智通财经APP获悉，摩根士丹利在强调北美IT硬件行业2026年前景时，上调了包括苹果(AAPL.US)在内 的多家公司的目标价。该行指出，高估值、宏观经济波动以及内存芯片成本上涨，或将导致2026年硬件 板块的超额收益范围收窄。 具体来看，大摩将其对苹果的目标价由305美元上调至315美元，希捷科技目标价由270美元上调至337美 元，西部数据目标价由188美元上调至228美元，Teradata目标价由30美元上调至35美元。部分个股目标 价遭下调，CDW(CDW.US)目标价由191美元下调至177美元，TD Synnex目标价由181美元下调至177美 元，罗技(LOGI.US)目标价由108美元下调至107美元，英迈科技(INGM.US)目标价由23美元下调至21美 元。 以埃里克·伍德林(Erik Woodring)为首的大摩分析师团队表示，2025年硬件股呈现"上下半场分化"的格 局：上半年因关税政策遭遇抛售，下半年则在AI应用热潮与传统硬件稳健增长的推动下反弹——截至 目前，硬件板块估值较4月低点反弹近6倍创历史新高，板块未来12个月净利润增长17%。 不过，分析师认为，2026年仍存结构性机会， ...

行业核心观点 - 人工智能推动内存行业进入可能贯穿2026年的历史性上升周期，DRAM和NAND正步入超级周期 [1][2][4] 价格趋势与周期分析 - 2024年11月，消费级DRAM和NAND TLC现货价格同比分别上涨408%和165% [1] - DRAM第四季度平均售价预计环比上涨35%，2026年第一季度预计环比上涨10% [1] - NAND第四季度平均售价预计环比上涨15%，下一季度预计环比上涨7% [1] - 当前DRAM上升周期已进入第5个月，平均售价较谷底上涨55% [2] - 当前NAND上升周期已进入第4个月，平均售价较谷底上涨51% [2] - 观察到巨大的现货/合约价差：DDR4为45%，DDR5为89%，256Gb TLC为47%，512Gb TLC为9%，预示着价格将进一步上涨 [2] - 以4GB DDR4X颗粒为例，现货价格从年初最低7美元/颗涨到11月中旬的30美元/颗以上，上涨3-4倍 [3] - 以64G eMMC闪存为例，价格从年初的3.2美元/颗上涨到近期的8美元/颗以上，涨幅接近1.5倍 [3] 驱动因素与需求端 - 生成式AI热潮及全球AI数据中心建设热潮推动内存芯片制造商将更多产能分配给高带宽内存芯片 [2] - 科技巨头（谷歌、亚马逊、Meta、微软和CoreWeave）预计2024年在人工智能基础设施上投入4000亿美元 [3] - AI繁荣恰逢传统数据中心和个人电脑迎来新的更新换代周期 [3] - 手机销量超预期加剧了非HBM内存芯片的供应紧张 [3] - 海外AI服务器对eSSD的需求增加，推动NAND闪存大幅涨价 [3] - 设备制造商正疯狂囤积内存芯片，客户普遍采取双倍/三倍下单策略 [4] 供应端与竞争格局 - 供应持续紧张是推动价格上涨的主要原因 [1] - 三星和SK海力士控制着全球约70%的DRAM芯片市场 [3] - 为应对来自中国竞争对手的成熟芯片竞争，三星和SK海力士加速向高端芯片转移 [3] - 主要厂商计划在2025年底至2026年初完全停止DDR4内存颗粒的生产，将产能全面转向利润更高的DDR5、HBM等产品 [3] 受益公司与投资机会 - 美光科技和Sandisk有望持续受益于本轮上升周期 [1] - 数据中心业务占比较高的公司表现会更好 [1]

文章核心观点 - 人工智能的蓬勃发展和数据中心建设热潮正推动内存行业进入一个可能持续至2026年的“历史性上升周期”或“超级周期”，DRAM和NAND价格正经历显著且持续的上涨 [1][2][3] 行业周期与价格趋势 - DRAM和NAND现货价格在11月同比分别大幅上涨408%和165% [1] - 当前DRAM上升周期已进入第5个月，平均售价较谷底上涨55%；NAND上升周期进入第4个月，平均售价较谷底上涨51% [2] - 预计DRAM第四季度平均售价环比上涨35%，2026年第一季度环比上涨10%；NAND第四季度价格预计环比上涨15%，下一季度环比上涨7% [1] - 巨大的现货/合约价差预示着价格将进一步上涨，例如DDR4为45%，DDR5为89%，256Gb TLC为47% [2] - 以4GB DDR4X颗粒为例，现货价格从年初最低7美元/颗涨至11月中旬的30美元/颗以上，上涨3-4倍；64G eMMC闪存从年初的3.2美元/颗涨至近期的8美元/颗以上，涨幅接近1.5倍 [3] 驱动因素与需求分析 - 生成式AI热潮（如ChatGPT发布）和全球AI数据中心建设热潮是核心驱动因素 [2] - 科技巨头（如谷歌、亚马逊、Meta、微软、CoreWeave）预计今年将在人工智能基础设施上投入4000亿美元 [3] - AI繁荣恰逢传统数据中心和个人电脑的更新换代周期，加上手机销量超预期，共同加剧了非HBM内存芯片的供应紧张 [3] - 海外AI服务器对eSSD的需求增加，也推动了NAND闪存价格大幅上涨 [3] - 设备制造商正疯狂囤积内存芯片，客户普遍采取双倍/三倍下单策略，加剧了市场抢购行为 [4] 供应与产能动态 - 供应持续紧张是推动价格上涨的主要原因 [1] - 内存芯片制造商将更多产能分配给高带宽内存（HBM）芯片 [2] - 主要厂商（如三星、SK海力士）加速向高端芯片转移，计划在2025年底至2026年初完全停止DDR4生产，将产能全面转向利润更高的DDR5、HBM等产品 [3] - 来自中国竞争对手在成熟芯片领域的竞争日益激烈，也促使主要厂商进行战略调整 [3] 受益公司与市场展望 - 美光科技和Sandisk有望持续受益于此轮内存行业上升周期 [1] - 数据中心业务占比较高的公司预计表现会更好 [1] - 本轮DRAM和NAND的上升周期预计比历史平均周期（DRAM平均8个月，NAND平均6个月）更具持续性，可能贯穿至2026年 [1][2] - 全球内存芯片行业正加剧迈入“超级周期” [4]

行业核心观点 - 人工智能推动内存行业进入可能贯穿2026年的历史性上升周期 行业正加剧迈入分析师所称的超级周期 [1][4] - DRAM和NAND正步入历史性上升周期 预计本轮上升周期对DRAM和NAND都将更具持续性 [1][2] 价格趋势与预测 - 消费级DRAM和NAND TLC现货价格在11月同比分别上涨408%和165% [1] - DRAM第四季度平均售价预计环比上涨35% 2026年第一季度预计环比上涨10% NAND第四季度价格预计上涨15% 下一季度预计上涨7% [1] - 当前DRAM上升周期已进入第5个月 平均售价较谷底上涨55% NAND上升周期进入第4个月 平均售价较谷底上涨51% [2] - 观察到巨大的现货/合约价差 DDR4为45% DDR5为89% 256Gb TLC为47% 512Gb TLC为9% 这预示着价格将进一步上涨 [2] - 以4GB DDR4X颗粒为例 现货市场从今年初最低7美元/颗涨到11月中旬的30美元/颗以上 上涨3至4倍 以64G eMMC闪存为例 从年初的3.2美元/颗上涨到近期的8美元/颗以上 涨幅接近1.5倍 [3] 市场供需与竞争格局 - 供应持续紧张是价格上涨的主要原因 [1] - 自1999年以来 DRAM的平均上升周期持续8个月 平均售价从低谷到高峰上涨53% 而NAND的平均上升周期通常持续6个月 平均售价上涨40% [2] - 生成式AI热潮及全球AI数据中心建设热潮 促使内存芯片制造商将更多产能分配给高带宽内存芯片 [2] - 来自中国竞争对手的成熟芯片竞争日益激烈 促使三星和SK海力士加速向高端芯片转移 这两家公司控制着全球约70%的DRAM芯片市场 [3] - 主要厂商计划在2025年底至2026年初完全停止DDR4内存颗粒的生产 将产能全面转向利润更高 技术更先进的DDR5 HBM等产品 [3] - 设备制造商正疯狂囤积内存芯片 客户普遍采取了双倍/三倍下单策略 [4] 下游需求驱动 - 数据中心业务占比较高的公司表现会更好 [1] - 包括谷歌 亚马逊 Meta 微软和CoreWeave在内的科技巨头 今年将在人工智能基础设施上投入4000亿美元 [3] - AI繁荣恰逢传统数据中心和个人电脑迎来新的更新换代周期 加上手机销量超预期 共同加剧了非HBM内存芯片的供应紧张 [3] - 海外AI服务器对eSSD的需求增加 推动NAND闪存大幅涨价 [3] - 过去一两个月需求激增 市场变化快得惊人 抢购行为正在加剧且将持续升级 [4] 受益公司 - 美光科技和Sandisk有望持续受益于人工智能推动的内存行业上升周期 [1]

行业核心观点 - AI基础设施建设导致内存芯片需求激增，引发供应短缺担忧，短缺可能延续至2026年 [1][3][6][7] - 供应短缺正推高内存芯片价格，并可能传导至手机、医疗设备、汽车等各类产品的制造成本 [1][6] - 内存芯片行业进入“超级周期”，设备制造商出现囤积芯片和双倍/三倍下单的抢购行为 [6][7] 内存芯片供需状况 - AI热潮促使内存芯片制造商将更多产能分配给高带宽内存等新型高端产品，导致DDR4等常见类型内存出现短缺 [1][3][6] - 三星和SK海力士等主要厂商正加速向DDR5、HBM等高端芯片转移，计划在2025年底至2026年初完全停止DDR4生产 [6] - 传统数据中心更新周期、个人电脑换代周期以及手机销量超预期，共同加剧了非HBM内存芯片的供应紧张 [6] - SK海力士表示其明年的全部内存芯片产能已售罄，美光科技预计供应紧张局面将持续到2026年 [7] 内存芯片价格变动 - 市场研究机构Counterpoint Research预测，到明年第二季度，内存模组价格将上涨50% [1] - 具体价格变动：4GB DDR4X颗粒从今年初最低7美元/颗涨至11月中旬的30美元/颗以上，上涨3至4倍；64G eMMC闪存从年初的3.2美元/颗上涨至近期的8美元/颗以上，涨幅接近1.5倍 [6] - 分析师预计DRAM和NAND的涨价趋势将从现在起持续数个季度 [9] 科技公司应对策略与影响 - **戴尔科技**：首席运营官指出所有产品的成本基础都在上升，公司从未见过成本以当前速度变动，将努力调整配置和产品组合，并考虑对部分设备重新定价 [1][2] - **惠普**：首席执行官认为2026年下半年将尤其具有挑战性，将在必要时提高价格，并采取引入更多供应商和减少产品内存用量等积极行动，内存占一台典型PC成本的15%至18% [2] - **苹果**：首席财务官承认内存价格存在“轻微的顺风”，一些新产品成本结构略高，但强调公司正在很好地管理成本，其大客户地位有助于确保持续供应的有利条款 [2] - **联想/小米等**：消费电子制造商已发出潜在涨价警告，并开始囤积内存芯片以应对预期中的成本上升 [1] 市场反应与行业表现 - 内存芯片价格大幅上涨推动三星电子、SK海力士以及美光科技的股价在近几个月大幅上涨 [7] - 专注于NAND生产的日本铠侠控股公司股票自去年12月上市以来已上涨数倍 [7] - 半导体分销商观察到过去一两个月需求激增，市场变化快得惊人，客户普遍采取双倍/三倍下单策略 [7]

文章核心观点 - 人工智能热潮推动韩国两大芯片制造商（SK海力士和三星电子）市值暴增，其迅猛涨势有望持续 [4] - 高带宽内存（HBM）芯片作为人工智能应用的关键，其需求增长是股价飙升的核心驱动力，且乐观情绪正扩散至传统存储芯片领域 [4][5] - 韩国芯片股因估值相对美国同业更具吸引力，预计将持续获得外资流入，分析师普遍看好其未来股价表现 [5][6][8] 韩国芯片制造商市场表现与驱动因素 - 本月SK海力士股价飙升33%，三星电子股价上涨24%，两家公司市值合计暴增逾千亿美元 [4] - 股价驱动因素包括：SK海力士在HBM芯片领域的主导地位，以及投资者对三星电子在HBM领域迎头赶上的押注 [4] - 三星电子股价有望创下自2001年以来的最佳单月表现，外资月度现金流入规模有望创下逾13年来的历史新高 [4][6] 行业前景与分析师预期 - 分析师本季度已将两家韩国芯片巨头的目标股价上调约30%，摩根士丹利预测内存芯片行业将因供需失衡迎来“超级周期” [4] - 传统DRAM和NAND芯片的悲观情绪正在消散，芯片制造商将产能转移至HBM后，预计传统存储芯片将在2026年出现供应短缺，从而支撑价格 [5] - 20家投行的分析师预计，未来12个月内三星电子股价有望超过2021年创下的91,000韩元历史高点（当前股价为82,900韩元） [6] 估值比较与外资流向 - 韩国芯片股估值显著低于美国同业：三星电子预期市盈率为14倍，SK海力士为7倍，而美国主要芯片制造商市盈率约为26倍 [5] - 外资持股比例仍有上升空间，例如三星电子的外资持股比例较58%的历史峰值仍低7个百分点，被视为“配置不足” [6] - 外资持续流入的预期基于美国大规模AI基础设施建设及科技公司公布的重大资本支出计划 [4][5] 高带宽内存（HBM）市场动态 - HBM需求增长不仅来自英伟达，也来自AMD和博通等AI处理器制造商，预计这些公司将加大采购力度 [4] - 中国AI芯片越来越多地采用HBM，其不断增长的需求被视为额外的利好 [5] - 里昂证券预计SK海力士将在高利润的HBM产品领域保持市场主导地位 [8]