产能扩张计划 - 计划将第六代10纳米DRAM（1c DRAM）月产能从目前约2万片300mm晶圆提升至16万至19万片，增幅达8至9倍 [1] - 扩产后1c DRAM将占其DRAM总产能的三分之一以上 [1] - 产能提升集中在利川园区，通过工艺升级新增14万片月产能被视为"最低增幅"，并考虑将月产能提高16万至17万片 [2] - 公司已将1c DRAM的良率提升至80%以上 [2] 产品与技术重点 - 扩产后的1c DRAM将主要用于生产GDDR7和SOCAMM2等产品，以满足英伟达等大型科技公司的订单需求 [1] - 1c DRAM制程主要用于制造DDR5、LPDDR和GDDR7等最新通用DRAM产品 [2] - 相比需要复杂堆叠工艺的HBM，1c DRAM的生产效率更高，能够更快速响应市场需求 [2] - HBM4的数据传输通道达到2048个，是前代HBM3E的两倍，并新增了计算效率和能源管理等逻辑工艺 [6] 市场驱动因素与需求转变 - 战略调整反映出AI推理应用对成本效益更高的通用DRAM需求激增，公司正将战略重心从高带宽内存（HBM）扩展至更广泛的AI内存市场 [1] - 随着AI模型从学习扩展到推理领域，通用DRAM的需求增速预计将与HBM相当 [3] - 在AI推理应用中，比HBM更节能、更经济的先进通用DRAM成为主流选择，例如英伟达AI加速器Rubin CPX采用GDDR显存，谷歌等公司也在开发集成大量通用DRAM的定制AI加速器 [4] - SOCAMM2内存模块与HBM相比带宽较低但能效更高，英伟达计划在其专有CPU Vera旁边部署SOCAMM2 [4] - 因主要存储芯片企业集中扩充HBM产线，导致通用型DRAM供应瓶颈蔓延，DDR4固定交易价格9月突破7美元，创6年10个月来新高 [5] 定价与盈利能力 - 公司与英伟达完成HBM4供应谈判，成功将价格提升逾50%至每颗500美元以上 [1][6] - 公司已提前售罄明年产能，在HBM和通用DRAM市场均占据有利定价地位 [1] - 业界估算HBM4利润率约为60%，市场预计公司明年HBM销售额约为40万亿至42万亿韩元 [8] - 若维持与今年相同的利润率，公司仅HBM业务就将产生约25万亿韩元营业利润，较今年的17万亿韩元增长近50% [8] - 随着DRAM价格上涨，公司明年通用型DRAM营业利润率也可能接近50%至60% [8] 资本开支与业绩展望 - 业内人士预计，公司明年设施投资额将轻松突破30万亿韩元，较今年预计的25万亿韩元大幅增长 [1] - 市场预测公司明年营业利润有望超过70万亿韩元，创下历史新高 [1][8] - 公司正在扩大1b DRAM产能，用于明年正式向英伟达供应的HBM4，位于清州园区的全新M15X工厂计划于今年年底投产，每月可生产6万片晶圆 [8]