股东减持计划 - 哈勃科技创业投资有限公司计划减持天岳先进股份不超过387.69万股 占公司总股本0.8% [2][4] - 减持实施期限为2025年10月27日至2026年1月26日 通过集中竞价方式进行 [4] - 此为哈勃投资自天岳先进上市以来首次发布减持计划 [5] 股东持股情况 - 哈勃投资当前持股2726.25万股 持股比例5.63% 均为IPO前取得 [4][7] - 完成减持后持股比例将低于5% [2][9][14] - 哈勃投资2019年8月以1.11亿元认购新增注册资本908.75万元 对应投前估值10亿元 [7][8] 公司股价表现 - 今年以来公司A股股价累计涨幅达68.61% [2] - 截至9月26日收盘价为86.33元/股 总市值400.2亿元 [2] 其他股东减持情况 - 股东国材股权投资基金近期持股比例从7.88%减少至7.00% [10] 公司经营状况 - 2025年上半年营业收入同比下降12.98%至7.94亿元 [21][22] - 归母净利润同比下降89.32%至1088.02万元 [21][22] - 扣非净利润同比下降111.37%至-1094.47万元 [21][22] - 业绩下滑因产品销售价格下降及研发投入增加 [22] 公司业务背景 - 公司专注于碳化硅单晶衬底材料研发、生产和销售 [21] - 碳化硅为宽禁带半导体材料 在电力电子和微波电子领域有广泛应用前景 [21] 监管要求 - 持股5%以上股东减持需提前15个交易日披露计划 [18] - 持股比例低于5%后90日内继续减持仍须遵守大股东减持规定 [18]

金刚石材料特性与应用潜力 - 金刚石具备超高硬度、极高热导率、宽禁带半导体特性和良好生物兼容性 在工业和科技领域有不可替代地位 [4] - 传统应用集中于切削工具如光伏硅片切割和航空航天复合材料加工 新兴应用扩展至半导体、新能源、量子科技及生物医疗领域 [4] - 被称为"终极半导体材料" 因出色导热性和载流子迁移率 可突破硅和碳化硅物理极限 适用于5G通信、高效能芯片及数据中心 [4] 产业发展挑战 - 大尺寸单晶衬底制备及高效切割抛光工艺尚未成熟 制约产业化进程 [5] - 当前全球产能约90%集中于磨具磨料领域 高附加值半导体、光学和生物应用未实现规模化 [5][6] - 产业链上下游存在性能与需求脱节问题 需协同突破以释放材料潜力 [5] 产业链协同与升级路径 - 材料企业需推动合成工艺提升、探索绿色低碳路径并拓展新兴应用 加工与装备企业需通过工艺创新转化材料特性为生产力 [6] - 中国占据全球约90%人造金刚石产能 河南形成完整产业集群 需将产能优势转化为技术优势 [6] - 半导体功率器件研发及金刚石项目为产业升级关键路径 展会与行业大会成为聚合产业链的重要平台 [6][7] 行业展会与企业参与 - 第九届国际碳材料大会（Carbontech 2025）涵盖2大主题展馆、20000+平方米展出面积、800+展商 聚焦半导体碳材料与能源装备 [57][59] - 展会包括4大应用端会议、7大同期活动及3场巡回地推 预计吸引50000+专业观众、3000+终端用户及1000+行业CEO [57][62][63] - 参展企业覆盖金刚石全产业链 包括衬底、外延、热沉、光学窗口、培育钻石及半导体器件等领域 [8]-[52] 代表性企业技术布局 - 安徽尤品新材料专注第四代宽禁带半导体金刚石 产品涵盖衬底、外延、热沉及光学窗口 [11] - 宁波晶钻科技CVD单晶金刚石产能与技术居世界前列 可产业化生产大尺寸低缺陷单晶 [30] - 河北普莱斯曼掌握直流喷射与大功率微波技术 散热产品与微波光学窗口实现国内替代并应用于核聚变项目 [18] - 西安英特斯克自研10KW/15KW微波电源及MPCVD控制系统 定位高附加值电子级片材及散热器件市场 [46]

业绩总结 - 2025年上半年公司实现营业收入7.94亿元，归属上市公司股东净利润1088.02万元，扣非净利润为 -1094.47万元[24] - 本报告期基本每股收益为0.03元／股，上年同期为0.24元／股，同比减少87.50%[24] - 本报告期加权平均净资产收益率为0.21%，上年同期为1.95%，减少1.74个百分点[24] - 本报告期研发投入占营业收入的比例为9.55%，上年同期为6.16%，增加3.39个百分点[24] - 本报告期营业收入同比减少12.98%，利润总额同比减少92.62%[26] 用户数据 - 截至报告期末，公司与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上建立业务合作关系[45] 未来展望 - 公司拟发行不超过87206050股境外上市普通股并在香港联合交易所上市[53] 新产品和新技术研发 - 2024年11月公司推出业内首款12英寸碳化硅衬底[37] - 截至2025年半年度末，公司及下属子公司累计获得发明专利授权197项，实用新型专利授权305项，境外发明专利授权14项[49] - 公司结合人工智能数字化仿真及大数据技术使碳化硅衬底生产流程自动化[40] 市场扩张和并购 - 2025年公司分别与舜宇奥来、东芝电子元件达成合作[46][47] 其他新策略 - 公司采用层级管理的项目制运作研发工作[39] - 公司与最大供应商建长期合作关系确保稳定获得资源[39] - 公司采用直销模式，有经验丰富且训练有素的销售及营销团队[41]

核心财务表现 - 2025年上半年营业收入7.94亿元，同比下降12.98% [3] - 归属于上市公司股东的净利润1088.02万元，同比下降89.32% [3] - 扣除非经常性损益的净利润为-1094.47万元，同比下降111.37% [3] - 研发费用7584.67万元，同比增长34.93%，占营业收入比例9.55% [3][32] 产能与生产布局 - 山东济南和上海临港两大生产基地设计年产能超40万片碳化硅衬底 [4][9] - 上海临港工厂2024年年中提前达到年产30万片导电型衬底产能规划 [9] - 已实现8英寸碳化硅衬底量产，2024年推出业内首款12英寸碳化硅衬底 [4][5][12] 技术研发创新 - 累计获得发明专利授权197项，实用新型专利授权305项，其中境外发明专利14项 [12][20][32] - 研发重点包括12英寸衬底、P型衬底及光学领域用衬底技术开发 [12][32] - 首创使用液相法制备无宏观缺陷的8英寸碳化硅衬底 [5][12] - 开发出高质量低阻P型碳化硅衬底，推动高性能SiC-IGBT发展 [12] 市场地位与客户拓展 - 2024年全球导电型碳化硅衬底市场占有率22.8%，稳居全球前三 [4][11] - 与全球前十大功率半导体器件制造商中过半企业建立业务合作关系 [4][10][11] - 客户包括英飞凌、博世、安森美等国际知名企业 [4] - 开拓光学领域新客户，已获得多个订单并实现销售 [10] 产品与应用领域 - 产品矩阵涵盖6/8/12英寸碳化硅衬底，包括高纯半绝缘型和导电型 [12] - 主要应用领域包括电动汽车、光伏储能、电力电网、轨道交通、通信、AI眼镜等 [4][17] - 碳化硅材料在AI数据中心、电力基础设施与终端应用具有巨大潜力 [8][17] 战略合作与荣誉 - 2025年与舜宇奥来达成战略合作，开拓微纳米光学领域 [11] - 2025年与东芝电子元件签署SiC功率半导体衬底合作基本协议 [11] - 获得2024年日本半导体创新大奖"半导体电子材料"类金奖 [13] - 入选2025年"山东知名品牌"榜单 [13] H股上市与资本运作 - 2025年8月20日成功在香港联交所主板挂牌上市，股票代码02631 [14][15] - H股发行47,745,700股（行使超额配售权前） [15] - 本次上市有助于加快国际化战略及海外业务布局 [14] 行业发展趋势 - 碳化硅材料具有耐高压、耐高频、高热导性等特性，是宽禁带半导体重要发展方向 [4] - 在电动汽车、光伏等高性能应用领域具有显著优势 [4] - 下游应用需求呈现爆发式增长，行业前景广阔 [4][8]

技术突破 - 华为与山东大学合作开发1200V全垂直GaN-on-Si沟槽MOSFET 采用氟注入终端技术 击穿电压从567V提升至1277V [2] - 新型FIT-MOS器件实现3.3V阈值电压 开关比达10^7 比导通电阻低至5.6mΩ·cm² 导通电流密度达8kA/cm² [2][7] - 氟注入终端取代传统台面刻蚀终端 通过固定负电荷形成高电阻区 消除电场拥挤效应 [2][7] 行业背景 - 650V-1200V电压区间成为GaN与SiC竞争焦点 SiC因衬底成本高昂在性价比方面受限 [4] - GaN-on-Si异质外延技术突破为低成本高性能晶体管制造提供可能 [4] - 横向HEMT架构受限于可扩展性 垂直拓扑通过增加漂移层厚度实现kV级阻断能力 [5] 技术细节 - 器件采用N-P-N外延结构 包含20nm n⁺⁺-GaN层/200nm n⁺-GaN源极层/400nm p-GaN通道层/7μm n⁻-GaN漂移层 [14] - 基于6英寸硅衬底 穿通位错密度为3.0×10⁸cm⁻² 阴极发光测量结果为1.4×10⁸cm⁻² [17] - 制造工艺采用三能级氟离子注入(240keV/4×10¹⁴cm⁻²、140keV/2×10¹⁴cm⁻²、80keV/1.2×10¹⁴cm⁻²) [12] 性能对比 - TCAD仿真显示MET结构在400V时台面拐角电场达2.7MV/cm 而FIT结构在1200V时有效抑制电场拥挤 [20] - 相比同类产品 7μm漂移层实现1277V击穿电压 性能媲美需要10μm以上漂移层的GaN-on-GaN器件 [24] - Baliga优值(BFOM)达291MW/cm² 与原生GaN衬底器件相当 [24] 应用前景 - 该技术为kV级电力电子系统发展奠定基础 特别适用于1200V高压应用场景 [7] - 全垂直结构配合导电缓冲层 避免复杂衬底工程工艺 提升制造可行性 [15] - 氟注入终端技术展现垂直GaN沟槽MOSFET在高压系统中的巨大应用潜力 [25]

股价表现 - 2025年8月20日收盘价66.26元 较前日下跌0.61元[1] - 当日开盘价66.88元 最高价66.88元 最低价63.55元[1] - 成交量122756手 成交额8亿元[1] 港股上市表现 - 8月20日港交所挂牌上市 发行价42.80港元[1] - 港股收盘价45.54港元 较发行价上涨6.4%[1] 财务数据 - 2024年营收17.68亿元 净利润1.79亿元[1] - 海外收入占比57.03%[1] 资金流向 - 8月20日主力资金净流出10597.78万元 占流通市值0.37%[1] - 近五日主力资金累计净流出16927.95万元 占流通市值0.59%[1] 公司业务 - 专注于宽禁带半导体碳化硅衬底材料研发生产[1] - 全球碳化硅衬底制造商排名前三 市场份额16.7%[1] - 产品应用于电动汽车 AI数据中心 光伏系统等领域[1] 公司背景 - 成立于2010年[1] - 所属半导体板块[1]

大会概况 - 第三届功率器件制造测试与应用大会(IPF 2025)将于2025年8月21-22日在江苏无锡梁鸿湿地丽笙度假酒店举办，主办方为宽禁带半导体国家工程研究中心，联合多家行业协会及企业承办[2][7] - 会议规模预计800-1000人，参与对象覆盖半导体全产业链，包括衬底/外延厂商、设计/制造企业、光伏/储能/汽车整机厂商、Tier 1/2供应商等[7] - 赞助企业包括意法半导体、杭州芯研科半导体材料、优尼康科技等12家产业链企业[12][13] 大会议程 产业领袖峰会 - 首日上午聚焦宽禁带半导体前沿技术： - 中国科学院院士那跃将分享宽禁带半导体功率器件研究进展[3] - 武汉大学刘胜院士探讨功率半导体多场跨尺度建模仿真与数字孪生技术[3] - 复旦大学张清纯教授分析碳化硅缺陷对器件性能影响及技术发展趋势[3] - 圆桌论坛由张清纯主持，讨论GaN与SiC在电力电子应用中的挑战，参与方包括新微半导体、晶湛半导体、富士康研究院等企业高管[3] 分论坛技术议题 - **材料与制造**：天岳先进研发中心主任朱灿将介绍液相法P型碳化硅衬底在高压领域应用，厦门福茂科技郭政煌博士探讨大尺寸碳化硅外延设备关键技术[3] - **器件与系统集成**：中车科学家刘国友分享功率半导体与集成技术，九峰山实验室袁俊研究员展示JFS新型碳化硅沟槽器件技术[3] - **测试与封装**：积塔半导体刘新杰解析助力SiC功率器件上主驱的测试技术，采埃孚徐青介绍芯片内嵌技术实现车规级可靠性[4] - **新兴技术**：中国科学技术大学龙世兵教授发表氧化镓半导体功率电子器件研究，化合积电谢娜娜探讨超宽禁带金刚石半导体材料进展[4] 参会信息 - 门票分为三档：原价票1,398元/人、早鸟票1,298元(2025年7月15日前)、三人团购票1,230元/人，终端用户(整车厂/Tier1等)可申请免费票[16] - 协议酒店价格为380元/晚(含早餐)，距离无锡硕放机场11公里，无锡东站15公里[20] - 注册方式支持银行汇款至互动芯科技公司或移动支付[17]

公司招股信息 - 天岳先进于2025年8月11日-8月14日招股 拟全球发售4774 57万股H股 其中香港发售占5% 国际发售占95% [1] - 发售价不高于42 80港元 每手100股H股 预期H股将于2025年8月19日在联交所开始买卖 [1] - 基石投资者国能环保 未来资产证券等已同意认购总金额7 40亿港元发售股份 按最高发售价42 80港元计算 将认购1729 52万股 [2] 公司行业地位 - 公司专注于碳化硅衬底研发与产业化 按2024年碳化硅衬底销售收入计 公司为全球前三制造商 市场份额达16 7% [1] 公司财务表现 - 收入从2022年4 17亿元增长199 9%至2023年12 51亿元 2024年进一步增长41 4%至17 68亿元 [2] - 2025年第一季度收入同比减少4 2%至4 08亿元 2024年实现扭亏为盈 净利润达1 79亿元 [2] - 2025年第一季度净利润同比下降至850万元 [2] 募资用途 - 假设发售价42 80港元且超额配股权未行使 预计募资净额19 38亿港元 [3] - 70%募资额(13 57亿港元)用于扩张8英寸及以上碳化硅衬底产能 [3] - 20%募资额(3 88亿港元)用于加强研发能力 [3] - 10%募资额(1 94亿港元)用于营运资金及一般企业用途 [3] - 若超额配股权悉数行使 将额外募资2 96亿港元并按比例分配至上述用途 [3]

公司招股信息 - 天岳先进拟全球发售4774.57万股H股，香港发售占5%，国际发售占95% [1] - 发售价不高于42.80港元，每手100股H股，预期2025年8月19日在联交所开始买卖 [1] - 按最高发售价42.80港元计算，基石投资者将认购1729.52万股发售股份，总金额7.40亿港元 [2] 行业地位与业务 - 公司专注于碳化硅衬底的研发与产业化，是全球排名前三的碳化硅衬底制造商 [1] - 2024年碳化硅衬底销售收入市场份额为16.7% [1] 财务表现 - 收入从2022年4.17亿元增长199.9%至2023年12.51亿元，2024年进一步增长41.4%至17.68亿元 [2] - 2025年第一季度收入4.08亿元，较2024年同期4.26亿元下降4.2% [2] - 2022年亏损1.76亿元，2023年亏损4570万元，2024年实现利润1.79亿元 [2] - 2024年第一季度利润4610万元，2025年同期利润850万元 [2] 募集资金用途 - 预计全球发售所得款项净额约19.38亿港元 [3] - 70%或13.57亿港元用于扩张8英寸及更大尺寸碳化硅衬底产能 [3] - 20%或3.88亿港元用于加强研发能力 [3] - 10%或1.94亿港元用于营运资金及其他一般企业用途 [3] - 若超额配股权悉数行使，将额外获得2.96亿港元，并按比例用于上述用途 [3]

氮化镓技术背景与材料特性 - 世界氮化镓日定为每年7月31日，源于氮（N）和镓（Ga）在元素周期表中的排序（第7号和第31号元素），彰显其战略科技地位 [1] - 氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）同属化合物半导体，材料性能直接影响电子器件特性，SiC MOSFET优势在于更大功率，GaN HEMT优势在于更高频率 [2][3] - 氮化镓HEMT器件结构复杂，需在硅衬底上生长多层外延（如NL成核层、SRL超晶格层等），材料工艺比晶圆加工更关键 [6][7] 氮化镓应用市场分析 汽车领域 - 主驱动逆变器中SiC因耐高压、高温及短路保护能力（>3微秒）占据优势，GaN目前短路能力低于500ns，短期内难以替代 [10] - 车载充电器（OBC）和DC-DC转换器是GaN重点方向，已有厂商推出11kW/800V方案，650V以下电压区间具备成本和体积优势 [10] - 车规级可靠性是GaN主要障碍，异质外延工艺缺陷需通过器件设计和测试标准完善解决 [11] 消费电子与AI服务器 - GaN在消费电子快充市场快速普及，英诺赛科出货量达6.6亿颗，2024年营收8.28亿元，全球份额第一 [12][13] - AI服务器电源需求功率密度达100 W/in³，GaN高频特性显著提升效率（如纳微半导体方案峰值效率96.52%） [18] 人形机器人与光储充系统 - 人形机器人关节电机需0.1秒内完成500rpm转速切换，GaN器件开关速度优于硅基MOSFET，上海智元已在3个关键关节应用GaN芯片 [21][23] - 光伏和储能场景中GaN无需短路保护能力，英诺赛科2kW微型逆变器方案功率密度40W/in³，充电效率提升2倍 [24] 技术挑战与成本结构 - 硅基GaN外延面临晶格/热失配问题，高压器件需更厚外延层，缺陷抑制难度大 [25] - GaN成本优势在于硅衬底成本低，但需平衡衬底、晶圆制造、封装、良率等环节，与SiC竞争关键在产业链协同 [25] 行业动态与IPF 2025大会 - IPF 2025为国内宽禁带半导体最高规格会议，聚焦GaN与SiC产业链交锋，郝跃院士将报告宽禁带器件进展，英诺赛科董事长骆薇薇等重磅嘉宾出席 [34][35] - 大会议程涵盖材料、器件设计、应用创新（如AI数据中心、车用模块等），设置GaN与SiC协同发展圆桌论坛 [36][38][40][42]