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碳化硅器件
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深圳华强:公司及控股子公司累计的对外担保余额约77.22亿元
每日经济新闻· 2025-09-25 10:10
公司担保安排 - 深圳华强为子公司香港联汇向Wolfspeed采购货物提供连带责任保证担保 担保金额不超过3000万美元(折合人民币约2.13亿元) 担保期限自2025年9月25日起至2028年9月28日止 [1] - 此次担保系对2022年9月23日原担保的延续 原担保期内香港联汇与Wolfspeed合作规模较担保前增长显著 [1] 担保规模及财务影响 - 本次担保后公司及控股子公司累计对外担保余额约77.22亿元人民币 占最近一期经审计归母净资产110.99% [2] - 公司及控股子公司可用担保额度总金额约73.82亿元人民币 占最近一期经审计归母净资产106.09% [2] 业务合作关系 - 香港联汇与全球碳化硅器件龙头厂商Wolfspeed保持良好合作关系 合作规模在前期担保支持下实现显著增长 [1]
碳化硅功率模块:从技术突破到普惠性核心硬件的产业跃迁
36氪· 2025-09-16 05:28
碳化硅技术范式转移 - 碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料 具有宽禁带(3.2eV)、高击穿电场强度(3.5MV/cm)、高热导率(4.9W/cm·K)等卓越物理特性 相比传统硅基器件性能显著提升[4] - 实际应用性能表现突出:光伏逆变器峰值效率达99%以上 比硅基逆变器98%提升1个百分点 开关频率从几十kHz提升至几百kHz甚至MHz级别 功率密度显著提高[4][5] - 工作温度范围扩展至200℃以上 比硅基150℃提高50℃以上 支持无风扇设计 系统可靠性大幅提升[4][5] 多场景应用生态 - 新能源汽车领域实现约5%行驶里程提升 支持15分钟充电至80%能力 有效缓解充电焦虑[6][7] - 光伏与储能领域转换效率提升至98% 每GW装机容量年减碳超过1万吨 充电基础设施2024年市场规模达25亿元[6][7] - AI数据中心功率密度达硅基器件2倍以上 5G基站能耗降低40%同时信号覆盖扩大30%[6][7] - 消费电子领域快速渗透 苹果140W GaN充电器采用碳化硅模块 预计2025年后成为新增长点[28] 技术迭代与成本下降飞轮模型 - 晶圆尺寸从6英寸向8英寸过渡 单颗芯片制造成本降低30-40% 8英寸衬底可用面积是6英寸1.83倍[9][15] - 12英寸晶圆取得重大突破 可用面积提升约4倍 单位芯片成本降低30-40%[15] - 2024年6英寸导电型碳化硅衬底价格同比下降20-30% 预计2030年接近硅基IGBT价格水平[9] - 沟槽型MOSFET技术使比导通电阻降低40-50% 元胞密度提升近2倍[16] 中国市场应用爆发 - 新能源汽车主驱系统渗透率2024年接近15% 2025年预计达20%以上[9][22] - 800V高压平台快速普及 实现"充电5分钟 续航200公里"水平[22] - 2024年碳化硅功率市场规模达120亿元 带动全产业链发展[29] - 国产碳化硅模块已在120万辆新能源车上应用 2025年1-5月主驱模块占比提升至18.6%[37] 全球竞争格局 - 美国企业占据全球70%以上市场份额 欧洲构建完整产业链 日本在终端设备和模块开发领先[34] - 国际巨头大幅扩产:意法半导体将碳化硅晶圆产能提高至2017年10倍 Wolfspeed全球首座8英寸晶圆厂投产[36] - 2023年以来碳化硅器件价格年均降幅15-20% 国际厂商通过价格战挤压后期玩家[35] 中国产业现状与突围路径 - 衬底材料进入全球第一梯队 12英寸N型4H-SiC单晶衬底实现量产 良率从65%提升至82%[37][38] - 车规级芯片国产化率低于10% 在可靠性、一致性和量产良率方面与国际存在4-5年差距[38] - 需构建"衬底自供—器件制造—模块配套"闭环体系 建立车企-模块厂-芯片厂-材料厂协同创新机制[39] - 预计2029年中国市场规模占全球40%以上 成为最大应用市场[11] 技术发展趋势 - 8英寸晶圆2025年国际大厂集中量产 芯片成本预计下降40-50%[43][44] - 混合碳化硅方案2025年量产 有效降低芯片用量而不牺牲性能[44] - 双面散热技术使散热效率提升30%以上 模块体积减小40%[17] - 智能功率模块集成传感、保护和驱动功能 向系统级优化方向发展[18] 产能与市场规模预测 - 2026年中国碳化硅器件产能规划达460万片 可满足3000万辆新能源汽车需求[11] - 全球碳化硅衬底市场预计2030年增长至664亿元 复合年增长率39.0%[10] - 6英寸碳化硅衬底国产化成本较传统晶体降低70% 8英寸衬底有望进一步压缩成本[29]
捷捷微电(300623.SZ):目前有少量碳化硅器件的封测
格隆汇· 2025-09-15 07:29
技术研发合作 - 公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表的第三代半导体材料器件 [1] 专利布局进展 - 公司已拥有氮化镓和碳化硅相关发明专利5件及实用新型专利5件 [1] - 另有7个发明专利和2个实用新型专利处于申请受理阶段 [1] 产品开发现状 - 目前开展少量碳化硅器件封测业务 [1] - 该系列产品仍处于持续研究推进阶段 [1] - 碳化硅器件尚未进入量产阶段 [1]
一图了解碳化硅概念股
选股宝· 2025-09-05 06:01
行业技术趋势 - 英伟达计划在新一代Rubin处理器开发蓝图中将CoWoS先进封装环节的中间基板材料由硅替换为碳化硅[1] - 台积电联合设备厂与化合物半导体厂商计划将12英寸单晶碳化硅应用于热载板 取代传统氧化铝、蓝宝石基板或陶瓷基板[1] 碳化硅材料研发企业 - 天岳先进主营碳化硅半导体衬底材料 为全球主要碳化硅衬底供应商之一[4][5] - 东尼电子"年产12万片碳化硅半导体材料"项目于2023年建设完成[4] - 珂玛科技超高纯碳化硅产品纯度达99.99% 供应北方华创等国内半导体设备厂商[4] - 燕东微6英寸SiC生产线具备量产条件 包括1200V SiC SBD和MOS工艺平台 产能达2000片/月[5] - 露笑科技业务涵盖碳化硅衬底片和长晶炉销售[5] - 天通股份主营产品包含碳化硅晶体生长炉[5] - 三安光电为碳化硅全产业链龙头企业[7] 碳化硅设备制造企业 - 晶盛机电作为长晶设备龙头 开发了碳化硅长晶设备[7] - 宇环数控碳化硅设备可参与晶锭切割、外圆磨削等加工工序 正推进打样和销售进程[2] - 高测股份推出6寸及8寸碳化硅金刚线切片机 已实现大批量交付[4] - 北方华创碳化硅外延设备实现批量销售 市场占有率居国内前列[7] - 英杰电气电源产品应用于碳化硅生长炉 已实现量产[3] - 弘元绿能获得主流碳化硅企业批量订单 拥有晶体衬底项目[5] 碳化硅器件设计与制造企业 - 斯达半导已实现SiC模块的大规模生产和销售[6] - 扬杰科技碳化硅系列二极管、MOSFET等产品获多领域国内头部客户认可并实现批量出货[6] - 锴威特拥有短沟道碳化硅MOSFET器件系列产品及其制造技术[2] - 派瑞股份IPO募投项目包括以碳化硅器件为代表的第三代半导体器件研发[2] - 宏微科技在SiC芯片和封装领域布局 1200V SiC MOSFET芯片研制成功[3] - 东微半导积极布局SiC MOSFET等第三代功率半导体器件 申请多项相关专利[5] - 士兰微子公司士兰明稼6吋SiC功率器件芯片生产线产能达3000片/月 正加速建设6英寸SiC芯片产线[7] 碳化硅应用与产业化企业 - 欣锐科技推出应用第三代半导体碳化硅技术的双向充电技术并实现量产 碳化硅方案车载电源满足800V需求[2] - 得润电子全球率先研制并量产22kW 800V平台高功率碳化硅器件 采用碳化硅高频方案处于行业领先水平[3] - 时代电气在研高压大功率碳化硅油冷电驱总成项目 涉及SiC器件的250kW电机-控制器-减速箱一体化800V系统总成研制[6] - 闻泰科技旗下安世半导体将投资2亿美元研发碳化硅等宽禁带半导体产品[7] - 华润微SiC MOS G2和SiC JBS G3产品线全面覆盖650V、1200V、1700V电压平台[7] 产业链配套与投资布局企业 - 楚江新材子公司顶立科技为碳化硅单晶生产提供装备和高纯原料及耗材配套 与天岳先进等企业有业务合作[5] - 柘中股份参投山东天岳先进材料科技 主营碳化硅衬底材料[4] - 甘化科工参股苏州锴威特半导体 其SiC功率器件已成功实现产业化[3] - 力合科创投资孵化的基本半导体从事碳化硅功率器件产业化 核心产品包括碳化硅二极管、MOSFET及车规级功率模块[5] - 深圳华强为全球最大碳化硅产品生产商Wolfspeed的主要代理商[6] - 瑞纳智能全资子公司合肥高纳半导体科技正积极推进8英寸碳化硅衬底的送样和验证[2]
长电科技20250821
2025-08-21 15:05
**长电科技 2025 年上半年电话会议纪要关键要点** **1 公司概况与财务表现** - 2025 年上半年营收达 **186.1 亿元**(同比增长 **20.1%**),创历史新高,其中 Q2 营收 **92.7 亿元**(同比增长 **7.2%**)[2][12] - 归属上市公司股东净利润 **4.7 亿元**(同比下降 **24%**),主要受新建工厂运营成本、研发费用及财务费用增加影响[4][15] - 上半年毛利率 **13.5%**(同比小幅上升 **0.1 个百分点**),销售及管理费用增幅低于营收增幅,研发投入 **9.9 亿元**(同比增长 **20.5%**)[12][13] - 经营活动现金流 **23.4 亿元**(同比下降 **22.7%**),投资活动现金流净流出 **49.1 亿元**(主要用于收购及固定资产投入)[15][16] - 总资产 **521.4 亿元**(较 2024 年末下降 **3.6%**),资产负债率 **42.8%**(下降 **2.6 个百分点**)[15] **2 业务板块表现** - **先进封装业务**: - 上半年收入同比增长 **22%**,晶圆级封装增速达 **30%**,传统封装转型收入增长 **18%**[2][5] - 晶圆级封装产能 2024 年下半年接近满产,2025 年上半年持续扩产[23] - **汽车电子**: - 收入同比增长 **34%**,上海临港新工厂预计年底量产,中期目标占比超 **20%**[2][8][23] - **存储业务**: - 收入同比增长 **超 150%**,营收占比接近中双位数,受益于运算电子需求[2][6] - **功率器件**: - 碳化硅器件技术量产,与国内外第三代半导体头部客户合作[7] **3 产能与市场动态** - 整体产能利用率 **70%**(Q2),部分产线接近满产(**90%+**),国内工厂订单饱满,海外工厂因关税影响利用率下降[2][12][19] - 数据中心高密度产品年底将达 **月产百万颗** 规模[4][10] - 海外 IDM 厂商“China for China”策略推动国内工厂(宿迁、滁州)承接新订单[29] **4 战略布局与投资计划** - **资本支出**:2025 年维持 **85 亿元** 计划,聚焦先进封装、汽车电子及功率能源领域,2026 年继续高强度投资[4][31] - **技术方向**: - 布局玻璃基板、高密度扇出型封装、光电集成等前沿技术[31] - SIP 产品向 **2.5D/3D 封装** 升级,满足智能手机高密度需求[30][31] - **汇率风险**:上半年汇兑损益 **1.1 亿元**,计划发行 **48 亿元中票** 降低融资成本[14] **5 行业趋势与展望** - **AI 算力、通信、汽车电子**:技术革新推动封装需求,公司优先分配资源至高增长领域[17][23] - **消费电子**:2026 年超薄折叠手机/智能眼镜将提升 SAP 模组规格需求[30] - **海外市场**:需求波动较大,公司聚焦先进技术(如系统级封装)[26] - **华润集团支持**:提供战略管理、资源协同及人才激励赋能[18] **6 风险与挑战** - 原材料成本上涨未完全转嫁,部分由公司消化[22][25] - 海外地缘政策及关税影响短期产能利用率[19][26] - 盈利阶段性承压,但长期随技术突破有望改善[25] **总结** 长电科技 2025 年上半年营收增长显著,但净利润受阶段性投入拖累。**先进封装、汽车电子、存储业务** 成为核心驱动力,产能利用率提升且技术布局前瞻。公司通过 **国内扩产+海外订单承接** 应对贸易环境变化,并持续加码 **高毛利领域**(如功率器件、SIP)。短期需关注成本压力及汇率风险,中长期看好技术升级带动的盈利释放。
捷捷微电: 2025年半年度报告
证券之星· 2025-08-19 09:14
核心财务表现 - 2025年上半年营业收入达到16.00亿元,同比增长26.77% [5] - 归属于上市公司股东的净利润为2.46亿元,同比增长46.57% [5] - 经营活动产生的现金流量净额为3.31亿元,同比增长30.17% [5] - 基本每股收益为0.30元/股,同比增长3.45% [5] - 总资产达到83.92亿元,较上年度末增长4.22% [5] 主营业务结构 - 功率半导体芯片业务收入4.92亿元,功率半导体器件业务收入10.74亿元 [37] - 功率器件封测业务收入662万元,毛利率43.09% [37] - 国内业务毛利率34.39%,国外业务毛利率39.61% [37] - 自销模式毛利率35.39% [37] 研发与技术创新 - 报告期内新增多项专利,包括静电保护器件、芯片制造方法、氮化镓电子器件等核心技术 [29][30] - 截至报告期末累计获得授权专利309件,其中发明专利105项 [34] - 研发投入1.04亿元,同比下降22.05% [36] - 采用IDM模式为主、Fabless+封测为辅的业务模式,具备完整的芯片设计、制造和封装能力 [8][25] 产品与技术优势 - 主要产品包括晶闸管、防护器件、二极管、MOSFET、IGBT、碳化硅器件等功率半导体产品 [7][19] - 碳化硅器件主要应用于电动汽车、新能源、轨道交通等领域 [3] - 氮化镓器件应用于LED、服务器电源、车载充电、光伏逆变器等高端领域 [3] - 具备为客户定制化设计能力,满足多样化市场需求 [23][24] 生产与质量管理 - 通过IATF16949、ISO9001、UL安全认证等多项国际体系认证 [8][16] - 采用IDM模式确保对芯片制造、封装测试的全流程控制 [8][18] - 建立完善的质量管理体系,包括FMEA、APQP、PPAP等质量工具应用 [17] - 委外代工业务由供应商质量部直接监控,确保产品一致性 [17] 市场与客户发展 - 产品出口至韩国、日本、西班牙等电子元器件技术发达地区 [26][27] - 客户结构向大型化、国际化发展,包括海尔集团、中兴通讯等知名企业 [28] - 在保持家电、工业市场优势的同时,积极拓展汽车电子、航天、IT产品等新兴市场 [19][28] 资产与投资活动 - 投资活动产生的现金流量净额为-9.06亿元,主要因支付设备款增加及结构性存款到期现金流入减少 [37] - 筹资活动产生的现金流量净额为2.70亿元,主要因取得借款收到的现金增加 [37] - 现金及现金等价物净增加额为-2.20亿元,同比下降526.20% [37]
IPF2025 议程更新!英诺赛科/ST意法/天科/天岳/中车/蔚来/东风/小鹏等齐聚无锡,共研功率器件制造测试与应用发展路径
半导体行业观察· 2025-08-17 03:40
大会概况 - 第三届功率器件制造测试与应用大会(IPF 2025)将于2025年8月21-22日在江苏无锡梁鸿湿地丽笙度假酒店举办,主办方为宽禁带半导体国家工程研究中心,联合多家行业协会及企业承办[2][7] - 会议规模预计800-1000人,参与对象覆盖半导体全产业链,包括衬底/外延厂商、设计/制造企业、光伏/储能/汽车整机厂商、Tier 1/2供应商等[7] - 赞助企业包括意法半导体、杭州芯研科半导体材料、优尼康科技等12家产业链企业[12][13] 大会议程 产业领袖峰会 - 首日上午聚焦宽禁带半导体前沿技术: - 中国科学院院士那跃将分享宽禁带半导体功率器件研究进展[3] - 武汉大学刘胜院士探讨功率半导体多场跨尺度建模仿真与数字孪生技术[3] - 复旦大学张清纯教授分析碳化硅缺陷对器件性能影响及技术发展趋势[3] - 圆桌论坛由张清纯主持,讨论GaN与SiC在电力电子应用中的挑战,参与方包括新微半导体、晶湛半导体、富士康研究院等企业高管[3] 分论坛技术议题 - **材料与制造**:天岳先进研发中心主任朱灿将介绍液相法P型碳化硅衬底在高压领域应用,厦门福茂科技郭政煌博士探讨大尺寸碳化硅外延设备关键技术[3] - **器件与系统集成**:中车科学家刘国友分享功率半导体与集成技术,九峰山实验室袁俊研究员展示JFS新型碳化硅沟槽器件技术[3] - **测试与封装**:积塔半导体刘新杰解析助力SiC功率器件上主驱的测试技术,采埃孚徐青介绍芯片内嵌技术实现车规级可靠性[4] - **新兴技术**:中国科学技术大学龙世兵教授发表氧化镓半导体功率电子器件研究,化合积电谢娜娜探讨超宽禁带金刚石半导体材料进展[4] 参会信息 - 门票分为三档:原价票1,398元/人、早鸟票1,298元(2025年7月15日前)、三人团购票1,230元/人,终端用户(整车厂/Tier1等)可申请免费票[16] - 协议酒店价格为380元/晚(含早餐),距离无锡硕放机场11公里,无锡东站15公里[20] - 注册方式支持银行汇款至互动芯科技公司或移动支付[17]
天岳先进招股启幕:英伟达概念股,乘AI数据中心与AI眼镜东风
格隆汇· 2025-08-12 04:06
全球碳化硅行业增长与竞争格局 - 全球碳化硅功率器件市场规模预计以35.2%年复合增长率扩张 2030年将突破197亿美元 在功率半导体整体市场渗透率从6.5%跃升至22.6% [1] - 2024年国际巨头营收下滑 Wolfspeed营收从3.65亿美元缩水至3.46亿美元同比降5% Coherent营收从1.79亿美元降至1.68亿美元降幅6% 而天岳先进营收17.68亿元人民币同比增长41.4% [3] - 天岳先进2024年以16.7%全球衬底市场份额位列前三 导电型细分领域以22.8%市占率居全球第二 [3] 公司财务表现与市场突破 - 公司2024年毛利率提升至24.6% 首次扭亏为盈净利润达1.79亿元 境外收入8.45亿元同比增长104%占总营收比重升至47.8% [3] - 港股IPO全球发售4774.57万股H股 发售价上限每股42.80港元 其中国际发售4535.84万股 香港发售238.73万股 设15%超额配股权 [1] - 基石投资者包括国能环保 和而泰等产业投资者及未来资产证券 山金资产等国际长线资金 [1] 技术领先与产能布局 - 公司实现8英寸导电型衬底量产 2024年率先推出12英寸衬底 完成6/8/12英寸全系列产品覆盖 被Yole列为能大批量交付8英寸晶圆的领导者 [5] - 专利总量跻身碳化硅衬底领域全球前五 获日本《电子器件产业新闻》半导体电子材料金奖 [5] - 济南+临港双基地布局总年产能突破40万片 计划扩张至100万片/年 临港工厂2023年5月启动大批量生产 [5] 下游应用领域拓展 - 与全球前十大功率半导体厂商中一半以上建立合作 包括英飞凌 博世等汽车电子厂商 [8] - 进入英伟达供应链 大部分英伟达碳化硅相关供应商为公司客户 AI数据中心电源需求推动高质量导电型衬底需求释放 [9] - 在AI/AR眼镜领域与舜宇光学子公司OmniLight战略合作 碳化硅光波导衬底获国内外客户订单 分析师测算600万副眼镜出货规模可创造约50亿元收入 [10] 行业发展驱动因素 - 800V高压平台普及推动碳化硅器件在电驱系统渗透率提升 [8] - AI眼镜出货量预计2030年达6590万副 碳化硅材料应用推动光波导技术发展 [10] - 罗姆承认中国制造商在SiC基板功能方面达到顶级水平 反映上游材料话语权变化 [3]
能源电子月报:碳化硅车型持续下沉,应用场景逐步铺开-20250630
国信证券· 2025-06-30 03:22
报告行业投资评级 - 优于大市(维持) [2] 报告的核心观点 - 行业步入稳定阶段,需求端消费与工控稳中有增,数据中心、新能源汽车加速增长,汽车智能化与功率段提升带来功率器件用量增长,汽车中低压功率器件国产替代空间大,为主要增量市场 [6] - 电动化单品红利释放,产业增量来自碳化硅等器件在汽车、数据中心、光储充的应用,产能走向BCD工艺等电源管理产品,产品向解决方案发展,市场从国内向海外扩展 [6] - 需求温和复苏下,各公司有望延续24年趋势稳步增长,建议关注扬杰科技等相关公司在新器件、新工艺及新市场的拓展,碳化硅下游加速渗透,衬底进入转换阶段,建议关注天岳先进等上游公司 [6] 各部分总结 新能源汽车 - 我国新能源汽车功率200kW以上主驱占比由22年的9%提升至25年1 - 5月的25%,电驱最高峰值功率由22年255kW升至25年的580kW [4] - 5月新能源汽车单月销量131万辆(YoY + 36.9%,MoM + 6.6%),产量127万辆(YoY + 35.1%,MoM + 1.5%),单月新能源车渗透率为48.7% [4][15] - 5月小鹏销量同比增速较快,比亚迪、埃安、理想、蔚来销量同比增长 [15] - 25年1 - 5月新能源上险乘用车主驱模块中SiC MOSFET占比为18.6%,800V车型渗透率约13%,800V车型中碳化硅渗透率为76% [4] 充电桩 - 2025年1 - 5月我国充电桩增量为158.3万台(YoY + 19.2%),其中公共充电桩增量为50.4万台(YoY + 56%),随车配建私人充电桩增量为107.9万台(YoY + 7.4%) [4][52] - 超充站建设与推广推动碳化硅在充电桩应用中加速渗透 [52] 光伏逆变器 - 2025年6月20kW、50kW、110kW光伏逆变器价格保持稳定 [5] - 5月逆变器出口额59.7亿元,同比 + 8.0%,环比 + 2.7%,新兴市场光伏需求保持高增 [5] 主驱功率模块 - 主驱IGBT模块主力厂商芯联集成、时代电气、士兰微、斯达半导领先优势确立,海外厂商份额下降,行业格局将收敛 [4] - 25年1 - 5月碳化硅主驱模块渗透率为18.6%,SiC MOSFET占比上升,Si MOSFET占比下降 [21] - 800V以上车型数量增加推动碳化硅渗透,碳化硅模块厂商数量增加,竞争格局分散 [25] - 25万以下碳化硅车型持续增加,价位段下沉,渗透率有望加速提升 [31] 数据中心 - 4Q24全球服务器出货量约为396万台,同比增加25%,预计2025年季度平均出货量约为388.2万台,中高端服务器将快速增长 [48] - 主要CSP厂商扩大对云端或AI基础设施资本支出,25年全球AI服务器出货量有望年增近28% [47] 功率器件交期与价格 - 除部分IGBT产品外,大部分品类产品近半年交期稳定,供给端触底企稳 [61] - 1Q25后海外厂商产品交期逐步拉长,下游库存去化完成,补库需求带来市场温和复苏 [61]
小米SiC新车型亮相,有望搭载多家国产碳化硅?
行家说三代半· 2025-05-23 10:00
小米YU7车型发布 - 小米首款SUV车型YU7全系采用800V碳化硅高压平台,将于2025年7月上市[1][7] - YU7分为标准版、Pro版和Max版三个版本,均搭载800V碳化硅平台,续航里程分别为835km、770km和769km[9] - Max版本支持5.2℃最大充电倍率,10%-80%充电最快仅需12分钟,优于特斯拉Model Y Performance和保时捷Macan Electric Turbo[9] - 搭载V6s Plus超级电机,配备自研SiC电控,转换效率高达99.85%,最高转速22000rpm,峰值扭矩528N·m,峰值功率288kW[11] - 相比SU7的400V/800V混合平台,YU7实现全系800V碳化硅高压化,显示公司对碳化硅技术路线的坚定投入[13] 碳化硅供应链情况 - YU7主驱SiC供应商为汇川联合动力和联合汽车电子[16] - 汇川联合动力采用英飞凌、意法半导体和安森美的SiC MOSFET芯片[17] - 联合汽车电子采用博世的第二代沟槽型SiC芯片,最高运行温度200℃,单位面积Rdson缩减30%[22] - OBC供应商为富特科技,SiC MOSFET芯片来自Wolfspeed[22] - 空调压缩机控制器由致瞻科技提供,与意法半导体合作SiC MOSFET[23] - YU7的SiC MOSFET用量可能超过SU7的64颗(单电机)和112颗(双电机)[23] 行业动态 - 多家企业确认参编《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》和《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮书》[1] - 国内厂商如芯联集成、林众电子、瞻芯电子等正在或即将进入小米供应链,有望实现国产替代[25] - 行业正加速碳化硅技术创新,需要产业链各环节协同推进技术成熟与落地应用[25]