Key Points Nvidia and Advanced Micro Devices supply some of the world's most powerful artificial intelligence (AI) chips for data centers. Those chips are fitted with high-bandwidth memory, and Micron Technology is a top supplier of that hardware. Micron's revenue and earnings are soaring, yet its stock looks like a bargain relative to its peers, so this could be a great buying opportunity. 10 stocks we like better than Micron Technology › Nvidia and Advanced Micro Devices supply some of the world ...

文章核心观点 - 存储行业正迎来超级周期 由人工智能驱动的HBM需求激增所推动 三大存储厂商美光 三星和SK海力士竞争激烈 行业前景乐观 [5][6][27] 美光HBM业务进展 - 美光本季度营收达113.2亿美元 上一季度为93.0亿美元 全年营收从251.1亿美元增长至373.8亿美元 [5] - HBM 高容量DIMM和LP服务器DRAM总收入达100亿美元 较2024财年增长五倍 人工智能对HBM的需求支撑近50%收入增长 [5] - HBM营收增长至近20亿美元 年化运营率接近80亿美元 与几乎所有客户就2026年HBM3E绝大部分供应达成定价协议 [9] - 已向客户交付HBM4样品 实现业界领先11Gbps速度 带宽超过2.8 TB/s 预计HBM4E于2027年上市 [10] - 有六家HBM客户 DRAM市场份额约22.5% 预计2026年HBM市场规模500亿至600亿美元 公司目标份额125.8亿美元 2030年HBM潜在市场达1000亿美元 [11] 三星HBM业务动态 - 第二季度HBM市场份额跌至17% 低于美光21% 但预计明年份额将超过30% 因HBM3E产品认证和HBM4出口扩大 [13][14][18] - HBM3内存预计用于Nvidia DGX B300显卡 AMD Instinct MI350显卡已销售HBM3E芯片 [16] - HBM4样品通过NVIDIA可靠性测试 进入预生产阶段 最早年底量产 数据传输速度达11Gbps 能效提高40% [17][18][19] - 第三季度营业利润预计首次突破10万亿韩元 HBM和晶圆代工业务好转 [19] SK海力士HBM领先地位 - HBM市占率高达62% 反超三星成为全球DRAM龙头 [21] - 计划到2027年购置约20台EUV光刻机 设备数量翻番 提升下一代DRAM和HBM产能 [21] - 已完成HBM4内部验证和质量保证 准备大规模生产 实现每个引脚超过10Gbps吞吐量 速度提高25% [23] - 采用10纳米至10纳米工艺和MR-MUF技术 降低生产风险 产品开发完成并准备出货 [24] 存储市场趋势与预测 - 由于供应紧张 主要供应商将产能分配给利润更高的服务器DRAM和HBM PC内存价格预计上涨8%至13% 算上HBM涨幅可能达13%至18% [25] - 摩根大通将存储器半导体总可寻址市场预期上调高达24% 预计2027年HBM占DRAM市场43% 降低价格波动并提高盈利能力 [25] - NAND闪存价格可能呈上涨趋势 因eSSD普及和过去两年缺乏投资 [26]

财报显示，该公司本季度营收为113.2亿美元，而上一季度为93.0亿美元；全年营收则从251.1亿美元 增长至373.8亿美元。当中，美光HBM、高容量DIMM和LP服务器DRAM的总收入达到100亿美元， 较2024财年增长了五倍。人工智能对HBM的需求支撑了美光本财年近50%的收入增长，管理层也上 调了2025年服务器的增长预期，这表明美光的高两位数增长并非终点。 自上次公布财报以来，美光股价已上涨约 31%，并从季度内每股 104 美元的低点回升了约 58%，今 年迄今上涨了 90%，财报也证实，HBM 还具有更大的上涨空间。 从美光、三星和SK海力士的表现看来，HBM俨然成为了印钞机。 公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 日前，美国存储厂商美光交出了一份漂亮业绩。 我们近期已向客户交付了 HBM4 样品，其业界领先的带宽超过 2.8 TB/s，引脚速度超过 11 Gbps。 我们相信，美光科技的 HBM4 性能超越所有竞品 HBM4 产品，不仅拥有业界领先的性能，还拥有一 流的能效。我们久经考验的 1-gamma DRAM、创新高效的 HBM4 设计、自主研发的先进 CMOS 基础芯片以及 ...

智通财经APP获悉，近日，美光科技(MU.US)举办FY25Q4业绩会。会上，美光科技表示，对于下一季 度的增长，DRAM的贡献将大于NAND。美光预计毛利率将环比提升580个基点，这主要得益于三个方 面：有利的产品组合、强劲的定价以及出色的成本控制。目前市场环境非常有利，DRAM供应紧张， NAND状况也在显著改善。 美光科技预测，到2030年，HBM市场规模将达到1000亿美元。HBM的增长速度将持续快于整个DRAM 市场，2026年也不例外。随着市场对性能要求越来越高，HBM的价值也在不断提升。美光对此已做好 充分准备，公司的HBM4产品将在性能和能效上处于行业领先地位。 Q：关于下一季度 12 亿美元的预期营收增长，您能拆解一下 DRAM 和 NAND 各自的贡献吗？另外， 有哪些因素会影响毛利率的变动？ A：对于下一季度的增长，DRAM 的贡献将大于 NAND。我们预计毛利率将环比提升 580 个基点，这 主要得益于三个方面：有利的产品组合、强劲的定价以及出色的成本控制。目前市场环境非常有利， DRAM 供应紧张，NAND 状况也在显著改善。 需求端，数据中心、传统服务器、PC、手机和汽车市场都在增 ...

来源：市场资讯 （来源：Eric有话说） 存储巨头美光拉开半导体三季报帷幕。美光本季度按财年时间是FY25Q4，按实际时间对应2025年6/7/8 月。 美光FY25Q4财报： 营收113.2亿美元，同比增长46%，环比增长22%，再创历史新高；预计FY26Q1营收125亿美元， 同比增长44%，环比增长11%，继续环比增长； GAAP毛利率44.7%，环比增长7个百分点；预计FY26Q1毛利率50.5%，环比增长5.8个百分点 （GAAP毛利率巅峰是FY18Q4的61%）； GAAP经营利润36.5亿美元，环比增长68%，经营利润率32%（GAAP经营利润巅峰是FY18Q4的43 亿美元）； 经营现金流46.1亿美元，环比增长17%（经营现金流巅峰是FY18Q4的52亿美元）；自由现金流连 续6个季度为正； GAAP净利润32亿美元，环比增长70%，NonGAAP净利润34.7亿美元，环比增长59%；预计 FY26Q1 GAAP净利润40.2亿美元，NonGAAP净利润43.1亿美元（GAAP净利润巅峰FY18Q4的43.3 亿美元）； 整个FY25财年未回购； 分业务： DRAM营收90亿美元，同比增长6 ...

涉及的行业或公司 * 美光科技公司 (Micron Technology Inc, MU) [1] * 半导体存储行业 (DRAM 和 NAND) [1] * 其他相关公司：SanDisk (SNDK) [2]、Lam Research Corp (LRCX) [2]、Applied Materials Inc (AMAT) [2]、三星 (Samsung) [1][9]、SK海力士 (SK Hynix) [9]、CXMT [9] 核心观点和论据 **财务表现强劲且超预期** * 公司季度营收为113.15亿美元，高于高盛预期的112.46亿美元和市场预期的111.18亿美元 [3][11] * 季度毛利率为45.7%，高于高盛预期的44.6%和市场预期的44.7% [3][11] * 非GAAP每股收益为3.03美元，高于高盛预期的2.90美元和市场预期的2.82美元 [3][11] * DRAM业务营收为89.84亿美元，高于高盛预期的88.63亿美元和市场预期的87.23亿美元 [3][11] * NAND业务营收为22.52亿美元，低于高盛预期的23.08亿美元和市场预期的23.45亿美元 [3][11] **第一季度业绩指引远高于市场预期** * 营收指引中值为125亿美元，远高于高盛预期的116.62亿美元和市场预期的119.78亿美元 [7][14] * 非GAAP毛利率指引中值为51.5%，远高于高盛预期的46.0%和市场预期的46.1% [7][14] * 非GAAP每股收益指引范围为3.60-3.90美元（中值3.75美元），远高于高盛预期的3.07美元和市场预期的3.09美元 [7][14] **DRAM市场势头持续强劲** * DRAM市场状况非常健康 [1] * 公司HBM产品获得强劲的客户认可度，其HBM市场份额现已与公司整体DRAM市场份额一致 [1][6] * 公司已与六家HBM3E客户达成定价协议，覆盖了其绝大部分计划产能 [6] * 预计2025年行业DRAM位元需求增长将达高十位数范围，略高于此前预期 [6] * 预计2026年DRAM供需平衡将进一步趋紧 [6] **NAND市场出现拐点并趋紧** * NAND市场在最近几个月已大幅趋紧 [1] * 预计2025年行业NAND位元需求增长将达低至中十位数范围，高于此前预期的低双位数 [6][7] * 预计2026年供需动态将继续改善 [6] * 中期继续预计NAND位元需求将有中十位数增长 [7] **资本支出大幅增加** * 公司未提供明确的2026财年定量展望，但指出其第四财季支出的45亿美元可作为2026财年支出的合理基线 [7] * 这意味着约180亿美元的预算，同比增长约30% [7] **高盛上调预期与目标价但维持中性评级** * 高盛将非GAAP每股收益预估平均上调15%，以反映更高的营收和利润率假设 [8] * 目标价从130美元上调至145美元，基于13倍市盈率乘以正常化每股收益预估11.15美元（原为10.00美元） [9] * 维持中性评级，主要担忧是2026年可能因新增供应商（如三星）的资格认证而导致HBM价格回调的风险 [1][9][10] * 若能证明2026年供需进一步趋紧或美光市场份额相对竞争对手进一步改善，可能会考虑转为更积极的看法 [1][10] 其他重要内容 **对其他公司的影响** * 对SanDisk (SNDK) 的评论预示积极，因NAND市场状况改善 [2] * 对半导体设备公司（主要是Lam Research和Applied Materials）预示积极，因美光资本支出显著增加且其对内存的敞口高于同行 [2] **关键风险因素** * 公司在HBM路线图上的持续执行以及与三星和SK海力士的份额争夺 [9] * AI加速器中HBM含量的显著增加（超出当前预期） [9] * CXMT获得DRAM市场份额的迹象对定价动态产生负面影响 [9] * 三星的HBM3E 12-Hi产品获得英伟达的资格认证 [9] **财务数据细节** * 第三财季营收环比增长21.7%，同比增长46.0% [11] * 高盛预计2025财年营收为415.36亿美元（原为402.63亿美元），同比增长42.8% [15] * 高盛预计2025财年毛利率为44.7%（原为42.4%），2026财年毛利率为52.1%（原为47.0%） [15] * 高盛预计2025财年非GAAP每股收益为10.44美元（原为9.44美元），2026财年为16.76美元（原为14.02美元） [15]

财务数据和关键指标变化 - 第四季度毛利率超过2022财年中期水平 DRAM毛利率高于2022财年中期 营业利润率创2018年11月以来最高水平 [42] - 预计第二季度毛利率将环比上升 [44] - 利息收入预计转为正值 主要由于资本化利息增加 债务减少和现金余额增加 [80] 各条业务线数据和关键指标变化 - NAND业务位元出货量在第四季度下降 主要由于产品组合变化和细分市场波动 [6][8] - HBM业务在2025年第三季度将达到与DRAM供应份额相当的水平 2026年全年份额将高于2025年 [17] - 数据中心SSD市场份额连续多年创纪录 公司在该市场具有强劲竞争地位 [9] - DDR4业务占比为低个位数百分比 由于客户极度短缺 UL时间线有所延长 [39] - 退出管理型NAND业务 将更多供应转向数据中心市场 [11][85] 各个市场数据和关键指标变化 - 超大规模云服务商因HDD市场短缺 需要显著增加AI服务器部署的存储能力 [8] - 数据中心SSD部署将在2026年增加 NAND行业状况预计开始改善 [8] - AI服务器倾向于使用最高容量驱动器 从60TB向120TB和245TB发展 [57] - 数据中心细分市场现在占整体市场的一半以上 并继续以高于其他市场的速度增长 [65] 公司战略和发展方向和行业竞争 - 资本支出从2025财年的138亿美元净额增加到2026财年约180亿美元净额 绝大部分用于DRAM建设和设备 [13] - 在爱达荷州建设首个晶圆厂 预计2027年下半年开始生产 [33][34] - HBM4产品具有最高性能 11Gbps引脚速度和28TB/s带宽 优于任何竞争产品 [25][78] - 退出移动NAND市场 专注于数据中心SSD等更高投资回报率的领域 [85][86] - 正在日本和台湾优化生产 利用可用洁净室空间 [35] 管理层对经营环境和未来前景的评论 - DRAM市场已经紧张 预计2026年将进一步收紧 [40] - NAND行业正在改善并变得更加紧张 但DRAM已经紧张且未来会更加紧张 [9] - 行业供应增长受到多种因素限制 包括库存水平低 DDR4/LP4寿命延长限制技术转型 HBM硅强度快速增加 [44] - AI从根本上改变了行业格局 数据中心成为更大且更高价值的机会 [65] 其他重要信息 - 一伽马(1-gamma)DRAM技术在本季度达到成熟良率 并向超大规模云服务商发货 [47] - 一伽马和一贝塔(1-beta)生产占位元输出的重要多数 2026财年将向一伽马转移 [47] - HBM3E产品具有最高性能和比任何竞争对手低30%的功耗 [23] - HBM4成本高于HBM3 HBM4价格将显著高于HBM3E价格 [49] - 2025财年成本下降情况: DRAM(不含HBM)高于高个位数百分比 HBM为低个位数百分比 NAND为中十位数百分比 [53] 问答环节所有提问和回答 问题: NAND行业状况和位元增长前景 - NAND位元下降主要是产品组合噪音 超大规模云服务商因HDD短缺需要更多存储能力 预计2026年数据中心SSD部署增加将推动NAND行业改善 [8] - 供应方面继续减少NAND晶圆产出 放缓节点转换速度 保持低资本支出水平并降低库存 [10][11] 问题: 资本支出构成和增量支出方向 - 资本支出从138亿美元增加到约180亿美元 绝大部分用于DRAM建设和设备 [13] 问题: HBM市场份额目标和盈利能力 - 预计2026年HBM份额将高于2025年 目标是在2025年第三季度达到DRAM供应份额水平 [17] - HBM业务具有长期订单可见性 定价提前锁定 预期全周期投资回报率更高 但非HBM DRAM也可能在某些时候盈利能力超过HBM [19][20] 问题: HBM4份额预期和竞争地位 - HBM4起步位置更好 具有最高性能 预计将获得客户强烈偏好 竞争格局变化可能主要发生在两个竞争对手之间 [24][25][26] 问题: 资本支出中设备与设施拆分 - 不提供具体拆分 但绝大部分支出用于DRAM建设和设备 包括在爱达荷州建厂和技术转型 [28][29][32] 问题: DRAM收入构成和毛利率贡献 - DDR4占比为低个位数百分比 由于客户短缺延长了UL时间线 [39] - 不评论HBM和非HBM DRAM之间的相对毛利率 因业务模式不同 HBM定价提前设定而非HBM部分基于季度趋势变动 [40] 问题: 毛利率提升驱动因素和限制条件 - 市场条件持续改善 价格继续上涨 NAND业务可继续改善 DRAM非常紧张 供应增长受限因素包括低库存 DDR4/LP4寿命延长限制技术转型 HBM硅强度增加 [42][44] - 一伽马DRAM技术 ramp是2026年供应解决方案的重要组成部分 [48] 问题: 一伽马与一贝塔技术混合比例 - 一伽马和一贝塔占位元输出重要多数 2026财年将向一伽马转移 [47] 问题: HBM4利润率预期 - HBM4成本高于HBM3 价格将显著高于HBM3E 预期HBM业务多年保持良好投资回报率 [49] 问题: 成本下降曲线和NAND高容量驱动器趋势 - 2025财年成本下降: DRAM(不含HBM)高于高个位数 HBM低个位数 NAND中十位数百分比 [53] - 平均容量将继续快速提升 预计高容量驱动器将有显著采用 超大规模云服务商HDD存储短缺将推动更多NAND使用 [55] 问题: HBM3E效率提升和毛利率结构变化 - HBM3E 12层堆叠良率提升速度快于8层堆叠 主要效益已在过去几个季度实现 [62] - 数据中心细分市场现在占销售额 mid-50% 相比过去峰值 around三分之一 结构性转变使整体组合盈利能力提高 [64][65] 问题: 2026财年成本下降目标和GDDR7对HBM市场影响 - 仅提供了2025财年成本下降数据 [70] - AI市场将多样化 需要优化架构 推理工作负载往往是内存密集型 将需要不同架构来增加内存容量和带宽 [72][73] 问题: HBM4规格提升原因和利息收入预期 - 客户寻求提高终端客户投资回报率 需要更高带宽来增加token数量或减少首次token时间 [78] - 预计利息将转为收入 因资本化利息增加 债务减少和现金余额增加 [80] 问题: 长期协议讨论和退出管理型NAND的影响 - 对长期协议持谨慎态度 考虑美国制造、关税变化和行业向数据中心转移等因素 [83][84] - 退出管理型NAND是基于投资回报率考虑 将资源集中在更高盈利领域 [85][86] - 客户对退出不满意 但DRAM业务对客户更为关键 公司继续在DRAM方面保持强劲供应关系 [89]

好的 我将为您总结美光科技2025财年第四季度财报电话会议的关键要点 财务数据和关键指标变化 - 第四季度毛利率达到50%以上 为2017-2018年以来最高水平 [42] - DRAM毛利率高于2022年中期水平 营业利润率为2018年11月以来最高 [42] - 预计第二季度毛利率将继续环比上升 [44] - 利息收入预计转为正值 因资本化利息增加 债务减少和现金余额增加 [79] 各条业务线数据和关键指标变化 - NAND位元出货量在第四季度下降 但管理层表示这只是各细分市场组合变动的噪音 [8] - 数据中心SSD市场份额连续多年创纪录 市场地位强劲 [9] - HBM业务在2025年第三季度达到DRAM供应份额水平 预计2026年份额将高于2025年 [17] - DDR4业务占比为低个位数百分比 已进入产品生命周期结束阶段但因客户极度短缺而延长 [39] - HBM和非HBM DRAM采用不同商业模式 HBM具有长期订单可见性和价格锁定特点 [19] - 退出管理型NAND业务 将更多供应集中于数据中心市场 [11] 各个市场数据和关键指标变化 - 超大规模企业因HDD市场短缺而需要显著更多存储容量来支持AI服务器部署 [8] - 数据中心SSD部署预计将在2026年增加 [8] - AI服务器倾向于使用最高容量驱动器 积极使用100TB 120TB和245TB驱动器 [57] - 数据中心细分市场现在占整体市场一半以上 并继续以高于其他市场的速度增长 [64] - HBM 高容量DIMM和用于数据中心的LPDRAM这三个类别在2025财年达到100亿美元收入 [65] 公司战略和发展方向和行业竞争 - 资本支出将从2025年的138亿美元净额增加到2026年的约180亿美元净额 绝大部分用于DRAM建设和设备 [13] - 正在爱达荷州建设新晶圆厂 预计2027年下半年开始生产 [34] - 在日本和台湾优化生产 利用可用洁净室空间 [35] - HBM3E产品具有最高性能和比任何竞争对手低30%的功耗 [23] - HBM4产品具有最高性能 超过11Gbps引脚速度和2.8TB/s带宽 [25][77] - 相信HBM4的竞争格局变化主要发生在两个竞争对手之间 不会对美光份额产生重大影响 [26] 管理层对经营环境和未来前景的评论 - DRAM市场已经紧张且将变得更加紧张 NAND市场正在改善并变得更加紧张 [9] - 行业供应增长受限因素包括：库存水平低于目标 DDR4/LP4延长生命周期限制技术转型 HBM硅强度增加 新晶圆厂建设时间长 [44] - AI已彻底改变格局 数据中心成为更大且更高价值的机会 [64] - 推理工作负载往往是内存密集型 随着推理成为AI市场更大组成部分 客户将寻求增加内存容量和带宽的架构 [72] - 正在考虑长期协议 但会慎重考虑美国制造 232条款半导体关税和行业结构变化等因素 [82] 其他重要信息 - 一伽马(1γ)DRAM技术在本季度达到成熟良率并首次向超大规模企业发货 [47] - 一伽马和一贝塔(1β)生产已占位元输出的重要多数 且混合比例将在2026财年继续向一伽马倾斜 [47] - HBM4成本高于HBM3 价格将显著高于HBM3E [49] - 2025财年成本降低情况：DRAM前端(不包括HBM)略高于高个位数 NAND为中十位数 包含HBM的DRAM为低个位数百分比 NAND为低十位数 [53] - 平均容量预计将继续快速提升 高容量驱动器将有显著需求 [55] 问答环节所有提问和回答 问题: NAND行业状况和位元增长前景 [6] - NAND位元下降主要是各细分市场组合变动的噪音 [8] - 超大规模企业因HDD短缺需要更多存储容量 数据中心SSD部署将在2026年增加 [8] - NAND供应方面结构性减少晶圆产出 继续减缓节点转换速度和新节点爬坡速度 [10] - 退出管理型NAND将释放更多供应专注于数据中心市场 [11] 问题: 资本支出构成和DRAM重点 [12] - 资本支出从138亿美元增加到约180亿美元 绝大部分用于DRAM建设和设备 [13] 问题: HBM市场份额目标和盈利能力 [17][19] - HBM份额在2025年第三季度达到DRAM供应份额水平 2026年全年份额将高于2025年 [17] - HBM业务具有长期订单可见性 价格锁定和更稳定的投资回报特点 [19] - HBM预计在整个周期内具有更高的投资回报率 但非HBM DRAM也可能在某些时候挑战甚至超过HBM盈利能力 [20] 问题: HBM4竞争地位和份额预期 [23] - HBM3E具有最佳性能和最低功耗 HBM4起始位置比HBM3E好得多 [23] - HBM4具有最高性能 相信客户会强烈偏好美光产品 [25] - HBM竞争格局变化可能主要发生在两个竞争对手之间 [26] 问题: 资本支出中设备与设施拆分 [27] - 不提供具体拆分 但绝大部分支出用于DRAM建设和设备 [28] - 正在多个地点扩张 包括爱达荷州新晶圆厂 [29] 问题: DRAM收入构成和毛利率贡献 [39] - DDR4占比为低个位数百分比 已延长产品生命周期结束时间 [39] - 不评论HBM和非HBM DRAM之间的相对利润率 [39] - DRAM行业紧张 预计2026年将进一步收紧 推动非HBM产品组合价格和利润率改善 [40] 问题: 毛利率改善驱动因素和极限 [41] - 市场条件持续改善 DRAM非常紧张 NAND继续改善 [42] - 供应约束 将位元转向最佳产品 持续良好的成本改进都提供扩大利润率的能力 [44] - 数据中心和高性能市场需求对业务有有利影响 [48] 问题: 一伽马与一贝塔技术混合比例 [47] - 一伽马和一贝塔已占位元输出的重要多数 混合比例将在2026财年继续向一伽马倾斜 [47] - 一伽马将是2026财年位元增长的主要来源 [47] 问题: HBM4与HBM3E利润率比较 [49] - HBM4成本更高 价格将显著高于HBM3E [49] - 不按产品线讨论利润率 但预计HBM将在多年内带来良好的投资回报能力 [49] 问题: 2026财年成本降低预期 [52] - 仅提供了2025财年成本降低数据 未给出2026财年目标 [53][69] 问题: SSD平均容量趋势和AI服务器影响 [54] - 平均容量预计将继续快速提升 高容量驱动器将有显著需求 [55] - AI服务器使用最高可用容量 从100TB 120TB到245TB驱动器 [57] 问题: HBM3E效率改进和封装良率 [61] - 对12层HBM3E良率提升速度感到满意 最大的效益提升已经发生 [62] 问题: 业务结构变化和毛利率改善 [63] - AI彻底改变了格局 数据中心现在占整体市场一半以上且继续更快增长 [64] - HBM 高容量DIMM和LPDRAM三个类别在2025财年达到100亿美元收入 [65] - 数据中心需求紧张正在推动整个市场价格上涨 帮助整个产品组合盈利能力 [66] 问题: 推理市场GDDR7架构对HBM影响 [70] - AI市场将发展出许多不同用例和优化架构 [71] - 推理工作负载往往是内存密集型 客户将寻求增加内存容量和带宽的架构 [72] - 美光在HBM GDDR7和LPDRAM方面都具有行业领先能力 [73] 问题: HBM4性能超出JEDEC标准原因 [76] - 客户寻求尽可能提高最终客户投资回报 [77] - 更高带宽可以增加token数量 减少首次token时间 降低每token成本 [77] 问题: 长期协议讨论情况 [82] - 对某些协议有兴趣 但会慎重考虑条款期限 美国制造 关税和行业结构变化等因素 [82] 问题: 退出智能手机管理型NAND原因 [84] - 基于投资回报考虑 移动NAND市场竞争激烈程度不利于强劲投资回报 [85] - 产品组合改善使公司能够更积极地将资源集中在盈利能力最高的部分 [86] - NAND业务已完成第二年正自由现金流 [87] 问题: 退出管理型NAND对客户关系影响 [88] - 客户对重要供应商离开细分市场不满意 但DRAM业务对客户至关重要且选择更少 [88] - 已支持客户向其他供应商过渡NAND产品 继续在DRAM方面保持强大供应关系 [88]

财务数据和关键指标变化 - 第四季度毛利率超过2022财年中期水平 DRAM毛利率高于2022年中期 营业利润率创2018年11月以来最高水平 [32] - 第二季度毛利率预计将继续环比上升 [33] - 利息收入预计转为正值 因资本化利息增加 债务减少 现金余额增加 [67] 各条业务线数据和关键指标变化 - NAND业务第四季度比特出货量下降 主要受产品组合变化影响 [6] - 数据中心SSD市场份额连续多年创纪录 [7] - HBM业务在2025年第三季度达到DRAM供应份额水平 2026年全年份额预计高于2025年 [13] - 退出管理型NAND业务 将资源集中于数据中心市场 [9][71] - DDR4业务占比为低个位数百分比 [28] - HBM和高端DIMM及数据中心LP产品在2025财年贡献100亿美元收入 [54] 各个市场数据和关键指标变化 - 数据中心市场占比超过行业一半 持续以强劲盈利水平超越其他市场增长 [53] - AI服务器普遍使用最高容量驱动器 从60TB向120TB和245TB发展 [44][46] - 移动NAND市场竞争激烈 投资回报率预期不佳 [71] 公司战略和发展方向和行业竞争 - 2026年资本支出从138亿美元净额增至约180亿美元净额 绝大部分用于DRAM建设和设备 [11] - 爱达荷州新晶圆厂预计2027年下半年开始量产 [25] - 1-gamma DRAM技术进展顺利 本季度实现成熟良率和首批收入出货 将成为2026财年比特增长主要来源 [36][37] - HBM4产品具有最高性能 超过11Gbps引脚速度和2.8TB/s带宽 优于任何竞争产品 [18][65] - 专注于高价值解决方案 包括HBM GDDR7和LPDRAM [61] 管理层对经营环境和未来前景的评论 - DRAM行业供应紧张 预计2026年将进一步收紧 [29] - NAND行业状况预计开始改善 受AI服务器部署推动 [6] - 大型超大规模企业因HDD市场短缺 需要显著更多存储能力 [6] - 推理工作负载往往受内存限制 将推动对不同架构的需求 [59] - 美国制造和232条款半导体关税可能影响定价策略 [69] 其他重要信息 - 库存水平低于目标值 [33] - DDR4和LP4产品生命周期延长 限制了技术转型能力 [33] - HBM的硅含量高 快速增长进一步制约供应 [33] - 2025财年DRAM前端成本降低略高于高个位数 NAND成本降低中十位数 [42] - 含HBM的DRAM成本降低低个位数 NAND成本降低低十位数 [42] 问答环节所有提问和回答 问题: NAND行业现状和比特出货量下降原因 [5] - NAND比特出货量下降主要是产品组合变化带来的噪音 [6] - 大型超大规模企业需要更多存储能力 HDD市场短缺 [6] - 数据中心SSD部署将在2026年增加 [6] - NAND供应持续减少晶圆产出 放缓节点转换速度 保持低资本支出水平 [8] - 退出管理型NAND业务将释放更多供应专注于数据中心市场 [9] 问题: 资本支出增加和DRAM/NAND分配 [10] - 资本支出从138亿美元净额增至约180亿美元净额 绝大部分用于DRAM建设和设备 [11] 问题: HBM市场份额目标和盈利能力 [13] - HBM份额在2025年第三季度达到DRAM供应份额水平 2026年全年份额预计高于2025年 [13] - HBM业务具有长期订单可见性 定价提前锁定 预期周期内投资回报率更高 [14] - 非HBM DRAM盈利能力可能有时超过HBM 表明行业整体健康 [15] 问题: HBM4市场份额预期和技术优势 [17] - HBM3E产品具有最高性能和30%更低功耗 [17] - HBM4起始位置更好 能满足客户量能需求 [17] - HBM4具有最高性能 相信客户会优先选择 [18] - 预计2026年HBM供应将售罄 份额变化主要发生在竞争对手之间 [18] 问题: 资本支出中设备与设施分配 [19] - 不提供具体分配细节 大部分支出用于DRAM建设和设备 [20] - 在多个地点扩张 包括爱达荷州晶圆厂 [20] - 投资技术转型和优化日本台湾生产基地 [26] 问题: DRAM产品组合和毛利率贡献 [28] - DDR4占比低个位数 生命周期延长 [28] - 不评论HBM与非HBM DRAM的相对毛利率 [28] - DRAM行业紧张 预计2026年进一步收紧 推动非HBM产品定价和毛利率改善 [29] 问题: 毛利率超过50%的原因和限制因素 [30] - 市场状况持续改善 价格继续上涨 [32] - NAND业务可继续改善 专注于高价值SSD产品 [32] - 供应增长受限 库存低 技术转型受限 HBM硅含量高 [33] - 将比特转向最佳产品和持续成本改进有助于扩大毛利率 [33] 问题: 1-gamma与1-beta DRAM技术混合比例 [35] - 1-gamma进展顺利 本季度实现成熟良率和首批收入出货 [36] - 1-gamma和1-beta已占比特产出主要部分 混合比例将向1-gamma倾斜 [36] 问题: HBM4与HBM3E毛利率比较 [37] - HBM4成本高于HBM3 价格将显著高于HBM3E [38] - 不谈论具体产品线毛利率 预期HBM将长期保持良好投资回报率 [38] 问题: 2026财年成本降低预期 [41] - 2025财年DRAM前端成本降低略高于高个位数 NAND成本降低中十位数 [42] - 含HBM的DRAM成本降低低个位数 NAND成本降低低十位数 [42] 问题: AI服务器SSD平均容量趋势 [43] - 平均容量继续快速提升 从60TB到102TB 已宣布122TB和245TB驱动器 [44] - 预计高容量驱动器将有显著需求 [44] - AI服务器使用最高可用容量 从60TB向120TB发展 大量使用245TB [46] 问题: HBM3E组装和封装良率改进空间 [49] - HBM3E 12层堆叠良率提升速度快于8层堆叠 [50] - 主要效益已在过去几个季度实现 [50] 问题: 业务组合结构变化与历史比较 [52] - AI推动数据中心占比超过一半 成为更高价值和利润机会 [53] - HBM 高端DIMM和数据中心LP产品在2025财年贡献100亿美元收入 [54] - 数据中心需求紧张推动全行业定价上涨 [55] 问题: 推理市场GDDR7架构对HBM影响 [58] - AI市场将多样化 需要优化架构 [59] - 推理工作负载往往受内存限制 将推动对不同解决方案需求 [59] - 战略是保持HBM优势 同时发展GDDR7和LPDRAM能力 [61] 问题: HBM4规格超出JEDEC标准原因 [64] - 客户寻求更高带宽以提高投资回报率 减少首令牌时间 降低每令牌成本 [65] - HBM4性能将设立新标准 支持高性能系统 [66] 问题: 长期供应协议讨论情况 [69] - 客户有兴趣签订长期协议 但会慎重考虑协议期限 [69] - 美国制造和关税因素需考虑 将利用这些因素与客户谈判 [69] 问题: 退出智能手机管理型NAND业务原因 [71] - 基于投资回报率考虑 移动NAND市场竞争激烈 [71] - 专注于投资回报率更高的领域 如数据中心SSD [71] - 产品组合改善提供了混合优化灵活性 [72] - NAND业务连续第二年实现正自由现金流 [73] 问题: 退出NAND业务对客户关系影响 [74] - 客户对退出不满意 但DRAM业务对客户更为关键 [75] - 已协助客户向其他供应商过渡NAND产品 继续保持DRAM供应 [75]

Micron Technology (NasdaqGS:MU) Q4 2025 Earnings Call September 23, 2025 04:30 PM ET Company ParticipantsTimothy Arcuri - Managing DirectorSatya Kumar - Investor RelationsSanjay Mehrotra - Chairman, President, and CEOMark Murphy - CFOKrish Sankar - Managing DirectorHarlan Sur - Executive Director and Equity ResearchCJ Muse - Senior Managing DirectorConference Call ParticipantsVivek Arya - Managing Director and Senior AnalystOperatorThank you for standing by and welcome to Micron Technology's Fiscal Fourth Q ...