爱建证券研报指出，盛美上海存储订单敞口清晰，清洗设备龙头迎扩产红利。订单方面（截至2025年9 月29日）：公司在手订单90.72亿元，结构明确指向存储晶圆厂扩产主线。公司以单片清洗设备为核 心，持续向半导体电镀、抛铜、先进封装湿法设备，以及立式炉管、前道涂胶显影（Track）和PECVD 领域延伸布局，产品矩阵不断完善，平台化特征逐步增强。存储及逻辑晶圆厂扩产，公司在手订单向收 入端持续转化，公司在先进制程/先进封装领域设备通过验证等。首次覆盖，给予"买入"评级。 ...

公司业务与产品 - 公司是国内领先的前道薄膜沉积设备厂商，核心产品覆盖PECVD、ALD、Flowable CVD、HDPCVD等多类工艺，已在先进逻辑与存储产线实现规模化交付 [1] - 公司前瞻布局混合键合及配套量检测设备，切入异构集成与三维集成核心环节，业务由单一沉积设备向“沉积+键合”双引擎平台化演进 [1] 行业市场与需求 - 在晶圆厂扩产与国产替代推动下，中国市场预计仍将保持全球最大半导体设备市场 [1] - HBM、Chiplet与三维堆叠加速落地，芯片间互连密度和界面质量要求显著提升，沉积与键合工艺在系统性能中的重要性持续上升，使相关设备需求具备独立于制程节点的成长逻辑 [1] 公司估值与评级 - 从PEG角度看，公司2025E-2027E PEG为1.3/0.8/0.9 [1] - 综合考虑公司在薄膜沉积和混合键合工艺环节的技术壁垒及中长期盈利弹性，认为公司具备较高的中长期配置性价比，首次覆盖，给予“买入”评级 [1]

行业趋势与市场前景 - 半导体设备领域中的薄膜沉积设备在前道工艺中价值量占比高，约为22%，是晶圆扩产核心设备之一 [1] - 受新产线建设与既有产能扩充拉动，薄膜沉积设备需求有望持续增长，上行趋势明确 [1] - 全球300mm晶圆厂投资预计在2025年增长20%，达到1165亿美元 [1] 中国厂商动态与技术进展 - 中国厂商正加速布局，例如拓荆科技拟募资以提升PECVD等设备的产能 [1] - 微导纳米的ALD与高端CVD产品已切入国产存储头部客户量产线，在逻辑领域设备性能达到国际先进水平 [1] 相关金融产品与指数 - 科创芯片ETF国泰（589100）跟踪的是科创芯片指数（000685），该指数单日涨跌幅可达20% [1] - 科创芯片指数从科创板市场中选取涉及半导体材料、设备、设计与制造等全产业链环节的上市公司证券作为指数样本，聚焦芯片行业核心领域 [1] - 该指数精选50家代表性企业，集中反映科创板芯片产业链的整体表现 [1]

半导体设备行业 - 薄膜沉积设备在全球半导体设备销售中价值量占比较高，占比约22%，是晶圆扩产的核心设备之一 [1] - 行业需求受新产线建设与既有产能扩充双重拉动，有望持续增长 [1] - 全球300mm晶圆厂投资预计2025年增长20%至1165亿美元，2026年再增12%至1305亿美元 [1] - 中国2025-2027年年均晶圆厂投建规模有望保持在300亿美元以上 [1] 中国半导体设备厂商动态 - 拓荆科技拟提升PECVD、SACVD等设备的智能化产能 [1] - 微导纳米的ALD与高端CVD产品已切入国产存储头部客户量产线，其逻辑领域设备性能达国际先进水平 [1] 信创ETF及其跟踪指数 - 信创ETF（159537）跟踪的是国证信创指数（CN5075） [1] - 该指数从沪深市场中选取业务涉及半导体、软件开发、计算机设备等信息技术领域的上市公司证券作为样本 [1] - 指数成分股覆盖了从基础硬件到应用软件的全产业链环节 [1] - 行业配置上侧重于半导体、软件开发、计算机设备以及IT服务等领域，呈现出明显的大盘特征 [1]

市场行情 - 2025年12月4日A股收盘，沪指跌0.06%报3875.79点，深成指涨0.40%报13006.72点，创业板指涨1.01%报3067.48点，半导体相关ETF表现强势，科创半导体ETF涨3.09%，半导体材料ETF涨2.63% [1] - 隔夜美股收盘，道指跌0.07%，纳指涨0.22%，标普500涨0.11%，费城半导体指数跌0.89%，成分股中恩智浦跌0.62%，美光科技跌3.21%，ARM涨0.93%，应用材料涨0.30%，微芯科技涨1.75% [1] 半导体材料与技术进展 - 九峰山实验室发布基于第三代半导体材料氮化镓的电源模块科技成果，该模块可使超大型AI算力中心机柜一年省近3亿度电，约合2.4亿元电费 [2] - 该氮化镓电源模块已完成概念验证即将中试，预计3-5年内量产，可满足千亿级市场需求，相比传统硅基模块，其用电损耗降低30%，体积缩小30%，成本降至硅的一半 [2] - 拓荆科技在2025年第三季度业绩说明会上表示，其PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜设备及先进键合系列产品在存储芯片制造领域已实现产业化应用，目前在手订单饱满 [3] 人工智能与算力基础设施 - Palantir、英伟达与CenterPoint Energy三方共同开发名为“连锁反应”的软件平台，旨在加速新一代AI数据中心的建设，帮助解决许可审批、供应链与施工等难题 [2] - 华泰证券指出，GPU应用已从图形渲染扩展至AI训练与推理、科学计算等高算力场景，2024年全球GPU市场规模达774亿美元，中国市场规模约1073亿元人民币 [3] - 预计2025-2030年全球GPU市场规模年复合增长率达35.19%，在政策与算力需求推动下，中国GPU产业将进入快速发展期 [3] 资本市场动态 - 2025年12月4日，有2只科创板新股申购，分别为昂瑞微和沐曦股份，另有1只科创板新股摩尔线程上市 [2]

市场行情与指数表现 - 2025年12月4日A股收盘，沪指跌0.06%报3875.79点，深成指涨0.40%报13006.72点，创业板指涨1.01%报3067.48点 [1] - 半导体主题ETF表现强势，科创半导体ETF涨3.09%，半导体材料ETF涨2.63% [1] - 隔夜美股涨跌互现，道指跌0.07%，纳指涨0.22%，标普500涨0.11%，费城半导体指数跌0.89% [1] 半导体行业动态与技术创新 - 九峰山实验室发布氮化镓电源模块科技成果，该模块可使超大型AI算力中心一年省近3亿度电，约合2.4亿元电费 [2] - 该氮化镓电源模块已完成概念验证，预计3-5年内量产，可满足千亿级市场需求 [2] - 采用硅基氮化镓芯片替代传统硅芯片，可使电源模块用电损耗降低30%，体积缩小30%，成本降至硅的一半 [2] - Palantir、英伟达与CenterPoint Energy合作开发名为“连锁反应”的软件平台，旨在加速解决AI数据中心建设的许可审批、供应链与施工难题 [2] 公司经营与市场前景 - 拓荆科技在2025年第三季度业绩说明会上表示，其PECVD、ALD、SACVD等薄膜设备及先进键合系列产品在存储芯片制造领域已实现产业化应用，目前在手订单饱满 [3] - 公司认为若下游客户进一步扩产，预计将持续拉动对相关产品的需求量 [3] - 据华泰证券引用数据，2024年全球GPU市场规模达774亿美元，中国市场规模约1073亿元 [3] - 预计2025-2030年全球GPU市场规模年复合增长率达35.19%，中国GPU产业在政策与算力需求推动下将进入快速发展期 [3] 半导体产业链与投资工具 - 科创半导体ETF跟踪上证科创板半导体材料设备主题指数，其成分股中半导体设备占比61%，半导体材料占比23% [4] - 半导体材料ETF指数成分中，半导体设备占比61%，半导体材料占比21% [4] - 半导体设备和材料行业是重要的国产替代领域，具备国产化率较低、天花板较高的属性 [4] - 行业受益于人工智能革命下的半导体需求扩张、科技重组并购浪潮及光刻机技术进展 [4] 新股发行情况 - 2025年12月4日有2只科创板新股申购，分别为昂瑞微和沐曦股份 [2] - 同日有1只科创板新股上市，为摩尔线程 [2]

公司经营与产能 - 公司目前在手订单饱满，下游客户进一步扩产预计将持续拉动产品需求量[1] - 公司目前在沈阳、上海临港设有产业化基地，总体可支撑超过700台套/年产能，并正在建设沈阳二厂以进一步扩大未来产能支撑能力[1] - 基于新型设备平台和反应腔的多种先进制程验证机台已通过客户认证，进入规模化量产阶段[2] 产品进展与客户验证 - PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜设备系列产品及先进键合系列产品在存储芯片制造领域已实现产业化应用[1] - 晶圆对晶圆混合键合设备获得重复订单，新一代高速高精度产品已发往客户端验证，芯片对晶圆混合键合设备验证进展顺利[2] - 公司已完成永久键合后晶圆激光剥离产品[2] 行业趋势与技术驱动 - 半导体芯片制程和技术迭代速度持续加快，行业已逐步迈入后摩尔时代，新结构、新材料不断涌现[3] - 技术发展趋势如GAA、背面供电、高K金属栅、HBM三维集成、3D NAND FLASH堆叠层数提高，将拉动下游客户对半导体设备技术和需求量的提升[3][4] - 存储价格上升反映出存储芯片市场有较大需求量，中长期可能拉动存储芯片制造厂持续扩大产能[4] 公司战略与产品需求 - 公司将持续通过高强度研发投入，深耕薄膜沉积和三维集成设备领域，拓展先进制程所需的新产品、新工艺、高产能设备[3] - 随着存储芯片制程推进及结构复杂化，对先进硬掩模和关键介质薄膜性能要求越来越高，将大幅拉动薄膜设备需求量[4] - 公司薄膜沉积和键合系列产品已在先进存储芯片制造领域获广泛应用，下游客户持续扩产预计将进一步扩大这些产品的需求量[4]

融资方案核心内容 - 公司拟通过向特定对象发行A股股票募资不超过46亿元 [1] - 本次定增发行对象不超过35名，发行数量不超过发行前总股本的30%（即不超过8434.92万股）[1] - 募集资金将投向高端半导体设备产业化、前沿技术研发及补充流动资金三大核心方向 [1][2] 募集资金具体投向 - 15亿元用于"高端半导体设备产业化基地建设项目"，建设期5年，旨在提升PECVD、SACVD、HDPCVD等薄膜沉积设备产能 [2] - 20亿元用于"前沿技术研发中心建设项目"，建设期3年，聚焦先进ALD、PECVD、沟槽填充CVD等设备及新一代自动化控制系统研发 [2] - 11亿元用于补充流动资金，以优化财务结构并增强抗风险能力 [2] 公司近期财务业绩 - 2025年前三季度实现营收42.2亿元，同比增长85.27% [1][5] - 2025年前三季度归母净利润5.57亿元，同比增长105.14% [1][5] - 截至2025年9月30日，公司总资产为189.1亿元，负债合计128亿元 [2] 研发投入与人才团队 - 2021年至2024年研发费用分别为2.88亿元、3.79亿元、5.76亿元、7.56亿元，近五年累计达24.84亿元 [6] - 2025年前三季度研发费用为4.85亿元，同比增长0.83% [6] - 截至2025年9月30日，研发人员共678名，占员工总数的40.72%，其中博士59人（占比8.70%），硕士416人（占比61.36%）[6] 资本市场表现 - 截至2025年11月28日，公司股价报收303.3元/股，日涨幅4.59%，2025年以来累计涨幅达97.72% [1][6] - 公司总市值攀升至852.8亿元 [1][6] - 自2022年上市以来，除IPO融资22.73亿元（净额21.28亿元）外，未实施其他股权融资 [3] 前次募集资金使用情况 - 截至2025年9月30日，IPO募集的21.28亿元资金已累计投入17.35亿元，主要用于高端半导体设备扩产、技术研发及产业化项目 [3] - 剩余3.75亿元将根据未结项项目进度陆续投入 [3]

市场表现 - 上证科创板半导体材料设备主题指数截至特定时间上涨0.62% [1] - 成分股天岳先进上涨6.72%，晶升股份上涨2.98%，拓荆科技上涨1.13%，华海清科上涨1.12%，中科飞测上涨1.03% [1] - 科创半导体ETF（588170）上涨0.52%，最新报价1.35元 [1] - 科创半导体ETF（588170）盘中换手2.48%，成交7976.02万元 [1] - 截至11月27日，科创半导体ETF近1月日均成交4.32亿元，领先同类 [1] - 科创半导体ETF近1周规模增长1953.61万元，实现显著增长 [1] 公司动态 - 拓荆科技发布公告，披露2025年度向特定对象发行A股股票相关方案，拟募集资金总额不超过46亿元 [1] - 募集资金将用于高端半导体设备产业化基地建设、前沿技术研发中心建设及补充流动资金三大方向 [1] - 拓荆科技是国内领先半导体薄膜沉积设备供应商，PECVD、ALD等核心产品技术领先、品类齐全 [2] - 公司前瞻性布局三维集成键合设备，并获大基金三期加持 [2] 行业前景 - 随着国内晶圆厂加速扩产及国产化进程提速，平台型设备领先者将深度受益 [2] - 半导体设备和材料行业是重要的国产替代领域，具备国产化率较低、国产替代天花板较高属性 [2] - 行业受益于人工智能革命下的半导体需求，扩张、科技重组并购浪潮、光刻机技术进展 [2] 相关产品 - 科创半导体ETF（588170）及其联接基金跟踪上证科创板半导体材料设备主题指数 [2] - 指数囊括科创板中半导体设备（61%）和半导体材料（23%）细分领域的硬科技公司 [2] - 半导体材料ETF（562590）及其联接基金的指数中半导体设备（61%）、半导体材料（21%）占比靠前 [2]

公司业绩表现 - 2025年前三季度扣非净利润同比高增600% [1] - 2025年第三季度营收环比增长82% [1] - 业绩高增主要系下游需求旺盛、在手订单充足、新产品规模化量产顺利推进所致 [1] 公司业务与技术优势 - 公司是国内领先半导体薄膜沉积设备供应商 [1] - PECVD、ALD等核心产品技术领先、品类齐全 [1] - 公司为平台型设备领先者 [1] - 前瞻性布局三维集成键合设备 [1] 行业趋势与增长动力 - 国内晶圆厂加速扩产 [1] - 半导体设备国产化进程提速 [1] 未来发展预期 - 公司有望开启第二成长曲线 [1] - 获大基金三期加持 [1] - 预计2025年归母净利润11.02亿元 [1] - 预计2026年归母净利润19.22亿元 [1] - 预计2027年归母净利润26.51亿元 [1] - 对应2025年市盈率74倍 [1] - 对应2026年市盈率43倍 [1] - 对应2027年市盈率31倍 [1]