来源 ： 内容来自zdnet 。 公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 主要存储器企业正加快推进 1c（第六代10纳米级）DRAM 投资。三星电子已从今年上半年开始建设 量产产线，SK海力士则被认为正在讨论转产投资的具体方案，美光本月也获得了日本政府针对其1c DRAM新厂的补贴。 据业内21日消息，主要存储器企业正集中力量推进1c DRAM量产所需的新建和转产投资。 1c DRAM 是主要存储器企业计划在今年下半年量产的下一代DRAM。三星电子已决定在其HBM4 （第六代高带宽存储器）中率先采用1c DRAM。SK海力士与美光则计划先在服务器等通用DRAM领 域应用1c DRAM。 三星电子在扩大1c DRAM产能方面动作最为激进。目前正在平泽第4园区（P4）建设新的1c DRAM 量产线，同时也在华城17号线推动1c DRAM的转产投资。预计到今年年底，其可确保的产能最高可 达 每月6万片晶圆。 SK海力士在今年7月发布2025年第二季度业绩时表示："1c DRAM的转产投资将从今年下半年开始， 明年将全面展开。目前正在制定经营计划，后续一旦有具体方案将对外公布。" 据业内推测，该转产投资很可能 ...