HDPCVD等薄膜沉积设备

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大基金三期出手!4.5亿元投向三维集成设备领域
证券时报网· 2025-09-15 00:17
公司融资动态 - 拓荆科技拟向控股子公司拓荆键科增资 拓荆科技拟以不超过4.5亿元认缴拓荆键科新增注册资本192.16万元 交易完成后持股比例约为53.5719% [1] - 大基金三期通过子基金以不超过4.5亿元参与增资 这是该基金2024年5月成立以来首次公开出手 [1] - 国投集新拟以不超过4.5亿元认缴新增注册资本192.16万元 交易完成后持股比例约为12.7137% 大基金三期对国投集新出资比例为99.9% 出资额710亿元 [1] - 华虹产投和海宁融创分别拟以不超过3000万元和950万元认缴新增注册资本12.81万元和4.06万元 [2] - 拓荆键科本次融资总额不超过10.4亿元 投前估值25亿元 [1] - 拓荆科技同时公布定增募资不超过46亿元 用于高端半导体设备产业化基地建设(15亿元) 前沿技术研发中心建设(20亿元)及补充流动资金 [4] 子公司业务概况 - 拓荆键科成立于2020年9月 聚焦三维集成领域先进键合设备及配套量检测设备的研发与产业化 [2] - 产品线包括晶圆对晶圆混合键合设备 熔融键合设备 芯片对晶圆键合前表面预处理设备 键合套准精度量测产品等 [2] - 产品已出货至先进存储 逻辑 图像传感器等客户 [2] - 2024年营业收入9729.50万元 净利润-213.65万元 [4] 技术领域介绍 - 三维集成是通过垂直堆叠芯片或功能层实现高密度封装的器件系统 本质属半导体集成电路但采用新封装形式 [3] - 技术特点包括提升封装效率和晶体管密度 缩小尺寸 缩短互连线以降低功耗 [3] - 发展旨在延续摩尔定律 应对传统二维集成的物理限制 [3] 母公司经营状况 - 拓荆科技2022-2024年营业收入分别为17.06亿元 27.05亿元 41.03亿元 年复合增长率55.08% [4] - 公司产能利用率处于较高水平 现有产能无法满足未来客户订单需求 [4] - 高端半导体设备产业化基地建设项目将提升PECVD SACVD HDPCVD等薄膜沉积设备系列产品的产业化能力 [5] - 前沿技术研发中心将开展PECVD ALD 沟槽填充CVD等先进薄膜沉积设备的研发 [6]
拓荆科技,拟定增募资不超46亿元
中国证券报· 2025-09-13 05:03
融资计划 - 拟向不超过35名特定对象发行A股股票 募集资金总额不超过46亿元[1][2] - 发行股票数量不超过发行前公司总股本30% 即不超过8391.87万股[2] - 募集资金净额拟投入高端半导体设备产业化基地建设 前沿技术研发中心建设及补充流动资金[1][2] 资金投向 - 高端半导体设备产业化基地建设项目拟投入17.68亿元 其中使用此次募集资金15亿元进行追加投资[2] - 项目建设期为5年 将在沈阳浑南区新建产业化基地 包括生产洁净间 立体库房 测试实验室等设施[2] - 前沿技术研发中心建设项目拟投入20亿元 开展多款先进薄膜沉积设备研发[3] 项目意义 - 项目实施将大幅提升高端半导体设备产能 支撑PECVD SACVD HDPCVD等薄膜沉积设备系列产品的产业化能力[3] - 通过智能化配套设施建设提升生产效率 满足下游市场及客户需求[3] - 开展PECVD ALD 沟槽填充CVD等工艺设备研发 突破前沿核心技术[3] 财务表现 - 2025年上半年实现营业收入19.54亿元 同比增长54.25%[4] - 2025年上半年归属于上市公司股东净利润9428.80万元 同比下跌26.96%[4] - 净利润下降主要因第一季度新产品验证过程成本较高 毛利率较低[4] - 第二季度毛利率环比大幅改善 呈现稳步回升态势[4] 公司治理 - 董事杨卓辞去公司第二届董事会董事及战略规划委员会委员职务[4] - 董事杨柳辞去公司第二届董事会董事及提名委员会委员职务[4] - 国家集成电路产业投资基金提名袁训和张昊玳为非独立董事候选人[4]
拓荆科技拟定增募资不超过46亿元,投资加码高端半导体设备业务
巨潮资讯· 2025-09-13 02:33
公司拟定增募资不超过46亿元 其中15亿元用于追加投资高端半导体设备产业化基地建设项目 另外的资金用于前沿技术研发中心建设项目和补充流动资金[1] 募资用途 - 募集资金净额拟投入高端半导体设备产业化基地建设项目 前沿技术研发中心建设项目并补充流动资金[1] - 使用本次募集资金15亿元对高端半导体设备产业化基地建设项目进行追加投资 该项目曾使用首次公开发行募集资金2.68亿元[1] - 在辽宁省沈阳市浑南区新建产业化基地 包括生产洁净间 立体库房 测试实验室等 引入先进生产配套软硬件[1] 产能扩张需求 - 业务规模呈现快速增长趋势 2022年 2023年和2024年分别实现营业收入17.06亿元 27.05亿元 41.03亿元 年复合增长率达到55.08%[2] - 产能利用率处于较高水平 目前产能预计无法满足未来客户的订单需求[2] - 项目实施将大幅提升公司高端半导体设备产能 支撑PECVD SACVD HDPCVD等薄膜沉积设备系列产品的产业化能力[2] 技术实力与产品布局 - 专注于高端半导体设备的研发 形成一系列具有自主知识产权的核心技术并达到国际先进水平[1] - 核心技术解决半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性 薄膜表面颗粒数量少 快速成膜 设备产能稳定高速等关键问题[1] - 已形成PECVD ALD SACVD HDPCVD Flowable CVD等薄膜设备产品系列[1] 战略意义 - 通过智能化配套设施建设提升生产效率 充分满足下游市场及客户需求 扩大业务规模[2] - 对多种新型高端薄膜沉积设备进行研发 产线验证及优化 实现前沿核心技术的逐步突破[3] - 助力半导体产业链生态的整体国产化转型 提升国内半导体供应链的安全自主水平[3]
拓荆科技定增募资不超46亿元 拟投建高端半导体设备产业化基地等项目
证券时报网· 2025-09-12 12:54
融资计划 - 公司拟定增募资不超过46亿元用于项目建设及补充流动资金 [1] - 其中15亿元用于追加投资高端半导体设备产业化基地建设项目 原计划投资额11亿元增至17.68亿元 [1] - 20亿元用于前沿技术研发中心建设项目 11亿元用于补充流动资金 [1][5] 产能扩张 - 高端半导体设备产业化基地建设项目在沈阳新建产业化基地 包括生产洁净间、立体库房、测试实验室等 [1] - 项目将打造规模化、智能化、数字化高端半导体设备产业化基地 [1] - 产能扩张旨在满足PECVD、SACVD、HDPCVD等薄膜沉积设备系列产品的产业化需求 [2] 业绩增长 - 公司2022-2024年营业收入分别为17.06亿元、27.05亿元、41.03亿元 年复合增长率达55.08% [2][5] - 下游市场需求旺盛 产能利用率处于较高水平 [2] - 当前产能无法满足未来客户订单需求 [2] 研发投入 - 前沿技术研发中心建设项目将开展PECVD、ALD、沟槽填充CVD等先进薄膜沉积设备研发 [3] - 项目将突破前沿核心技术 形成自主知识产权的先进薄膜沉积设备产品 [3] - 进行新一代自动化控制系统和控制软件架构开发 通过智能算法提升设备性能 [3][4] 资金需求 - 半导体行业属资本密集型行业 需持续大量资金投入 [5] - 原材料采购、人员薪酬、研发支出等资金需求随收入增长而增加 [5] - 补充流动资金可优化财务结构 降低资产负债率和财务风险 [5]