半导体行业观察
搜索文档
苹果自研WiFi芯片,吊打所有友商
半导体行业观察· 2025-11-19 01:35
苹果N1网络芯片性能表现 - iPhone 17搭载的自研N1网络芯片在Ookla测试中优于安卓旗舰手机,击败高通、联发科和博通的同类芯片[2] - 与使用博通芯片的iPhone 16相比,iPhone 17的Wi-Fi下载速度提升近40%,全球平均下载速度达329.56 Mbps,上传速度从73.68 Mbps跃升至103.26 Mbps[2][17] - 在北美地区,iPhone 17的平均下载速度最高达416.14 Mbps,优于Pixel 10 Pro的411.21 Mbps和三星Galaxy S25的323.69 Mbps[3] - iPhone 17达到最高的10%下载速度,为56.08 Mbps,在最差网络条件下性能最高,显示其稳定性优势[2][7] - iPhone 17的90%分位下载速度在北美所有设备中最高,达976.39 Mbps,高于Pixel 10的932.19 Mbps和三星Galaxy S25的815.19 Mbps[7] - 在所有分析的国家和地区,包括美国、英国、德国、日本、意大利和印度等主要市场,iPhone 17的下载性能均优于iPhone 16[13] - 从区域层面看,新加坡和法国的iPhone 17用户下载速度最高,分别达613.80 Mbps和601.46 Mbps,反映了当地千兆光纤网络的高普及率[25] N1芯片技术特点与战略意义 - N1是苹果首款定制网络芯片,随iPhone 17系列首次亮相,集成对Wi-Fi 7和蓝牙6的支持[2] - 该芯片标志着苹果计划将iPhone无线协议栈最后一个主要组件完全自主研发的雄心勃勃一步,旨在摆脱对博通等供应商的依赖[8] - N1是一款单芯片,集成Wi-Fi 7、蓝牙6和Thread无线电模块,通过更紧密的软硬件集成提升隔空投送和个人热点等功能[8] - 从技术规格看,N1的信道宽度上限为160 MHz,不支持Wi-Fi 7在6 GHz频段支持的320 MHz频段,这可能限制其在某些市场的峰值性能[8][9] - 尽管纸面规格存在限制,但实际测试显示N1的性能优势明显,特别是在提升网络性能下限方面,第10百分位速度提升60%以上,而第90百分位速度仅提升20%以上[20][22] - 苹果未在N1中添加320 MHz支持,可能因为目前支持该频段的路由器装机量很小,Wi-Fi 7普及率有限,因此对整体测试结果影响不显著[29] - N1芯片的性能提升模式与苹果自研C1调制解调器在蜂窝性能方面的表现相似,均侧重于提升网络体验的下限而非上限[20] 行业背景与市场环境 - 北美地区Wi-Fi 7用户比例最高,占研究样本量的20.62%,其次是东北亚(5.38%)、欧洲(4.95%)、东南亚(2.95%)和海湾地区(1.73%)[7] - 随着Wi-Fi生态系统成熟,支持320 MHz频率的芯片性能优势可能会越来越大,这使包含该功能的安卓旗舰机型具有面向未来的保障[32] - 新设备在上市初期往往表现更佳,部分原因是早期用户来自Wi-Fi网络覆盖更广、经济条件更好的地区,但iPhone 17的性能优势表明这是实质性提升而非短期现象[10]
从幕后到台前:南芯科技如何抢占智驾PMIC赛道
半导体行业观察· 2025-11-19 01:35
行业背景与趋势 - 国产新能源汽车行业将智能驾驶作为核心卖点,L2级ADAS渗透率在2024年快速跃升 [1] - 智能驾驶发展带动传感器用量井喷,仅2024年上半年车载摄像头用量接近6000万颗,毫米波雷达超过1500万颗 [1] - 电源管理芯片是支撑智能驾驶系统稳定运行的关键基石,但其重要性常被忽视 [1] 公司产品布局与发展历程 - 南芯科技于2023年9月实现首款车规级PMIC量产,并在一年内构建起从外围器件到核心应用的完整产品矩阵 [5] - 公司基于早期在USB车载充电、智能座舱等领域的技术积累,于2022年初前瞻性布局车规级PMIC产品线 [5] - 产品战略覆盖“远端+ECU端”全场景,远端提供摄像头、雷达专用PMIC,ECU端布局升降压变换器、摄像头保护芯片等配套产品 [6] - 当前产品矩阵实现多应用场景全覆盖,包括非功能安全的SC6201Q系列、具备功能安全特性的SC6205Q/SC6206Q/SC6208Q系列,以及针对雷达和MCU应用的SC6207Q、SC6258XQ、SC6259XQ系列 [7] 技术优势与安全标准 - 公司高度重视功能安全,2023年率先获得ISO26262功能安全管理体系认证 [9] - 产品SC6205Q、SC6206Q达到ASIL B级要求(单点故障指标大于90%),最新产品SC6258XQ、SC6259XQ达到汽车功能安全最高等级ASIL D级(单点故障指标达到99%) [9] - 在电荷泵技术、升降压技术等关键指标上具备与国际大厂竞争的实力,部分产品如SC6207Q和SC6208Q的集成度高于市面同类产品 [11] 市场竞争与供应链策略 - 公司车规产品多采用全国产化产业链,在复杂国际环境下帮助主机厂加速开发周期、降低供应链风险 [11] - 服务响应速度是核心竞争力,能够根据国内客户特定需求进行深度定制,快速响应多样化应用场景 [11] - 产品角色正从“供电”职能向集成智能监控、故障诊断、系统保护等功能的“系统赋能者”转变,例如SC6259XQ系列提供上百种配置选项以满足个性化定制需求 [12] 未来发展方向 - 未来ADAS电源芯片竞争将聚焦于PMIC的集成化、高效率、高安全性、高可靠性发展,以及与其他主芯片的深度协同 [13] - 公司发展路径明确:持续深耕核心技术,围绕关键需求迭代产品;发挥全国产产业链优势;通过差异化定制服务巩固市场地位 [13]
驰拓科技STT-MRAM产品通过AEC-Q100 Grade1车规认证
半导体行业观察· 2025-11-19 01:35
行业技术趋势 - 量产闪存(eFlash)技术在28nm节点达到极限,磁性随机存储器(MRAM)作为新型存储技术在高可靠高性能MCU及SoC中逐步应用[1] - 半导体头部代工厂如台积电、三星、格罗方德等的eMRAM IP早期服务物联网、可穿戴及AI领域,现已开始服务多家高可靠工业级和车规级MCU客户[1] - 行业代表案例包括瑞萨基于22nm MRAM平台的RA8系列MCU和恩智浦基于16nm MRAM工艺平台的S32K5系列MCU[1] 驰拓科技产品与技术进展 - 公司独立式MRAM系列产品通过AEC-Q100 Grade1车规认证,典型产品为4Mb MRAM[2] - 独立式MRAM产品提供Kb至64Mb多种容量、SPI/IIC/ASRAM多种接口选择,已在工业自动化、电力、计量等行业头部企业获得应用[2] - 公司推出基于90nm、40nm及28nm平台的多款嵌入式MRAM IP,具备非易失、百万次擦写次数、-40~125℃宽温区、125℃下20年数据保持等优异可靠性[4] - 嵌入式MRAM IP可应用于工控、低功耗SOC、汽车电子、身份认证、智能穿戴等多种场景[4] 驰拓科技行业地位与产能 - 公司建有12英寸MRAM量产中试线,是中国第一家实现MRAM量产的企业[6] - 公司拥有先进的新型存储芯片研发与产业化平台,掌握了MRAM设计、制造全套关键技术[6] - 公司可提供90/55/40/28nm等多个工艺节点下的芯片定制、工艺研发、流片、测试分析等全方位服务[6] - 公司在MRAM工艺制造、嵌入式eMRAM IP和独立式MRAM设计方面核心指标已与国际头部MRAM厂商比肩[1]
Tenstorrent,估值30亿美金
半导体行业观察· 2025-11-19 01:35
公司概况与融资 - 由Jim Keller领导的芯片公司Tenstorrent在最近一轮融资中估值达到30亿美金 [2] - 公司成立于2016年,致力于为NVIDIA的GPU开发可扩展的AI加速器,支持云计算和边缘计算 [2] - 公司在开发过程中大量采用开源技术,从而避免了使用成本高昂的高带宽内存(HBM) [2] 核心技术:Tensix处理器 - Tenstorrent的Tensix处理器由称为Tensix Core的处理器核心组成 [2] - 每个Tensix Core包含一个用于张量运算的数组数学单元、一个用于向量运算的SIMD单元、一个片上网络(NoC)、五个小型RISC-V处理器以及高达1.5MB的SRAM [2] - 处理器采用基于网格的架构,旨在高效处理各种规模的张量计算,并配备了集成的网络通信硬件,无需依赖DRAM即可进行处理器间直接通信 [4] 产品系列:Grayskull与Wormhole - Grayskull是公司首款Tensix处理器,拥有多达120个Tensix核心,每个核心配备1MB SRAM,支持8GB LPDDR4内存及多种AI精度格式 [3] - Wormhole是Grayskull的改进版本,Tensix核心数量减少至80个,但每个核心的SRAM容量增加至1.5MB,并新增对更多精度格式的支持,本地内存容量增加至12GB GDDR6 [3] - Wormhole通过提升核心性能和效率弥补了数量减少的不足,并可扩展至多芯片部署 [3] IP授权与商业模式 - 公司已开始将其RISC-V CPU和AI内核作为可授权的IP进行产品化,已有包括LG和现代在内的IP授权客户 [4] - IP产品的差异化优势在于尽可能开源并允许对内核进行定制,这与通常不允许修改的IP公司不同 [5] - 公司还向计划开发竞争芯片产品的公司授权知识产权,允许客户开发互补产品 [4] RISC-V CPU产品线:Ascalon - 第一代Tenstorrent RISC-V CPU Ascalon的IP将以10到20 SPECint2006/GHz的性能实现形式产品化 [5] - 性能最强的Ascalon-X将与Arm的Neoverse V2和V3内核竞争,性能第三强的Ascalon-S则与Arm Cortex-A78竞争 [5] - 经过验证的、可配置的2到8个Ascalon内核集群也将可用,其接口被指定为Arm的直接替代品 [5] 未来产品路线图 - 公司正推进每18个月推出一代核心的节奏,下一代Babylon将提升性能、频率和PPA [7] - 汽车版本CPU Alexandria增加了汽车功能安全功能集,为工业和医疗等领域开拓了市场 [7] - 名为Atlantis的开发板将搭载一颗8核Ascalon-X CPU,TDP为50W,供OEM厂商等用于软件移植,未来可能用于AI PC [7] - 下一代Tensix AI核心Tensix-Neo采用集群架构,在四个核心之间共享内存和NoC,以提高面积效率和利用率 [8]
微软3纳米CPU,重磅发布
半导体行业观察· 2025-11-19 01:35
产品发布与核心特性 - 微软宣布推出下一代基于Arm的云原生CPU Azure Cobalt 200,是其优化云堆栈战略的重要里程碑 [2] - Cobalt 200设计目标包括完全兼容Cobalt 100工作负载、性能相比Cobalt 100提升高达50%、并集成最新安全、网络和存储技术 [2] - 首批Cobalt 200生产级服务器已在微软数据中心上线,更广泛部署和客户可用性将于2026年实现 [2] 前代产品Cobalt 100的市场表现 - 首款定制处理器Cobalt 100虚拟机自2024年10月正式发布,并迅速扩展至全球32个Azure数据中心区域 [5] - 云分析领导者如Databricks和Snowflake正采用Cobalt 100优化云资源占用 [5] - 微软自身云服务Microsoft Teams在使用Cobalt 100后性能提升高达45%,媒体处理计算核心数量减少35% [6] Cobalt 200的设计与优化方法 - 公司创建了140多个独立基准测试变体,直接取材于Azure中观察到的客户使用模式,以超越传统CPU核心基准测试 [7] - 利用数字孪生仿真和AI建模,评估了超过35万种系统配置方案,最终实现性能相比Cobalt 100提升超过50% [8] - Cobalt 200 SoC基于Arm Neoverse CSS V3构建,包含132个活动核心,每个核心配备3MB L2缓存和192MB L3系统缓存 [9] Cobalt 200的技术创新与能效 - 采用每核心动态电压频率调节技术,允许132个核心以不同性能级别运行,并结合台积电3nm工艺提升能效 [9] - 设计定制内存控制器默认启用内存加密,并采用Arm机密计算架构支持硬件级虚拟机内存隔离 [11] - 针对超过30%云工作负载涉及的压缩、解压缩和加密操作,SoC集成了专用定制加速器以降低CPU消耗 [13] 系统级集成与未来战略 - Cobalt 200系统集成最新Azure Boost功能,提升网络带宽并卸载存储任务,同时嵌入Azure集成HSM提供顶级密钥保护 [15] - 公司计划未来主要使用自主研发的AI数据中心芯片,已发布AI加速器Maia 100,并宣布了Maia 200计划 [16] - 公司战略是设计整个系统,包括网络和散热,并与Corintis合作开发散热效率高三倍的仿生芯片微流体冷却技术 [17]
疯狂的存储芯片,明年产能全部售罄
半导体行业观察· 2025-11-19 01:35
市场需求与供应紧张 - 自2023年10月以来,SK海力士和三星电子等内存芯片制造商收到大量客户紧急会议请求,客户担忧内存芯片即将短缺并影响2026年产品发布计划 [2] - 人工智能数据中心及相关基础设施的强劲需求引发对DRAM和NAND闪存等关键内存组件的抢购热潮,几乎所有主要内存制造商的产能已接近或达到满负荷运转,2026年产能几乎“售罄” [5] - 中小企业需与财力雄厚的互联网和科技巨头争夺内存供应,主流内存芯片制造商优先满足人工智能计算和数据中心相关需求,导致其他领域企业担心供应不足 [5] - 供应紧张与过去两年形成鲜明对比,过去两年因消费电子和汽车制造商消化库存导致内存芯片行业经历严重低迷 [5] 价格变动与市场反应 - 16GB DDR4 DRAM现货价格同比上涨840%,达到约30.30美元,而16GB DDR5价格同比上涨316%,达到约20美元 [10] - 一家美国NAND闪存芯片制造商在2024年将其价格提高70%以上,但即使支付更高价格,客户仍难以获得额外芯片供应 [12] - 预计2024年第四季度整个行业NAND闪存平均价格上涨15%至20%,2025年上半年可能进一步上涨10%至25% [15] - 内存芯片行业平均营业利润率通常在15%左右,但2024年第四季度利润率达到15%至20%,预计2025年因强劲需求将进一步增长 [15] 人工智能驱动的需求增长 - OpenAI是寻求大量供应的公司之一,SK海力士与其签署协议,每月向Stargate项目供应90万片高带宽内存晶圆 [2] - 主要云服务提供商在人工智能数据中心服务器上的支出预计从2024年的2850亿美元增加到2025年的4680亿美元,并在2026年达到6210亿美元 [6] - 人工智能数据中心不仅需要强大处理器,还需要比传统数据中心多得多的内存,人工智能基础设施建设激增导致内存需求反弹时间远超预期 [5] - 在DRAM领域,增长主要由对高带宽内存的需求驱动,高带宽内存通过堆叠多层DRAM提供更快连接速度、更高传输速率和更低延迟 [9] 行业格局与厂商动态 - DRAM生产主要由三星、SK海力士和美光主导,中国的长信存储科技正在崛起,而南亚科技和华邦电子等规模较小厂商也在努力争取市场份额 [9] - 许多全球主要供应商正逐步淘汰老一代DDR4产品,转而使用DDR5,尽管许多消费电子设备和其他电子设备仍然需要技术水平较低的DRAM [10] - 美光科技股价在过去六个月上涨超过150%,三星股价同期上涨超过70%,华邦电子在经历四个季度亏损后于2024年第三季度扭亏为盈,产能利用率达到100% [15] - 芯片制造商非常谨慎地提高存储芯片产能,专注于满足人工智能需求的高端存储芯片,如果智能手机、个人电脑或通用存储芯片出现短缺,就会提高价格 [10] 下游影响与行业担忧 - 个人电脑制造商被认为是最脆弱的,因为疫情期间市场从短缺转向过剩时他们未表现出怜悯,现在可能无法从内存芯片制造商获得更多供应 [10] - 智能手机制造商越来越担心内存芯片供应不足,如果能够获得处理器和其他组件但内存不足,仍然无法出货 [16] - 和硕联合首席执行官表示DRAM供应已经“捉襟见肘”,内存芯片供应是计算业务个位数百分比增长的最大不确定因素 [17] - 主要担忧是下游设备制造商能否承受零部件成本急剧上涨,如果存储器价格上涨过快,消费电子产品制造商可能不得不提高产品价格,这可能会损害终端市场需求 [17] 市场前景与周期不确定性 - 人工智能基础设施支出最终可能达到过度投资地步,但目前这一轮投资周期还有发展空间,预计到2026年都将保持良好的发展前景 [15][16] - 传统DRAM平均价格在2024年第四季度转正并持续攀升,NAND闪存价格直到2025年第二季度才开始从低迷中复苏,但当前上涨趋势正在加速 [16] - 不确定当前势头能持续多久以及趋势将如何演变,供应紧张时一些客户开始向多个供应商下单以确保供货,可能导致供应链出现重复预订情况 [18] - 2026年可能成为所有NAND闪存制造商有史以来最好的一年,行业预计将迎来强劲增长 [15]
川土微的收购,黄了
半导体行业观察· 2025-11-19 01:35
交易终止公告核心内容 - 梦天家居终止筹划以发行股份及支付现金方式收购上海川土微电子股份有限公司控制权的重大资产重组事项 [2][4] - 公司实际控制人余静渊同时终止筹划控制权转让事项,且该事项与资产收购事项不互为前提 [2][5] - 公司股票将于2025年11月19日上午开市起复牌 [2][4] 原交易方案概述 - 原计划交易方式为发行股份及支付现金购买资产,并募集配套资金 [4] - 交易标的为上海川土微电子股份有限公司(川土微)的控制权 [4] - 截至公告披露日,标的公司估值、审计评估、交易金额、支付比例等关键条款均未最终确定 [5] 标的公司背景 - 川土微主营高端模拟芯片的研发设计与销售,成立于2016年 [6] - 公司历经多轮融资,包括2017年Pre-A轮,2019年A轮,2021年B轮,2022年C轮,并在2023年C+轮引入了比亚迪、上汽集团等汽车产业资本 [6] - 2022年上半年,公司曾实现营收同比增长251%,净利润同比增长641% [6] - 川土微于2025年7月完成股份制改造,此前曾被解读为迈向IPO的重要步骤 [6]
全球最大的硅光企业诞生
半导体行业观察· 2025-11-19 01:35
行业技术趋势 - 硅光子技术使用光而非电脉冲传输数据,应用于芯片内部、组件间及服务器间通信 [2] - 该技术能在降低功耗的同时提升数据传输速度,对人工智能计算的未来至关重要 [3] - 该技术也是量子计算的关键,使用光信号可制造无需低温冷却的系统,使量子计算机更实用且成本更低 [3] - 除AMD、英伟达和GlobalFoundries等巨头外,Ayar Labs、Celestial AI和Lightmatter等初创公司也在开发光子技术和芯片 [3] 主要公司动态 - GlobalFoundries宣布收购新加坡硅光子器件制造商AMF,成为该技术领域最大制造商 [2] - 英伟达计划在下一代人工智能服务器中采用硅光子技术,以支持数据中心内数百万个GPU的集群 [2] - AMD积极布局该技术,斥资近3亿美元在台湾设立专注于硅光子技术的研发中心 [2] - AMD今年早些时候收购了另一家硅光子技术公司Enosemi,以增强与英伟达的竞争力 [2] 技术应用与前景 - 硅光子技术目前已被应用于每秒处理TB级数据的大型服务器,但消费级CPU、GPU和主板短期内不会采用 [4] - 随着对人工智能数据中心的持续投资,该项前景广阔的技术的研发预计将取得进展 [4]
承接巨头战略退场,慧智微再以“中国芯”证明高端射频“同时同质”能力
半导体行业观察· 2025-11-18 01:40
行业格局变化 - 全球射频前端市场排名第一和第二的Skyworks与Qorvo于2025年10月28日正式宣布合并,此举被解读为战略收缩与抱团取暖,而非强强联合[7] - 国际巨头合并后战略重心转向“巩固移动、拓展国防与AI”,呈现出“放弃低利,聚焦顶级”的收缩态势,导致中国手机产业在高端射频前端模组上的选择变得极为有限,供应链风险高度集中[7] - 巨头战略收缩在广阔的安卓旗舰市场留下了一片亟待填补的“高端真空”,为中国本土企业提供了战略机遇[8] 公司技术突破与产品优势 - 公司Phase8L NSA/SA 5G高集成度L-PAMiD射频前端模组S55051获评2025年“中国芯”优秀技术创新产品,是该赛道唯一获奖企业[3][5] - 该产品是应用于高端/旗舰手机的最新射频前端解决方案,具备SA、NSA等完整功能,代表当前手机终端最高集成度,目前全球仅有该公司与美国Qorvo两家公司可以提供支持联发科、高通全平台的相应产品[5] - 产品布板面积从Phase5N分立方案的240mm²,历经Phase7LE的130mm²,最终在Phase8L上实现74mm²的极致压缩,面积仅为此前分立方案的近三分之一[18] - 公司利用可重构射频前端架构进行有源区域的高集成度设计,其产品有源区面积较国际厂商同类产品小40%左右[22] - 该技术架构通过有源区域面积缩小及性能优化,在一定程度上绕开了对特定高端滤波器资源的绝对依赖,为在资源受限情况下突破高端市场开辟了新路径[12] 市场竞争地位与“同时同质”能力 - 公司已成为国际巨头退潮后,高端/旗舰安卓市场最具实力的技术承接者与供应链保障者[5] - 公司实现了与国际厂商“同时同质”推出最新方案的能力,即在相同时间节点推出性能与质量相当的产品,改变了国产射频前端厂商产品推出一般晚2-3年的历史[11] - 在Phase8L L-PAMiD产品功能上,公司产品支持NSA/SA全功能与全球主流载波聚合,而Skyworks产品仅支持单载波,Qualcomm产品需自身平台配合才能实现完整支持[20] - 此“同时同质”能力并非首次展现,早在2019年5G商用初期,公司便与国际巨头同期推出了5G L-PAMiF产品,实现了国产射频前端在5G时代的首次高端突破,并广泛量产应用于三星、OPPO等全球智能手机机型[13] 市场验证与商业成果 - 公司Phase8L L-PAMiD模组S55051已在vivo等多家头部安卓客户的高端/旗舰机型中量产出货[20] - 搭载该模组的vivo X200s旗舰机型预售首日销量达上一代277%的纪录,成为2025年上半年最畅销的旗舰机型之一[25] - 根据《2025年中国电信终端洞察报告》,vivo X200s手机在3500-5000价位带取得5G性能第一名,验证了公司模组的超强旗舰性能[27] - 在5000元以上价位带取得5G性能第一名的vivo X200 Ultra旗舰手机同样搭载公司5G n79 L-PAMiF产品,双旗舰5G性能评测均为第一名的表现证明了公司已充分具备高端旗舰手机射频方案的供应能力[27] 技术根基与未来前景 - 公司持续实现“同时同质”突破的根基在于其自主研发的可重构射频前端架构,该技术曾荣获2022年“中国通信学会科学技术奖一等奖”,被评价为“达国际领先水平”[11][31] - 公司从技术的“跟跑者”成为市场的“并行者”,标志着中国射频芯片产业进入新阶段,一条以自主创新为基石、以市场验证为牵引的高端射频供应链已经打通[33] - 在5G-A深化普及和6G前瞻研发布局的关键时期,公司的实践证明通过持续的底层技术创新与开放的产业链协同,中国射频产业不仅能突破壁垒,更能参与乃至引领下一代技术标准的定义[34]
给芯片降温的新方法
半导体行业观察· 2025-11-18 01:40
行业趋势:数据中心机架功率密度迅速提升 - 数据中心机架功率密度因人工智能和高性能计算需求而快速提升,导致每个机架功耗和发热量显著增加[2] - 机架平均功率从八年前的每机架6千瓦提升至当前出货的270千瓦,预计明年将达480千瓦,两年内将出现兆瓦级机架[2] - 冷却基础设施的发展速度难以跟上机架功率密度的提升趋势[2] 技术方案:微流控冷却技术的优势 - 微流控技术将冷却液直接输送到芯片特定区域进行散热,在测试中使运行微软Teams的服务器的散热效率达到其他冷却方式的三倍[2] - 与传统空气冷却相比,微流控技术可将芯片温度降低80%以上[2] - 低温运行使芯片性能提升、更节能且故障率更低,同时允许提高冷却空气温度,减少对冷却器的需求,提升数据中心能效[4] - 该技术通过精准输送冷却液到发热严重区域,大幅降低冷却耗水量,当前行业标准为每千瓦功率每分钟需1.5升水,而10千瓦芯片将需每分钟15升水[4] 公司技术:Corintis的微流控冷却方案 - Corintis开发仿真优化软件,用于设计由精确形状微型通道组成的冷板网络,类似人体循环系统,以实现针对芯片的优化液冷[4] - 公司已扩大增材制造能力,可批量生产通道细如头发丝(约70微米)的铜制零件,且冷板技术与现有液冷系统兼容[4] - 该方法可将冷板散热效果提高至少25%,通过与芯片制造商合作在硅片上刻蚀通道,最终目标为实现十倍散热性能提升[5] - Corintis与芯片制造商合作,利用其热仿真平台以毫米级分辨率编程测试芯片散热,充当芯片设计与冷却系统设计的桥梁[7] 未来发展:冷却技术与芯片设计的融合 - 未来发展方向是将冷却流程与芯片设计合二为一,通过将微流体冷却通道直接蚀刻在微处理器封装内部,而非外围冷板,以突破热传递瓶颈并实现十倍冷却性能提升[8] - Corintis已生产超过1万块铜冷板,正提升产能目标在2026年底前达到年产100万块,并在瑞士开发直接在芯片内部制作冷却通道的原型生产线[8] - 公司宣布在美国开设客户服务办事处,在德国慕尼黑设立工程办公室,并完成由BlueYard Capital等领投的2400万美元A轮融资[8]