业务调整核心举措 - 两年内退出氮化镓（GaN）代工业务并关闭新竹科学园区6英寸Fab 2晶圆厂[1][3] - 整合三座8英寸晶圆厂（Fab 3、Fab 5和Fab 8）并将最多30%员工重新部署至南部科学园区和高雄工厂[1][3] - 将6英寸工厂改造为CoPoS面板级封装工厂以拓展先进封装业务[4] 技术转型与产能优化 - 8英寸Fab 3晶圆厂转型为内部EUV保护膜研发中心以减少对ASML供应链依赖[5] - EUV光刻机成本高昂（ASML设备约1.5亿美元，High NA系统超3.5亿美元）促使公司减少High NA订单并专注良率提升[5] - 晶圆厂整合旨在弥补劳动力短缺、降低成本并优化资产利用率[3] 市场竞争与战略重心 - 退出GaN业务因中国大陆企业价格竞争白热化及全球IDM厂商扩大内部产能导致回报有限[3] - 先进封装技术（CoPoS/CoWoS）可满足高性能芯片对集成度和电气性能的需求[4][5] - 自有保护膜技术有望优化流程、提高良率并降低7nm以下工艺成本[5] 行业影响与未来机遇 - 业务调整可能引发行业连锁反应并推动半导体产业链向更高水平发展[6] - 技术转型为设备和材料供应商带来新机遇[5] - 公司资源集中策略有望巩固其在先进制程（2nm以下）领域的领先地位[5]

台积电业务调整 - 台积电将在两年内退出氮化镓（GaN）代工业务 关闭位于中国台湾新竹科学园区的6英寸Fab 2晶圆厂[2] - 公司预计整合三座8英寸晶圆厂（Fab 3、Fab 5和Fab 8）并将最多30%员工重新部署至南部科学园区和高雄工厂 以弥补劳动力短缺、降低成本并优化资产利用率[2] - 6英寸工厂将被改造成CoPoS面板级封装工厂 8英寸晶圆厂将转向内部生产EUV掩膜保护膜以减少对ASML供应链的依赖[4] EUV技术战略 - EUV光刻机成本高昂：ASML EUV设备价格约1.5亿美元 最新High NA EUV系统价格超过3.5亿美元[4] - 台积电减少High NA订单 通过内部研发保护膜技术提高EUV良率并控制成本[4] - Fab 3晶圆厂将成为内部EUV保护膜研发中心 预计投产以减少对ASML供应商依赖并提高成本效益[4] 技术背景与行业影响 - EUV需采用新掩模版和保护膜方法 传统有机保护膜缺乏所需透明度和稳定性 导致晶圆厂需频繁检查缺陷[5] - 台积电自有保护膜技术将优化工作流程、提高良率、扩大产能并降低成本 提升盈利能力并扩大领先地位[5] - 设备和材料供应商可能受益于台积电转型带来的新基础设施需求[5] 产业竞争格局 - 台积电退出GaN领域凸显中国大陆竞争对手在第三代半导体市场的激烈价格竞争[6] - 瑞萨电子与Polar半导体合作开发下一代d型GaN 中国大陆企业加速GaN项目 全球IDM厂商如德州仪器和英飞凌也在扩大内部GaN产能[6] - 台积电向世界先进（VIS）和恩智浦半导体在新加坡的合资企业VSMC出售价值7100万至7300万美元设备[5]