文章核心观点 - 全球AI产业爆发引发对高性能内存（尤其是HBM）的巨量需求，导致上游产能结构性转移，进而引发从服务器到消费端的全产业链内存（DRAM/NAND）价格大幅上涨，行业进入一个由AI需求驱动的“超级周期”[15][16][21][22] - 此轮涨价潮使三星、SK海力士等韩国半导体巨头重获定价权，其在HBM领域近乎垄断的市场地位（超过90%份额）和完整的产业链布局，使其成为最大赢家，标志着韩国半导体产业的全面胜利[25][28][30][34] - 尽管面临外部技术封锁，中国内存产业通过国家大基金扶持及企业自主创新，已构建起从NAND（长江存储）到DRAM（长鑫存储）的完整国产替代产业链，并在技术上快速追赶，正在全球内存市场中崛起[35][39][40][42][44] 消费电子市场内存涨价现象 - 消费端内存与固态硬盘价格大幅上涨，例如16GB DDR5内存条已难觅800元以下产品，M.2接口固态硬盘每TB价格近800元，较年初翻倍[5] - 内存涨价压力正传导至手机、PC等消费电子产品，中低端机型因内存成本占比高而受影响更明显，小米高管已公开表示因内存涨价面临成本压力，未来可能通过产品涨价或结构调整来应对[13] - 消费电子“晚买享折扣”的规律暂时失效，此轮涨价与AI巨头大规模扫货有关，不同于以往的散户炒作[15] AI需求驱动内存行业进入“超级周期” - 全球AI竞争白热化，AI大模型训练、应用落地及数据中心建设催生了对高性能AI服务器的庞大需求[16] - AI服务器对内存需求远高于普通服务器，DRAM需求是8倍，NAND需求是3倍，尤其依赖高带宽内存（HBM）以突破算力瓶颈[17][20] - 为满足AI需求，三星、SK海力士、美光自2024年4月起将产能转向服务器DDR5和HBM，并削减DDR4产能，导致供应结构快速改变[21] - 下游预期供应减少引发恐慌性囤货，行业合约价自2024年二季度起持续上涨，三季度预测涨幅达10%-15%，零售端价格在近两个月内显著上涨[21] - 2024年四季度，服务器DRAM合约价预计飙升近70%，NAND合约价上涨20-30%，DRAM价格突破历史高位，行业开启“超级周期”，供应紧张局面可能持续至2026年甚至2027年[22] 韩国半导体产业的领先与狂欢 - 内存行业具有强周期性，此前因下游需求疲软长期处于供过于求、价格低迷的状态[25] - 本轮周期由对价格不敏感、需求旺盛的AI数据中心和云服务商主导，其大量订单使上游工厂能快速调整产能结构，将大量产能转向高利润的HBM产线[28] - 在HBM领域，三星和SK海力士占据超过90%的市场份额，形成断层式领先[30] - HBM技术发展历时近20年，韩国企业通过持续投入、整合本土产业链、控制成本，最终等到市场爆发时机，而早期技术领先者如日本尔必达因产业链不完整和债务问题而破产[31][33] - 此轮“超级周期”是韩国“举国体制+财团突围”半导体产业模式的胜利，实现了产业狂欢[34] 中国内存产业的崛起与国产替代 - 全球内存产业历经美日韩多次产能转移，最终形成三巨头格局，中国因起步晚及《瓦森纳协定》等技术封锁长期缺席一线竞争[35][37] - 2014年国家集成电路产业投资基金（大基金）成立，一期募资1387亿元，其中67%投向芯片制造，为国产内存发展奠定基础[39] - 长江存储与长鑫存储于2016年成立，分别主攻NAND闪存和DRAM内存[40] - 长江存储通过自研Xtacking架构，在未获得最先进光刻机的情况下，成功研发并量产堆叠层数达270层的3D NAND闪存，实现了差异化技术突破[40][42] - 长鑫存储于2019年实现19nm DDR4 DRAM量产，并于2025年发布最高速率达8000Mbps的DDR5产品，性能达到国际领先水平[42][44] - 围绕两家核心企业，已形成包括澜起科技、江波龙、长电科技等在内的完整国产内存产业链[44] - 在不到十年时间里，中国内存产业填补了空白，构建了完整的替代产业链，正处于崛起与突围的进程中[44]

消费电子市场内存价格飙升 - 16GB DDR5内存条价格已很难找到800元以下产品，基础M.2接口固态硬盘每TB价格涨至近800元，而年初同样规格产品价格不到一半[1] - 内存涨价压力正传递至手机、平板、PC等消费电子产品，中低端千元机因内存占整机BOM成本比例较高，受到的影响最明显[8] - 消费级数码产品"早买早享受，晚买享折扣"的规律暂时失效，行业进入涨价周期[9] AI产业驱动内存需求结构改变 - AI服务器对内存需求激增，一台AI服务器的DRAM内存需求是普通服务器的8倍，NAND闪存需求达到3倍[10] - 由OpenAI、亚马逊、Meta、微软、xAI等超大规模厂商牵头的数据中心项目，预计总投资额将超过2.5万亿美元，其中AI服务器成本占比高达60%[9] - 为满足AI服务器需求，HBM（高带宽内存）成为关键，其具有更高引脚密度和更低延迟，能在有限空间提供更大内存容量和更快数据访问速度[10][11] 上游产能调整与价格走势 - 三星、SK海力士和美光自今年4月份将更多产能转向服务器规格DDR5和HBM，并降低DDR4产能，导致消费级内存供应减少[15] - 今年二季度内存行业合约价涨幅在5%-10%，三季度进一步增至10%-15%[15] - 今年四季度服务器DRAM合约报价飙升近70%，NAND合约价格上涨20-30%，DRAM价格突破历史高位，开启"超级周期"[16] - 投研机构伯恩斯坦判断供应紧张局面至少将持续至2026年上半年，甚至可能蔓延至2027年[16] 韩国半导体产业主导地位巩固 - 在DRAM市场，三星、SK海力士和美光市场份额分别为36%、34%和20%，但在HBM领域，三星和SK海力士主导超过90%的市场份额[24] - HBM内存利润水平高达50%-70%，但因产能消耗是普通DRAM内存的3倍，此前并非上游业务重心[15] - 韩国半导体企业依靠持续稳定的大规模生产能力降低HBM生产成本，拉高竞争门槛，并凭借完整的本土产业链优势加快开发进程[28][29] 国产内存产业崛起与突破 - 长江存储主攻NAND闪存，其Xtacking 4.0技术已实现270层堆叠，即使在先进制程光刻机被封锁情况下也能通过成熟制程推进研发[34][37] - 长鑫存储在2019年实现第一代19nm工艺DDR4 DRAM内存量产，并在IC China 2025博览会上发布最高速率达8000Mbps的DDR5产品，颗粒容量达24Gb[37][40] - 国产内存产业链已形成规模，包括澜起科技、江波龙、东芯半导体、长电科技、通富微电等一批上下游企业[40]