1.【三星拟扩大1c DRAM产能】三星电子计划在明年上半年完成其平泽四号园区(P4)1c DRAM的设 备投资，力争在HBM4领域取得先机。公司另准备在其华城17号线进行1c DRAM的转换投资。报告 指出，三星今年的1c DRAM产能可能上升至每月6万片晶圆左右。 (财联社 ） 2.【中国水电首次实现全站控制系统国产化】由中国自主研发的水电辅助控制系统在澜沧江中下游华 能小湾水电站正式投运，标志着中国水力发电基础设施实现了从"核心"到"整体"的全站国产化。（央 视新闻） 3.【国产离子回旋加热系统研制成功】据中国科学院合肥物质科学研究院消息，9月11日，由该研究 院等离子体物理研究所牵头承担的国家"十三五"重大科技基础设施聚变堆主机关键系统综合研究设施 项目（CRAFT）关键子系统——离子回旋（ICRF）加热系统顺利通过专家组验收，标志着我国在高 功率射频加热技术领域取得新突破。（ 财联社） 4. 【银河通用王鹤：今年量产规模超千台，3年可实现10倍增长规模】近日，银河通用在颐和园落地首个 融合具身智能文旅银河太空舱，即机器人零售小店。银河通用创始人王鹤告诉记者，银河太空舱的落 地，是具身智能与文化消费相 ...

技术突破 - 离子回旋加热系统（ICRF）通过专家组验收 实现高功率射频加热技术领域新突破 [4] - 系统直接加热等离子体离子 使离子温度达到上亿摄氏度并自持燃烧 有效提升氘氚聚变反应概率 [4] - 突破相关技术壁垒 解决核心技术瓶颈 实现全链路国产化与自主可控 [4] 应用前景 - 技术可拓展应用于运载推进、半导体、医疗健康、电子科技等领域 [4] - 具有重要工程应用价值 由国家"十三五"重大科技基础设施聚变堆主机关键系统综合研究设施项目（CRAFT）承担 [4]

技术突破 - 离子回旋加热系统通过验收 标志着高功率射频加热技术领域取得新突破 [1] - 系统由中国科学院合肥物质科学研究院等离子体物理研究所牵头承担 系国家十三五重大科技基础设施聚变堆主机关键系统综合研究设施项目关键子系统 [1] - 项目团队历经5年技术攻关 实现兆瓦级电子四极管的研发和国产化 [1] 核心技术 - 突破发射机核心器件兆瓦级电子四极管研制、大功率合成器研制、聚变堆天线设计等关键技术 [1] - 创新设计多路大功率合成网络及低损耗传输器件 实现40—80MHz宽频段2MW功率、千秒量级稳定输出 [1] - 完成兆瓦级功率合成与传输 实现全链路国产化与自主可控 [1] 应用价值 - 离子回旋可直接加热等离子体中的离子 有效提升氘氚聚变反应概率 [1] - 相关技术可拓展应用于运载推进、医疗健康、电子科技等领域 [1] - 离子温度需达到上亿摄氏度并自持燃烧 是聚变堆点火的关键参数 [1]

技术突破 - 中国科学院合肥物质科学研究院等离子体物理研究所牵头承担的国家"十三五"重大科技基础设施聚变堆主机关键系统综合研究设施项目（CRAFT）关键子系统离子回旋加热系统（ICRF）通过专家组验收 [1] - 离子回旋加热系统（ICRF）可直接加热等离子体中的离子 有效提升氘氚聚变反应概率 离子温度需达到上亿摄氏度并自持燃烧 [1] - 该系统实现全链路国产化与自主可控 突破相关技术壁垒 解决离子回旋加热系统核心技术瓶颈 [1] 应用前景 - 高功率射频加热技术未来可拓展应用于运载推进、半导体、医疗健康、电子科技等领域 [1] - 该技术具有重要工程应用价值 标志着我国在高功率射频加热技术领域取得新突破 [1]

项目进展 - 中国科学院合肥物质科学研究院等离子体物理研究所牵头的国家"十三五"重大科技基础设施聚变堆主机关键系统综合研究设施项目（CRAFT）关键子系统离子回旋加热系统（ICRF）于9月11日通过专家组验收 [1] - 该进展标志着高功率射频加热技术领域取得新突破 [1] 技术意义 - 离子回旋加热系统（ICRF）可直接加热等离子体中的离子 有效提升氘氚聚变反应概率 [1] - 离子温度需达到上亿摄氏度并自持燃烧是实现聚变堆"点火"的关键参数 [1] - 团队成功突破相关技术壁垒 实现全链路国产化与自主可控 具有重要工程应用价值 [1] 应用前景 - 相关技术可拓展应用于运载推进、半导体、医疗健康、电子科技等领域 [1]