嵌入式非易失性存储器(eNVM)
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eNVM,作用巨大
半导体芯闻· 2025-11-07 10:24
市场概况与增长 - 嵌入式新兴非易失性存储器(eNVM)正进入更广泛的采用阶段,涵盖微控制器、连接和边缘AI设备,在汽车和工业市场势头强劲 [4] - 到2030年,嵌入式新兴存储器领域预计将超过30亿美元,反映了其在主流工艺节点上更广泛的可用性以及在≤28纳米工艺下对NVM的强劲需求 [4] 技术进步 - 嵌入式闪存(eFlash)仍是基础,但在先进节点的尺寸缩放限制已将MRAM、ReRAM和嵌入式PCM推向前台 [6] - 晶圆代工厂和整合元件制造商(IDM)正在将嵌入式选项从28/22 nm平面CMOS扩展到10–12 nm级平台,包括FinFET [6] - 台积电已建立大批量MRAM/ReRAM生产,并正在为2025年及以后准备12nm FinFET ReRAM/MRAM [6] - 三星、格芯、联华电子和中芯国际正在加速在通用微控制器和高性能汽车设计中采用嵌入式MRAM/ReRAM/PCM [6] - 意法半导体作为全面致力于嵌入式PCM的IDM脱颖而出,正在为工业和汽车微控制器加速推广xMemory解决方案,其18nm FD-SOI将在2025年后扩大应用范围 [6] - BCD和HV-CMOS流程也正在整合嵌入式NVM,作为模拟、电源管理和混合信号设计中EEPROM/OTP的实用替代品 [7] - 利用eNVM的内存内/近内存计算概念正因其在低功耗边缘AI推理中的潜力而获得关注 [7] 驱动因素与用例 - 汽车仍然是嵌入式新兴NVM的重心,2025年安全IC和工业微控制器的应用显著增加 [8] - ReRAM在几个大批量类别中获得关注,而MRAM和PCM在速度和耐用性占主导地位的应用中具有吸引力 [8] - 到2030年,嵌入式NVM将为更多的片上AI功能和实用的内存内/近内存计算模块提供支持,并在边缘的神经形态启发加速器中得到更广泛的应用 [9] - 嵌入式新兴存储器领域是主要的增长引擎,其中ReRAM在大批量微控制器和模拟IC中处于领先地位,而MRAM和嵌入式PCM则巩固在性能关键型利基市场 [9] 行业前景 - eNVM的作用从"仅仅是存储"扩展到成为计算结构的一部分,重新定义了效率,并使嵌入式存储器在设备智能中变得比以往任何时候都更加核心 [9] - 嵌入式NVM不仅仅是存储器,它是智能、持久片上系统的推动者,随着其在微控制器和边缘SoC中的加速采用,发展轨迹已经确定 [9]