股价表现与资金流向 - 9月11日盘中股价115.73元/股 较前上涨2.06% 总市值628.35亿元 成交额2.66亿元 换手率0.43% [1] - 主力资金净流入2067.47万元 其中特大单净买入1368.25万元(买入3589.30万元占比13.50% 卖出2221.05万元占比8.35%) 大单净买入699.21万元(买入7032.74万元占比26.44% 卖出6333.53万元占比23.82%) [1] - 年内股价下跌4.32% 近5日上涨2.41% 近20日上涨3.63% 近60日下跌1.45% [1] 股东结构与机构持仓 - 股东户数3.77万户 较上期减少8.11% 人均流通股6948股 较上期增加8.82% [2] - 十大流通股东中诺安成长混合A持股1174.72万股不变 银河创新混合A持股1170.00万股减少33.00万股 香港中央结算持股662.34万股增加11.21万股 [3] - 易方达创业板ETF持股446.75万股增加8.71万股 华泰柏瑞沪深300ETF持股396.89万股增加23.98万股 [3] 财务业绩与业务构成 - 2025年上半年营业收入5.02亿元 同比增长13.01% 归母净利润306.79万元 同比大幅下降91.90% [2] - 主营业务收入构成：EDA软件销售占比82.57% 技术服务占比13.41% 硬件及代理软件销售等其他业务占比4.02% [1] - A股上市后累计现金分红2.44亿元 [3] 公司基本信息 - 公司位于北京市朝阳区利泽中二路2号望京科技园 2009年5月26日成立 2022年7月29日上市 [1] - 主营业务为集成电路设计与制造的EDA工具软件开发销售及相关服务 [1] - 行业分类为计算机-软件开发-垂直应用软件 概念板块包括信创 EDA 先进封装 大基金概念 集成电路等 [1]

公司股价表现 - 9月11日盘中上涨2.12%至7.70元/股 成交5380.99万元 换手率0.62% 总市值87.32亿元 [1] - 今年以来股价累计上涨43.93% 近5日涨1.45% 近20日涨7.69% 近60日涨28.33% [1] - 年内3次登上龙虎榜 最近8月15日净买入1.43亿元 买入总额2.16亿元占比23.08% [1] 资金流向 - 主力资金净流出281.28万元 特大单买入0元占比0% 卖出406.84万元占比7.56% [1] - 大单买入1091.53万元占比20.28% 卖出965.97万元占比17.95% [1] 公司基本情况 - 位于广州市黄埔区 成立于1995年9月 2012年5月上市 [2] - 主营业务为电子级环氧树脂生产销售 覆铜板/半固化片等产品 [2] - 收入构成：覆铜板/半固化片40.16% 阻燃环氧树脂22.23% 液态环氧树脂19.65% [2] 财务业绩 - 2025年上半年营业收入13.26亿元 同比增长24.16% [2] - 归母净利润1633.52万元 同比减少35.00% [2] 股东结构 - 股东户数5.89万户 较上期增加2.27% [2] - 人均流通股19250股 较上期增加0.61% [2] 分红记录 - A股上市后累计派现9.57亿元 [3] - 近三年累计派现2.56亿元 [3] 机构持仓 - 金鹰基金旗下多只产品增持：科技创新股票A持股997万股增80万股 红利价值混合A持股517万股增60万股 [3] - 核心资源混合A持股417万股增40万股 中小盘精选混合A新进持股257万股 [3] 行业属性 - 所属申万行业：电子-电子化学品Ⅱ-电子化学品Ⅲ [2] - 概念板块包括：小盘 3D打印 先进封装 覆铜板 智能手机 [2]

股价表现与资金流向 - 9月11日盘中股价上涨2.02%至20.16元/股 成交额2.87亿元 换手率0.92% 总市值315.96亿元 [1] - 主力资金净流入496.60万元 特大单买入占比8.36% 大单买入占比23.34% [1] - 年内股价累计上涨6.84% 近5日/20日/60日分别上涨3.92%/5.55%/18.31% [1] 经营业绩与业务构成 - 2025年上半年营业收入77.40亿元 同比增长9.71% 归母净利润4.52亿元 同比增长25.39% [2] - 主营业务收入构成为：高端制造50.52% 存储半导体业务27.13% 计量智能终端21.70% [1] - 公司主营硬盘磁头、电子产品先进制造、计量系统及支付终端产品研发生产 [1] 股东结构与机构持仓 - 股东户数17.35万户 较上期微增0.27% 人均流通股9032股 [2] - 南方中证500ETF持股1616.85万股 较上期增加412.10万股 香港中央结算持股1298.76万股 增加320.90万股 [3] - A股上市后累计派现39.58亿元 近三年累计派现7.02亿元 [3] 行业属性与概念板块 - 所属申万行业为电子-消费电子-消费电子零部件及组装 [1] - 概念板块涵盖区块链、无人机、数据要素、先进封装及中盘等 [1]

财务业绩 - 2025年上半年半导体行业实现营业收入7.09亿元，同比增长53.12% [1] - 2025年上半年合并营业收入8.97亿元 [5] - 2025年全年半导体行业营业收入目标不低于13.00亿元，合并营业收入目标不低于17.00亿元 [5] - 涂料业务2025年半年度实现营业收入1.87亿元，同比下降5.29% [4] 产能布局 - 松江本部现有产能1.9万吨/年 [1] - 合肥新阳一期规划产能扩充至4.35万吨/年，包括电镀液14000吨/年、清洗液9000吨/年、蚀刻液13500吨/年、研磨液7000吨/年 [1] - 松江本部新建项目规划产能5万吨/年，包括清洗液5000吨/年、电镀液6500吨/年、蚀刻液33500吨/年、抛光液5000吨/年 [1] - 上海化学工业区规划产能3.05万吨/年 [2] 技术产品进展 - 光刻胶产品已建成I线、KrF、ArF干法、ArF浸没式完整研发平台 [3] - KrF光刻胶已有多款产品实现批量化销售 [3] - ArF浸没式光刻胶已有销售订单 [3] - 研磨液产品可覆盖14nm及以上技术节点，已进入批量化生产阶段 [3] - 拥有电子电镀、电子清洗、电子光刻、电子研磨、电子蚀刻五大核心技术 [5] 客户与市场地位 - 已为120多个半导体封装企业、100多个芯片制造企业提供产品和服务 [1] - 已成为56条12寸集成电路生产线和23条8寸集成电路生产线的Baseline（基准材料），占比分别超过70%和60% [5] - 是国内能够对芯片铜互连工艺90-14nm各技术节点全覆盖的本土企业 [5] 运营与财务因素 - 毛利率下滑因合肥新阳产能爬坡阶段折旧摊销计入生产成本 [4] - 扣非净利润率增长主要因产品技术迭代及生产规模效应 [5] - 新建项目资金主要来源为银行项目融资和自筹资金 [5]

中介层技术概述 - 中介层从幕后配角成为产业链争夺焦点 承载GPU和存储芯片并实现互联 材料公司 设备公司和台积电 英伟达等巨头均聚焦于此 [1] - 行业形成两条发展脉络 一是Resonac牵头27家全球材料 设备 EDA巨头组成JOINT3联盟开发面板级有机中介层 二是英伟达推动SiC中介层 台系厂商加码突破功耗与散热极限 [1] 中介层定义与功能 - 中介层是位于芯片与封装基板之间的中间层结构 在先进封装中扮演桥梁角色 连接逻辑芯片与存储芯片 负责高密度互连 供电分布和信号传输 [3] - 主要分为硅中介层和有机中介层两类 硅中介层亦称无机中介层 有机中介层也叫RDL再布线层 [5] 硅中介层发展历程 - 台积电在2000年代末至2010年初率先提出并量产CoWoS工艺 利用硅中介层加TSV硅通孔实现GPU与HBM高带宽互连 [6] - 2012年台积电为赛灵思生产的Virtex-7 FPGA商用上市 成为首个大规模应用硅中介层的产品 奠定其在高性能计算封装中的地位 [6] 有机中介层兴起背景 - 硅中介层制造成本高 良率有限 AI/HPC芯片面积增大导致硅圆片切割损耗严重 市场需要更经济的大规模量产方案 [6] - 有机中介层工艺相对简单 材料和设备成本低 生产成本显著低于硅中介层 但布线精细度不足 线宽线距较大 难以支撑极高密度互连 [6] JOINT3联盟战略布局 - Resonac瑞萨牵头成立27家成员组成的JOINT3联盟 覆盖半导体封装全产业链 包括应用材料 Lam TEL Synopsys 佳能 Ushio 3M AGC 古河电工等 [8] - 联盟在日本茨城县设立高级面板级中介层中心APLIC 计划2026年运营 重点开发515×510mm面板级有机中介层 [11] 面板级生产优势 - 300mm圆片面积约70,685mm² JOINT3面板级目标515×510mm约262,650mm² 单板面积为300mm圆片的3.7倍 有效构图面积显著更大 [12] - 面板级生产可显著提升产能利用率 降低成本 解决硅中介层因尺寸增大导致的几何损耗问题 边角浪费和步进曝光次数上升推高单位良品成本 [11] 市场驱动因素 - 2.5D/3D封装需求飙升 AI/HPC芯片加HBM堆叠成为主流 需要更大面积 更高互连密度的中介层 [15] - Resonac通过JOINT3搭建跨国跨环节的先进封装共研平台 产业协同成为关键 单一企业难以独立突破 需以联盟方式推动事实标准 [15] SiC中介层发展动态 - 英伟达下一代Rubin GPU评估将GPU与HBM互联基底从传统硅中介层换成SiC中介层 以进一步提升效能 [17] - 碳化硅中介层需使用高绝缘单晶碳化硅 与车用功率器件衬底不同 带来新的工艺挑战 [19] 硅中介层优劣分析 - 优势包括工艺成熟 技术路径清晰 是台积电CoWoS 英特尔EMIB等2.5D/3D封装主流方案 在亚10µm互连和多层TSV工艺上积累深厚 [22] - 劣势包括GPU加HBM封装面积增大导致硅晶圆几何损耗问题突出 产能利用率下降 成本急剧上升 硅导热性能有限成为高功耗AI芯片瓶颈 [22] 有机中介层优劣分析 - 优势包括可采用面板级生产PLP大幅提高产能利用率和单片尺寸利用率 显著降低成本 材料配方灵活 层数和布线可根据系统需求定制 [23] - 劣势包括材料热膨胀系数CTE与硅存在差异 翘曲与可靠性问题需长期验证 电性能相比硅存在一定差距 [23] SiC中介层优劣分析 - 优势包括导热性极佳甚至超过铜 能承受未来AI/HPC芯片极端电流与功耗需求 是突破散热瓶颈的关键材料 具备良好电绝缘性支持更紧密的GPU加HBM集成 [24] - 劣势包括制造难度极高 硬度接近钻石导致切割工艺复杂 必须实现≥12寸大尺寸晶圆兼容硅工艺 产业链尚在攻关中 产能和成本仍是巨大挑战 [24] SiC中介层技术挑战 - 碳化硅硬度接近钻石 传统切割方法容易出现波浪纹 日本DISCO正在研发专用激光切割机台 [25] - 为兼容硅工艺需达到12寸以上晶圆 但目前多数中国厂商仍停留在6/8寸阶段 量产能力有限 [25] 性能需求驱动 - 未来高性能芯片设计功耗可能突破1000V 特斯拉快充电压仅350V 极端电流对中介层承载力提出前所未有挑战 [25] - Si导热能力有限难以满足极端电流下的热管理需求 SiC导热系数超过铜能显著缓解芯片运行高热压力 [25] - Rubin依赖NVLink技术要求GPU与HBM紧密耦合实现最大带宽和最低延迟 SiC因优越绝缘性和散热性成为几乎唯一解决方案 [25] 技术发展时间线 - 短期1-2年硅中介层仍是市场主流 支撑AI/HPC量产 中期3-5年有机中介层凭成本与规模优势在HPC与AI训练芯片中大规模落地 [26] - 长期5年以上碳化硅中介层一旦突破量产瓶颈 或将成为最尖端AI/HPC封装的标准配置 [26] 产业竞争格局 - 日本JOINT3代表合作造标准路径 英伟达推动SiC中介层是应用驱动新材料典型 两条路线殊途同归 中介层将决定未来AI芯片性能极限 [28] - 硅 有机 碳化硅中介层各有优劣 未来十年大概率形成分工互补格局 [28]

英伟达技术路线更新 - 英伟达计划在新一代Rubin处理器中将CoWoS先进封装的中间基板材料从硅替换为碳化硅（SiC）以提升性能 [1] - 由于芯片发热量超过极限，碳化硅最晚将于2027年进入先进封装环节 [1] - 碳化硅热导率达500W/mK，显著高于硅的150W/mK，更适合高散热要求环境 [1] 台积电技术布局 - 台积电计划将12英寸单晶碳化硅应用于散热载板，取代传统氧化铝、蓝宝石或陶瓷基板 [1] - 碳化硅中介层可缩小散热片尺寸，优化整体封装结构，适用于高功率GPU芯片 [1] 碳化硅产业链公司概览 - 瑞纳智能（流通市值10.28亿元）子公司推进8英寸碳化硅衬底送样验证 [3] - 锆威特（流通市值13.50亿元）拥有短沟道碳化硅MOSFET器件制造技术 [3] - 宇环数控（流通市值23.16亿元）碳化硅设备用于晶锭加工工序，正推进打样销售 [3] - 派瑞股份（流通市值26.12亿元）IPO募投项目包含碳化硅器件研发 [3] - 温州宏丰（流通市值26.84亿元）研发高纯碳化硅粉体及碳化硅项目 [3] - 欣锐科技（流通市值28.10亿元）基于碳化硅方案的车载电源支持800V需求并量产 [4] - 银河微电（流通市值32.15亿元）车规级生产线包含碳化硅MOSFET功率器件 [4] - 民德电子（流通市值32.85亿元）在碳化硅器件领域布局供应链自主可控 [4] - 立霸股份（流通市值33.69亿元）参股瞻芯电子提供碳化硅功率器件解决方案 [4] - 德龙激光（流通市值36.36亿元）产品用于碳化硅晶圆划片和切割 [4] - 蓝海运营（流通市值39.11亿元）参与比亚迪碳化硅IGBT模块电控项目 [4] - 得润电子（流通市值44.07亿元）量产22kW 800V平台碳化硅高频器件 [4] - 甘化科工（流通市值45.64亿元）参股公司锆威特碳化硅功率器件已产业化 [4] - 智光电气（流通市值50.60亿元）参股粤芯半导体布局碳化硅芯片制造 [4] - 英杰电气（流通市值52.08亿元）电源产品用于碳化硅生长炉并量产 [4] - 宏微科技（流通市值53.12亿元）1200V SiC MOSFET芯片研制成功 [4] - 科创新源（流通市值53.74亿元）通过持股布局碳化硅衬底项目 [5] - 国星光电（流通市值56.03亿元）产品线包含SiC功率模块 [5] - 柘中股份（流通市值59.67亿元）参投天岳先进从事碳化硅衬底材料 [5] - 东尼电子（流通市值60.39亿元）年产12万片碳化硅半导体材料项目2023年投产 [5] - 金博股份（流通市值63.08亿元）为碳化硅半导体提供热场材料 [5] - 中天火箭（流通市值74.51亿元）碳化硅产品用于航空航天和新能源涂层 [5] - 高测股份（流通市值74.71亿元）6寸及8寸碳化硅切片机实现大批量交付 [5] - 珂玛科技（流通市值77.32亿元）超高纯碳化硅产品纯度达99.99% [5] - 苏州固锝（流通市值79.64亿元）小批量生产碳化硅肖特基产品 [5] - 芯朋微（流通市值81.66亿元）推出车规级SiC器件和电源产品 [5] - 海特高新（流通市值84.38亿元）参股公司华芯科技开展碳化硅技术迭代 [5] - 台基股份（流通市值91.77亿元）研发碳化硅技术但未形成产品 [6] - 天富能源（流通市值93.87亿元）为天科合达第二大股东，天科合达为全球碳化硅主要生产商 [6] - 英唐智控（流通市值96.31亿元）向客户提供碳化硅基功率半导体 [6] - 京运通（流通市值99.24亿元）碳化硅炉产出合格晶体但未销售 [6] - 力合科创（流通市值102.95亿元）投资孵化的基本半导体从事碳化硅功率器件产业化 [6] - 东微半导（流通市值104.96亿元）布局SiC MOSFET并申请相关专利 [6] - 燕东微（流通市值124.19亿元）6英寸SiC生产线产能达2000片/月 [6] - 天通股份（流通市值135.68亿元）主营产品包含碳化硅晶体生长炉 [6] - 新洁能（流通市值136.44亿元）持有常州臻晶股权，专注碳化硅液相法晶体 [6] - 楚江新材（流通市值147.98亿元）子公司为碳化硅单晶生产提供装备和原料 [6] - 露笑科技（流通市值156.23亿元）业务包含碳化硅衬底片和长晶炉销售 [7] - 云南锗业（流通市值174.82亿元）与中科院合作研究碳化硅单晶材料 [7] - 国科微（流通市值176.89亿元）参股公司森国科主营碳化硅功率器件销售 [7] - 中瓷电子（流通市值186.37亿元）子公司碳化硅汽车芯片用于比亚迪汽车 [7] - 捷捷微电（流通市值223.19亿元）拥有碳化硅专利并从事封测 [7] - 斯达半导（流通市值240.46亿元）实现SiC模块大规模生产和销售 [7] - 振华科技（流通市值256.55亿元）碳化硅产品应用于半导体功率器件 [7] - 时代电气（流通市值292.35亿元）研发高压大功率碳化硅油冷电驱总成 [7] - 天岳先进（流通市值295.05亿元）为国内最早碳化硅材料产业化企业 [7] - 深圳华强（流通市值304.39亿元）为全球最大碳化硅生产商Wolfspeed主要代理商 [7] - 扬杰科技（流通市值326.26亿元）碳化硅系列产品获国内top客户认可并批量出货 [8] - 麦格米特（流通市值334.22亿元）参股瞻芯电子聚焦碳化硅芯片 [8] - 晶盛机电（流通市值364.54亿元）为长晶设备龙头，开发碳化硅长晶设备 [8] - 士兰微（流通市值473.76亿元）6吋SiC生产线产能3000片/月，正扩建产线 [8] - 通富微电（流通市值482.85亿元）具备碳化硅封测能力，为汽车电子客户开发产品 [8] - 闻泰科技（流通市值489.12亿元）旗下安世半导体投资2亿美元研发碳化硅等宽禁带产品 [8] - 华润微（流通市值633.10亿元）SiC MOS和JBS产品覆盖650V至1700V电压平台 [8] - 三安光电（流通市值688.48亿元）为碳化硅全产业链龙头 [8] - 北方华创（流通市值2530.43亿元）碳化硅外延设备实现批量销售，市占率国内前列 [8]

半导体装备战略价值 - 电子终端产品年产值在全球总产值中占据重要地位 大数据和AI等产业的爆发依赖芯片支撑 而芯片制造离不开半导体装备[2] CMP技术重要性 - CMP是集成电路制造五大关键技术之一 通过平坦化晶圆表面为光刻等工序奠定基础[2] - CMP在芯片生产中的工序数量大幅增加 在先进制程中不可或缺[2] CMP技术挑战 - 晶圆纳米级尺度抛平要求12英寸晶圆全局平整度小于5nm 相当于标准足球场上任意两点起伏不得超过0.25μm[2] - 晶圆纳米污染物洗净要求28nm以上细微污染物颗粒严格限制在30颗以内[2] - 快速抛光纳米级停准和整机工艺运行高效跑稳是主要技术难点[2] CMP市场机遇 - 先进封装领域折合12英寸晶圆需求量将迅速攀升[3] - TSV和3D封装等技术的快速发展推动CMP应用需求显著增长[3] - 第三代半导体从多片晶圆抛光转向单片晶圆抛光 对CMP装备需求持续上升[3] 华海清科业务发展 - 公司起源于清华大学摩擦学国家重点实验室 2013年正式成立 2022年上市[3] - 从CMP装备供应商发展为平台化企业 业务涵盖减薄 划切 湿法 离子注入 边缘抛光等装备[3] - 扩展至晶圆再生和耗材维保业务 成为国内领先的半导体装备供应商[3] - 以多年技术积累为基础持续创新 助力中国半导体产业突破[3]

行业核心观点 - 封测技术成为突破半导体产业"物理极限"和"产业断链"双重挑战的核心环节 [1] - 先进封装成为延续摩尔定律的核心路径 包括2.5D/3D、Chiplet、Fan-Out等技术与设计制造融合加速 [1] - 地缘政治重塑供应链 自主化与全球化"双轮驱动"成为中国封测产业必须应对的时代命题 [1] 中国封测产业现状 - 中国封测产业实现从跟跑到并跑 长电、通富、华天跻身全球前列 [1] - 国产封装设备与材料"卡脖子"问题不断突破 [1] - 2024年国内集成电路行业销售额达10458亿元 同比增长18% [3] - 2025年国内集成电路市场规模有望突破13000亿元 [3] 区域产业格局 - 江苏封测产能占全国半壁江山 长三角地区封测产业规模占全国81%以上 [2] - 2024年江苏省封测营收超过1700亿元 [2] - 江苏重点企业突破系统级封装、2.5D封装等关键技术 具备高性能芯片封装能力 [2] - 江苏在先进封测、EDA工具、第三代半导体等领域建设国家级高能级创新平台和省级特色创新载体 [2] 技术创新方向 - 封测创新本质是"场景驱动" 瞄准AI、车规、第三代半导体等高端领域 [2] - 突破Chiplet、异构集成等前沿技术 推进全系统性价比创新 [2] - 先进封装市场规模增速持续超过传统封装 [3] - 先进封装技术通过横向扩展、堆叠释放多芯片系统集成潜力 满足异构集成需求 [3] 产业发展挑战 - 集成电路产业链在关键领域和环节存在突出"卡脖子"问题 [3] - 需要保持封装产业技术相对竞争优势 谋求新的创新发展思路 [3] - 需要构建需求与供求的良性循环 [2]

展会与行业趋势 - SEMICON Taiwan 2025展会将于9月10-12日举行 聚焦AI CoWoS先进封装与测试量产进度[1] - 半导体制程微缩遇瓶颈 异质整合与先进封装成为突破方向 AI HPC与HBM需求大增推动3D IC及面板级扇出封装技术发展[1] - 3D IC和面板级扇出封装成为驱动半导体创新的核心技术 是展会关注焦点[1] 台积电先进封装技术布局 - 台积电主导CoWoS InFO SoIC三大先进封装技术 均适用于AI和HPC芯片 其中CoWoS量产已具规模[1] - NVIDIA和AMD对CoWoS需求持续强劲 苹果高阶处理器需要InFO技术 AMD是SoIC先进封装首要客户[1] - 台积电2024年10月宣布与Amkor深化合作 在美国亚利桑那州扩展InFO及CoWoS产线[1] - Amkor亚利桑那州新建先进封测厂已于8月下旬动工 预计2028年初开始生产[1] 产能扩张与投资计划 - 台积电2024年3月宣布增加1000亿美元投资美国半导体制造 总投资达1650亿美元 包括2座先进封装设施[2] - 台积电在台湾地区共有5座先进封测厂 同时在美国积极扩充CoWoS和InFO产线[1][2] - 公司正缩小CoWoS先进封装供给吃紧与市场需求强劲之间的不平衡差距[2] 产能规划与客户分配 - 预计2026年底台积电CoWoS月产能超过9万片 上看9.5万片[2] - 非台积电体系CoWoS明年底月产能预估1.2万片[2] - 整体年产能近60%比重仍主要供应NVIDIA[2]

报告行业投资评级 - 电子行业评级为看好（维持）[4] 报告核心观点 - 碳化硅材料在先进封装中具备较高应用潜力 有望打开产业成长空间[7] - 碳化硅导热性能优异 热导率可达500W/mK 远高于硅的150W/mK[14] - 碳化硅有望在中介层和散热基板环节应用 相关厂商天岳先进和三安光电有望受益[2][19] AI GPU功率提升与散热需求 - 英伟达GPU芯片功率持续提升 从H200的700W提高到B300的1400W[7][8] - AI服务器GPU性能提升导致芯片封装散热要求提高[7][9] - CoWoS封装技术面临散热优化需求 可通过优化热沉片和热界面材料提升散热能力[9] 碳化硅材料特性与应用潜力 - 碳化硅晶体热导率达500W/mK 较硅材料(150W/mK)具有显著优势[14] - 碳化硅中介层可缩小散热片尺寸 优化整体封装尺寸[15] - 台积电计划将12英寸单晶碳化硅应用于散热载板 取代传统氧化铝、蓝宝石基板或陶瓷基板[7][17] - 主要陶瓷材料热导率均低于单晶碳化硅：Al₂O₃为29W/mk AlN为150W/mk BeO为310W/mk Si₃N₄为106W/mk[18] 重点公司分析 **天岳先进(688234)** - 2024年实现营收17.7亿元 同比增长41%[20] - 2024年归母净利润1.8亿元 同比扭亏为盈[20] - 全球碳化硅衬底市场份额达22.8% 稳居全球第二 较2023年12%大幅提升[23] - 成功研制12英寸半绝缘型、导电型、P型衬底[23] **三安光电(600703)** - 25H1实现营收89.9亿元 同比增长17%[27] - 25H1毛利率15.2% 同比提升3.5个百分点[27] - 重庆三安8英寸衬底产能2000片/月 已于2024年9月通线投产[31] - 规划达产后8英寸衬底产能48万片/年[31] 行业发展趋势 - 碳化硅在先进封装领域的应用尚未完全挖掘 未来成长空间广阔[7] - 头部公司已注意到碳化硅在中介层中的应用潜力[15] - 12英寸大直径晶圆为碳化硅导入中介层提供良好契机[15]