令市场瞩目的是，他透露公司2026日历年全年高带宽内存（HBM）的供应量已就价格和数量与客户达成协议，全部售罄。 这一系列重磅信息，为近期因部分AI龙头业绩不佳而承压的科技板块提供了急需的支撑。Mehrotra的讲话清晰地向投资者传递了一个信号：内存 市场的供不应求并非短期现 ...

公司概况与市场地位 - 美光科技是全球三大内存芯片制造商之一，也是美国唯一的内存芯片生产商，市值约2600亿美元 [1] - 公司核心产品包括：DRAM（占营收79%）、AI芯片专用的HBM、以及NAND闪存 [2] - 作为AI时代的核心受益者，公司是全球仅三家HBM供应商之一，市占率约21% [2] 近期财务表现与市场预测 - FY2025Q4财报表现强劲：营业收入113亿美元，超过预测值112亿美元，同比增长46% [2] - FY2025Q4息税前利润39.55亿美元，超过预测值37.20亿美元，同比增长126.7% [2] - FY2025Q4每股收益2.83美元，超过预测值2.69美元，同比增长258.2% [2] - 2025财年全年营收374亿美元，同比增长49%，股价年内上涨167% [2] - 对于FY2026Q1财报，市场预测营业收入129亿美元（同比增长47.92%），息税前利润53.38亿美元（同比增长123.0%），每股收益3.83美元（同比增长129.4%） [3] - 历史数据显示，过去9个季度中有7次业绩超预期，胜率达78% [8] 行业趋势与增长动力 - 根据TrendForce报告，DRAM价格预计在2025年第四季度上涨约18-25%，将带动公司营收上涨 [2] - HBM需求爆发，FY2025Q4 HBM营收接近20亿美元，公司全年数据中心业务占比已达56% [2][7] - 公司正主动退出低利润的消费市场（如PC、手机、汽车），专注于高利润的AI/数据中心市场 [6] 估值与市场预期 - 公司当前市盈率约31倍，高于半导体行业平均的20-25倍 [5] - 鉴于公司高成长性（FY2026预期每股收益增长率超过100%），当前估值被认为相对合理 [5] - 期权市场定价显示，财报发布日预期股价波动约10%，高于历史12个季度平均5.7%的波动率 [5] - 部分机构给出乐观预测：花旗分析师预测FY2026Q1营收140亿美元，摩根士丹利给出目标价338美元，Wolfe Research给出目标价300美元并上调评级至“跑赢大盘” [6] 期权策略讨论 - 文章讨论了在财报高波动预期下，利用期权策略（如牛市看涨价差）捕捉机会的可能性 [5][9] - 牛市看涨价差策略涉及买入平值看涨期权并卖出更高行权价的看涨期权，以降低净成本并设定收益上限 [10][12] - 策略示例显示，该策略可明确计算净成本、盈亏平衡点、最大收益和最大亏损 [12] - 策略退出时机需注意财报日后隐含波动率下降对期权价格的影响，建议小盈后尽快平仓 [13]

（原标题：狂飙超300%！存储芯片价格罕见暴涨！消费电子产品涨势已定？） 今年三季度以来，全球存储芯片市场出现一轮"史诗级"涨价潮。据第三方调研机构数据，存储芯片领域 两大主要产品类别DRAM（内存）与NAND Flash（闪存）现货价格9月至今均已累计上涨超过300%。 业内人士指出，与以往的涨价潮不同，此轮涨价潮由人工智能发展转向应用中"以存代算"技术兴起推 动，且市场缺口在最近一两年内很难补齐。 多位消费电子企业负责人、存储行业专家对证券时报记者表示，2026年手机、电脑等主要的消费电子产 品涨势已定，消费电子企业或将祭出组合拳，具体表现为结构性涨价与降配、与产业链共担成本等多管 齐下，组合拳推出的时点可能是即将到来的元旦。 "以存代算"撬动周期 "这么短的时间这么大的涨幅，让我非常震惊，也是我从业十几年来第一次遇到。"时创意董事长倪黄忠 对记者表示。 "我研究存储产业大概20年，从来没看到这么疯狂的情况。"集邦咨询资深研究副总经理吴雅婷说。 "无论闪存还是内存，现在钱不是重点，而是没货。"集邦咨询资深研究副总经理郭祚荣说。 对于本轮存储芯片涨价根源，倪黄忠对记者表示："以前存储涨价，基本都是手机容量倍 ...

文章核心观点 - 全球存储芯片市场正经历由AI应用驱动的“史诗级”涨价潮，DRAM与NAND Flash现货价格自9月以来累计上涨超过300% [1] - 此轮涨价的根本驱动力是AI发展从训练转向推理阶段后，“以存代算”技术兴起，导致存储芯片从成本部件转变为战略性物资，引发结构性、长周期的供需失衡 [2][3] - 存储芯片产能短期内难以缓解，预计将推动2026年手机、电脑等消费电子产品价格上涨，相关企业将通过结构性涨价、降配、与产业链共担成本等“组合拳”应对 [1][5][7] 存储芯片市场现状与涨价驱动因素 - DRAM与NAND Flash现货价格自9月以来累计上涨超过300% [1] - 涨价根源在于AI发展转向应用，催生“以存代算”技术，该技术通过将中间数据直接存储在SSD等介质中，减少对昂贵显存的依赖，从而成为降本增效的核心路径 [2][3] - AI服务器对存储芯片需求激增，一台典型AI服务器的DRAM需求量约为普通服务器的8倍，NAND Flash需求量约为普通服务器的3倍 [4] - 存储芯片原厂（如三星、美光、SK海力士）将主要产能转向利润更丰厚的AI服务器产品，如同等规格LPDDR5在AI服务器上的溢价是智能手机的1.5倍，挤占了消费电子产能 [4] - 供需失衡预期引发下游厂商恐慌性采购和渠道商惜售囤货，短期内放大了需求，加剧价格螺旋式上涨 [4] 行业供需格局与产能制约 - 此轮存储芯片结构性缺货情况短期内预计难以缓解 [5] - 存储芯片扩产周期漫长，通常需要三到四年，且资本投入巨大，新厂房从宣布建设到落成至少需要两年 [5] - 2028年之后才可能有更多新厂出现，2026年、2027年的产能大幅扩张可能性非常小 [5] - AI基础建设带来长期算力需求结构改变，供给端需要时间调整，高科技产业投资需要长时间投入 [6] - 存储行业采购模式转变为竞价模式，供应商话语权远大于客户 [5] 对消费电子终端市场的影响 - 存储芯片占电脑、手机物料清单成本的10%至20% [6] - 2026年，智能手机整机价格预计将上涨，全球智能手机及笔电的生产出货量预计将分别年减2%及2.4% [6][7] - 多家消费电子品牌已感受到成本压力并采取行动：联想已通知客户新报价将大幅上调，最高涨幅或达20%；戴尔、惠普承认成本压力；vivo、小米、荣耀、OPPO、一加、realme等多款中高端旗舰新品自今年秋季以来集体涨价 [6] 消费电子企业的应对策略 - 企业预计将通过“组合拳”综合应对成本压力，包括结构性涨价、降低配置、加强供应链管理、内部降本增效、强化技术研发、调整旧机价格或供应周期等 [1][7] - 完全将成本转嫁给消费者并非最佳选择，可能冲击销量，企业需在成本控制、产品调整和价格策略之间找到平衡 [7] - 缩减规格配置或暂缓升级已成为平衡成本的必要手段：预计明年中端智能手机将主推6GB、8GB内存版本（放弃12GB），低端入门机主推4GB版本（放弃8GB），高端机型维持12GB、16GB配置 [8] - 其他策略包括：采用动态库存模式，优先保障热门型号供应；探索采用QLC闪存等新型存储技术；与经销商共担成本并选择在明年1月等时间点涨价；通过产品错峰发布（如将旗舰机提前至第二季度）来避开传统涨价高峰 [8] - 此轮涨价将考验消费电子企业的供应链韧性、高端化与技术升级能力，可能加速行业洗牌与供应链国产替代进程 [9]

行业结构性转变 - 内存行业正迎来结构性转变 由于AI热潮导致全行业将大部分新增产能分配给HBM 造成传统DRAM供应极度紧张 从而推高了其定价权 [3][4][7] - 这种供需错配将在2026年初引发利润结构的倒挂 传统DRAM业务的盈利能力即将反超其明星产品HBM [3][4] - HBM对晶圆产能的巨大消耗 实质上对传统存储市场形成了“挤出效应” 这种结构性的供应短缺为美光这类巨头提供了更持久的护城河 [11][12] 传统DRAM业务前景 - 传统DRAM市场供应持续收紧 而需求保持稳健 供需错配推动定价能力显著增强 [1][7] - 2026财年第一季度 传统DRAM营收预计达82.2亿美元 出货量仅环比增长1% 但平均售价环比大涨16% [5] - 传统DRAM毛利率预计在2026财年第一季度达60% 第二季度达67%并首次超越HBM 第三季度达71% 第四季度高达75% [1][3][5] - 2026年第二季度传统DRAM毛利率预计达67% 首次超越HBM的62% 此后优势将持续扩大 [1][4][5] HBM业务前景 - HBM仍是美光增长故事的核心 但营收增速将因产能限制而略有放缓 2026财年第一季度HBM营收环比增长约35% 低于此前几个季度的增速 [8] - HBM由于技术复杂度和良率挑战 成本下降速度放缓 [7] - 瑞银预计美光2026财年HBM营收将达130.5亿美元 2027年进一步增至212.4亿美元 [11] - HBM业务在总营收中的占比将从2025财年的17%提升至2027年的26% [11] 公司业绩与估值 - 基于定价能力提升 瑞银对美光短期业绩的预测远比管理层指引和市场共识更为乐观 [12] - 瑞银模型显示 美光2026财年第一季度的营收将达到132亿美元 EPS为4.27美元 这一增长几乎完全由价格上涨驱动 [12] - 瑞银预计2026财年第二季度毛利率将达60.8% 较公司指引高出260个基点 [3] - 瑞银维持对美光2026和2027年资本开支的预测 并认为随着利润率的攀升 公司基本面依旧稳健 [12] - 基于分部估值法 瑞银继续维持275美元的目标价 并重申“买入”评级 [3][12]

行业结构性转变 - 内存行业正迎来结构性转变 在AI热潮下 由于全行业将大部分新增产能分配给HBM 导致传统DRAM供应极度紧张 从而推高了其定价权 [1][2] - 这种供需错配的根本原因在于 行业产能大规模转向HBM 传统DRAM市场供应持续收紧 而需求保持稳健 [5] - 本轮半导体周期的持久性可能远超市场预期 核心逻辑在于HBM对晶圆产能的巨大消耗 实质上对传统存储市场形成了“挤出效应” [6] 传统DRAM业务前景 - 传统DDR内存正因产能挤压而迎来前所未有的利润率爆发 其盈利能力即将反超HBM [1] - 瑞银预测 到2026财年第二季度 传统DRAM毛利率将达到67%的历史高位 首次超越HBM的62% 此后优势将持续扩大 [1][2] - 2026财年第一季度 传统DRAM营收预计达82.2亿美元 出货量仅环比增长1% 但平均售价环比大涨16% 毛利率预计达60% [2] - 传统DRAM毛利率预计在2026财年第三季度达71% 第四季度高达75% [2] HBM业务前景 - HBM仍是美光增长故事的核心 但瑞银预计HBM营收增速将因产能限制而略有放缓 [6] - 2026财年第一季度HBM营收环比增长约35% 低于此前几个季度的增速 [6] - 瑞银预计美光2026财年HBM营收将达130.5亿美元 2027年进一步增至212.4亿美元 [6] - HBM业务在总营收中的占比将从2025财年的17%提升至2027年的26% [6] - HBM由于技术复杂度和良率挑战 成本下降速度放缓 [5] 公司业绩与估值 - 瑞银预计美光2026财年第二季度毛利率将达60.8% 较公司指引高出260个基点 [1] - 瑞银模型显示 美光2026财年第一季度（截至11月）的营收将达到132亿美元 EPS为4.27美元 这一增长几乎完全由价格上涨驱动 [6] - 瑞银对美光短期业绩的预测远比管理层指引和市场共识更为乐观 [6] - 瑞银维持了对美光2026和2027年资本开支的预测 并认为随着利润率的攀升 公司基本面依旧稳健 [7] - 基于分部估值法（SOTP） 瑞银继续维持对美光的“买入”评级和275美元的目标价 [1][7]

存储芯片行业正经历罕见超级涨价周期 - 存储芯片现货价格年内涨幅巨大，以4GB DDR4x颗粒为例，价格从年初最低7美金涨至11月中旬的30美金以上，涨幅达4至5倍；64GB eMMC Flash价格从年初3.2美金涨至近期8美金以上 [2] - 上游原厂如闪迪、三星在11月初相继宣布大幅涨价，部分产品涨幅超过50%至60% [2] - 全球存储巨头美光科技宣布终止旗下消费级品牌Crucial（英睿达）业务，以将资源聚焦于受AI驱动需求激增的数据中心等高端领域 [2] 产业链上下游呈现渠道囤货惜售与终端低库存的割裂局面 - 模组厂和渠道商仍在积极囤货，部分代理商及贸易商持有大量库存并出现惜售心态，存储产品被视作金融属性极强的投资品 [4][6][7] - 下游终端制造厂商，尤其是智能手机厂商，库存水位处于历史低位，普遍在4周以下，远低于健康的8至10周水平，面临被动补库的尴尬 [4][8] - 终端厂商并非主动暂停采购，而是因现货价格过高或市场上拿不到货而被迫观望，即便签订长协也呈现“保量不保价”状态 [9][10] AI服务器需求爆发是导致本轮涨价与产能紧张的核心原因 - AI服务器需求强劲，其所需的HBM和DDR5企业级内存大量消耗晶圆产能，原厂为追求利润最大化，将产能优先分配给高利润产品，挤占了消费级产品产能 [11][12] - 产能倾斜导致DDR4、LPDDR4等成熟制程产品供应量收敛，对仍大量依赖此类存储的中低端手机、PC及汽车电子市场造成直接冲击 [13] - 本轮涨价周期的驱动力发生根本变化，买方变为口袋极深的大型云服务商，消费电子厂商议价能力被大幅削弱 [20] 涨价对消费电子终端市场产生深远影响 - 存储成本飙升迫使下游厂商采取“减配”策略，例如智能手机可能从主推12GB+512GB配置转向更具成本优势的8GB+256GB版本 [16] - 终端产品面临不可避免的涨价，小米集团总裁预计明年产品零售价格可能会有较大幅度上涨，联想集团董事长认为短缺和涨价将维持至2026年 [18][19] - 存储涨价对明年低端手机冲击严重，购机需求可能流向二手市场，同时厂商正调整产品结构，向具有AI功能的高端产品转型 [14][15] 未来价格走势与行业展望 - 集邦咨询预测，在第四季度已涨价50%的基础上，明年第一季度存储价格预计将再涨20%至30% [20] - 由于原厂2026年产能扩充空间有限且AI投资力度不减，业界普遍认为2026年存储市场整体紧张局势不会有太多缓解 [20] - 在国际原厂退出消费级市场的空窗期，国产存储厂商正成为供应链的重要补充，ODM厂商也在积极探索与国产存储芯片的合作 [22][23]

文章核心观点 - 全球AI产业爆发引发对高性能内存（尤其是HBM）的巨量需求，导致上游产能结构性转移，进而引发从服务器到消费端的全产业链内存（DRAM/NAND）价格大幅上涨，行业进入一个由AI需求驱动的“超级周期”[15][16][21][22] - 此轮涨价潮使三星、SK海力士等韩国半导体巨头重获定价权，其在HBM领域近乎垄断的市场地位（超过90%份额）和完整的产业链布局，使其成为最大赢家，标志着韩国半导体产业的全面胜利[25][28][30][34] - 尽管面临外部技术封锁，中国内存产业通过国家大基金扶持及企业自主创新，已构建起从NAND（长江存储）到DRAM（长鑫存储）的完整国产替代产业链，并在技术上快速追赶，正在全球内存市场中崛起[35][39][40][42][44] 消费电子市场内存涨价现象 - 消费端内存与固态硬盘价格大幅上涨，例如16GB DDR5内存条已难觅800元以下产品，M.2接口固态硬盘每TB价格近800元，较年初翻倍[5] - 内存涨价压力正传导至手机、PC等消费电子产品，中低端机型因内存成本占比高而受影响更明显，小米高管已公开表示因内存涨价面临成本压力，未来可能通过产品涨价或结构调整来应对[13] - 消费电子“晚买享折扣”的规律暂时失效，此轮涨价与AI巨头大规模扫货有关，不同于以往的散户炒作[15] AI需求驱动内存行业进入“超级周期” - 全球AI竞争白热化，AI大模型训练、应用落地及数据中心建设催生了对高性能AI服务器的庞大需求[16] - AI服务器对内存需求远高于普通服务器，DRAM需求是8倍，NAND需求是3倍，尤其依赖高带宽内存（HBM）以突破算力瓶颈[17][20] - 为满足AI需求，三星、SK海力士、美光自2024年4月起将产能转向服务器DDR5和HBM，并削减DDR4产能，导致供应结构快速改变[21] - 下游预期供应减少引发恐慌性囤货，行业合约价自2024年二季度起持续上涨，三季度预测涨幅达10%-15%，零售端价格在近两个月内显著上涨[21] - 2024年四季度，服务器DRAM合约价预计飙升近70%，NAND合约价上涨20-30%，DRAM价格突破历史高位，行业开启“超级周期”，供应紧张局面可能持续至2026年甚至2027年[22] 韩国半导体产业的领先与狂欢 - 内存行业具有强周期性，此前因下游需求疲软长期处于供过于求、价格低迷的状态[25] - 本轮周期由对价格不敏感、需求旺盛的AI数据中心和云服务商主导，其大量订单使上游工厂能快速调整产能结构，将大量产能转向高利润的HBM产线[28] - 在HBM领域，三星和SK海力士占据超过90%的市场份额，形成断层式领先[30] - HBM技术发展历时近20年，韩国企业通过持续投入、整合本土产业链、控制成本，最终等到市场爆发时机，而早期技术领先者如日本尔必达因产业链不完整和债务问题而破产[31][33] - 此轮“超级周期”是韩国“举国体制+财团突围”半导体产业模式的胜利，实现了产业狂欢[34] 中国内存产业的崛起与国产替代 - 全球内存产业历经美日韩多次产能转移，最终形成三巨头格局，中国因起步晚及《瓦森纳协定》等技术封锁长期缺席一线竞争[35][37] - 2014年国家集成电路产业投资基金（大基金）成立，一期募资1387亿元，其中67%投向芯片制造，为国产内存发展奠定基础[39] - 长江存储与长鑫存储于2016年成立，分别主攻NAND闪存和DRAM内存[40] - 长江存储通过自研Xtacking架构，在未获得最先进光刻机的情况下，成功研发并量产堆叠层数达270层的3D NAND闪存，实现了差异化技术突破[40][42] - 长鑫存储于2019年实现19nm DDR4 DRAM量产，并于2025年发布最高速率达8000Mbps的DDR5产品，性能达到国际领先水平[42][44] - 围绕两家核心企业，已形成包括澜起科技、江波龙、长电科技等在内的完整国产内存产业链[44] - 在不到十年时间里，中国内存产业填补了空白，构建了完整的替代产业链，正处于崛起与突围的进程中[44]