周一，韩国科技巨头三星电子股价大幅上涨5%。消息面上，该公司的12层HBM3E芯片产品终于通过英 伟达认证测试，这意味着这家芯片巨头在全球人工智能芯片赛道上取得了重要突破。 当天，三星股价早间一度上涨5%至83400韩元，创下过去一年以来新高。在三星大涨的带动下，韩国综 合股价指数上午上涨0.8%。 这背后的关键推动力是三星高带宽内存（HBM）芯片的重要进展：三星在多次尝试失败后，终于通过 了英伟达对其第五代12层HBM3E产品的认证测试——这对于这家芯片巨头来说是一大重要里程碑。 韩国媒体报道称，三星正在准备向英伟达供应其12层HBM3E存储芯片，初期产量和供应量将有限。此 前，三星已经向AMD和博通公司供应了HBM3E产品，但始终未能通过英伟达的认证测试。据称，英伟 达要求供应商实现超过每秒10千兆位元的HBM数据传输速度，远高于目前行业标准的8Gbps。 此前，三星的竞争对手、存储芯片公司SK海力士已经跑在了三星前方，开始大规模量产并向英伟达供 应HBM芯片，美光科技公司也紧随其后。三星将成为英伟达HBM芯片的第三家供应商。 不过目前来看，SK海力士仍然跑在队伍最前方。上周，SK海力士表示，该公司已完成 ...

行情表现 - 主板领涨个股包括荣联科技(+10.05%)、冠捷科技(+10.04%)、中国电影(+10.03%)、完美世界(+10.01%)及上海贝岭(+10.00%) [1] - 创业板领涨个股包括星辉娱乐(+20.00%)、圣邦股份(+20.00%)和线上线下(+20.00%) [1] - 科创板领涨个股包括开普云(+13.71%)、纳芯微(+10.79%)及国盾量子(+9.94%) [1] - 活跃子行业中SW游戏Ⅲ上涨4.27%，SW模拟芯片设计上涨4.12% [1] 国内半导体动态 - 拓荆科技拟通过定增募资不超过46亿元，用于高端半导体设备产业化基地建设、前沿技术研发中心及补充流动资金 [1] - 禾赛科技与美国头部Robotaxi公司签订超过4000万美元激光雷达订单，成为其唯一供应商，计划2026年底前完成交付 [1] - 市场监管总局对英伟达违反《反垄断法》行为启动进一步调查，涉及此前收购迈络思科技股权案 [1] - TCL华星苏州基地量产P1.2 Mini LED COB显示屏，亮度可调至0-800nit，对比度达5000:1，适用于多场景应用 [1] 公司公告摘要 - 天润科技取得"多源地名数据自动化质检系统及方法"发明专利，解决同名异地及同地异名问题 [3] - 得润电子确认收到参股公司股权转让款1.35亿元 [3] - 珠海冠宇一审被判停止制造涉诉电芯产品并赔偿ATL 990.29万元，公司计划上诉 [3] - 鼎通科技拟投资1500万美元在越南设立子公司，从事高速通讯连接器、新能源车连接器等研发生产 [3] 海外行业趋势 - AI数据量增长导致Nearline HDD供应短缺，QLC SSD出货量预计2026年爆发性增长 [3] - SK海力士宣布准备量产下一代HBM4芯片，领先竞争对手 [3] - 三星电子计划2025年上半年完成平泽P4园区1c DRAM设备投资，并推进华城17号线转换投资 [3] - 三星电子与京东方商讨2025年电视液晶面板采购计划，预计采购量超400万块（占年采购量10%），较今年4%份额显著提升 [3]

SK海力士HBM4技术突破 - 公司宣布量产下一代高频宽记忆体HBM4芯片 运行速度超过10Gbps 远超JEDEC标准8Gbps [2] - HBM4采用2048个输入/输出端子 频宽翻倍 具备全新电源管理和RAS功能 [2] - 采用先进MR-MUF堆叠方法和第五代1b 10纳米制程技术 最大限度降低生产风险 [3] HBM4性能优势 - 与上一代产品相比能源效率提升40%以上 AI服务效能提升高达69% [3] - 解决数据瓶颈问题 降低数据中心能耗和成本 [3] - MR-MUF制程注入液态保护材料 提高散热效率 确保规模化生产稳定性 [4] 市场竞争格局 - 英伟达预计2026年下半年下一代GPU平台Rubin使用8颗SK海力士12层HBM4芯片 [2] - 美光计划2025年6月提供36GB 12层HBM4样品 2026年开始量产 [2] - 三星仍在努力使HBM3e堆叠获得英伟达验证 HBM4需更多时间突破 [3] 行业前景与定价 - 分析师预测HBM4售价可能比上一代产品高出60%至70% [4] - 竞争对手三星和美光预计2026年后进入市场 价格可能逐渐下降 [4] - Counterpoint Research预计SK海力士2026年占据HBM市场约50%占有率 [4]

SK海力士HBM4量产与市场影响 - 公司成功开发面向AI的超高性能存储器HBM4并构建全球首个量产体系 带宽为上一代两倍且能效提升超40% 采用2048个输入输出端口[1] - HBM4预计使AI服务性能提升69%并降低数据中心电力成本 公司计划今年下半年完成12层HBM4量产准备 芯片样品已于3月交付客户[1] - 作为英伟达关键供应商 公司今年上半年DRAM市场份额达36%超过三星的33% 若通过英伟达最终测试 HBM4将被AI芯片Rubin采用[1] - 高端HBM市场由三星 美光 海力士三大巨头主导 竞争激烈 三星计划2025年第四季度开始HBM4初期生产 美光的HBM4样品已进入客户验证阶段[1] - Meritz Security预测公司HBM市场份额到2026年将保持在60%左右[1] 特斯拉股价表现与业务进展 - 公司股价两日累计上涨超13.8% 创近三个月最大日涨幅 核心利好包括内华达州批准Robotaxi测试 需完成运营自我认证方可正式运营[2] - 其他推动因素包括上周推出的储能新品Megapack 3和Megablock Model Y L在中国热销且10月已售罄 以及马斯克潜在价值万亿的薪酬包确保其留任十年[2] 高盛黄金价格预测与行业观点 - 高盛将长期黄金价格预测从每盎司2850美元上调至3300美元 并表示到2026年中有望升至4000美元/盎司 极端情况下可能逼近5000美元[4] - 中型和大型黄金矿业公司如Capricorn Metals Ltd Westgold Resources Ltd Blue Gold Pentair PLC等股价有望跑赢黄金商品价格[4] - 黄金矿产企业的利润率扩张是关键驱动因素 预计这一趋势将持续 使黄金股在2025年底前继续跑赢大宗商品市场[4] 行业分析与投资机会 - HBM4精准匹配算力升级需求 带宽优势与生态适配性有助突破竞争格局 但需关注量产滞后 良率与成本压力[2] - 无人驾驶与机器人是特斯拉两大重点方向 需重视相关产业链机会[3] - 黄金定价进入多维驱动新阶段 美联储激进降息预期与美元信用弱化构成货币层面支撑 地缘风险常态化形成机制化溢价[4] - 存储芯片板块短期关注价格上升趋势 中期受益于AI需求驱动 长期看好自主可控与份额提升[2]

行业动态与政策支持 - 前7个月深圳集成电路出口达1339.3亿元，同比增长40.9% [11] - 韩国政府推出45.8万亿韩元支持计划，重点扶持电池、半导体和关键矿产产业 [12] - 工信部强调有序引导智能算力基础设施适度超前发展，截至2025年6月底中国智能算力规模达788EFLOPS [10] - 上海临港新片区签约重大科技产业项目总投资超400亿元，涵盖集成电路和人工智能等领域 [10] 存储芯片市场 - 2025年二季度全球DRAM市场规模环比增长20%至321.01亿美元，创历史季度新高 [12] - 存储现货市场以持稳为主，行业DDR4内存条与LPDDR4X产品高位盘整 [9][19] - SK海力士以38.2%市场份额蝉联DRAM市场第一 [12] 企业并购与扩张 - 泰凌微电子拟收购上海磐启微电子股权，同时募集配套资金 [8][14] - 晶丰明源计划以32.83亿元收购无线充电芯片制造商易冲科技100%股权 [15] - 斯达半导在上海成立集成电路公司，注册资本5000万元 [16] 技术研发进展 - 九峰山实验室成功开发6英寸磷化铟基探测器和激光器外延工艺，实现关键材料国产化 [20] - 英伟达启动自研HBM Base Die计划，预计2027年下半年试产 [16] - 三星HBM4样品通过英伟达测试，预计11月开始量产 [16] 国际关系与资本动向 - 台积电董事长魏哲家证实美国政府不入股台积电 [9][17] - 英特尔获美国政府90亿美元注资，换取9.9%股权 [18] 终端市场趋势 - 中国扫地机器人出口订单排至年底，1-7月国内销售额同比增长40%至106亿元 [21] - 全球折叠手机市场预计到2032年出货量达1.246亿台，苹果入局可能改变行业格局 [21][22][23] - 2024年中国电动车产业链海外投资达160亿美元，首次超过国内投资 [23]

三星HBM业务复苏与竞争策略 - 三星半导体业务因美国大型科技公司代工订单而出现复苏迹象 市场关注其内存芯片业务能否延续此势头[2] - 三星HBM3E认证原计划Q3完成 但多位分析师预测可能延期至Q4 摩根士丹利预计8月底完成认证 Q4开始为英伟达量产[2] - 高盛报告指出三星预计下半年HBM3E销售组合占比达90% 意味着将向主要客户全面出货12-high堆叠版本[2] - 三星在财报电话会议中表示计划下半年HBM3E销量较上半年"大幅提升" 并承认供应增长可能超过需求增长 暂时影响市场价格[3] - 三星已向英伟达交付12英寸HBM4样品 工程样品计划8月发布 客户样品11月发布 主要客户最终认证预计明年2月完成[3] 下一代DRAM技术竞争格局 - 三星采用更先进的1c工艺（10纳米级第六代）开发HBM4芯片 而SK海力士采用上一代1b工艺（11-12纳米级第五代）[4][6] - 1c工艺通过缩小电路线宽提升芯片性能和能效 但过渡到更先进技术需要更高成本 可能面临冗余度扩大和投资增加的问题[4][6] - 三星计划比SK海力士提前3-4个月量产1c DRAM 若成功向英伟达供应HBM4 有望重夺30年来首次失去的DRAM市场领先地位[6] - 三星已于Q1开始订购1c DRAM生产设备 预计年底完成生产线建设 SK海力士计划Q3开始订购设备 明年实现量产[7] - 2025年Q1 DRAM市场份额数据显示 SK海力士占36.9% 超过三星的38.6% 三星因DRAM质量问题和HBM产量损失导致地位下滑[7] SK海力士EUV技术发展 - SK海力士积极将EUV工艺应用于下一代DRAM开发 计划在1c DRAM中应用至少5层EUV 较上一代1b DRAM的4层进一步增加[10] - EUV波长13.5纳米 是传统工艺材料ArF的十三分之一 适用于超精细电路层 其余层仍使用深紫外（DUV）等传统工艺[10] - 公司致力于开发提高EUV工艺生产率的方法 并积极应对高数值孔径（High-NA）EUV技术 计划最早明年推出NA 0.55设备[11] - 高NA EUV面临掩模版开发挑战 因光线扩散角度增大会导致入射角和反射角重叠 需采用"变形"技术防止重叠但需两个掩模版[11] - SK海力士表示尚未开发出用于High-NA EUV的掩模版 因控制"缝合"区域（掩模版接触重叠区）相当困难 仍在探索材料方案[11]

智通财经7月31日电，三星电子表示，下半年HBM3E芯片销售将占逾90%，已向客户提供HBM4芯片样 品。 ...

公司产品进展 - 公司HBM3E芯片销售额预计在下半年将占总销售额的90%以上 [1] - 公司已向客户提供了HBM4芯片的样品 [1]

三星电子签订大额半导体代工合同 - 公司与一家国际巨头签订半导体代工生产合同，金额达22.7648万亿韩元（约合人民币1183亿元），合同期截至2033年12月31日 [2] 三星晶圆代工业务表现 - 2025年第一季度营收为28.9亿美元，环比下降11.3%，市场份额从8.1%降至7.7% [3] - 业务下滑原因包括对中国消费者补贴计划敞口有限、美国对先进节点的限制 [6] - 台积电以255亿美元营收和67.6%市场份额领跑市场，中芯国际营收增长1.8%至22.5亿美元，市场份额从5.5%增至6% [6] 三星晶圆代工市场竞争态势 - 中芯国际可能超越三星成为市场第二名 [7] - 三星计划通过2nm制程技术（如Exynos 2600芯片）重拾高通和英伟达等客户信任 [7] 三星芯片制造技术进展 - 采用10纳米1c级工艺生产DRAM，计划用于HBM4核心芯片 [8] - 1c工艺相当于11纳米，提供更强计算能力和更高能效 [8] - 与SK海力士和美光竞争，三星计划通过1c工艺差异化其HBM4产品 [9] 三星代工业务反弹策略 - 采用8纳米工艺生产英伟达T239芯片组，预计为任天堂Switch 2带来超12亿美元销售额 [10] - 采用3纳米工艺量产Exynos 2500应用处理器，良率已提升 [10] - 计划下半年为Galaxy S26系列生产2纳米工艺Exynos 2600 [11] - 争取高通和英伟达订单，采用2纳米级和Gate-All-Around技术 [12] 三星DS部门盈利前景 - 分析师预计第三季度营业利润达4.61万亿韩元，同比增长19.43% [12] - 1b DDR5已开始全面生产，1c工艺良率正在提升 [12]

三星电子利润下滑原因 - 第二季度初步营业利润为4.6万亿韩元（33亿美元），同比下降56% [1] - 分析师平均预期营收下降41%，实际降幅超出预期 [1] - 一次性库存相关成本和先进内存产品客户评估延迟是主要原因 [1] - 代工芯片业务运营亏损预计下半年收窄 [1] HBM芯片市场竞争格局 - 三星12层HBM3E尚未获得英伟达认证，落后于SK海力士 [2] - SK海力士获得异常长的交货时间优势 [2] - 美光科技正在快速推进市场地位 [2] - 三星芯片部门第二季度营业利润预计2.7万亿韩元，低于去年同期的6.5万亿韩元 [2] 三星HBM产品发展计划 - 已向主要客户交付增强型HBM3E样品 [5] - 计划2024年下半年开始量产HBM4芯片 [5] - 获得AMD的HBM3E订单，但未获英伟达早期认证 [5] - 伯恩斯坦预计三星HBM3E认证将推迟至第三季度 [5] 市场份额预测 - 伯恩斯坦预测2025年SK海力士将占HBM市场57%份额 [6] - 三星预计占27%，美光占16% [6] - 三星承诺加强HBM市场地位，避免在HBM4上重蹈覆辙 [6] - 大信证券预计三星可能在2025年第三季度推出HBM4产品 [6]