行业竞争格局 - 全球存储芯片行业最新战场聚焦于10纳米级第六代DRAM（1c、11-12纳米级）领域，三星电子与SK海力士采取不同策略[2] - 三星为从上一代产品挫折中恢复，迅速投资新生产设施，而SK海力士推迟大规模支出直至与Nvidia等主要客户确认明年供应承诺以确保盈利能力[2] - 预计三星比SK海力士提前3-4个月开始量产1c DRAM，若成功向英伟达供应采用新工艺的HBM4，有望重夺30年来首次失去的市场领先地位[2] - 当前三星、SK海力士和美光科技在10纳米级第四代（1a、14纳米级）和第五代（1b、11-12纳米级）DRAM市场竞争，1c DRAM竞争预计明年升温[2] 三星技术进展与市场策略 - 三星于第一季度开始订购1c DRAM生产设备，上半年持续采购制造工具，预计年底完成生产线建设并全面投入量产[3] - 三星计划在HBM4产品中使用1c DRAM，以代际飞跃确保性能优势，弥补其在HBM领域落后于SK海力士的现状[3] - 第二季度三星向英伟达交付HBM4样品，目前正在进行质量测试[4] - 三星因1a和1b产品线质量问题需重新设计芯片，影响HBM产量，导致DRAM市场份额被SK海力士超越：2025年第一季度SK海力士份额36.9%，三星份额38.6%[3] SK海力士技术进展与市场策略 - SK海力士计划最早于第三季度开始订购1c DRAM设备，2026年实现量产，采取谨慎策略优先生产基于1b DRAM的第五代HBM（HBM3E）[3][4] - 公司于第一季度向英伟达交付HBM4样品，正就明年供应量进行磋商，计划第三季度敲定供应协议并在盈利能力保证后继续投资[4] - 针对1c DRAM，SK海力士将EUV层数从上一代两层增加到六层，下半年开始转换投资，并持续开发下一代EUV技术材料[5] - 公司计划所有下一代产品（包括1d、0a）均使用EUV，致力于开发提高EUV工艺生产率的方法[6] EUV技术发展 - EUV波长13.5纳米，为传统半导体曝光材料ArF的十三分之一，适用于超精细电路层，其余层使用DUV等传统工艺[5] - SK海力士最初在1a DRAM应用一层EUV，1b DRAM扩展到四层，1c DRAM进一步增至六层[5] - 公司积极应对高数值孔径（High-NA）EUV技术，传统EUV系统镜头像差0.33，High-NA EUV可达0.55，计划最早明年推出相关设备[6] - High-NA EUV掩模版开发面临重大挑战，因光的扩散角度增大会导致入射角和反射角重叠，需使用"变形"技术防止光线重叠，但缝合区域控制困难且材料未确定[7]