SK海力士产能扩张计划 - 计划将第六代10纳米DRAM（1c DRAM）月产能从约2万片300mm晶圆大幅提升至16万至19万片，增幅达8至9倍 [1] - 扩产后1c DRAM产能将占其DRAM总产能的三分之一以上 [1] - 扩产将通过在利川园区进行工艺升级实现，新增14万片月产能被视为"最低增幅" [3] 技术细节与产品应用 - 1c DRAM良率已提升至80%以上，主要用于制造DDR5、LPDDR和GDDR7等最新通用DRAM产品 [3] - 扩产的1c DRAM将主要用于生产GDDR7和SOCAMM2等产品，以满足英伟达等大型科技公司的订单需求 [1] - 与需要复杂堆叠工艺的HBM相比，1c DRAM生产效率更高，能更快速响应市场需求增长 [3] 市场需求与战略调整背景 - AI应用重心正从训练转向推理，导致对成本效益更高的通用DRAM需求激增 [1][5] - 在AI推理应用中，比HBM更节能、更经济的先进通用DRAM成为主流选择 [5] - 英伟达近期发布的AI加速器Rubin CPX采用GDDR显存，谷歌、OpenAI和亚马逊等公司也在开发集成大量通用DRAM的定制AI加速器 [5] - DDR4固定交易价格在9月突破7美元，创6年10个月新高，因主要存储芯片企业集中扩充HBM产线导致通用型DRAM供应瓶颈 [6] HBM业务进展与定价能力 - 在与英伟达的HBM4供应谈判中成功将价格提升逾50%至每颗500美元以上 [2][8] - HBM4将搭载于英伟达明年下半年发布的下一代AI芯片Rubin，其数据传输通道达到2048个，是前代HBM3E的两倍 [8] - 公司已提前售罄明年HBM产能，在HBM市场占据有利定价地位 [2] - 业界估算SK海力士的HBM4利润率约为60% [9] 财务预期与投资计划 - 业内人士预计公司明年设施投资额将轻松突破30万亿韩元，较今年预计的25万亿韩元大幅增长 [2] - 市场预测公司明年营业利润有望超过70万亿韩元，创下历史新高 [2][9] - 预计明年HBM销售额约为40万亿至42万亿韩元，若维持相同利润率，仅HBM业务就将产生约25万亿韩元营业利润，较今年的17万亿韩元增长近50% [9] - 随着DRAM价格上涨，公司明年通用型DRAM营业利润率也可能接近50%至60% [9] 行业竞争格局 - 三星计划到2026年底将其1c DRAM的月产能扩大到20万片晶圆，目标在2025年底达6万片，2026年第二季度再增8万片，第四季度再增6万片 [11] - 三星每月20万片1c DRAM产能将约占总产量（估计每月65万至70万片晶圆）的三分之一 [13] - 三星已恢复其平泽园区P5生产线的建设，计划于2028年投入运营，用于生产下一代HBM和1c DRAM [13]