近日，俄罗斯科学院微结构物理研究所（IPM RAS）通过计算机与数据科学博士德米特里 ・ 库兹 涅佐夫（ Dmitrii Kuznetsov）在X平台公布了一项关于本土11.2纳米波长极紫外（EUV）光刻工 具的长期路线图，引发全球半导体行业的广泛关注。 根据最新公布的路线图，俄罗斯的 EUV光刻机 项目将从2026年开始，初期采用40纳米制造技术， 并计划延伸至2037年，届时将整合亚10纳米的制造工艺。这一路线图分为三个主要阶段： 1. 第一阶段（2026-2028年） ：推出支持40纳米工艺的光刻机，配备双反射镜物镜系统，套刻精 度达10纳米，曝光场最大3×3毫米，每小时吞吐量超5片晶圆。 2. 第二阶段（2029-2032年） ：推出支持28纳米（可向下兼容14纳米）的扫描式光刻机，采用 四反射镜光学系统，套刻精度提升至5纳米，曝光场26×0.5毫米，每小时吞吐量超50片晶圆。 3. 第三阶段（2033-2036年） ：面向亚10纳米制程，搭载六反射镜配置，套刻精度达2纳米，曝 光场最大26×2毫米，每小时吞吐量超100片晶圆。 值得注意的是，俄罗斯的EUV光刻机技术路径与全球主流采用13.5纳米波长 ...

业务调整核心举措 - 两年内退出氮化镓（GaN）代工业务并关闭新竹科学园区6英寸Fab 2晶圆厂[1][3] - 整合三座8英寸晶圆厂（Fab 3、Fab 5和Fab 8）并将最多30%员工重新部署至南部科学园区和高雄工厂[1][3] - 将6英寸工厂改造为CoPoS面板级封装工厂以拓展先进封装业务[4] 技术转型与产能优化 - 8英寸Fab 3晶圆厂转型为内部EUV保护膜研发中心以减少对ASML供应链依赖[5] - EUV光刻机成本高昂（ASML设备约1.5亿美元，High NA系统超3.5亿美元）促使公司减少High NA订单并专注良率提升[5] - 晶圆厂整合旨在弥补劳动力短缺、降低成本并优化资产利用率[3] 市场竞争与战略重心 - 退出GaN业务因中国大陆企业价格竞争白热化及全球IDM厂商扩大内部产能导致回报有限[3] - 先进封装技术（CoPoS/CoWoS）可满足高性能芯片对集成度和电气性能的需求[4][5] - 自有保护膜技术有望优化流程、提高良率并降低7nm以下工艺成本[5] 行业影响与未来机遇 - 业务调整可能引发行业连锁反应并推动半导体产业链向更高水平发展[6] - 技术转型为设备和材料供应商带来新机遇[5] - 公司资源集中策略有望巩固其在先进制程（2nm以下）领域的领先地位[5]

台积电业务调整 - 台积电将在两年内退出氮化镓（GaN）代工业务 关闭位于中国台湾新竹科学园区的6英寸Fab 2晶圆厂[2] - 公司预计整合三座8英寸晶圆厂（Fab 3、Fab 5和Fab 8）并将最多30%员工重新部署至南部科学园区和高雄工厂 以弥补劳动力短缺、降低成本并优化资产利用率[2] - 6英寸工厂将被改造成CoPoS面板级封装工厂 8英寸晶圆厂将转向内部生产EUV掩膜保护膜以减少对ASML供应链的依赖[4] EUV技术战略 - EUV光刻机成本高昂：ASML EUV设备价格约1.5亿美元 最新High NA EUV系统价格超过3.5亿美元[4] - 台积电减少High NA订单 通过内部研发保护膜技术提高EUV良率并控制成本[4] - Fab 3晶圆厂将成为内部EUV保护膜研发中心 预计投产以减少对ASML供应商依赖并提高成本效益[4] 技术背景与行业影响 - EUV需采用新掩模版和保护膜方法 传统有机保护膜缺乏所需透明度和稳定性 导致晶圆厂需频繁检查缺陷[5] - 台积电自有保护膜技术将优化工作流程、提高良率、扩大产能并降低成本 提升盈利能力并扩大领先地位[5] - 设备和材料供应商可能受益于台积电转型带来的新基础设施需求[5] 产业竞争格局 - 台积电退出GaN领域凸显中国大陆竞争对手在第三代半导体市场的激烈价格竞争[6] - 瑞萨电子与Polar半导体合作开发下一代d型GaN 中国大陆企业加速GaN项目 全球IDM厂商如德州仪器和英飞凌也在扩大内部GaN产能[6] - 台积电向世界先进（VIS）和恩智浦半导体在新加坡的合资企业VSMC出售价值7100万至7300万美元设备[5]

文章核心观点 - 台积电重新利用旧8英寸晶圆厂生产极紫外光防护薄膜（EUV pellicles）以实现内部化生产 旨在降低成本、提升供应稳定性并支持先进制程发展 [1][2] - 三星通过投资FST等供应商布局EUV防护薄膜供应链 以解决EUV掩模污染问题并支持2纳米等先进制程量产计划 [3][4][5][6] 台积电EUV防护薄膜内部化生产 - 将新竹科学园区已停产的8英寸晶圆厂3号厂转为EUV防护薄膜生产基地 通过内部化生产降低单位成本并提升供应可预测性 [1][2] - EUV防护薄膜需承受400W光源和局部1000°C高温 对晶圆良率影响显著 传统DUV防护薄膜单价约600美元 而EUV防护薄膜单价接近30000美元 价差达50倍 [1] - 采用碳纳米管膜材料以平衡耐用性与光学透明度 计划在N2和A16工艺技术中验证解决方案 以提升先进节点产量 [2] 三星EUV防护薄膜供应链布局 - 通过认购股份获得韩国FST公司6.9%股权 成为其第三大股东 FST业务中半导体防护薄膜和冷却器各占销售额约50% [3][4] - FST开发以碳化硅为基础的EUV防护薄膜 厚度30纳米且透光率达90% 目前原型机在透光率、均匀性、热阻等指标符合三星要求 仅存在颗粒问题待解决 [4][5] - 三星与FST协商EUV防护薄膜单价低于5000万韩元 而DUV防护薄膜单价约100万韩元 价差达50倍 计划在2025年初2纳米代工量产前完成供应 [4][5] - FST采用碳纳米管膜结合自主研发涂层技术抵御氢等离子体 设备由芬兰Canatu公司提供 未来将扩展至High NA EUV设备应用 [6] - 三星近年累计投资超1870亿韩元布局半导体供应链 包括S&S Tech（659亿韩元）、YIK（473亿韩元）、KCTech（207亿韩元）等多家供应商 [6] 行业技术差异与成本影响 - EUV光刻系统中掩模价格比DUV工艺昂贵数十倍 无防护膜时污染需废弃或清洁掩模 直接推高生产成本 [4][5][6] - EUV防护薄膜需满足极端条件：耐受1000°C高温、强辐射及热应力 同时保持高透光率并减少波前畸变 [1][4]

EUV光刻技术全球竞争格局 - ASML是全球唯一的EUV光刻机供应商 在先进芯片制造领域占据主导地位[1] - 美国通过Cymer公司提供EUV关键光源技术 并在CHIPS for America计划下投资100亿美元建立High NA EUV研发中心[2][3] - 纽约州政府投资10亿美元扩建奥尔巴尼纳米技术中心 购买ASML的EXE:5200设备并建造5万平方英尺洁净室[5] 美国EUV加速器项目 - 项目将提供标准NA EUV工具 预计2026年实现High NA EUV系统[6] - 建立行业-学术-政府合作平台 推动技术创新和人才培养[6] - 目标是通过开放研发环境缩短原型开发周期 降低50%以上成本[7] EUV替代技术探索 - 美国xLight公司开发自由电子激光器(FEL)技术 声称可提升光源功率至2kW 比现有LPP技术节能70%[8][9] - Inversion Semiconductor研发桌面级粒子加速器 可将设备体积缩小1000倍 晶体管密度提升100%[11][12] - 挪威Lace Lithography开发原子光刻技术 声称分辨率比EUV提升15年水平 获欧盟336万欧元资助[15] 日欧技术路线 - 日本KEK研发自由电子激光系统 电光转换效率比传统EUV高10-100倍[16][18] - 欧洲FabouLACE项目开发亚稳态原子光刻技术 目标实现2nm工艺 预算365万欧元[15] - 各技术路线均聚焦提升光刻分辨率 降低能耗 预计2031年前实现商业化[15][16]

EUV光刻技术现状与竞争格局 - ASML是全球唯一的EUV光刻机供应商，主导7纳米以上晶体管量产技术 [1] - 美国通过Cymer公司（被ASML收购）掌握EUV光源关键技术，Intel等企业加大EUV研发投入 [2] 美国EUV加速器项目 - 纽约州联合IBM、美光等企业投资100亿美元建立High NA EUV研发中心，含ASML EXE:5200扫描仪和5万平方英尺洁净室 [4][6] - 项目目标包括缩短研发周期、降低原型成本、培养半导体人才，预计2026年提供High NA EUV技术 [7] EUV替代技术探索 - 美国xLight公司开发自由电子激光器（FEL），声称可兼容现有设备并降低1.5MW高能耗问题，目标2028年商业化 [9][10] - Inversion Semiconductor采用Laser Wakefield Acceleration技术，将加速器体积缩小1000倍至桌面级，晶体管密度提升100% [12][13][14] 日欧技术进展 - 挪威Lace Lithography开发原子光刻技术（BEUV），分辨率超越EUV极限，获欧盟336万欧元资助，目标2031年商用化 [16] - 日本KEK研发自由电子激光器，电光转换效率比传统EUV-LPP高10-100倍 [17][19] 技术发展趋势 - ASML持续推进High NA向Hyper NA演进，同时封装技术可能成为性能提升的替代路径 [21][22] - 全球多路径探索显示EUV技术仍存物理极限挑战，但芯片性能持续提升趋势明确 [21][22]

台积电业绩分析 核心财务表现 - 2025年第一季度营收达255 3亿美元 同比增长41 6% 营业利润123 8亿美元 同比增长56 1% 均创历史同期新高 [4] - 营业利润率自2024年第三季度恢复至接近50%水平 较此前40%出头显著提升 [4] - 全球晶圆代工市占率持续扩张 预计2025年达68% 远超第二名三星电子(8%)和中芯国际(小幅提升) [6][7] 营收与出货量背离 - 2025年Q1晶圆出货量326万片 较2022年Q3峰值397万片下降18% 工厂平均稼动率仅82% [12][14] - 8英寸厂稼动率从2022年101%降至2025年Q1的69% 12英寸厂从97%降至86% 均未恢复满载 [16][17] - 行业整体复苏缓慢 预计全面满载需等到2026年后 [21] 技术节点表现 制程结构变化 - 7nm节点销售额从2022年Q2峰值55亿美元腰斩至2025年Q1的27 6亿美元 且无回升迹象 [27] - 16nm/28nm/40nm等成熟节点销售额自2022年起持续低迷 [27] - 5nm与3nm成为增长主力 推动2024年Q4营收突破250亿美元 [25] 产能调整挑战 - 公司考虑将月产能15万片的7nm产线转向5nm/3nm 但需投入极高改造成本 [30] - 熊本第一工厂16nm设备引入已中止 第二工厂7nm建设面临市场需求不足风险 [31] 市场结构特征 区域集中度风险 - 美国市场占比从历史60-70%飙升至2025年Q1的77% 创纪录新高 [34] - 亚洲/中国/日本/欧洲等其他区域占比均低于10% 呈现极度不均衡 [34] 应用领域依赖 - HPC(含AI芯片)销售占比从2019-2021年约30%升至2025年Q1的59% 智能手机占比从50%降至28% [39][40] - 汽车/IoT/消费电子平台占比均低于5% 原定"第三支柱"汽车芯片表现疲软 [41] 潜在结构性风险 - 业绩高度依赖NVIDIA等美国AI芯片需求 若GPU价格暴跌可能引发系统性风险 [43] - 先进制程(5nm/3nm)+美国市场+HPC平台三大支柱占比超80% 增长结构单一 [43]

中国EUV光刻光源技术突破 - 中国科学院上海光机所林楠团队成功开发出LPP-EUV光源，使用固体激光器技术绕过二氧化碳激光，达到国际领先水平，对中国自主开展EUV光刻有重要意义 [2] - 该技术有望突破中国自主生产芯片的阻碍，EUV光刻机中最核心的分系统是激光等离子体（LPP）EUV光源，主要关注能量转换效率（CE） [2] - 林楠团队1um固体激光的CE最高可达到3.42%，超过了荷兰和瑞士研究团队的水平，达到商用光源5.5%转化效率的一半 [4] - 光源实验平台的理论最大转换效率可能接近6%，团队正计划增加进一步的研究 [4] EUV光刻技术背景 - EUV指的是波长13.5nm的极紫外光，比当前主流光刻机用的193nm光源小十五分之一，能在硅片上刻下更小的沟道 [5] - 荷兰ASML是目前世界上唯一使用EUV的光刻机制造商，保持100%的市场份额 [5] - ASML的NXE:3400C和NXE:3400D支持7纳米和5纳米节点的EUV量产，后者的生产效率相比前者提高了15%至20% [5] - 由于美国商务部对华实施出口管制，ASML等芯片公司自2019年以来被禁止向中国出售其最先进EUV光刻型号 [5] 林楠团队研究成果 - 林楠团队提出了一种基于空间束缚激光锡等离子体的宽带极紫外光高效产生方案，获得了高达52.5%的转换效率，是极紫外波段最高转换效率 [9] - 固体脉冲激光器近十年来取得快速发展，目前已达到千瓦级的功率输出，未来有望达到10倍以上 [9] - 结果显示，当激光峰值功率密度逐渐升高时，实现了高达3.42%的CE，处于国际靠前水平 [10] - 相关研究为固体激光驱动等离子体EUV光刻光源及量测光源的国产化研发提供了技术支撑 [10] ASML市场表现 - 2024年ASML实现净销售额282.63亿欧元，同比增长2.55%，创下历史新高 [10] - 净利润为75.71亿欧元，较2023年降低了3.4% [10] - 中国成为ASML第一大市场，销售额达到101.95亿欧元，占其全球总营收的36.1% [10] - ASML首席财务官预计2025年中国区销售额占总收入比重将略高于25% [13] 行业竞争格局 - ASML总裁认为由于美国禁止出口EUV设备，中国芯片技术将落后美国等西方国家10年至15年 [11] - ASML首席财务官表示中国确实有可能制造出EUV光源，但相信中国依然需要很多年才能造出一台先进EUV光刻设备 [10]

中国EUV光源技术突破 - 中国研究人员建立运行参数具有国际竞争力的EUV光源实验平台 该平台对自主开展EUV光刻及其关键器件与技术的研发工作具有重要意义[1] - 研究团队来自中国科学院上海光学精密机械研究所 由前ASML光源技术负责人林楠领导[1][4] - 团队开发出LPP-EUV光源 这是光刻机的核心部件 可能成为中国半导体行业的重大突破[7] 技术细节与性能 - 团队建立的实验平台基于固体激光器技术 与ASML采用的二氧化碳激光驱动技术不同[8] - 团队获得的最大转换效率为3.42% 处于国际靠前水平 超过商业化二氧化碳激光驱动EUV光刻光源效率的一半[10][11] - 理论最大转换效率可能接近6% 团队计划进一步研究以优化结果[2][11] 国际比较与行业背景 - 商用二氧化碳激光驱动的EUV光源转换效率约为5.5%[11] - 团队效率超过荷兰ARCNL在2019年记录的3.2%和瑞士苏黎世联邦理工学院在2021年记录的1.8%[11] - 但落后于美国中佛罗里达大学2007年的4.9%和日本宇都宫大学去年的4.7%[11] 行业影响与市场动态 - EUV光刻机已成为高端芯片大规模量产不可或缺的设备 目前仅ASML能够制造但对中国禁售[13] - ASML 2024年净销售额282.63亿欧元 同比增长2.55% 净利润75.71亿欧元 同比降低3.4%[16] - 中国大陆首次成为ASML第一大市场 销售额101.95亿欧元 占其全球总营收约36.1%[16] - ASML计划2025年在北京建立新的回收与维修中心[15]

全球DRAM市场格局变化 - SK海力士首次超越三星电子成为全球DRAM市场冠军，占据36%的市场份额，三星电子以34%位居第二，美光科技以25%排名第三 [1][2][4] - SK海力士的成功主要归功于其在HBM领域的主导地位，占据70%的市场份额 [2][4][6] - 这是SK海力士自1983年成立以来首次在全球存储器市场占据主导地位，打破了三星电子长达30多年的统治 [4] HBM技术驱动增长 - HBM产品占SK海力士第四季度DRAM总销售额的40%以上 [7] - SK海力士独家供应12层HBM3E芯片给英伟达的AI加速器 [7] - 公司预计到2027年HBM内存芯片需求将以每年82%的速度增长 [7] - SK海力士计划在2025年将HBM销量翻一番 [7] - 公司预计HBM3E将在2024年上半年占HBM产品的一半以上，并计划在2026年推出12层HBM4作为旗舰产品 [8] 技术研发与制程优势 - SK海力士新的1c DRAM良率达到80%，开发出全球首款基于1c工艺的16GB DDR5 DRAM [10] - 1c工艺约等于11-12纳米，是目前最先进的DRAM技术 [10] - SK海力士在DRAM技术领域暂时超越三星电子 [11] - 三星电子在1c DRAM模块开发中遇到良率问题，正在重新评估以提高良率 [11][12] - SK海力士计划将1c技术应用于HBM4，可能推出性能更强大的HBM4E [10] 行业技术发展趋势 - 三星和SK海力士已将D1a和D1b单元设计产品商业化 [13] - 两家公司在采用EUV光刻技术方面处于领先地位 [13] - 高K金属栅极(HKMG)技术正在普及，三星、美光和SK海力士都在不同产品中集成该技术 [13] - 预计2026-2027年将推出10纳米级DRAM器件(D1d或D1δ节点) [14] - 到2030年DRAM技术预计将缩小到个位数纳米节点 [14] 市场竞争格局 - 中国厂商如长鑫存储、长江存储等正在技术进步，竞争格局可能发生变化 [16] - 传统DRAM需求减弱，价格下降，推动SK海力士凭借HBM优势进一步领先 [8] - 地缘政治和人工智能崛起加剧了行业竞争 [16] - DRAM技术正处于变革关键期，可能催生新的行业巨头 [16]