美光DDR4停产计划 - 美光已向客户发出DDR4停产通知(EOL)，预计未来2~3季陆续停止出货 [1] - 美光执行副总裁表示DDR4将继续"严重缺货" [1] - DDR4/LPDDR4停产通知主要针对PC及数据中心领域 [1] 生产调整计划 - 未来3个季度后，消费性、PC及数据中心用DDR4 DRAM将进行缩产或减产 [1] - 未来美光DDR4/LPDDR4 DRAM主要提供给"车用、工业、网通"的长期合作客户 [1] 行业影响 - 韩系两大存储原厂已先后释出DDR4停产时程 [1] - 美光成为最新确认DDR4停产计划的存储厂商 [1]

新能源产业进展 - 桂阳大为矿业大冲里矿区长石矿勘探报告矿产资源储量通过评审备案，为新能源产业注入强心针 [1] - 大冲里矿区位于湖南郴州桂阳县，地质条件优越，矿产资源丰富 [1] - 截至2024年10月底，矿区长石矿矿石量20,953.3万吨，伴生氧化锂矿物量32.37万吨（平均品位0.154%），钨锡等战略金属储量达中大型规模 [1] - 公司郴州锂电新能源产业项目累计投入14,900余万元，包括竞买探矿权、购买碳酸锂项目土地等 [1] 矿产资源与开采技术 - 大冲里矿区拥有超大型长石矿及丰富锂、钨、锡伴生矿资源，矿体连续稳定且杂质含量低，适合露天开采 [2] - 公司采用"磁选+浮选"为主、"重选"为辅的联合选矿工艺，在粗磨条件下回收锂矿并注重尾矿综合回收利用 [2] - "磁—浮"工艺可降低成本，有利于石英、长石回收并减小环境影响 [2] - 公司攻克选锂尾矿中石英长石分离技术难题，采用浮选分离产出高纯石英与优质长石粉，同时用重选回收钨锡等有价元素 [2] 业务协同发展 - 大冲里矿区伴生锂矿资源将为年产4万吨电池级碳酸锂项目（一期）提供原料保障，降低采购成本与供应风险 [2] - 半导体存储业务新增BGA NAND Flash产品线，完善DDR3、DDR4、LPDDR4X系列，完成LPDDR5样品认证 [3] - 汽车业务与宇通、金龙等客车企业深度合作，保持缓速器技术领先地位，实现电涡流缓速器在新能源纯电动客车批量上线 [3] - 大冲里矿区资源储量评审通过为公司"双主线"战略（新能源+半导体存储）协同发展注入动能 [3]

报告行业投资评级 - 看好（维持） [4] 报告的核心观点 - 存储需求回暖，NAND Flash价格预计在第二、三季度持续上涨，DRAM原厂陆续涨价，AI浪潮是存储需求可持续增长的关键支撑，供应短缺风险带动消费级存储补货需求增长 [7] 各部分总结 存储需求与价格趋势 - 存储需求回暖，5月DRAM和NAND闪存月平均价格连续两月上涨，NAND Flash方面，5月用于存储卡和USB驱动器的NAND闪存通用产品平均固定交易价格环比上涨约5％，已连续5个月上涨；DRAM方面，5月PC DRAM普通产品固定交易均价较上月大幅上涨27%，连续两个月涨幅超20% [8] - NAND Flash市场因供应商保守产能策略转向供需平衡，四月初国际形势影响第二季价格走势，预计季增3% - 8%，第三季度CSP加强AI投资带动企业级SSD需求增长，季增幅度有望达10% [7][10] - DRAM原厂陆续涨价，5月PC DRAM普通产品价格大幅上涨，此前三星、SK海力士等原厂均上调价格，预计第三季度整体价格保持增长趋势，DDR5价格涨幅会减缓 [7][11] 投资建议 - AI服务器和AI终端带动存储需求增长，叠加国产替代机遇，建议关注兆易创新、北京君正、复旦微电等公司 [2][12]

存储产品价格变动 - 近期DRAM产品价格大幅上涨，DDR4和DDR3涨幅显著，部分产品涨幅达100%或一个月内涨50% [1] - 截至5月27日的一周内，DDR4 16Gb 3200、DDR4 8Gb 3200、DDR4 8Gb eTT价格分别环比上涨3.95%、15%、10% [2] - DDR4 8Gb 3200在5月29日涨幅为4%，深圳市场买家问价动作较多，部分DDR4价格持续拉升 [2] - NAND Flash中32Gb及以下的MLC产品也出现涨价，主要因原厂停产通知导致供应减少 [4] 原厂生产调整 - 三星、美光、SK海力士可能在年底前停止生产DDR3和DDR4内存，三星最后订购日期定在6月 [2] - 原厂宣布EOL后，买方抢购补充库存，4月至5月颗粒现货市场供给紧张，价格大幅上涨 [3] - 原厂将产能转向高性能产品如DDR5和HBM，DDR4系列产品价格和利润较低 [7] - 三星停产DDR4后，将生产资源集中在DDR5和HBM上，美光也提及HBM销售对毛利率的提升作用 [7] 行业技术升级 - 存储技术朝更先进制程迁移，原厂资本支出更多投入先进封装技术或产品研发，如HBM、1c、1γ和200层、300层产能 [8] - 美光进行业务部门重组，新成立云内存业务部，专注于高性能内存和存储以推动AI发展 [8] - SK海力士加码布局HBM，去年第四季度HBM占DRAM销售额超40%，预计今年提升至50%以上 [9] - 多家存储厂商极力推广QLC产品，推进产品迭代，因AI PC、AI手机等端侧设备需要存储密度增加 [7] 市场供需情况 - 涨价背后驱动因素不是需求增长，而是原厂停产 [1] - 第一季度NAND Flash平均销售价格下降15%，出货量环比减少7%，前五大品牌厂营收合计120.2亿美元，环比减少24% [6] - 预计第二季度NAND Flash价格触底反弹，品牌厂商营收有望环比增加10% [6] - 存储市场整体规模预计今年比去年增长1%~2%，因去库存后价格得到支撑及AI应用带来大容量存储需求 [6]

DRAM技术演变 - 1990年代采用平面n沟道MOS FET作为DRAM单元晶体管标准结构 进入21世纪后短沟道效应和关断漏电流问题促使开发横向微型化晶体管结构 [1] - 2010年代通过改进阵列布局将单元面积从"8F2"缩小至"6F2" 相同加工尺寸下面积减少25% 该布局至今仍是大容量DRAM标准 [1][3] - 10nm以下DRAM将转向"4F2"布局 采用垂直沟道晶体管(VCT)结构 位线/沟道/电容器垂直排列 [4][5][7] - 三维DRAM(3D DRAM)通过垂直堆叠单元提升容量 三星开发VS-CAT技术实现存储单元阵列与外围电路晶圆键合 [7][9] NAND闪存技术突破 - 平面NAND闪存2010年代初达到小型化极限 3D化成为突破方向 垂直单元串结构使电荷存储量提升且干扰减少 [11][13] - 3D NAND堆叠层数从2010年代32层发展到2020年代300层 采用CMOS under Array布局缩小硅片面积 [13] - 铁电薄膜技术替代传统ONO膜 通过极化方向决定逻辑值 已实现4位/单元存储 可降低编程电压并抑制阈值波动 [14][15][17] 行业前沿技术动态 - imec推出纯金属栅极技术使3D NAND层间距缩至30nm 铠侠开发多级编码技术提升闪存随机存取速度 [18] - NEO Semiconductor展示类3D NAND结构的3D X-DRAM技术 Macronix改进晶闸管控制3D DRAM [18] - 美光科技开发高性能铁电存储器材料 佐治亚理工学院实现铁电电容器小信号无损读出 [19] - 清华大学推出兼容40nm工艺的3.75Mbit嵌入式电阻存储器 旺宏国际优化OTS选择器性能 [19]

业绩表现 - 2024年公司实现营业收入8.85亿元，同比增长27.55%，归母净利润6573.08万元，同比增长755.25%，扣非净利润同比暴增3038.20% [2] - 2025年一季度营收同比增长50.41%至2.58亿元，归母净利润同比增长737.38%至4118.35万元 [2] - 包装印刷业务营收同比增长64.54%，包装容器业务营收同比增长18.11% [3] - 2024年经营活动现金流量净额同比增长114.29%至1.62亿元，2025年一季度净流入3821.07万元 [9] 业务驱动因素 - 传统包装印刷业务通过深化大客户合作、提升经营效率和成本管控实现增长 [3] - 跨界投资1亿元参与半导体存储企业金泰克融资，布局存储芯片领域 [3] - 研发投入保持2935.42万元，研发人员占比10.16% [9] 控股股东减持 - 控股股东董建军计划减持不超过648.42万股，占总股本3% [1] - 减持方式包括集中竞价不超过1%和大宗交易不超过2% [4] - 减持后董建军仍持有54.17%股份，控制权不受影响 [4][5] 行业格局 - 包装印刷行业呈现"强者恒强"格局，一体化解决方案企业更具优势 [6] - 行业面临中小企业价格战、原材料价格波动等挑战 [8] - 半导体存储行业具有周期性强、技术迭代快的特点 [8] 财务健康度 - 2025年一季度资产负债率41.57%，较2024年末有所下降 [9] - 现金流充裕，负债结构优化 [9] 战略方向 - 继续深耕包装印刷主业，扩大市场份额 [10] - 推动存储芯片与包装业务协同发展 [10] - 通过并购和战略合作整合产业链资源 [11]

投资者关系活动基本信息 - 活动类别为特定对象调研和电话会议 [2] - 参与单位包括诺安基金、银华基金等 [2] - 活动时间为 2025 年 5 月 19 - 21 日多个时段 [2] - 地点在深圳市前海深港合作区相关地址 [2] - 上市公司接待人员有副总经理、董事会秘书许刚翎等 [2] 存储价格走势与市场需求 - 2025 年云服务提供商对 AI 硬件投资，推动服务器和智能终端存储需求增长 [3] - 存储晶圆原厂减产或控产，下游需求实质性增长，半导体存储市场 2025 年 3 月底逐步回暖 [3] 企业级存储业务情况 营收规模 - 2025 年一季度企业级存储产品组合（eSSD 和 RDIMM）收入 3.19 亿元，同比增长超 200%，公司将把握机遇实现业务持续高速增长 [3][4] 竞争优势 - 公司是国内少数具备“eSSD + RDIMM”产品设计、组合及规模供应能力的企业，已推出多款相关产品 [5] - 企业级存储产品客户群体广泛，包括中大型互联网企业、信创类客户和运营商客户，具备较强适配能力 [5] 自研主控芯片运用 - 已推出用于 eMMC、SD 卡、车规级 USB 产品的三款主控芯片，累计应用量超 3000 万颗 [6] - 成功流片首批 UFS 自研主控芯片，搭载该芯片的 UFS4.1 产品性能优于市场主流产品，2025 年运用规模有望放量增长 [6] - 保持与第三方主控芯片厂商合作，拓宽产品组合 [6][7] TCM 模式情况 - TCM 模式是公司核心能力凝结出的业务模式革新，旨在建立新型锚定供需关系，降低价格波动影响并创造价值 [7] - 已与传音、ZTE 等 Tier1 客户达成合作，未来将在主要大客户合作上持续突破 [7] 库存策略 - 公司加速向服务和价值模式转型，采用以需求为牵引、结合市场综合因素判断的采购策略 [7] - 根据业务发展需求灵活调整库存策略，优化库存管理，提升运营效率 [7]

辽宁省"走进深交所"系列活动概况 - 活动由辽宁省地方金融管理局主办，为期1天半，包含6项子活动：参观金融博览中心、企业上市政策培训、债券市场"科技板"政策交流、"创投辽宁"深圳专场路演、参观江波龙电子及拜访头部创投机构 [1] - 参与人员包括辽宁省各级金融管理部门负责人、辽宁金控集团等省属金融机构高管、30余家省内上市后备及债券融资重点企业代表，共计60余人 [17] 资本市场历史与政策培训 - 通过深交所金融博览中心实物展陈，系统回顾中国资本市场30年发展历程，重点展示1992年股票认购证原件、股权分置改革会议纪要等历史见证物 [3] - 深交所北方中心详细解析新"国九条"政策、IPO规则及上市流程，并对沈阳上博智像等企业提出的合规经营、财务指标等问题进行针对性解答 [6] - 辽宁省地方金融管理局表示将持续与深交所合作开展多层次资本市场培训，2023年9月已与深交所签署《战略合作备忘录》 [5] 债券与创投市场发展举措 - 深交所债券中心介绍"科技板"债券新政，辽宁省提出2024年要在债券融资领域实现突破，辽控集团等7家省属企业参与交流 [8] - "创投辽宁"深圳路演聚焦低空经济与芯片赛道，组织大连长海鹭航等7家企业展示项目，吸引粤科母基金等20余家投资机构现场对接，线上直播观看超500人次 [10][11] - 辽宁省计划将"创投辽宁"打造为投资品牌，通过高频路演促进省外资本对接省内科创企业，并拟于6月末在沈阳举办2025创投发展大会 [10] 上市公司考察与创投机构对接 - 参访深交所创业板上市公司江波龙电子（301308），该企业专注半导体存储领域，正在申请港交所上市，与大连科利德等辽宁企业分享上市经验 [12][13] - 辽宁省金融局带队拜访深创投等4家头部机构，介绍辽宁产业基础与创投生态优化举措，机构对辽宁2024产投融合发展大会等创新措施给予高度评价 [15]

业务战略调整 - 公司出让全资子公司设计集团100%股权 主要原因为该子公司连续亏损 为聚焦核心业务并优化资源配置而剥离亏损业务[1] - 公司以5800万元现金增资控股芯存科技51.02%股权 切入半导体存储领域 形成生态环境建设与半导体存储双主业格局[4] - 未来投资方向将围绕半导体行业发展趋势 重点布局先进电子器件、存储模组和芯片、半导体先进制造及AI相关产业 通过外延并购方式投资孵化优质企业[5] 财务状况表现 - 2024年归属于上市公司股东的净利润为-9947.35万元 较上年同期亏损收窄7.97% 主要因营业收入规模下降、计提应收账款减值损失及工程项目审计造价审减所致[2] - 2025年第一季度营业总收入达9701.22万元 同比增长91.03% 归属于上市公司股东的净利润为295.97万元 实现大幅增长[5] - 业绩增长主要驱动因素为半导体存储业务并表贡献核心增量 同时通过精细化成本控制降低管理费用 加强应收款项催收使资产减值损失下降[5] 半导体存储业务布局 - 存储业务主要产品包括固态硬盘、移动存储、嵌入式存储等 应用于消费电子、移动智能终端、PC、行业终端、数据中心、智能汽车等领域[5] - 芯存科技已完成新厂房迁移 并整合芯源科技的封测设备及业务资源 形成芯片封测-存储模组研发生产一体化模式[2] - 未来重点投入方向为可用于大数据中心和服务器的企业级SSD产品开发 采取适度扩张策略扩大存储模组业务规模[4][5] 生态环境业务发展 - 生态环境建设业务将适度收缩 不再追求订单数量和规模 重点推进存量项目竣工验收及回款工作[3] - 新项目拓展将聚焦市政公用、园林绿化、古典建筑、水环境治理、生态修复等领域 实行优选项目及风险控制策略[3] - 对已进入运营期的PPP项目强化运营管理 按绩效考核目标提高运维效率 重点抓取可用性付费及运营服务费收款[3] 行业对比分析 - 2024年度半导体存储行业上市公司整体业绩呈现大幅增长态势 但公司当前收入与利润规模较可比上市公司仍相对较小[6] - 公司原有生态环境建设业务持续受宏观经济波动及行业竞争影响 业绩承压状况尚未根本改善[6]

公司概况 - 江波龙成立于1999年，是中国存储龙头企业，专注于嵌入式存储产品如UFS、eMMC、ePoP、LPDDR、SLC NAND Flash等，同时提供固态硬盘、内存条、移动存储等产品线 [1] - 公司业务覆盖消费电子、数据中心、工业、通信、汽车等行业，近年来重点布局汽车存储领域 [1] 汽车存储市场前景 - 汽车智能化和电动化推动存储芯片需求快速增长，预计2027年汽车存储芯片市场规模将超过70亿美元 [2] - 存储技术成为智能驾驶辅助系统和车联网娱乐系统的关键内核，决定驾控体验 [2] 公司汽车存储布局 - 2017年启动汽车存储项目预研，2019年推出首款车规级产品，2020年完成AEC-Q100认证 [2] - 产品线覆盖车规级eMMC、UFS、LPDDR等嵌入式存储，以及U盘、SD卡、SSD等配件 [4] - 拥有400多名固件工程师，5000多个测试用例，并通过收购苏州元成和巴西Zilia强化封装能力 [4] - 2024年已与20余家主机厂和50余家Tier 1客户合作，通过20余家主芯片平台兼容性测试 [6] 核心技术优势 - 自研eMMC主控芯片WM6000，性能提升10%，最高速度达600MB/s，支持128GB容量 [8][11] - 车规级LPDDR4x速率达4266Mbps，带宽利用率提升30%，支持2GB-8GB容量，功耗降低至0.6V [11][15] - 自研SPI NAND Flash，封装尺寸8mm×6mm，容量1Gb-4Gb，支持ECC纠错和1.8V低功耗设计 [14] - 全链路可靠性技术包括晶圆颗粒验证、自研ATE测试、芯片老化筛选和FA分析能力 [16] 新产品发布 - 车规级eMMC全芯定制版：支持-40℃~105℃宽温域，适配DVR、EDR、行车记录仪等车载设备 [10][11] - 车规级UFS：覆盖UFS 2.1至3.1协议，64GB-256GB容量，支持L3+高级驾驶辅助系统 [13] - 车载监控SSD、Lexar行车记录存储卡/U盘等创新产品，通过"功能等效"策略适配车载需求 [17] 商业模式创新 - 采用PTM（存储产品技术制造）模式，提供芯片设计、固件算法、封装工艺等一站式解决方案 [17] - 目标是通过"技术自研+生态共建"巩固"车规存储优选品牌"地位 [17]