行情表现 - 主板领涨股包括鼎信通讯涨10.07%、万达电影涨10.04%、贵广网络涨10.04%、博纳影业涨10.04%、东软集团涨10.03% [1] - 创业板领涨股包括天山电子涨19.98%、波长光电涨14.60%、卡莱特涨14.29% [1] - 科创板领涨股包括富信科技涨19.99%、腾景科技涨14.94%、德科立涨9.69% [1] - 活跃子行业为SW光学元件涨3.75%、SW被动元件涨2.53% [1] AR/显示技术动态 - Meta首款量产AR装置Meta Ray-Ban Display Glasses采用LCoS显示技术 预期带动LCoS显示产品市场占比于2026年上升至13% [1] - 单片全彩LEDoS有望于2028年迎来技术及成本重大突破 此前LCoS与LEDoS竞争将加剧 [1] 半导体设备投资与创新 - 宝利国际计划以不超过最近一期审计净资产5%金额投资宏泰科技1%-3%股权 看好半导体测试设备行业及产业链 [1] - 盛美上海推出首款专为宽禁带化合物半导体制造的Ultra ECDP电化学去镀设备 可实现更高均匀性、更小侧蚀和增强金线外观 [1] - 意法半导体计划投资6000万美元在法国图尔工厂建设面板级封装试验生产线 预计2026年第三季度投入运营 [2] 政府补助与财务动态 - 慈文传媒获得与收益相关政府补助1000万元 其中760万元归公司所有 占最近年度归母净利润25.04% [2] - 麒麟信安获得与收益相关政府补助482.94万元 [2] 企业投资与战略布局 - 嘉元科技支付第一笔转让款4500万元及增资款1.5亿元投资恩达通 正办理工商变更登记 [2] - 安凯微拟以2000万元增资视启未来 持股4% 基于深耕智能视觉领域战略及AI解决方案需求布局 [2] 汽车行业动态 - 小米召回2024年2月6日至2025年8月30日生产的部分SU7标准版电动汽车 共计116,887辆 [1] 存储器与芯片技术进展 - 三星电子上半年开始建设1c DRAM量产产线 SK海力士讨论转产投资方案 美光获日本政府新厂补贴 [2] - 英伟达要求Vera Rubin server rack供应商提高组件规格 HBM4 Speed per Pin需调升至10Gbps SK海力士预计保持HBM4量产初期最大供应商优势 [2] - 英伟达与英特尔合作开发多代定制化数据中心及PC产品 加速超大规模及消费级市场运行效率 [2]

来源 ： 内容来自zdnet 。 公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 主要存储器企业正加快推进 1c（第六代10纳米级）DRAM 投资。三星电子已从今年上半年开始建设 量产产线，SK海力士则被认为正在讨论转产投资的具体方案，美光本月也获得了日本政府针对其1c DRAM新厂的补贴。 据业内21日消息，主要存储器企业正集中力量推进1c DRAM量产所需的新建和转产投资。 1c DRAM 是主要存储器企业计划在今年下半年量产的下一代DRAM。三星电子已决定在其HBM4 （第六代高带宽存储器）中率先采用1c DRAM。SK海力士与美光则计划先在服务器等通用DRAM领 域应用1c DRAM。 三星电子在扩大1c DRAM产能方面动作最为激进。目前正在平泽第4园区（P4）建设新的1c DRAM 量产线，同时也在华城17号线推动1c DRAM的转产投资。预计到今年年底，其可确保的产能最高可 达 每月6万片晶圆。 SK海力士在今年7月发布2025年第二季度业绩时表示："1c DRAM的转产投资将从今年下半年开始， 明年将全面展开。目前正在制定经营计划，后续一旦有具体方案将对外公布。" 据业内推测，该转产投资很可能 ...

1.【三星拟扩大1c DRAM产能】三星电子计划在明年上半年完成其平泽四号园区(P4)1c DRAM的设 备投资，力争在HBM4领域取得先机。公司另准备在其华城17号线进行1c DRAM的转换投资。报告 指出，三星今年的1c DRAM产能可能上升至每月6万片晶圆左右。 (财联社 ） 2.【中国水电首次实现全站控制系统国产化】由中国自主研发的水电辅助控制系统在澜沧江中下游华 能小湾水电站正式投运，标志着中国水力发电基础设施实现了从"核心"到"整体"的全站国产化。（央 视新闻） 3.【国产离子回旋加热系统研制成功】据中国科学院合肥物质科学研究院消息，9月11日，由该研究 院等离子体物理研究所牵头承担的国家"十三五"重大科技基础设施聚变堆主机关键系统综合研究设施 项目（CRAFT）关键子系统——离子回旋（ICRF）加热系统顺利通过专家组验收，标志着我国在高 功率射频加热技术领域取得新突破。（ 财联社） 4. 【银河通用王鹤：今年量产规模超千台，3年可实现10倍增长规模】近日，银河通用在颐和园落地首个 融合具身智能文旅银河太空舱，即机器人零售小店。银河通用创始人王鹤告诉记者，银河太空舱的落 地，是具身智能与文化消费相 ...

三星电子1c DRAM产能扩张计划 - 公司正致力于确保第六代10纳米级1c DRAM产能 计划于明年上半年完成平泽第四园区P4的1c DRAM设施投资 并对包括P3在内的现有工厂进行投资转换[2] - P4工厂分为四个阶段 P1和P3投资已完成 P4的DRAM设施投资正在进行中 剩余PH2洁净室计划最早于今年年底或明年年初开工建设[2] - 1c DRAM是最新一代DRAM 计划在今年下半年实现量产 将用于HBM4并计划于明年全面实现商业化[2] 产能具体规划与进展 - 公司正在华城17号线进行1c DRAM转换投资 预计今年1c DRAM产能最高可达每月6万片[3] - 明年上半年1c DRAM产能将继续扩大 因P4工厂最后一条量产线的投资即将完成 且1c DRAM设施投资可在现有平泽园区内进行[3] - 公司目前正与合作伙伴讨论明年将投资转向P3等1c DRAM的计划 相关设施投资将随着良率和性能稳定而加速[3] 投资背景与战略考量 - 公司积极扩大1c DRAM产能是为HBM4商业化做准备 而NAND和代工的投资计划被推迟 因缺乏足够稳定需求证明扩大产能合理性[3] - 生产线将主要量产1c DRAM P4的PH2虽最终用途未确定 但业界预计将建成DRAM量产线[2]

三星电子HBM战略调整 - 公司正加紧招聘HBM领域经验丰富的专家 包括封装开发和混合键合技术工程师 以重夺半导体行业领导地位 [2] - 招聘集中在存储芯片业务 晶圆代工 半导体研究中心等6个核心部门 下半年申请截止日期为8月19日 [2] - 缩减晶圆代工和系统大规模集成电路部门招聘 后者第二季度营业利润仅4000亿韩元（2.88亿美元）创近期新低 [5] HBM技术研发进展 - 重点开发定制HBM产品 计划最早2024年推出 底层DRAM将集成客户指定功能 [3] - 改进混合键合技术 目标实现16层以上DRAM堆叠 减少厚度和发热量 目前SK海力士已展示16层HBM3E样品 [3] - HBM4量产计划从2025年底推迟至2026年 当前1c DRAM测试晶圆良率达65% 但量产良率仍存不确定性 [4][5] 市场竞争格局 - SK海力士在HBM3E量产进度领先 计划2025年HBM销量翻倍 2026年推出HBM4 [6] - 竞争对手同步扩展GDDR7和LPDDR服务器模块产品线 M15X工厂将于2024Q4投产 [6] - 三星预计下半年存储芯片市场复苏 HBM产品将成为盈利反弹关键驱动力 [2][5] 技术路线差异 - 三星采用双路径开发1c DRAM：改良现有1a/1b设计或彻底重新设计 后者可能增加20%晶圆使用量 [5] - SK海力士优先布局QLC企业级SSD 资本支出将超预期 龙仁Cluster 1工厂2027Q2竣工 [6]

技术开发进展 - 公司于第二季度成功开发基于1c（第6代10纳米级）工艺的LPDDR5X低功耗DRAM [2] - 新产品最高运行速度达10.7Gbps，单颗容量为24Gb，主要面向AI服务器及PC市场 [3] - 1c DRAM尚未量产，计划从2024年下半年开始转产投资 [2] 产品技术特性 - LPDDR5X为第七代低功耗DRAM，较普通DDR更注重能效，主要应用于智能手机及平板等IT设备 [2] - 采用LPCAMM封装技术，结合可拆卸模块与板载焊接优势，减少封装面积并提升能效 [3] - SOCAMM为LPDDR下一代模块，配备694个I/O端口，较LPCAMM的644个更多 [3] 市场战略定位 - 以SoCAMM和LPCAMM形式提供解决方案，瞄准AI服务器及PC市场需求 [3] - 新产品开发旨在抢占AI低功耗DRAM市场先机，满足全球大型科技公司需求 [2][3] - 英伟达等AI产业主导企业预计在下一代AI PC中采用LPCAMM及SOCAMM产品 [3] 工艺演进路线 - LPDDR技术发展顺序为1-2-3-4-4X-5-5X，当前第七代LPDDR5X已实现量产 [2] - 公司于2023年第四季度实现1b（第5代10纳米级）LPDDR5X量产 [2] - 1c工艺为第六代10纳米级技术，代表当前最先进制程节点 [2]

市场行情表现 - 主板市场领涨股票包括吉视传媒(+10.09%)、中电鑫龙(+10.05%)、北纬科技(+10.04%)、特发信息(+10.02%)和沪电股份(+10.00%) [1] - 创业板领涨股票为光库科技(+20.01%)、荣科科技(+20.00%)和三环集团(+15.51%) [1] - 科创板领涨股票包括中船特气(+20.01%)、金橙子(+20.01%)和臻镭科技(+15.63%) [1] - 活跃子行业表现突出：SW通信网络设备及器件上涨8.75%，SW被动元件上涨7.03% [1] 国内半导体产业动态 - 台积电宣布未来两年逐步淘汰6英寸晶圆制造业务并整合8英寸晶圆产能 目前在中国台湾运营4座12英寸晶圆厂、4座8英寸晶圆厂和1座6英寸晶圆厂 [1] - 广立微通过全资子公司收购硅光芯片设计自动化软件全球领军企业LUCEDA 100%股权 [1] - 凯丰气体汕尾充装及储存项目进入建设收尾阶段 预计2025年底投产 达产后年产值突破8000万元 年供应能力超10万吨液态气体和76万瓶装气体 [1] - 2025年第二季度中国平板电脑市场出货量832万台 同比增长15.6% 其中消费市场出货量同比增长16.7% [1] 上市公司业绩表现 - 艾为电子2025年上半年总营业收入13.70亿元 同比减少13.4% 归母净利润1.57亿元 同比增长71.09% [3] - 安凯微2025年上半年总营业收入2.34亿元 同比减少3.02% 归母净利润-0.49亿元 [3] - 鹏鼎控股2025年上半年总营业收入163.75亿元 同比增长24.75% 归母净利润12.33亿元 同比增长57.22% [3] - 有研硅2025年上半年总营业收入4.91亿元 同比减少3.2% 归母净利润1.06亿元 同比减少18.74% [3] 海外技术创新与产品发布 - Vuzix推出由广达电脑制造的LX1智能眼镜 专为仓库运营设计 预计年底前量产上市 [3] - 三星电子研发基于415mm×510mm尺寸长方形面板的SoP封装技术 采用RDL重布线层实现通信 与英特尔和台积电争夺超大规模芯片系统集成订单 [3] - SK海力士计划在量产1c DRAM上应用六层极紫外光(EUV)工艺 以推动DDR5及HBM产品性能升级 [3] - Arm发布神经技术 能将GPU性能提升至更高水平 为移动端内容减少多达50%的GPU工作负载 [3]

三星HBM业务复苏与竞争策略 - 三星半导体业务因美国大型科技公司代工订单而出现复苏迹象 市场关注其内存芯片业务能否延续此势头[2] - 三星HBM3E认证原计划Q3完成 但多位分析师预测可能延期至Q4 摩根士丹利预计8月底完成认证 Q4开始为英伟达量产[2] - 高盛报告指出三星预计下半年HBM3E销售组合占比达90% 意味着将向主要客户全面出货12-high堆叠版本[2] - 三星在财报电话会议中表示计划下半年HBM3E销量较上半年"大幅提升" 并承认供应增长可能超过需求增长 暂时影响市场价格[3] - 三星已向英伟达交付12英寸HBM4样品 工程样品计划8月发布 客户样品11月发布 主要客户最终认证预计明年2月完成[3] 下一代DRAM技术竞争格局 - 三星采用更先进的1c工艺（10纳米级第六代）开发HBM4芯片 而SK海力士采用上一代1b工艺（11-12纳米级第五代）[4][6] - 1c工艺通过缩小电路线宽提升芯片性能和能效 但过渡到更先进技术需要更高成本 可能面临冗余度扩大和投资增加的问题[4][6] - 三星计划比SK海力士提前3-4个月量产1c DRAM 若成功向英伟达供应HBM4 有望重夺30年来首次失去的DRAM市场领先地位[6] - 三星已于Q1开始订购1c DRAM生产设备 预计年底完成生产线建设 SK海力士计划Q3开始订购设备 明年实现量产[7] - 2025年Q1 DRAM市场份额数据显示 SK海力士占36.9% 超过三星的38.6% 三星因DRAM质量问题和HBM产量损失导致地位下滑[7] SK海力士EUV技术发展 - SK海力士积极将EUV工艺应用于下一代DRAM开发 计划在1c DRAM中应用至少5层EUV 较上一代1b DRAM的4层进一步增加[10] - EUV波长13.5纳米 是传统工艺材料ArF的十三分之一 适用于超精细电路层 其余层仍使用深紫外（DUV）等传统工艺[10] - 公司致力于开发提高EUV工艺生产率的方法 并积极应对高数值孔径（High-NA）EUV技术 计划最早明年推出NA 0.55设备[11] - 高NA EUV面临掩模版开发挑战 因光线扩散角度增大会导致入射角和反射角重叠 需采用"变形"技术防止重叠但需两个掩模版[11] - SK海力士表示尚未开发出用于High-NA EUV的掩模版 因控制"缝合"区域（掩模版接触重叠区）相当困难 仍在探索材料方案[11]

行业竞争格局 - 全球存储芯片行业最新战场聚焦于10纳米级第六代DRAM（1c、11-12纳米级）领域，三星电子与SK海力士采取不同策略[2] - 三星为从上一代产品挫折中恢复，迅速投资新生产设施，而SK海力士推迟大规模支出直至与Nvidia等主要客户确认明年供应承诺以确保盈利能力[2] - 预计三星比SK海力士提前3-4个月开始量产1c DRAM，若成功向英伟达供应采用新工艺的HBM4，有望重夺30年来首次失去的市场领先地位[2] - 当前三星、SK海力士和美光科技在10纳米级第四代（1a、14纳米级）和第五代（1b、11-12纳米级）DRAM市场竞争，1c DRAM竞争预计明年升温[2] 三星技术进展与市场策略 - 三星于第一季度开始订购1c DRAM生产设备，上半年持续采购制造工具，预计年底完成生产线建设并全面投入量产[3] - 三星计划在HBM4产品中使用1c DRAM，以代际飞跃确保性能优势，弥补其在HBM领域落后于SK海力士的现状[3] - 第二季度三星向英伟达交付HBM4样品，目前正在进行质量测试[4] - 三星因1a和1b产品线质量问题需重新设计芯片，影响HBM产量，导致DRAM市场份额被SK海力士超越：2025年第一季度SK海力士份额36.9%，三星份额38.6%[3] SK海力士技术进展与市场策略 - SK海力士计划最早于第三季度开始订购1c DRAM设备，2026年实现量产，采取谨慎策略优先生产基于1b DRAM的第五代HBM（HBM3E）[3][4] - 公司于第一季度向英伟达交付HBM4样品，正就明年供应量进行磋商，计划第三季度敲定供应协议并在盈利能力保证后继续投资[4] - 针对1c DRAM，SK海力士将EUV层数从上一代两层增加到六层，下半年开始转换投资，并持续开发下一代EUV技术材料[5] - 公司计划所有下一代产品（包括1d、0a）均使用EUV，致力于开发提高EUV工艺生产率的方法[6] EUV技术发展 - EUV波长13.5纳米，为传统半导体曝光材料ArF的十三分之一，适用于超精细电路层，其余层使用DUV等传统工艺[5] - SK海力士最初在1a DRAM应用一层EUV，1b DRAM扩展到四层，1c DRAM进一步增至六层[5] - 公司积极应对高数值孔径（High-NA）EUV技术，传统EUV系统镜头像差0.33，High-NA EUV可达0.55，计划最早明年推出相关设备[6] - High-NA EUV掩模版开发面临重大挑战，因光的扩散角度增大会导致入射角和反射角重叠，需使用"变形"技术防止光线重叠，但缝合区域控制困难且材料未确定[7]

HBM市场竞争格局 - HBM市场目前由SK海力士主导，该公司自2022年开始向英伟达独家供应HBM3，并已交付下一代HBM3E，而三星尚未通过英伟达认证测试[1] - 预计到2025年，SK海力士将占据全球HBM市场57%份额，三星24%，美光19%[1] - 三星在DRAM市场的领先地位被SK海力士超越，2023年Q1 SK海力士DRAM市场份额36%，三星34%[2] 三星HBM技术进展 - 三星预计将在2023年下半年通过英伟达12层HBM3E芯片认证流程，为2024年订单打开大门[2] - 公司正专注于下一代HBM4研发，计划采用更先进的1c DRAM技术实现产品差异化[2] - 三星已将HBM4送交英伟达等客户验证，10纳米第六代DRAM良率提升工作进展顺利[6][7] 晶圆代工业务突破 - 三星获得特斯拉下一代自动驾驶AI芯片巨额订单，将采用2纳米工艺生产[3] - 2纳米工艺良率和生产稳定性达到预期，计划2023年内实现量产[4] - 该订单可能带动高通、英伟达等其他大型科技公司订单，目前正与高通进行2纳米移动AP测试[5] 晶圆代工业务现状 - 2023年Q1三星DS部门营业利润1.1万亿韩元，预计Q2可能降至4000亿韩元左右[4] - 2023年Q1台积电晶圆代工市场份额67.6%，三星7.7%，差距近60个百分点[5] - 公司推行双轨战略，同时发展先进制程和成熟制程业务以提升盈利能力[6] 未来发展策略 - 计划通过Exynos 2600芯片(2纳米工艺)搭载于2024年初发布的Galaxy S26来提升移动业务[5] - 晶圆代工业务好转可能促进内存竞争力恢复，已向博通等公司开放HBM销售渠道[7] - 技术改进持续进行，英伟达过度依赖SK海力士单一供应商的风险可能为三星创造机会[2]