行业与公司 * 行业：半导体、半导体资本设备、IT硬件，特别是与人工智能数据中心基础设施相关的领域[1][3] * 涉及公司：英伟达、超威半导体、博通、迈威尔科技、美光科技、Astera Labs、KLA Corporation[27][31] * 报告机构：摩根大通证券[3] 核心观点与论据：数据中心资本支出预测大幅上调 * 上调数据中心资本支出增长预测，因超大规模云服务提供商持续扩大AI基础设施建设计划，主要驱动力是AI计算能力的供应持续显著落后于需求[1] * 2025年数据中心支出预计同比增长约65%以上，高于几个月前预测的+55%，这意味着2025年相对于2024年将增加1150亿美元以上的支出，而2024年的同比增量支出为750-800亿美元[1] * 2026年数据中心资本支出目前预计增长50%以上，高于此前预测的+30%，这意味着明年将增加1500亿美元以上的支出[1] * 鉴于对AI计算的强劲且迫切需求，预计2026年数据中心资本支出最终可能达到同比增长60%以上的范围，这将使明年增量支出达到1750亿美元以上[1] * 未来几年，AI加速器总目标市场预计将支持40-50%的复合年增长率，以2025年约2000亿美元的基数计算[4] 核心观点与论据：增量支出与半导体公司收入关联 * 2025年预期的1150亿美元以上数据中心增量支出，基本涵盖了英伟达、超威半导体、博通、迈威尔科技今年预期的收入增长[1] * 假设2025年AI增量收入的80%与美国超大规模云服务提供商/云服务提供商支出相关，且50-60%的AI数据中心资本支出通常与技术基础设施相关，则上述关联成立[1] * 2026年预期的1500亿美元以上增量支出，相对于市场对英伟达、超威半导体、博通、迈威尔科技的AI相关GPU/ASIC/网络收入预期中已包含的约1400亿美元增量[1] * 报告认为，当前市场对关键AI相关公司的预测尚未完全计入收入上行潜力[1] 核心观点与论据：具体公司观点与机会 * 英伟达：近期宣布的OpenAI和Anthropic协议，是对此前披露的截至2026年底5000亿美元以上收入积压的增量[1] * 博通：认为市场很大程度上误解/低估了管理层关于730亿美元18个月积压的评论，考虑到其6-12个月的交付周期[1] * 迈威尔科技：认为亚马逊云科技很可能增加Tranium3订单[1] * 超威半导体：未来6到9个月内可能会有更多重要的MI450/Helios客户公告[1] * 美光科技：已锁定其2026年全部HBM3E/4产能，应能继续推动强劲的客户份额增长，可能超过其在传统DRAM领域约22%的份额[4] * 强劲的AI服务器支出将使英伟达、博通、迈威尔科技、超威半导体、美光科技和西部数据受益[4] 其他重要内容：支出范围扩大与长期展望 * 仅关注美国前4或5大超大规模云服务提供商的支出，未考虑发生在传统超大规模云服务商范围之外的重要支出，包括新云公司和主权AI项目，随着它们规模扩大，正变得越来越有影响力[4] * 2026年之后的数据中心资本支出能见度仍然有限，但当前对总资本支出增长的预期表明，至少从方向上看，2027年支出应会再次增长[1] * 报告给出的AI/云领域首选股为：超配博通、超配迈威尔科技、超配英伟达、超配Astera Labs、超配美光科技、超配KLA Corporation[4] 其他重要内容：图表数据摘要 * 图1显示美国前四大超大规模云服务提供商的数据中心资本支出从2024年的约310亿美元增长至2025年预计的约520亿美元，2026年预计进一步增长至约760亿美元[7][8] * 图5显示增量数据中心资本支出与增量AI GPU/ASIC及网络支出对比，2025年预计分别为1160亿美元和860亿美元，2026年预计分别为1520亿美元和1410亿美元[12][13] * 图6显示总数据中心资本支出与总AI GPU/ASIC及网络支出对比，2025年预计分别为3210亿美元和2220亿美元，2026年预计分别为4850亿美元和3630亿美元[21] * 图7显示超大规模云服务提供商总资本支出占收入百分比，2025年预计总计为19%，2026年预计为22%[23][24] * 图8显示数据中心资本支出占收入百分比，2025年预计总计为12%，2026年预计为19%[25]

报告行业投资评级 * 报告未明确给出半导体行业的整体投资评级（如超配、标配、低配）[1][3][5][30] 报告核心观点 * 存储市场供需紧张，价格预计将持续上涨，AI需求旺盛是核心驱动力，存储产业链企业有望受益[3][15][30] * 存储价格上涨可能推高消费电子供应链成本，进而影响智能手机、PC等终端出货量[3][18][30] * 国内半导体制造企业（如长江存储、长鑫存储）积极扩产，有望拉动国产半导体设备与材料的需求[3][30] 半导体行业行情回顾 * 截至2025年12月18日，申万半导体行业指数近两周累计下跌0.33%，跑输沪深300指数0.47个百分点[3][10] * 2025年以来，申万半导体行业指数累计上涨40.55%，跑赢沪深300指数24.85个百分点[3][10] 半导体产业新闻与动态 * **AI技术进展**：智谱开源具备手机操作能力的AI Agent模型AutoGLM[11]；谷歌宣布首款搭载Gemini的AI眼镜将于2026年推出[12][14]；OpenAI发布更先进模型GPT-5.2[17] * **存储市场预测**：机构预测2026年第一季度服务器DDR5 RDIMM价格涨幅超40%，eSSD价格上涨20%-30%[3][15]；市场预测2026年一季度Mobile LPDDR4X/5X价格涨幅或达30%-35%[3][21] * **公司业绩与预测**：博通第四财季净利润97.1亿美元，同比增长39%[16]；车百会理事长预计2026年新能源汽车销量有望达2000万辆，国内渗透率57%[19][20] * **风险与挑战**：机构预测内存芯片短缺将导致2026年全球智能手机出货量下滑2.1%，平均售价上涨6.9%[18] * **公司产能**：西安奕材公告称，预计至2026年总体产能有望超过120万片/月，产品已量产用于先进制程存储芯片[22] 半导体产业数据更新 * **智能手机出货数据**：2025年第三季度全球智能手机出货量3.23亿台，同比增长2.09%[23]；2025年10月国内智能手机出货量3135.6万台，同比增长12.4%[23] * **新能源汽车销售数据**：2025年11月国内新能源汽车销量182.3万辆，同比增长20.6%，当月渗透率达53.16%[25] * **半导体销售数据**：2025年10月全球半导体销售额727.1亿美元，同比增长27.2%；中国半导体销售额195.3亿美元，同比增长18.5%[27] 投资建议与关注标的 * 报告基于存储价格上涨及国产化逻辑，建议关注多个半导体细分领域的公司[30][31][33] * **半导体设备与材料**：建议关注北方华创、中微公司、华海清科、拓荆科技、长川科技、鼎龙股份、江丰电子[33] * **存储芯片**：建议关注兆易创新、澜起科技、佰维存储、德明利[33] * **模拟芯片**：建议关注圣邦股份、思瑞浦[33] * **先进封装与测试**：建议关注长电科技、通富微电、伟测科技[33] * **SoC**：建议关注乐鑫科技、恒玄科技、瑞芯微[33] * **算力芯片**：建议关注海光信息[33] * **晶圆代工**：建议关注中芯国际[33] * 报告列出了部分建议关注公司的最新业绩情况，例如：北方华创2025年前三季度营收273.01亿元，同比增长32.97%[32]；拓荆科技2025年前三季度营收42.20亿元，同比增长85.27%[32]；中芯国际2025年前三季度营收495.10亿元，同比增长18.22%[35]

行业供需与产能展望 - 预计到2028年，通用DRAM的供应量增长将受到限制 [1] - 尽管供应商库存已降至最低水平，但与之前的市场繁荣时期相比，DRAM产能增长预计有限 [1][5] - 由于新技术转型，DRAM产能增长有限 [5] - 预计2028年新的DRAM晶圆厂将增加产能，原因是运营正常化 [4] 市场需求与结构变化 - 受人工智能需求激增的影响，DRAM预计将迎来超级周期 [3] - 服务器需求急剧增长，预计B/G（比特增长）将增长24% [1]，另一处预测为增长18% [5] - 预计到2028年，通用PC DRAM产量增长将不足以满足需求 [4] - 预计2026年PC出货量将与今年保持相似水平，但人工智能PC市场将扩张 [5] - 预计PC销量将与2025年保持相似水平，但由于人工智能PC的扩张，预计DRAM采用能力将增加 [5] - 预计2026年人工智能PC将占PC总份额的55% [5] - 由于人工智能需求激增，预计服务器eSSD（企业级固态硬盘）将增长36% [5] - 预计消费级市场不会有显著增长，但预计QLC产品将扩张 [5] 细分市场前景 - 服务器市场份额预计将从2025年的38%大幅增长至2030年的53% [3] - 公司将主要投资于服务器领域 [7] NAND闪存市场动态 - DRAM/HBM（高带宽内存）需求导致NAND闪存供应相对短缺 [7] - 计划利用NAND闪存库存应对需求缺口 [7] - 因此，预计库存水平将大幅下降，价格将持续面临上涨压力 [7]

**涉及行业与公司** * **行业**: 全球存储芯片市场，包括DRAM、NAND闪存、HBM（高带宽内存）[1][3][6] * **主要覆盖公司**: * **存储芯片制造商**: 三星电子 (SEC)、SK海力士 (SKH)、美光科技 (MU)、南亚科技 (NYT)、华邦电子 (Winbond)、西部数据 (WDC)、铠侠 (Kioxia) [3][4][10] * **半导体设备 (SPE) 公司**: ASML、东京电子 (TEL)、爱德万测试 (Advantest)、SCREEN、迪思科 (DISCO)、ULVAC、KOKUSAI [4][229][230] * **HBM封装供应链**: Hanmi、ASMPT [4] **核心观点与论据** * **2027年新产能不会导致供应过剩，存储芯片短缺将持续** * 投资者担忧2027年新建晶圆厂和技术迁移加速可能导致DRAM供过于求 [3] * 基于自下而上的产能分析，预计未来两年DRAM位元供应增长将低于位元需求增长，主要原因是产能向HBM倾斜以及结构性AI推理需求（内存消耗是训练的3倍）[3] * 预计DRAM和非HBM的供需短缺将贯穿2027年，短缺幅度在2027年将收窄至3%（2026年为5%）[14] * DRAM位元出货量增长受限于20%以下，主因是：1) 强劲的CSP驱动的AI需求促使存储厂商将产能分配给HBM（HBM产能占比将从2025年的19%升至2027年的28%）；2) 2027年新增产能好于预期，但传统DRAM产能预计在2026年同比下降；3) 存储厂商资本支出纪律性强（资本密集度将低于过去五年平均水平）[15][18] * **史上最长、最强的存储上行周期，B2B与B2C价格动能分化** * 当前周期将是历史上最长、最强的存储上行周期，预计持续超过10个季度，超越历史7-8个季度的上行周期 [3][14] * “内存饥饿游戏”（尤其是对CSP和部分二/三线消费电子品牌）正在引发更剧烈的短期内存价格上涨动能 [3] * 预计从2026年下半年至2027年上半年将出现价格趋势分化：由AI推理驱动的B2B内存价格保持稳定，而由于客户抵制，B2C消费级内存价格将周期性下行 [3] * 预计DRAM/NAND ASP在2026财年分别增长+53%/~30%，随后在2027财年增长+1%/-6% [3] * 预计2027年存储总市场规模 (TAM) 将达到约4200亿美元 [3] * 使用2018/2021周期中点的市销率 (P/S)，预计顶级存储制造商的市值有超过50%的上涨空间，接近1.5万亿美元（当前约1万亿美元）[3][6] * **资本支出加速但仍不足，资本密集度保持低位** * 尽管存储供应商已采取一系列举措来解决不断扩大的供需缺口，但物理迁移挑战（步骤增加导致洁净室空间限制下的自然产能减少）仍然很高，且缺乏近期的全新晶圆厂产能，限制了位元供应增长在20%以下 [3] * 预计存储设备投资 (WFE) 增长将远高于总资本支出增长（DRAM在2026/27财年增长+19%/+26%，NAND在2026/27财年增长+6%/+6%）[3] * 隐含的资本密集度将低于过去五年的平均水平，DRAM低于30%，NAND低于20% [3] * **GPU vs. ASIC之争利好HBM需求，AI推理推动企业SSD市场** * GPU与ASIC的争论（例如近期转向谷歌TPU）总体上有利于HBM需求，因为终端客户的规格竞赛通过容量升级推动了HBM位元需求 [3] * 除了Rubin Pro GPU的4倍容量增长，谷歌下一代2纳米TPU可能采用HBM4，这将使HBM供需紧张状态持续至2027年并可能延续到2028年 [3] * 紧张的HBM供需在抑制产能回流至传统DRAM方面起着关键作用 [3] * AI推理的兴起也对企业SSD市场规模扩张产生积极影响（2026年TAM预计在400-500EB区间中部），并推动容量升级（AI服务器携带的SSD容量是通用服务器的约3倍）[3] * **投资建议：近期看好三星，中长期看好SK海力士** * 预计近期ASP上涨将驱动亚洲/美国存储股盈利预测上调 [4] * 在亚洲大型存储股中，**近期偏好顺序为：三星电子 (增持) > SK海力士 (增持)**（中长期偏好顺序不变：SK海力士 > 三星电子）[4] * 在商品化存储覆盖范围内，仍**增持**华邦电子，对南亚科技持**中性**评级 [4] * 同样看好**美光科技 (增持)**，因其AI相关业务增长 [4] * 在更广泛的半导体设备领域，偏好**ASML (欧洲)、东京电子/爱德万测试 (亚洲)**，均为增持评级；对HBM封装供应链持保守态度：**Hanmi/ASMPT均为中性** [4] **其他重要内容** * **市场预测与模型调整** * 将2026-27财年存储总市场规模 (TAM) 预测上调37%/44%，主要因对传统DRAM和HBM供需紧张推动价格走强更加乐观 [62] * 预计通用服务器单位数在2026年增长高十位数百分比，位元需求在2025-27财年增长26%-56% [62] * 预计移动/PC客户的物料清单成本压力将压制其出货量和容量增长前景，导致预测期内容量增长低迷（2026财年低个位数百分比增长，2027财年中个位数百分比增长）[62] * 将DRAM资本支出预测在2026-27财年上调3-18%，以反映存储厂商为扩大产能和技术迁移而增加的资本支出承诺 [63] * 将NAND ASP假设在2026-27财年上调20%-38% [64] * **供需敏感性分析显示服务器需求可抵消消费端疲软** * 在需求敏感性分析中，即使考虑智能手机/PC需求减弱3-4%等悲观情景，服务器需求的上升空间仍足以抵消下行风险，净影响为中性 [44] * 在18%的位元供应增长中，大部分目前分配给了服务器需求 [44] * CSP的采购计划（70%或更高）与实际安装计划（50%或更高）之间的差距，仍是消化非服务器应用需求疲软的强大来源 [44] * **企业SSD对HDD的替代趋势** * 自2025年第三季度起，企业SSD市场作为AI推理应用的受益者受到关注，并可能因交货期长（最长2年）而替代近线HDD用于温/冷存储 [50] * 在关键业务近线存储领域，SSD渗透率仍然较低，2026财年SSD仅占位元总需求的19%（近线HDD位元需求约1800EB vs SSD约420EB）[50] * SSD在AI服务器机架中的物料清单成本占比仅为个位数百分比，这迫使CSP出于性能和交货期优势采用SSD而非HDD [50] * SSD渗透率每增加1个百分点，将带来约20亿美元的企业SSD收入增量，相当于2026财年NAND总市场规模的约2% [50] * **股价催化剂与风险因素** * **催化剂**: 1) 存储厂商2025年第四季度财报及2026/27年需求指引（美光2026财年第一季度业绩于2025年12月17日发布，三星2025年第四季度财报于2026年1月8日发布）；2) 2026年英伟达GTC大会以了解HBM和SOCAMM规格及容量路线图；3) OpenAI Stargate项目（90万片晶圆/月的承诺）及其他AI基础模型公司自研芯片计划更新 [79] * **风险**: 1) AI硬件或软件发展可能减少运行AI推理模型所需的HBM/内存；2) 中国CXMT和YMTC在AI级存储产品开发上的风险；3) AI资本支出趋势放缓可能抑制整体AI内存需求；4) 消费电子级内存规格/采购趋势 [80] * **半导体设备 (WFE) 需求展望** * 预计2026年设备投资市场将同比增长超过10%，主要由DRAM和先进逻辑制程对生成式AI的投资推动 [229] * 在洁净室短缺的背景下，向200+层NAND以及DRAM的1c纳米或1g纳米等技术迁移，可能成为2026年需求增长的驱动力 [229] * 技术迁移将增加刻蚀、沉积和清洗设备的使用强度，从而扩大前端工艺设备公司的总市场规模 [229] * 在存储设备领域，**看好东京电子 (增持)**，因其在DRAM市场曝光度较高，且在DRAM布线工艺的刻蚀设备方面实力强劲 [231]

行业周期与市场展望 - 摩根大通预计当前存储芯片行业将迎来历史上最长、最强劲的上升周期 [5] - 头部存储芯片制造商的总市值已接近1万亿美元，预计到2027年将飙升至1.5万亿美元，意味着仍有超过50%的上涨空间 [1][3][7] - 基于“市值/市场规模”估值框架，预测2027年存储市场规模将达到约4200亿美元，取历史市销率中值3.5倍计算，支撑1.5万亿美元市值预期 [6] 供需分析与短缺预测 - 市场担忧2027年新产能将导致DRAM供过于求，但摩根大通模型显示这种担忧是多余的，未来两年DRAM位元供应增长仍将落后于需求增长 [5] - 尽管2027年供需缺口可能从2026年的5%缩小至3%，但市场仍将处于短缺状态 [9] - 强劲的云服务提供商需求迫使厂商将更多产能分配给HBM，HBM占DRAM总产能的比例将从2025年的19%大幅攀升至2027年的28% [10] - 2026年常规DRAM产能预计同比下降，2027年新产能上线也受限于物理条件，DRAM位元出货量增长将被限制在20%以下 [11] 价格趋势与市场结构 - 市场正经历“双轨制”定价：企业级/AI需求强劲支撑价格高位，消费级则面临周期性压力，但服务器端需求上行将完全抵消消费端下行风险 [5] - 预测2026财年DRAM平均售价将暴涨53%，NAND平均售价上涨约30% [15] - 预计2027财年DRAM平均售价仍将微涨1%，NAND平均售价可能小幅回调6% [15] - 从2026年下半年到2027年上半年，AI推理需求将支撑B2B端价格坚挺，而B2C端将因客户抵触高价面临价格下行 [13][14] AI驱动的结构性机遇 - AI推理对内存的消耗是训练的3倍，形成结构性需求 [1][5] - HBM供需短缺（约8%-12%的缺口）预计将贯穿2027年，甚至可能延续至2028年 [19] - Google下一代2nm TPU可能采用HBM4，加上Rubin Pro GPU带来的4倍容量增长，将持续挤压供应链 [18] - AI服务器对SSD的搭载量是普通服务器的3倍，企业级SSD需求巨大，预计将推动2026财年NAND价格上涨27% [23] 资本开支与供应纪律 - 尽管存储厂商宣布产能扩张，但实际产生的位元供应增长将被物理迁移挑战所抵消 [25] - 预计存储晶圆厂设备的增长将大幅领先于总体资本开支的增长（2026/2027年DRAM晶圆厂设备支出分别增长19%/26%） [26] - 无论是DRAM（低于30%）还是NAND（低于20%），隐含的资本密集度都将低于过去五年的平均水平，显示供应端保持显著纪律性 [27]

摩根大通在最新研报中指出，当前头部存储芯片制造商的总市值已接近1万亿美元。基于历史估值中枢推算，到2027年这一数字将飙升至1.5万亿美元， 意味着头部厂商仍有超过50%的上涨空间。 据追风交易台，12月14日，摩根大通在最新报告中称，当前的周期将是历史上最长、最强劲的存储上升周期。 摩根大通给出的答案非常明确：继续做多。 基于"市值/市场规模（TAM）"的估值框架，摩根大通预测2027年存储市场规模将达到约4200亿美元。取2018年和2021年周期的市销率（P/S）中值3.5倍 计算，头部存储及内存制造商的合计市值有望在2027年逼近1.5万亿美元。 这意味着从当前水平看，头部玩家仍有超过50%的市场上限空间。 供需真相：2027年依然短缺 目前市场上最大的空头论点是：2027年的新建晶圆厂投放和加速的技术迁移将引发DRAM供过于求。 摩根大通通过自下而上的"产能-位元"分析模型驳斥了这一观点： 投资者普遍担忧2027年新产能会导致DRAM供过于求。摩根大通的数据模型显示这种担忧是多余的——HBM的产能挤占和AI推理的结构性需求（推理 对内存的消耗是训练的3倍）将导致未来两年DRAM位元供应增长仍将落后于 ...

涉及的行业与公司 * 行业：半导体行业，具体为NAND闪存市场 [1] * 公司：SanDisk (SNDK US) [1] 核心观点与评级调整 * 评级下调：将SanDisk评级从“买入”下调至“持有”，目标价239美元 [2][3][11] * 下调原因：预计NAND价格涨势将在2026年第二季度显著放缓，暗示NAND周期将出现暂时性峰值 [2][3][11] * 估值基础：基于2.5倍2026年预期市净率(P/B)，采用30%的中周期营业利润率假设 [3][11] * 对比基准：美光历史平均营业利润率约15%，市净率约1.4倍，因此认为2.5倍市净率是公允估值 [3][11] 行业需求与价格展望 * 消费电子疲软：消费电子产品需求疲软将对2026年第二季度的NAND价格构成压力 [2] * 需求占比：消费电子仍占NAND总需求的56% [2] * 出货量下调：观察到主要本土安卓OEM和三星计划在2026年因物料清单成本上升而将出货量至少下调10% [2] * 供需缺口收窄：消费端疲软可能显著收窄2026年的供需缺口，此前预测为5%的比特供应短缺 [2] * 渠道库存：中国和台湾的渠道库存（NAND+DRAM合计超过200亿美元）可能支持安卓OEM在2026年第一季度转向更正常的库存水平，减少激进补货的紧迫性 [2] * 价格涨幅预测：预计2026年第二季度NAND价格涨幅将显著放缓至3-5% [2] * 价格涨幅收窄证据：已观察到铠侠在2026年第一季度的智能手机价格涨幅降至10-15%，而2025年第四季度涨幅超过25% [2] 长期周期与风险 * 长期看好理由：仍看好NAND长期周期，原因在于代币驱动的企业级固态硬盘需求以及受限制的NAND产能扩张 [3][11] * 价格回调预期：鉴于持续的企业级固态硬盘需求，预计NAND价格不会像以往周期那样大幅回调，中期营业利润率约30%是可以实现的 [3][11] * 风险因素：1) AI需求减速；2) 地缘政治不确定性；3) 竞争 [4][14] 公司财务预测与修订 * 收入预测：预计2026财年收入为118.032亿美元（同比增长60.5%），2027财年为141.347亿美元（同比增长19.8%）[5][6] * 分市场收入贡献预测： * 客户端：2026财年占53%，2027财年占50% [6] * 云业务：2026财年占14%，2027财年占21% [6] * 消费业务：2026财年占33%，2027财年占30% [6] * 盈利预测：预计2026财年净利润为28.358亿美元（同比增长544.5%），2027财年为50.975亿美元（同比增长79.8%）[5] * 盈利预测下调：对2026和2027财年的预测进行了下调，其中净销售额分别下调3.3%和7.4%，净利润分别下调9.9%和14.1% [7] * 利润率预测： * 毛利率：2026财年预测为46.0%，2027财年为56.0% [7][18] * 营业利润率：2026财年预测为29.5%，2027财年为41.9% [7][18] * 净利润率：2026财年预测为24.0%，2027财年为36.1% [7][18] * 季度预测：2026财年第二季度预计收入27.87亿美元，毛利率42.1%，营业利润率24.5% [10] * 股东权益回报率：预计2026财年为23.2%，2027财年为29.1% [5][18] * 资产负债表：预计2026财年末现金及等价物为33.01亿美元，2027财年末增至80.15亿美元 [16] 其他重要内容 * 报告来源：广发证券（香港）经纪有限公司 [5][9][14] * 评级定义：基准为恒生指数，“持有”评级指预期股票相对表现介于-5%至5%之间 [19] * 免责声明：报告基于公开信息，不构成投资建议，投资者应独立判断并承担风险 [24][26][28] * 权益披露：分析师及其关联人士未担任所提及公司的高级管理人员，且在该公司无财务权益 [33]

行业核心观点 - 人工智能推动内存行业进入可能贯穿2026年的历史性上升周期，DRAM和NAND正步入超级周期 [1][2][4] 价格趋势与周期分析 - 2024年11月，消费级DRAM和NAND TLC现货价格同比分别上涨408%和165% [1] - DRAM第四季度平均售价预计环比上涨35%，2026年第一季度预计环比上涨10% [1] - NAND第四季度平均售价预计环比上涨15%，下一季度预计环比上涨7% [1] - 当前DRAM上升周期已进入第5个月，平均售价较谷底上涨55% [2] - 当前NAND上升周期已进入第4个月，平均售价较谷底上涨51% [2] - 观察到巨大的现货/合约价差：DDR4为45%，DDR5为89%，256Gb TLC为47%，512Gb TLC为9%，预示着价格将进一步上涨 [2] - 以4GB DDR4X颗粒为例，现货价格从年初最低7美元/颗涨到11月中旬的30美元/颗以上，上涨3-4倍 [3] - 以64G eMMC闪存为例，价格从年初的3.2美元/颗上涨到近期的8美元/颗以上，涨幅接近1.5倍 [3] 驱动因素与需求端 - 生成式AI热潮及全球AI数据中心建设热潮推动内存芯片制造商将更多产能分配给高带宽内存芯片 [2] - 科技巨头（谷歌、亚马逊、Meta、微软和CoreWeave）预计2024年在人工智能基础设施上投入4000亿美元 [3] - AI繁荣恰逢传统数据中心和个人电脑迎来新的更新换代周期 [3] - 手机销量超预期加剧了非HBM内存芯片的供应紧张 [3] - 海外AI服务器对eSSD的需求增加，推动NAND闪存大幅涨价 [3] - 设备制造商正疯狂囤积内存芯片，客户普遍采取双倍/三倍下单策略 [4] 供应端与竞争格局 - 供应持续紧张是推动价格上涨的主要原因 [1] - 三星和SK海力士控制着全球约70%的DRAM芯片市场 [3] - 为应对来自中国竞争对手的成熟芯片竞争，三星和SK海力士加速向高端芯片转移 [3] - 主要厂商计划在2025年底至2026年初完全停止DDR4内存颗粒的生产，将产能全面转向利润更高的DDR5、HBM等产品 [3] 受益公司与投资机会 - 美光科技和Sandisk有望持续受益于本轮上升周期 [1] - 数据中心业务占比较高的公司表现会更好 [1]

文章核心观点 - 人工智能的蓬勃发展和数据中心建设热潮正推动内存行业进入一个可能持续至2026年的“历史性上升周期”或“超级周期”，DRAM和NAND价格正经历显著且持续的上涨 [1][2][3] 行业周期与价格趋势 - DRAM和NAND现货价格在11月同比分别大幅上涨408%和165% [1] - 当前DRAM上升周期已进入第5个月，平均售价较谷底上涨55%；NAND上升周期进入第4个月，平均售价较谷底上涨51% [2] - 预计DRAM第四季度平均售价环比上涨35%，2026年第一季度环比上涨10%；NAND第四季度价格预计环比上涨15%，下一季度环比上涨7% [1] - 巨大的现货/合约价差预示着价格将进一步上涨，例如DDR4为45%，DDR5为89%，256Gb TLC为47% [2] - 以4GB DDR4X颗粒为例，现货价格从年初最低7美元/颗涨至11月中旬的30美元/颗以上，上涨3-4倍；64G eMMC闪存从年初的3.2美元/颗涨至近期的8美元/颗以上，涨幅接近1.5倍 [3] 驱动因素与需求分析 - 生成式AI热潮（如ChatGPT发布）和全球AI数据中心建设热潮是核心驱动因素 [2] - 科技巨头（如谷歌、亚马逊、Meta、微软、CoreWeave）预计今年将在人工智能基础设施上投入4000亿美元 [3] - AI繁荣恰逢传统数据中心和个人电脑的更新换代周期，加上手机销量超预期，共同加剧了非HBM内存芯片的供应紧张 [3] - 海外AI服务器对eSSD的需求增加，也推动了NAND闪存价格大幅上涨 [3] - 设备制造商正疯狂囤积内存芯片，客户普遍采取双倍/三倍下单策略，加剧了市场抢购行为 [4] 供应与产能动态 - 供应持续紧张是推动价格上涨的主要原因 [1] - 内存芯片制造商将更多产能分配给高带宽内存（HBM）芯片 [2] - 主要厂商（如三星、SK海力士）加速向高端芯片转移，计划在2025年底至2026年初完全停止DDR4生产，将产能全面转向利润更高的DDR5、HBM等产品 [3] - 来自中国竞争对手在成熟芯片领域的竞争日益激烈，也促使主要厂商进行战略调整 [3] 受益公司与市场展望 - 美光科技和Sandisk有望持续受益于此轮内存行业上升周期 [1] - 数据中心业务占比较高的公司预计表现会更好 [1] - 本轮DRAM和NAND的上升周期预计比历史平均周期（DRAM平均8个月，NAND平均6个月）更具持续性，可能贯穿至2026年 [1][2] - 全球内存芯片行业正加剧迈入“超级周期” [4]

行业核心观点 - 人工智能推动内存行业进入可能贯穿2026年的历史性上升周期 行业正加剧迈入分析师所称的超级周期 [1][4] - DRAM和NAND正步入历史性上升周期 预计本轮上升周期对DRAM和NAND都将更具持续性 [1][2] 价格趋势与预测 - 消费级DRAM和NAND TLC现货价格在11月同比分别上涨408%和165% [1] - DRAM第四季度平均售价预计环比上涨35% 2026年第一季度预计环比上涨10% NAND第四季度价格预计上涨15% 下一季度预计上涨7% [1] - 当前DRAM上升周期已进入第5个月 平均售价较谷底上涨55% NAND上升周期进入第4个月 平均售价较谷底上涨51% [2] - 观察到巨大的现货/合约价差 DDR4为45% DDR5为89% 256Gb TLC为47% 512Gb TLC为9% 这预示着价格将进一步上涨 [2] - 以4GB DDR4X颗粒为例 现货市场从今年初最低7美元/颗涨到11月中旬的30美元/颗以上 上涨3至4倍 以64G eMMC闪存为例 从年初的3.2美元/颗上涨到近期的8美元/颗以上 涨幅接近1.5倍 [3] 市场供需与竞争格局 - 供应持续紧张是价格上涨的主要原因 [1] - 自1999年以来 DRAM的平均上升周期持续8个月 平均售价从低谷到高峰上涨53% 而NAND的平均上升周期通常持续6个月 平均售价上涨40% [2] - 生成式AI热潮及全球AI数据中心建设热潮 促使内存芯片制造商将更多产能分配给高带宽内存芯片 [2] - 来自中国竞争对手的成熟芯片竞争日益激烈 促使三星和SK海力士加速向高端芯片转移 这两家公司控制着全球约70%的DRAM芯片市场 [3] - 主要厂商计划在2025年底至2026年初完全停止DDR4内存颗粒的生产 将产能全面转向利润更高 技术更先进的DDR5 HBM等产品 [3] - 设备制造商正疯狂囤积内存芯片 客户普遍采取了双倍/三倍下单策略 [4] 下游需求驱动 - 数据中心业务占比较高的公司表现会更好 [1] - 包括谷歌 亚马逊 Meta 微软和CoreWeave在内的科技巨头 今年将在人工智能基础设施上投入4000亿美元 [3] - AI繁荣恰逢传统数据中心和个人电脑迎来新的更新换代周期 加上手机销量超预期 共同加剧了非HBM内存芯片的供应紧张 [3] - 海外AI服务器对eSSD的需求增加 推动NAND闪存大幅涨价 [3] - 过去一两个月需求激增 市场变化快得惊人 抢购行为正在加剧且将持续升级 [4] 受益公司 - 美光科技和Sandisk有望持续受益于人工智能推动的内存行业上升周期 [1]