公司技术进展 - 三星电子已完成其第六代高带宽内存(HBM4)芯片的开发，并正进入量产准备阶段[1] - 公司已完成了HBM4的“生产准备批准”阶段，这是半导体开发流程中的第六步，也是量产批准前的最后一步[1] - 自今年6月成功开发10纳米级第六代DRAM(“D1c”)以来，该公司的HBM4开发进度加快[1] 客户验证与量产计划 - 三星电子目前正向英伟达发送HBM4原型样品进行质量测试[1] - 公司的目标是在年底前完成HBM4的开发，一旦通过英伟达的质量测试，便可能立即开始量产[1] - 三星正在建立即时量产的系统[1] 公司战略与竞争格局 - 三星计划利用领先竞争对手一代的D1c技术，凭借性能更高的HBM4重获竞争优势[1] - 展望2026年，其内存业务将专注于量产具有差异化性能的HBM4产品[1] - 竞争对手SK海力士已于今年9月表示，其已完成HBM4的开发并做好了量产准备，该公司是英伟达HBM芯片的主要供应商[1] - 美光科技在较小程度上也是三星和SK海力士在该领域的竞争对手[1]