转自：新华财经 新华财经北京9月29日电（胡晨曦）A股三大指数9月29日早间低开，随后震荡回升翻红，沪指半日涨 0.13%，创业板指早盘一度涨近3%。盘面上，固态电池概念股表现强势，湘潭电化、多氟多等多股涨 停；证券板块震荡走高，国盛金控涨停创出历史新高，华泰证券、东吴证券、广发证券涨幅居前。下跌 方面，教育股集体大跌，中国高科、凯文教育双双触及跌停；猪肉、食品股同样表现不佳，龙大美食、 傲农生物、温氏股份等多股下挫。 截至午间收盘，沪指报3832.90点，涨幅0.13%，成交5551亿元；深证成指报13355.98点，涨幅1.11%， 成交7291亿元；创业板指报3207.44点，涨幅1.77%，成交3443亿元。科创50指数报1443.35点，跌幅 0.51%，总成交额约576亿元。 热点板块 盘面上，电池、贵金属、证券、金属镍、固态电池、PEEK材料等板块和概念股涨幅居前；教育、煤炭 开采加工、养殖业、芬太尼、跨境支付、乳业等板块和概念股跌幅居前。 机构观点 中信证券：相比于上一轮存储上行周期（2023Q3-2024Q2）是"强预期弱现实"，本轮存储周期上行 是"保守预期→北美CSP上调CAPEX + ...

本轮周期上行自25Q1起，在供给端，1）DRAM：海外原厂聚焦高利润率的DDR5（Double Data Rate 5）、HBM（High Bandwidth Memory），压缩DDR3/DDR4供给，使DDR3/DDR4在2025年2月开始止跌 回升，Q2 DDR4涨幅快速扩大，根据Bloomberg，DDR4颗粒Q2涨幅基本翻倍；2）NAND Flash：海外 原厂自2024年12月以来陆续公告减产10%~15%，同时加快将产能向200层以上产品迁移，进而减少低阶 产品的供应量，2025年3月TLC（Triple-Level Cell）颗粒价格止跌回升，25Q1加速供需平衡，25Q2温和 上涨3~8%。进入9月，多家海外存储原厂包括闪迪、美光、三星均公告计划调涨主流存储DRAM、 NAND报价，我们继续看好"北美CSP（Cloud Service Provider）上调CAPEX + HDD（Hard Disk Drive） 需求外溢"带动的需求周期。 ▍需求端：AI CAPEX高增、HDD紧缺是本轮企业级SSD涨价核心原因。 1）AI CAPEX高增带动数据中心存储需求。海外四大CSP厂商2025年C ...

行业周期分析 - 本轮存储周期上行由保守预期转向北美CSP上调资本支出及HDD需求外溢驱动[1] - 存储景气度上行趋势至少延续至2026年下半年[1] - NAND产能利用率在过去约3个季度保持相对较低水平[1] 投资机会 - 企业级SSD需求景气度显著提升[1] - 存储模组公司中企业级产品进展快、涨价受益逻辑强的标的值得重点关注[1] 资本支出策略 - 海外原厂对资本支出保持谨慎预期[1]

市场整体表现 - A股市场震荡走强 沪指小幅收绿 创业板指突破3200点创阶段新高 [1] - 全市场超过3800只个股下跌 资金高度集中呈现"趋势抱团"特征 主要流向产业趋势明确、基本面过硬的核心龙头公司 [1] 龙头公司市值变化 - 宁德时代股价突破400元关口 总市值一度达1.84万亿元 超越贵州茅台 [2] - 科技类公司在市值前50名中占比从18家提升至24家 反映市场结构向科技转型 [4] 政策导向 - 商务部等八部门联合印发《关于大力发展数字消费共创数字时代美好生活的指导意见》 旨在扩大数字消费多元化供给 创新数字消费场景 [5][7] - 政策核心聚焦人工智能+消费 包括AI终端、AI应用等 从下游场景端推动人工智能发展 [7] 数字消费重点领域 - AI硬件消费：人工智能手机、可穿戴设备、3D打印设备、机器人 [8] - AI终端消费：智能家电、智能安防 [8] - 智驾消费：智能网联汽车 [8] - 新消费：数字国潮 [8] - 政策更利好科技行业 促进数字消费、科技消费及服务内容消费 [8] 市场主线 - 资金紧紧围绕人工智能和新能源两大核心赛道 [9] - AI产业链全面走强 覆盖上游算力硬件（浪潮信息、中科曙光）到下游应用领域（昆仑万维） [10] AI存储行业分析 - 企业级存储2025年市场规模约878亿美元 2024-2028年复合增长率约18.7% [12] - DRAM供应因DDR4与DDR5切换、HBM产能挤占及制程切换持续收紧 [12] - NAND端原厂利润率不可持续 三星、美光、铠侠三家大厂同步缩减128层以下产能 [12] - 闪迪对所有渠道及消费者客户的闪存产品价格调涨10% 企业级SSD需求旺盛 [12] - 服务器内存条延续涨价 AI浪潮进一步驱动供需紧缺 [12] 存储模组国产化机遇 - 企业级SSD主要由主控芯片、固件及存储介质构成 主控芯片与固件同样重要 [13] - 企业级内存条主要构成为DRAM、接口芯片及配套芯片 DRAM颗粒质量对性能至关重要 [13] - 在原厂减产、供需紧缺背景下 能获得稳定高品质颗粒供给的模组厂商将受益于存储升级+涨价+国产化三重驱动 [13] 核心产业链分类 - 存储模组：香农芯创、开普云（金泰克）、德明利、江波龙、佰维存储 [14] - 存储芯片：兆易创新、澜起科技、东芯股份、普冉股份 [14] - 半导体设备：中微公司、北方华创、拓荆科技、百傲化学（芯慧联）、华海清科、芯源微、中科飞测、芯碁微装、盛美上海 [14] - 半导体材料：雅克科技、鼎龙股份、彤程新材、安集科技、兴森科技、天承科技、联瑞新材、兴福电子、德邦科技、华海诚科 [14] - 封测：长电科技、通富微电、甬矽电子、汇成股份 [14]

第一财经记者获悉，长江存储科技控股有限责任公司（以下简称"长存集团"）近日召开了股份公司成立 大会，大会选举产生了股份公司首届董事会成员。此举意味着该公司完成了股份制改革。 长存集团是国内唯一一家3D NAND原厂长江存储的母公司。据胡润研究院最新发布的《2025全球独角 兽榜》，长江存储估值1600亿元，位列中国十大独角兽第九。2025年4月，上市公司养元饮品发布对外 投资公告，称旗下子公司泉泓投资出资16亿元投资长存集团，获得后者0.99%的股份，以此计算，长存 集团估值则为1616亿元。 除了4月获得来自泉泓投资、农银投资等16家机构的投资，今年7月，长存集团的股东行列中，还新增了 员工持股平台武汉市智芯计划一号至六号企业管理合伙企业（有限合伙），4月和7月两笔融资额累计超 百亿元。长江存储近期受到关注，还因为公司有扩大产能的动作。本月早些时候，长江存储与湖北长晟 三期共同出资207.2亿元成立长存三期（武汉）集成电路有限责任公司，其中长江存储出资104亿元、持 股50.1931%。 NAND Flash是目前最主要的存储介质之一。从NAND Flash市场格局看，海外厂商仍占据NAND Flash市 ...

第一财经记者获悉，长江存储科技控股有限责任公司（以下简称"长存集团"）近日召开了股份公司成立大会，大会选举产生了股份公司首届董事 会成员。此举意味着该公司完成了股份制改革。 长存集团是国内唯一一家3D NAND原厂长江存储的母公司。据胡润研究院最新发布的《2025全球独角兽榜》，长江存储估值1600亿元，位列中国 十大独角兽第九。2025年4月，上市公司养元饮品发布对外投资公告，称旗下子公司泉泓投资出资16亿元投资长存集团，获得后者0.99%的股份， 以此计算，长存集团估值则为1616亿元。 除了4月获得来自泉泓投资、农银投资等16家机构的投资，今年7月，长存集团的股东行列中，还新增了员工持股平台武汉市智芯计划一号至六号 企业管理合伙企业（有限合伙），4月和7月两笔融资额累计超百亿元。长江存储近期受到关注，还因为公司有扩大产能的动作。本月早些时候， 长江存储与湖北长晟三期共同出资207.2亿元成立长存三期（武汉）集成电路有限责任公司，其中长江存储出资104亿元、持股50.1931%。 长江存储尚未公布上市计划，另一家存储原厂长鑫科技已于今年7月启动上市辅导。 据TrendForce集邦咨询数据，今年第二季度， ...

半导体板块市场表现 - 半导体板块24日盘中强势拉升 光刻机及存储芯片概念活跃 [1] - 江丰电子20%涨停 联合化学涨超18% 张江高科及通富微电涨停 盛美上海涨超9% [1] 盛美上海技术突破 - 公司9月8日推出首款KrF工艺前道涂胶显影设备UltraLithKrF [1] - 新设备具有高产能 先进温控技术及实时工艺控制监测功能 [1] - 首台设备已于2025年9月交付中国头部逻辑晶圆厂客户 [1] 存储芯片价格动态 - 三星对DRAM和NAND闪存产品大幅提价 部分产品提价幅度高至30% [1] - 三星成为继美光和闪迪后最新上调存储产品价格的存储巨头 [1] - 闪迪对闪存产品涨价10%+ 美光阶段性暂停报价 [2] 存储行业供需分析 - NAND在过去约3个季度保持较低产能利用率水平 [2] - NAND价格涨幅低于DRAM 近期HDD需求超预期导致紧缺 [2] - 企业级SSD需求高增下NAND涨幅有望超预期 [2] 投资关注方向 - 建议重视企业级SSD需求景气度 [2] - 重点关注企业级存储进展快 涨价受益逻辑强的公司 [2]

行业市场展望 - 预计AI服务器需求持续增长将推动存储市场价格在四季度全面上涨 [1] - AI产业驱动的存储市场周期有望提升行业竞争力 [3] 公司产品与技术进展 - 企业级SSD产品获多个头部客户认可 2024年中国企业级SATA SSD总容量排名第三（国产品牌第一） [1] - 推出专为AI数据中心设计的SOCAMM2内存产品 虽未形成收入但具备广阔应用潜力 [3] - 自研UFS4.1产品在性能与功耗方面优于市场主流产品 正在加速导入 [3] - 主控芯片全系列产品累计部署量超过8000万颗（截至7月底）并保持快速增长 [3] 商业合作与财务表现 - 与闪迪达成TCM模式合作 [3] - 2025年中期实现收入101.96亿元 归母净利润1477万元 [3]

固定收益市场分析 - 国盛基本面高频指数为127.8点（前值127.6点），同比增幅扩大至5.7点（前值5.6点）[2] - 工业生产高频指数为127.0（前值126.9），同比增幅保持5.3点不变；商品房销售指数42.6（前值42.8），同比降幅6.3点维持不变[2] - 库存高频指数162.0（前值161.9），同比增幅缩窄至8.7点（前值8.8点）；交运指数130.8（前值130.6），同比增幅扩大至9.7点[2] - 超长债期限利差显著偏离模型拟合值，显示超跌特征，流动性未明显下降前提下具备配置价值[3] 电子行业与香农芯创深度研究 - 香农芯创形成"分销+产品"双轮驱动：拥有SK海力士、联发科、AMD及寒武纪等头部芯片厂商代理权，2024年位列全球半导体分销商第14名、中国大陆第3[4] - 子公司海普存储2025H1营收3.31亿元（同比增542倍），推出企业级NVMe SSD HP600、DDR4/DDR5 RDIMM三款产品，计划2025-2027年实现产业营销垂直一体化[7] - 受益AI服务器存储需求提升：企业级存储市场2025年规模预计878亿美元（2024-2028年CAGR 18.7%），服务器内存条因AI服务器配置量达通用服务器2倍，2025-2030年出货量CAGR 10.8%[6] - 2025Q3 DRAM价格预计季增10%-15%，其中服务器DDR4提价28%-33%；NAND Flash因产能转向高毛利产品，合约价预计季增5%-10%[5] - 公司2025H1营收171亿元（同比+119%），归母净利润1.6亿元（同比+1%）；预计2025-2027年营收389/580/797亿元，归母净利润6.05/10.36/15.08亿元[8] 行业表现数据 - 电子行业近1年涨幅121.2%，近3月涨幅51.2%；通信行业近1年涨幅124.1%，近3月涨幅61.6%[1] - 有色金属行业近1年涨幅68.3%，近3月涨幅34.5%；电力设备行业近1年涨幅71.2%，近3月涨幅40.4%[1] - 银行行业近1年涨幅22.9%，近3月跌幅10.4%；石油石化行业近1年涨幅8.2%，近3月跌幅1.8%[1]

存储器价格预期 - LPDDR5合约价涨幅上修至6-8% LPDDR4暴涨40-50% NAND Flash合约价涨幅预期升至15% 2026年第一季度传统淡季依然看涨 [4] - NAND和DDR均处于上行周期中 [5] - NAND价格在特定季度出现显著波动 例如某季度环比增长19% 另一季度增长13% 还有季度增长6% [6] 供给侧变化 - 海外原厂战略转向明确 持续退出部分产能 DDR4/LPDDR4产能因资源倾斜至DDR5/HBM等高端产品而缩减 [8] - DDR5/HBM产能利用率持续打满 新增产能在2025年底前有限 NAND产能利用率低于80% 无大规模扩产计划 供给弹性严重不足 [8] 需求端驱动因素 - 存储器下游需求中手机 PC 服务器占比超80% 服务器占比约30% [9] - AI应用从训练侧向推理侧/边缘侧扩散 驱动移动设备LPDDR5x 通用服务器DDR5 HBM及企业级SSD需求爆发式增长 [9] - 北美云厂商加大AI数据中心投入 存储池扩容与升级HDD→SSD 为企业级SSD及高性能DRAM带来持续需求增量 [10] 与2016-2018行情对比 - 相同点包括产品价格短期内飙升 原厂减产 暂停报价等操控手段 涨价节奏由三星 海力士 美光等巨头主导 [11] - 不同点在于需求驱动内核 本轮是AI应用从训练向推理与边缘侧延伸催生的结构性爆发性需求 不仅量增更追求存储性能带宽速度 直接拉动HBM 高性能DDR5 PCIe5.0/6.0 SSD等高端品类 AI服务器单机存储搭载量是传统服务器的3-5倍 [13] - 供给调整逻辑不同 本轮巨头战略性地将产能永久性转向技术壁垒和利润更高的HBM DDR5等产品 主动收缩并逐步淘汰DDR4/LPDDR4等旧制程产能 导致传统领域出现永久性供给缺口 [14] - 行情持续性根基不同 本轮由AI技术革命驱动 是十年维度的产业趋势 数据中心为应对HDD短缺交期拉长至52周以上而加速向SSD迁移 进一步巩固需求韧性 [15] Bernstein观点 - NAND短期涨价驱动因素是AI推理需求提升叠加HDD短缺2022年起HDD供应商资本支出保守交货周期长达1年 CSP转向企业级SSD替代带动NAND需求激增 供应商惜售买家提前囤货价格上涨从eSSD蔓延至消费级市场供应商报价涨幅10%-30%实际成交2025Q3-Q4环比涨中至高个位数 [18] - 2025年ASP预计小幅下降10% 2026年增长13% 但2026年四季度起价格将因新供应入市回落 需求若持续终将扩产设备订购到产能释放需6-9个月预计2025年底-2026年初启动资本支出2026年下半年新供应落地 [18] - 持续看好HBM和DRAM市场 2026年HBM位出货量同比增长53% 成本下降超预期高增长可消化竞争压力供应商均能实现增长 [19] - NVIDIA将HBM4速度要求从8Gbps提升至10-11Gbps 三星4nm基片+1cnm DRAM片 SK海力士12nm基片可满足需求美光因采用内部平面DRAM工艺基片难以达标 [19] - 三星施压SK海力士将HBM3E价格降20%但HBM4溢价支撑混合ASP持平 三星2026年HBM份额预计提升SK海力士美光仍能受益于市场扩张 [19]