投资评级 - 首次覆盖，给予“买入”评级 [6] 核心观点 - 公司是国内领先的前道薄膜沉积设备厂商，核心产品已实现规模化交付，并前瞻布局混合键合设备，业务向“沉积+键合”双引擎平台化演进 [6] - 薄膜沉积设备市场增长确定性强，2025年全球市场规模预计达340亿美元，2020-2025年CAGR为13.3% [6] - 在后摩尔时代，HBM、Chiplet与三维堆叠加速落地，沉积与键合工艺的重要性持续上升，使相关设备需求具备独立于制程节点的成长逻辑 [6] - 预计公司2025-2027年归母净利润为10.98/17.96/25.22亿元，对应同比增长59.6%/63.6%/40.4%，对应PE为87.5x/53.5x/38.1x，中长期配置性价比较高 [6] 公司概况与业务布局 - 公司成立于2010年，深耕前道薄膜沉积装备领域，核心产品涵盖PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等多类工艺设备 [9] - 公司股权结构分散，前三大股东为国家集成电路产业投资基金（持股19.57%）、国投（上海）创业投资管理有限公司（持股13.48%）和中微公司（持股7.30%） [10][11] - 公司通过子公司战略布局，向“薄膜沉积+混合键合”双引擎设备公司演进，子公司分工清晰 [11][13] - 公司产品主要包括薄膜沉积设备和三维集成领域的先进键合及配套量检测设备 [14] - PECVD系列产品持续保持竞争优势并扩大量产规模，ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等新产品均已通过客户端验证 [19] - 公司早期成长高度依托PECVD产品体系，其中PF-300T（12英寸）和PF-200T（8英寸）是主力型号 [21] - 2018-2021年1-9月，公司综合毛利率由33.0%提升至45.6%，主要受益于PECVD产品持续放量 [21][22] 财务表现与预测 - 2020-2022年，公司营收由4.36亿元提升至17.06亿元，归母净利润由亏损转为3.69亿元 [25] - 2023-2024年，营收继续保持50%以上增长，2024年达41.03亿元，但归母净利润增速因研发投入加大而放缓 [25] - 2025年前三季度，公司实现营收42.20亿元、归母净利润5.57亿元，同比增速分别达85.3%和105.1% [25] - 2020-2023年，公司毛利率由34.1%提升至51.0%，2024年以来受新产品导入等影响阶段性回落至41.7% [29] - 2025年前三季度，毛利率与净利率进一步回落至33.3%与12.7%，但销售与管理费用率持续下降，研发费用率回落至11.5% [29] - 公司合同负债由2020年的1.34亿元提升至2025年三季度的48.94亿元，存货由2019年的3.50亿元增至2025年三季度的80.69亿元，在手订单充足 [34] - 预计公司2025-2027年营业收入分别为63.37/85.16/108.17亿元，同比+54.4%/+34.4%/+27.0% [75] - 预计公司2025-2027年整体毛利率分别为36.5%/38.9%/41.1%，随着产品进入稳定量产期，毛利率将逐步修复 [75] - 预计期间费用率将随收入规模扩大而持续下行，销售费用率稳定于5.0%，研发费用率因收入快速增长而被摊薄 [76] 薄膜沉积设备行业与公司地位 - 薄膜沉积设备与光刻、刻蚀并列构成晶圆制造的三大核心装备，长期稳定占据晶圆制造设备约22%价值量 [47] - 在沉积工艺内部，PECVD以约33%的占比居于价值量首位，ALD占比约11%，PVD/LPCVD合计约占30% [6][47] - 全球CVD设备市场主要由AMAT、LAM、TEL占据，合计市占率达70%；PVD市场被AMAT垄断（>80%）；ALD市场ASM市占率46%，TEL为29% [53] - 在中国薄膜沉积设备厂商中，拓荆科技技术路径聚焦，以PECVD切入市场，是国内唯一实现PECVD设备稳定量产并进入晶圆厂产线的厂商，国产化率仅约18%，卡位优势突出 [55][59][61] 混合键合与三维集成机遇 - 随着制程微缩逼近极限，异构集成成为后摩尔时代提升系统性能的核心路径 [61] - 键合设备是三维集成由验证走向量产的关键瓶颈，对设备精度、稳定性与一致性要求极高 [64] - 2024年全球异构集成技术市场规模约为144亿美元，预计到2034年将增长至506亿美元，10年CAGR为13.4% [66] - 在异构集成价值量结构中，混合键合（Cu-Cu键合）占比已达11.6%，随着先进制程和高带宽需求提升，占比有望持续提升 [66] - 公司已在三维集成领域形成覆盖“键合前处理—键合—量测—检测”的完整设备布局，多款核心设备已实现量产或完成客户验证，技术指标达到国际同类产品水平 [71][72] - 随着3D DRAM、HBM4e/HBM5、SoIC等新一代架构走向量产，公司混合键合设备业务有望进入加速成长期 [71]

投资事件概览 - 拓荆科技于12月5日发布公告，拟与关联方丰泉创投共同投资芯丰精密 [1] - 拓荆科技拟以不超过人民币2.7亿元受让芯丰精密9,983,765元注册资本，占其本轮融资后注册资本的16.4154% [1] - 关联方丰泉创投拟以3000万元受让1,109,307元注册资本，占比1.8239% [1] - 本次投资旨在强化公司在三维集成（3DIC）与先进封装关键工艺环节的产业协同与战略布局 [1] 投资标的公司情况 - 芯丰精密是一家专注于三维集成及先进封装核心工艺设备与耗材的研发制造企业 [3] - 公司具备核心软件、核心零部件的自主研发与制造能力 [3] - 产品线覆盖减薄、环切、划片等设备及耗材，并已成功推出混合键合、熔融键合等先进键合设备及配套量检测设备 [3] - 相关产品已在先进存储、图像传感器等领域实现量产应用 [3] - 公司致力于为三维集成领域提供全面的工艺解决方案 [3] 投资战略与交易细节 - 投资是基于拓荆科技整体发展战略，为进一步完善产业布局、增强技术协同效应而实施的战略性举措 [3] - 在三维集成工艺流程中，减薄、环切与键合环节技术协同性高 [3] - 拓荆科技受让的股权分别来自景德镇城丰、丽水江丰、宁波裕玺等九名原股东 [3] - 包括中芯聚源、建投投资、海邦数瑞、联和基金等在内的多家知名产业投资机构也将参与本轮融资 [3] - 本轮融资包括股权转让与增资两部分，增资完成后，芯丰精密注册资本将由57,891,044元增加至60,819,616元 [3] - 交易完成后，芯丰精密创始人万先进先生仍为公司实际控制人，合计控制公司31.4273%的股权 [3] - 拓荆科技明确本次投资不构成对芯丰精密的控制，且短期内无取得其控制权的计划 [3] 行业背景与影响 - 随着半导体行业向三维集成与先进封装持续演进，相关核心设备的需求与战略价值日益凸显 [4] - 拓荆科技此次战略投资，有助于其整合产业链上游关键技术能力，完善产品组合 [4] - 此举将提升拓荆科技在高端半导体设备市场的整体竞争力 [4]

公司经营与产能 - 公司目前在手订单饱满，下游客户进一步扩产预计将持续拉动产品需求量[1] - 公司目前在沈阳、上海临港设有产业化基地，总体可支撑超过700台套/年产能，并正在建设沈阳二厂以进一步扩大未来产能支撑能力[1] - 基于新型设备平台和反应腔的多种先进制程验证机台已通过客户认证，进入规模化量产阶段[2] 产品进展与客户验证 - PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜设备系列产品及先进键合系列产品在存储芯片制造领域已实现产业化应用[1] - 晶圆对晶圆混合键合设备获得重复订单，新一代高速高精度产品已发往客户端验证，芯片对晶圆混合键合设备验证进展顺利[2] - 公司已完成永久键合后晶圆激光剥离产品[2] 行业趋势与技术驱动 - 半导体芯片制程和技术迭代速度持续加快，行业已逐步迈入后摩尔时代，新结构、新材料不断涌现[3] - 技术发展趋势如GAA、背面供电、高K金属栅、HBM三维集成、3D NAND FLASH堆叠层数提高，将拉动下游客户对半导体设备技术和需求量的提升[3][4] - 存储价格上升反映出存储芯片市场有较大需求量，中长期可能拉动存储芯片制造厂持续扩大产能[4] 公司战略与产品需求 - 公司将持续通过高强度研发投入，深耕薄膜沉积和三维集成设备领域，拓展先进制程所需的新产品、新工艺、高产能设备[3] - 随着存储芯片制程推进及结构复杂化，对先进硬掩模和关键介质薄膜性能要求越来越高，将大幅拉动薄膜设备需求量[4] - 公司薄膜沉积和键合系列产品已在先进存储芯片制造领域获广泛应用，下游客户持续扩产预计将进一步扩大这些产品的需求量[4]

融资信息 - 拓荆键科完成新一轮融资，融资金额约10亿元 [2] - 融资由国投集新领投，并引进多名知名投资人 [2] 投资方背景 - 领投方国投集新的唯一有限合伙人为国家集成电路产业投资基金三期股份有限公司（大基金三期） [3] - 本项目系大基金三期自2024年成立以来投资的首个标的 [3] 公司业务与技术 - 拓荆键科为拓荆科技的控股子公司 [3] - 公司主要聚焦应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备的研发与产业化应用 [3] - 公司产品线包括晶圆对晶圆混合键合设备、晶圆对晶圆熔融键合设备、芯片对晶圆键合前表面预处理设备、芯片对晶圆混合键合设备、键合套准精度量测产品、键合套准精度量测设备、永久键合后晶圆激光剥离设备等 [3] - 产品已出货至先进存储、逻辑、图像传感器等客户 [3] - 公司致力于为三维集成领域提供全面的技术解决方案 [3]

公司业务与产品 - 公司专注于薄膜沉积设备的研发和产业化应用 产品系列包括PECVD ALD SACVD HDPCVD Flowable CVD以及应用于三维集成领域的先进键合设备和配套量检测设备 [1] - 公司产品在集成电路逻辑芯片 存储芯片制造及先进封装等领域得到广泛应用 [1] - 公司是国内化学气相薄膜沉积设备和三维集成领域先进键合设备领域的领军企业 产品覆盖面广且竞争力持续提升 [2] - 公司致力于为三维集成领域提供全面的技术解决方案 产品已出货至先进存储 逻辑 图像传感器等客户 [2] 2025年上半年财务业绩 - 2025年上半年实现营业收入19.54亿元 同比增长54.25% [1] - 2025年第二季度单季营业收入达到12.45亿元 同比增长56.64% 环比第一季度增长75.74% 呈现加速增长态势 [1] - 2025年上半年实现归属于上市公司股东的净利润9428.80万元 [1] - 2025年第二季度实现归属于上市公司股东的净利润2.41亿元 同比增长103.37% 环比第一季度增加3.88亿元 业绩改善显著 [1] 盈利能力与运营状况 - 2025年第一季度归属于上市公司股东的净利润大幅下滑 主要因确认收入的新产品新工艺设备在客户验证过程成本较高 毛利率较低 [2] - 随着新产品验证机台完成技术导入并实现量产突破和持续优化 2025年第二季度毛利率环比大幅改善 呈现稳步回升态势 [2] - 先进制程的验证机台已顺利通过客户认证 逐步进入规模化量产阶段 市场渗透率不断提升 [2] - 目前公司在手订单饱满 [3] 产能扩张与战略发展 - 公司沈阳新建产业化基地"高端半导体设备产业化基地建设项目"拟投资总额为17.68亿元 其中15亿元拟使用本次定增募集资金 项目已完成土地购置和总包施工合同 已启动施工建设 [3] - 国投集新（北京）股权投资基金向公司控股子公司拓荆键科增资 有助于拓荆键科扩张产能 增强研发实力 扩大业务规模 [3]

会议概况 - 第三届集成芯片和芯粒大会将于2025年10月10-13日在武汉召开 主题为“设计封装协同 共筑芯未来” [1] - 会议由武汉大学 中国科学院计算技术研究所 复旦大学主办 设立7场大会报告和16场技术分论坛 [1] - 会议聚焦三维集成 异构融合 多物理场协同 高速互连 EDA设计方法 先进存储与封装工艺等前沿方向 [1] 大会报告核心议题 - 大会报告将探讨集成芯片前沿技术研究进展 [1] - 议题包括基于混合键合技术的三维集成发展趋势与挑战 [1] - 议题涵盖智算时代AI芯片发展和先进封装技术演进 [1] - 议题涉及高密度Chiplet封装的工艺难点和解决方案 [1] 技术分论坛重点领域 - 分论坛1聚焦面向大模型的存算融合三维芯片 [1] - 分论坛2和论坛11关注多物理场仿真及异质集成三维供电架构与宽禁带供电芯片 [1][4] - 分论坛3和论坛12探讨异质集成的感存算通心片及基于三维集成的先进存储心片 [1][4] - 分论坛4和论坛13研究集成心片的光I/O和超高厨设及硅转接脑和玻璃基板 [1][4] - 分论坛5和论坛9涉及芯粒热管理反封装散热技术及芯粒集成先进封装工艺与混合键合 [1][4] - 分论坛10关注晶圆级/超晶圆尺寸高算力大芯片 [4] - 分论坛14和部分大会报告重点讨论集成芯片设计与EDA技术 [1][4] 参与机构与专家 - 会议汇聚全国多所知名高校 研究院所及产业界顶尖专家 包括清华大学 北京大学 复旦大学 上海交通大学 浙江大学 华中科技大学 中国科学院下属多个研究所等 [1][4][10] - 产业界代表包括武汉新芯集成电路股份有限公司总经理孙鹏 北京华大九天科技股份有限公司董事长刘伟平 宏茂微电子技术专家郭一凡等 [1][4]

融资交易 - 拓荆科技控股子公司拓荆键科以投前估值25亿元人民币进行融资 融资金额不超过10.395亿元人民币[1] - 国投集新计划以不超过4.5亿元人民币参与认缴 交易完成后持有拓荆键科12.7137%股权[1][3] - 拓荆科技自身拟以不超过4.5亿元人民币认缴新增注册资本 交易后持股比例降至53.5719%[3][4] - 其他投资方包括华虹产投（不超过3000万元）和海宁融创（不超过950万元）分别获得0.8476%和0.2684%股权[3][4] 投资方背景 - 国投集新99.9%资金来自国家集成电路产业投资基金三期（大基金三期） 总出资额达710亿元人民币[3] - 此次投资被视为大基金三期成立后的首个公开投资项目[3] - 华虹产投出资人包括国方基金、通富微电、华虹集团等[4] 业务与技术 - 拓荆键科聚焦三维集成设备研发与产业化 产品包括混合键合前表面预处理及键合设备 已实现产业化并获重复订单[7] - 三维集成技术通过垂直堆叠芯片提升性能 混合键合技术可实现无凸块、超精细间距堆叠 性能接近单晶设计[4][5] - 拓荆科技主营半导体薄膜沉积设备 产品覆盖PECVD、ALD、SACVD等 应用于逻辑芯片和存储芯片制造产线[6] 行业背景与市场 - 先进封装设备市场预计2025年销售额增速突破20% 受AI服务器需求驱动[6] - 中国半导体设备国产化率从2020年21%提升至2022年35% 预计2025年达50%[10] - 海外厂商在先进制造设备领域处于垄断地位 三维集成技术成为中国芯片"换道超车"潜在路径[6] 财务与经营状况 - 拓荆键科2025年上半年营收114.55万元人民币 净亏损3746.76万元人民币[7] - 融资目的为支持三维集成设备领域快速发展[4][7] 产业链投资策略 - 大基金一期重点投资芯片制造（占比60%-70%） 设备和材料领域占比仅1%左右[8] - 大基金二期加强国产替代环节投资 覆盖设备、材料、晶圆制造、封测及EDA等领域[9] - 大基金三期转向"精准滴灌"策略 聚焦国产化率低的关键短板环节如三维集成设备[9] 竞争格局 - 拓荆键科面临EV Group、应用材料等国际巨头竞争[10] - 国内长电科技（XDFOI技术）、通富微电（VISionS技术）、华天科技（3D Matrix技术）均在先进封装领域布局[10] - 混合键合设备领域除拓荆科技外 迈为股份和芯源微也布局相关技术[10]

公司融资动态 - 拓荆科技拟向控股子公司拓荆键科增资 拓荆科技拟以不超过4.5亿元认缴拓荆键科新增注册资本192.16万元 交易完成后持股比例约为53.5719% [1] - 大基金三期通过子基金以不超过4.5亿元参与增资 这是该基金2024年5月成立以来首次公开出手 [1] - 国投集新拟以不超过4.5亿元认缴新增注册资本192.16万元 交易完成后持股比例约为12.7137% 大基金三期对国投集新出资比例为99.9% 出资额710亿元 [1] - 华虹产投和海宁融创分别拟以不超过3000万元和950万元认缴新增注册资本12.81万元和4.06万元 [2] - 拓荆键科本次融资总额不超过10.4亿元 投前估值25亿元 [1] - 拓荆科技同时公布定增募资不超过46亿元 用于高端半导体设备产业化基地建设(15亿元) 前沿技术研发中心建设(20亿元)及补充流动资金 [4] 子公司业务概况 - 拓荆键科成立于2020年9月 聚焦三维集成领域先进键合设备及配套量检测设备的研发与产业化 [2] - 产品线包括晶圆对晶圆混合键合设备 熔融键合设备 芯片对晶圆键合前表面预处理设备 键合套准精度量测产品等 [2] - 产品已出货至先进存储 逻辑 图像传感器等客户 [2] - 2024年营业收入9729.50万元 净利润-213.65万元 [4] 技术领域介绍 - 三维集成是通过垂直堆叠芯片或功能层实现高密度封装的器件系统 本质属半导体集成电路但采用新封装形式 [3] - 技术特点包括提升封装效率和晶体管密度 缩小尺寸 缩短互连线以降低功耗 [3] - 发展旨在延续摩尔定律 应对传统二维集成的物理限制 [3] 母公司经营状况 - 拓荆科技2022-2024年营业收入分别为17.06亿元 27.05亿元 41.03亿元 年复合增长率55.08% [4] - 公司产能利用率处于较高水平 现有产能无法满足未来客户订单需求 [4] - 高端半导体设备产业化基地建设项目将提升PECVD SACVD HDPCVD等薄膜沉积设备系列产品的产业化能力 [5] - 前沿技术研发中心将开展PECVD ALD 沟槽填充CVD等先进薄膜沉积设备的研发 [6]

大会基本信息 - 第三届集成芯片和芯粒大会将于2025年10月10日至13日在武汉召开 [2] - 大会主题为“设计封装协同，共筑芯未来” [2] - 会议设立16场技术分论坛，聚焦三维集成、异构融合、多物理场协同、高速互连、EDA设计方法、先进存储与封装工艺等前沿方向 [2] 主办与承办单位 - 大会主办方包括武汉大学、中国科学院计算技术研究所、复旦大学 [2] - 承办单位包括武汉大学动力与机械学院、处理器芯片全国重点实验室、武汉大学集成电路学院、集成芯片与系统全国重点实验室等 [11] 大会议程安排 - 注册报到时间为2025年10月10日14:00-20:00，地点在万达瑞华酒店大堂 [3] - 开幕式及大会报告于10月11日上午在万达瑞华酒店三楼宴会厅举行 [3] - 技术分论坛报告分别安排在10月11日下午和10月12日下午 [3] 技术分论坛核心议题 - 论坛1聚焦面向大模型的存算融合三维芯片，主席包括复旦大学的刘琦等专家 [5] - 论坛4探讨集成芯片的光I/O和超高速接口，由中国科学院半导体研究所的薛春来等主持 [5] - 论坛9关注芯粒集成先进封装工艺与混合键合，主席包括清华大学的蔡坚等 [7] - 论坛14主题为芯粒集成EDA布局布线与STCO、测试与可测性设计，由北京大学的王润声等负责 [7]

行业技术发展趋势 - 集成电路创新路径需从平面走向三维以突破存储墙与I/O带宽限制 [1] - 三维集成技术可将I/O带宽提升千倍以上 [1] - HBM结构和背面供电技术成为三维集成的重要发展方向 [1] 关键技术突破点 - 原子级制造技术（ALD/ALE）与前道器件密度提升是解决带宽与密度问题的关键 [1] - 键合技术与后道先进封装技术共同构成三维集成的核心解决方案 [1]