涉及的行业与公司 * 行业聚焦于半导体 特别是先进封装 异构集成 硅光子学 高带宽内存(HBM) 人工智能(AI)芯片 以及相关的测试与设备[2][3] * 核心提及的公司包括台积电(TSMC) 日月光(ASE) 矽品(SPIL) 英伟达(Nvidia) 超微(AMD) 博通(Broadcom) 联发科(MediaTek) 世芯(Alchip) 信骅(Aspeed) 美光(Micron) 索尼(Sony) 艾司摩尔(ASML) 英飞凌(Infineon) 德州仪器(TI) 以及多家初创公司如Ayar Labs Lightmatter[3][4][8][18][19][36][40] 核心观点与论据 先进封装与CoWoS产能扩张 * 台积电CoWoS产能预计从2025年底的70kwpm扩增至2026年底的100kwpm[3] * 日月光/矽品因关键客户如AMD寻求供应多元化 可能在2026年更积极地扩张CoWoS产能[3] * 芯片设计趋向小芯片(chiplet) 尤其在高效能运算(HPC)领域 以改善成本结构 加速产品设计并提高互连密度[3] * 台积电SoIC产能预计从2025年底的8-10kwpm加速扩增至2027年的20-30kwpm[3] * 采用3 5D先进封装(混合键合3D IC + 2 5D中介层) 如AMD MI350系列GPU 可在给定模组尺寸下比2 5D封装多提供约80%的有效硅面积[34] 共封装光学(CPO)与硅光子学(SiPh)发展 * 光学互连在扩展网络(scale-out)已转型 在扩展架构(scale-up)上相比全电气解决方案可实现集群规模数量级提升[30] * 博通预计CPO功耗将在2028年优化至足以替代铜用于xPU集成 其Gen 3 CPO(200G/通道)计划于2026年推出 Gen 4(400G/通道)于2028年推出 相比可插拔方案可实现100倍集成度提升和超过3 5倍的能耗降低[3][30] * 英伟达Spectrum-X CPO方案利用台积电COUPE技术 预计可节省3 5倍功耗 并提供比现成以太网方案高63倍的信号完整性[12] * 铜缆在传输距离上存在限制 从100G/通道升级至200G/通道 其传输距离从4米缩短至2米[12] * 行业因CPO功耗仍高于10pJ/bit而受阻 但功耗预计在2028年通过中间CPO方案降至10pJ/bit以下 并在2029年通过先进CPO方案进一步降至5pJ/bit以下[12] 面板级封装(FOPLP)与基板技术演进 * 更大中介层(朝向5 5倍光罩尺寸及下一代AI加速器的9-10倍)可能驱动从CoWoS转向面板级封装 以期在2028-29年实现更高生产效率 台积电为其2027年量产的小型线进行供应商选择[3] * 采用面板级封装可实现比晶圆更高的利用率 300mm面板的利用率可从300mm晶圆的平均59%(5-9倍光罩尺寸)提升至80% 600mm面板可进一步提升至85%[34] * 玻璃基板因其热膨胀系数(CTE)可调性 平坦度与刚度 电绝缘性 透明度(可与CPO共用)及大母玻璃(低成本)等五大优势而具潜力[21] 前端制造与技术缩放 * 尽管技术迁移放缓 行业仍需推动在更低功耗下实现更快速度[3] * 2030年后进一步缩放的关键推动力包括采用高数值孔径(High NA) EUV(甚至超高NA微影)及向更多3D晶体管结构(如CFET)过渡[3] * 艾司摩尔提供全面的微影产品组合 包括0 33 NA/0 55 NA及未来的0 75 NA EUV微影系统[40] * 台积电A16将是首个采用背面供电网络(SPR)的制程[40] 测试复杂性与策略演进 * 测试对于支持更复杂的晶粒 封装设计和异构集成变得更为重要 行业专家预计需要在晶圆/晶粒级别进行更多测试插入 以早期探测识别良率问题[3] * 模拟真实世界操作的使命模式测试(mission-mode testing)可能在探测和系统级测试中增加[3] * 测试成本在硅光子系统中占主导地位 组装和测试成本分别约占总成本的15%和35%[25] * 测试流程需优化 "左移"(shift left)概念将测试内容左移至晶圆或晶粒级别以避免昂贵的封装报废 同时"右移"(shift right)考虑将老化测试和系统级测试推迟至封装后[46] 能源效率与功率半导体 * AI驱动显著运算需求 导致模型大小和训练所需能源呈指数增长 解决方案包括大型3D小芯片加速器的紧密集成 低能耗/位的高带宽内存(HBM)及支持网络带宽和距离的光学互连[34] * 氮化镓(GaN)允许更高切换频率 可实现磁体尺寸缩小高达60%[36] * 数据中心电源架构向Gen 3发展 目标功率达1MW 需从48V转向800V或400V[36] 异构集成与AI应用 * 索尼展示通过异构集成将像素芯片与AI芯片堆叠(2 xD) 或通过铜-铜混合键合形成堆叠背照式CIS(3D) AI集成可提升影像品质并实现智能视觉传感器应用[19] * 美光强调HBM组装流程有数百个步骤 操作卓越至关重要 内存生命周期远短于机器交付时间 因此一次资格认证机会至关重要[18] 其他重要内容 * SEMICON Taiwan 2025规模创纪录 吸引1,200家参展商和约100,000名访客(去年为85,000名)[2] * AI计算需求在过去12个月增长10倍 远超典型技术升级速度[3] * 台积电SoIC采用无凸块技术 在使用面对面(F2F)堆叠时 密度可达CoWoS的40倍 能耗仅为CoWoS的0 2倍[20] * 计算FLOPs在过去20年增加60,000倍 而内存带宽仅增加100倍 I/O带宽仅增加30倍 导致数据传输出现 discrepancy[12] * 联发科强调AI加速器总目标市场(TAM)复合年增长率(CAGR)超过46%[38] * 台积电讨论其COUPE平台开发及关键光学组件(包括PIC 耦合器 调制器 波导等)的制造能力[3] * 全球AI热潮可能推动半导体市场在2030年达到约1万亿美元[40] * 投资建议看好台积电 日月光 联发科 世芯 信骅(均评级为买入) 对硅晶圆和部分成熟制程晶圆代工厂持谨慎态度[4]

**行业与公司** * 行业涉及AI算力产业、半导体制造、先进封装、硅光子技术、存储器等[1][2][5] * 核心公司包括英伟达、谷歌、台积电、ASML、Oracle、工业富联、软银、AMD、博通等[1][2][3][4][7][8][16][19][23] **核心观点与论据** * **行业前景与主导力量**：AI算力产业发展方向由英伟达和谷歌等系统厂商的采购决策主导[1][2] 台积电和ASML在技术平台供给上起关键作用 决定了全球半导体设备采购及技术演进方向[1][2][8] * **技术热点与演进**：硅光子技术成为2025年热点 旨在降低传输等非计算部分的能源消耗[1][2] 大规模商用预计在2027年 英伟达产业链可能率先采用 谷歌产业链商用时间表未明确[1][4][12] 台积电技术领先 2纳米工艺已于2025年量产 持续推进3纳米 增强了其定价能力[1][13] 存储器领域正从2.5D架构向3D堆叠架构转变[20] * **先进封装发展**：台积电提出Foundry 2.0概念 先进封装收入保持50%的同比增长[15] 现有六座厂房运行 规划四座新厂 CoWoS、SoIC、CoPoS等平台扩建 成为新增长引擎[1][15] 硅光子技术是先进封装的重要组成部分[9] * **能源消耗挑战**：AI发展显著增加能源消耗 单机柜能耗从2022年60千瓦增至2025年120千瓦 预计2027年达500千瓦[10] 通过先进工艺降低计算能耗成为关键 英伟达CPU方案使信号传输能耗从30瓦降至9瓦 下降70%[1][10] * **公司业绩与增长动力**：台积电未来收入增长主要依赖高性能计算客户群体 美国客户占比超过68%[3][16] 产品单价从2019年3000美元上涨至目前7000美元以上[13] 工业富联受益于AI相关资本开支周期 云计算业务增速快[23][24] Oracle资本开支显著增加 上个季度首次超过经营现金流 自由现金流转负 今年预测350亿美元 超出市场预期[19] * **资本开支与估值**：台积电2021年资本开支占收入比例达50% 为压力最大阶段 目前压力已减轻 设备折旧占收入比例预计逐步下降[21] 台积电台股市盈率21.3倍 美股ADR为26倍 存在折让[22] 工业富联A股市盈率约为24倍[24] **其他重要内容** * **中国市场表现**：台积电中国区收入自2021年以来保持30%年均增长 2023年绝对金额已超过2019-2020年高峰期 目前销售占比维持在10%以上[17][18] * **新兴架构与厂商**：市场上出现新的AI芯片架构 如黄邦殿推崇的Cube形式 Jim Keller公司基于RISC-V并提出无需HBM的新架构[11] Oracle若执行OpenAI的300亿至3000亿美元订单 将带来算力需求新增量[19] * **具体技术时间表**：Ruby Ultra代CPU预计2027年开始少量使用 2026年基本不会大规模应用[4] Chip on Wafer on PCB技术预计2030年后实现 Chip on Panel on Substrate技术原计划2027年 现推迟至2028-2029年[4] 英伟达CPU计划2027年商用 从Spectrum X以太网交换机开始小规模使用 大规模商用预计2028年[12] * **产业链差异**：谷歌采用9000多个TPU形成大型计算单元 其解决方案对光模块、PCB等零部件的需求与英伟达完全不同 产业链结构不一致[7] 预计到2026年 ASIC数量可能接近甚至达到英伟达和AMD GPU总量规模[7]

行业需求激增 - NVIDIA等公司在AI芯片领域快速发展导致台积电先进封装服务需求激增 被迫提前数月安排生产计划 [2] - 客户迫使台积电将生产流程加快四分之三以上 有时甚至加快一年 [4] - AI GPU制造商产品周期通常为6个月到一年 对CoWoS、SoIC等先进封装技术的需求持续高涨 [4] 技术产能挑战 - 台积电在CoWoS等先进封装技术领域占据主导地位 但无法独自满足巨大市场需求 [4] - 传统"按部就班、顺序"部署封装生产线的方式已不再可行 [4] - 公司必须加快封装产品路线图的制定 以跟上NVIDIA等公司的AI量产路线图 [4] 战略应对措施 - 台积电采取"面向未来"策略 包括提前订购所需设备 [4] - 与本地封装供应商合作组建"3DIC先进封装制造联盟" 成员包括台积电、日月光和多家公司 [4] - 针对NVIDIA Rubin在Blackwell Ultra量产6个月后亮相的架构差异 需要采取措施确保按时交付 [4]

展会与行业趋势 - SEMICON Taiwan 2025展会将于9月10-12日举行 聚焦AI CoWoS先进封装与测试量产进度[1] - 半导体制程微缩遇瓶颈 异质整合与先进封装成为突破方向 AI HPC与HBM需求大增推动3D IC及面板级扇出封装技术发展[1] - 3D IC和面板级扇出封装成为驱动半导体创新的核心技术 是展会关注焦点[1] 台积电先进封装技术布局 - 台积电主导CoWoS InFO SoIC三大先进封装技术 均适用于AI和HPC芯片 其中CoWoS量产已具规模[1] - NVIDIA和AMD对CoWoS需求持续强劲 苹果高阶处理器需要InFO技术 AMD是SoIC先进封装首要客户[1] - 台积电2024年10月宣布与Amkor深化合作 在美国亚利桑那州扩展InFO及CoWoS产线[1] - Amkor亚利桑那州新建先进封测厂已于8月下旬动工 预计2028年初开始生产[1] 产能扩张与投资计划 - 台积电2024年3月宣布增加1000亿美元投资美国半导体制造 总投资达1650亿美元 包括2座先进封装设施[2] - 台积电在台湾地区共有5座先进封测厂 同时在美国积极扩充CoWoS和InFO产线[1][2] - 公司正缩小CoWoS先进封装供给吃紧与市场需求强劲之间的不平衡差距[2] 产能规划与客户分配 - 预计2026年底台积电CoWoS月产能超过9万片 上看9.5万片[2] - 非台积电体系CoWoS明年底月产能预估1.2万片[2] - 整体年产能近60%比重仍主要供应NVIDIA[2]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来 源 ：内容 编译自 zdnet 。 在美国政府大力推进本土半导体供应链强化战略的背景下，主要晶圆代工厂台积电（TSMC） 正 积极在当地建设最先进的晶圆代工厂和封装厂。相比之下，三星电子虽然也在美国建设先进晶圆 厂，但在先进封装投资方面却显得谨慎，这使得业界对两家公司未来的动向格外关注。 据业内29日消息，TSMC 正在大力投资，以确保在美国建立起先进的封装产能。 此前，TSMC 已于今年3月宣布在美国追加 1000亿美元（约合138万亿韩元）的新投资项目，具体 包括新建3座晶圆代工厂、2座先进封装厂，以及一座大型研发中心。 据悉，TSMC 的两座先进封装厂将落地在亚利桑那州，命名为 AP1 和 AP2。两厂计划从明年下半 年开工建设，预计将在 2028年投入量产。 根据媒体报道，AP1 主要生产 SoIC（system-on-integrated-chips）。SoIC 属于一种3D堆叠封装 技术，通过将芯片垂直堆叠来实现互连，并且不使用传统的凸点（Bump），从而缩小芯片间距， 大幅提升数据传输速度和能效表现。 然而，三星在这一投资上显得有所顾虑。由于缺乏明确 ...

台积电美国扩产计划 - 公司在美国亚利桑那州规划两座先进封装厂AP1和AP2 目前处于整地阶段 预计2026年下半年开始建厂 目标2028年启用 [2] - 封装厂AP1将导入最先进SoIC及CoW技术 AP2则锁定CoPoS技术 以因应当地AI和HPC芯片封装需求 [2] - 公司同步规划第三至第六座晶圆厂 P3和P4采用N2和A16制程 P5和P6采用更先进技术 建设进度将依客户需求调整 [2] 技术布局与产能规划 - 美国第二座晶圆厂P2的B区计划提前导入2纳米制程 原定在P3厂实施 [2] - SoIC技术已用于AMD量产 苹果 英伟达 博通等客户也将在高端产品采用该技术 [3] - CoPoS技术预计2026年设立首条实验线 2028年底在嘉义厂AP7实现大规模量产 美国AP2厂将适时导入该技术 [4] 供应链与建厂挑战 - 先进封装需配套金属凸块产线及铜柱封装技术 材料与测试供应链需完整建立 建厂周期至少需4年 [7][8] - 若在美国建立完整封测产能 需与测试厂同步合作 可能影响台湾后段封测代工厂(OSAT)现有供应链 [8] - 公司决策基于客户实际需求评估 苹果可能需要InFO技术 英伟达和超微对CoWoS需求迫切 [7][8] 投资规模与客户基础 - 公司增加投资美国1000亿美元 包括新建3座晶圆厂 2座先进封装设施及1间研发中心 为美国史上最大外资直接投资案 [7] - 投资旨在支持苹果 英伟达 超微 博通和高通等美国AI与科技创新公司 [7]

台积电CoWoS产能现状与扩张计划 - 台积电CoWoS先进封装技术当前产能利用率仅为60%，存在供需失衡导致的供应链混乱[2] - 主要产能分布在台湾多家晶圆厂，南科园区AP8厂正扩建改造，嘉义AP7厂规划8个生产设施但非专注CoWoS（P1厂专供苹果WMCM，P2/P3厂专注SoIC，P4/P5厂暂定面板级封装CoPoS，目标2029H1量产）[2] - 当前超半数CoWoS产能分配给英伟达，AMD等ASIC客户增加投片量，预计2025年底月产能达6.5万-7.5万片，2026年底增至约10万片[2] 产能扩张驱动因素与技术战略 - 计划到2026年将CoWoS产能提升33%，由AI算力需求持续强劲驱动，扩张涉及AP8厂及美国AP9/AP10厂建设[2][4] - CoWoS技术对AI/ML等高算力应用至关重要，通过多芯片集成提升性能与散热效率，特别适配AI ASIC需求[4] - 扩张是对市场需求的前瞻性响应，旨在支持医疗、金融等行业对高效计算解决方案的增长需求[4] 供应链动态与设备采购趋势 - AI需求强劲但设备采购出现限制信号，现有订单周期6-12个月完成后新订单可能放缓[3] - 设备供应商订单滞后于需求波动（例：龙潭InFO线改造初期订单少，第二波需求才触发大额采购）[3] - 若60%产能利用率持续，先进封装设备采购可能放缓直至嘉义/美国新厂订单释放[3] 行业影响与竞争格局 - 产能扩张将保障英伟达等客户尖端芯片供应，加速AI解决方案开发与行业创新[5] - 顺应全球半导体制造业投资加大趋势，强化台积电在AI技术供应链的领导地位[6] - 扩张计划凸显半导体行业对高性能计算研发的持续投入，推动AI技术迭代[6]

全球CoWoS晶圆需求与产能分配 - 2026年全球CoWoS晶圆总需求预计达100万片，台积电占据主导地位[1] - 英伟达将抢下60%的CoWoS产能，约59.5万片，其中51万片由台积电代工[1] - 英伟达2026年芯片出货量预计达540万颗，其中240万颗来自Rubin平台[1] - 英伟达同时委托Amkor与日月光分担约8万片产能，用于Vera CPU及汽车芯片[1] 台积电美国先进封装厂计划 - 台积电将在美国亚利桑那州兴建首座先进封装厂，预计2029年前完工[1] - 新厂将包括CoWoS、SoIC与CoW等高阶技术，60%产能专供英伟达使用[2] - 部分产能将供应超微Instinct MI400系列，已开始招募封装设备工程师[2] - 新厂将与亚利桑那晶圆厂整合，满足SoIC等复杂封装需求[2] - 公司已宣布总额高达1000亿美元的投资计划，涵盖晶圆厂和封装设施[2] CoWoS技术的重要性 - CoWoS技术已成为高阶AI芯片的标准封装方式[3] - 该技术可将复数芯片垂直堆叠于矽中介层上，提升传输效率与芯片密度[3] - 同时降低功耗与散热压力，应用于英伟达H100、Blackwell与超微MI300系列[3] 地缘政治与供应链考量 - 美国设厂可解决供应瓶颈、降低地缘风险并强化本土供应能力[2] - 目前部分在美制造芯片需回台封装，增加时间与成本[2] - AI与高效能运算芯片对先进封装需求急速上升，客户要求美国境内产能[2]

文章核心观点 - Rapidus宣布进军半导体后道工艺领域，计划开发混合键合和面板级封装等下一代技术，以实现超短TAT生产[3][4] - 作者质疑Rapidus在前道工艺实现2纳米量产及后道工艺实现超短TAT的可行性[8][9] - 半导体行业正经历从前道工艺微缩化向后道3D IC技术的范式转变[26][29] - 3D IC时代代工厂需承担封装平台提供、芯片管理、外部采购及最终组装等任务[34][35][36][37] - 台积电已建立包括CoWoS、InFO、SoW等在内的3D IC平台布局[40][42][43] - HBM制造周期长、良率低且产能紧张，成为AI芯片生产的瓶颈[66][67][68] - Rapidus的2纳米量产和超短TAT 3D IC制造计划面临重大技术挑战[70][71] 半导体制造流程 - 半导体制造分为设计、前道工艺（晶圆制造）和后道工艺（芯片封装）三个阶段[5] - Rapidus计划2027年量产2纳米芯片，2025年已在北海道建成试验生产线[7] - 晶体管微缩化面临发热限制速度提升的瓶颈，促使Chiplet（3D IC）技术兴起[17][21] 3D IC技术发展 - 3D IC技术通过集成不同制程节点的多个芯片实现高性能运算，如英特尔GPU集成47个芯片[21][22] - 半导体行业技术重心从前道光刻转向后道3D IC，封装设计成为首要环节[29][30] - 台积电CoWoS平台用于英伟达GPU，需整合4纳米GPU、12纳米Base Die及1µm布线层等[47][57][58] 行业竞争格局 - 台积电建立完整3D IC平台体系（3D Fabric），包括CoWoS、InFO、SoW等[40][42][43][44] - HBM3e制造工艺复杂，良率仅55-70%，生产周期5-6个月，SK海力士2025年产能已售罄[65][66][67][68] - 日本政府已向Rapidus投入超1.7万亿日元补贴，但其技术路线面临现实性挑战[71] 技术挑战分析 - Rapidus仅具备2纳米工艺，但AI芯片需多制程节点协同，外部供应链难以配合超短TAT[70] - HBM采购周期长且产能受限，直接制约AI芯片封装进度[67][68][69] - 作者认为Rapidus在前道和后道工艺的目标均缺乏现实可行性[8][9][71]

报告行业投资评级 - 对K&S（KLIC US）首次覆盖给予“买入”评级，目标价56美元，潜在涨幅32% [217] - 对BE Semiconductor（BESI NA）首次覆盖给予“中性”评级，目标价124欧元，潜在涨幅6% [386] - 维持对ASMPT（522 HK）的“买入”评级，目标价90港元，潜在涨幅28.9% [552] 报告的核心观点 - 从2025年起，先进封装（AP）预计将有以下发展：CoWoS技术从CoWoS - S向CoWoS - L/R转变；受HBM5和苹果产品潜在采用推动，SoIC采用率进一步提高；2026年后苹果或推动InFO技术升级 [3][6] - 看好K&S成为台积电oW工艺的主要TCB供应商，预计其先进封装销售占比将提升；因估值较高和2025年混合键合订单可能低于预期，对BE Semiconductor给予中性评级；考虑到ASMPT的TCB在HBM市场份额有望增加，且oW/oS TCB可能被台积电/苹果采用，维持其买入评级 [3][6] 根据相关目录分别进行总结 1. CoWoS、SoIC和InFO市场趋势分析 CoWoS - 从2024年下半年起，CoWoS - L/R采用加速，预计2024年台积电CoWoS - L技术占总CoWoS产能约20%，2025年增至近60%；CoWoS - S产能自2024年下半年起将供过于求 [7][14][15] - 英伟达下一代CPU Vera从2026年起可能采用CoWoS - R，但2026年用量有限，约占英伟达CoWoS需求的2 - 3% [14][15] - CoWoS - S供应的上行风险包括DeepSeek带动更多Hopper GPU需求、美国政府进一步限制迫使中国客户增加Hopper GPU采购、非英伟达AI芯片需求增强 [7][33] SoIC - 目前主要采用者是AMD，从2026/27年起，HBM和苹果的潜在需求增长可能成为SoIC的长期趋势；英伟达未来是否采用SoIC值得关注 [8][14][15] - 2025年SoIC面临逆风，主要源于英特尔削减资本支出、除AMD外暂无重要新采用者、AMD的AI GPU需求自2024年下半年起不如预期 [8][104][15] InFO - 苹果从2026年起可能采用升级后的InFO和ubump/TSV产能，将应用处理器从InFO - PoP转变为InFO - M；苹果还在考虑为InFO - oS和InFO - L采用oS TCB [9][20] 2. 公司分析 K&S（KLIC US） - 业务主要涉及半导体后端引线键合和芯片键合设备的设计、开发、制造和销售，是全球最大的引线键合机供应商，球键合市场份额达65% [232][238] - 有望成为台积电oW工艺的主要TCB供应商，随着获得更多oW TCB订单，其先进封装销售占比将从2025年下半年开始上升 [217][296] - 预计2025 - 2027财年销售额分别增长8%、24%、5%，主要受组装设备需求复苏和先进封装销售增加推动 [332][333] BE Semiconductor（BESI NA） - 是全球半导体和电子行业领先的组装设备制造商，主要提供芯片贴装、封装和电镀设备，在全球芯片贴装市场约占40%份额，在全球封装和电镀设备市场约占22%份额 [397][400] - 预计2025年混合键合机订单同比下降，尽管在混合键合市场占主导地位，但鉴于市场对其混合键合销售增长预期较高，风险回报状况不太有利 [386][544] - 预计2024 - 2027财年销售额分别增长6%、11%、33%、17%，受混合键合工具销售增加和非混合键合业务随半导体行业复苏增长推动 [499] ASMPT（522 HK） - 是全球最大的后端封装设备供应商，持续拥有约25%的全球市场份额，但2022 - 2023年市场份额因中国需求疲软而下降 [191] - 近期订单主要来自高带宽内存（HBM）玩家的先进封装订单，预计随着半导体周期复苏，订单将逐步恢复 [552] - 预计2025 - 2026财年销售额分别增长4.2%、13.1%，主要受先进封装业务和半导体后端产能扩张推动 [555][561]